JPS5978567A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
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- JPS5978567A JPS5978567A JP57187422A JP18742282A JPS5978567A JP S5978567 A JPS5978567 A JP S5978567A JP 57187422 A JP57187422 A JP 57187422A JP 18742282 A JP18742282 A JP 18742282A JP S5978567 A JPS5978567 A JP S5978567A
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- JP
- Japan
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- photoelectric conversion
- film
- amorphous
- conversion element
- blocking layer
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はカラー撮像用の光電変換素子に関するものであ
シ、特にその光電変換膜の可視域での光吸収係数と膜厚
を最適化した光電変換素子に関するものである。
シ、特にその光電変換膜の可視域での光吸収係数と膜厚
を最適化した光電変換素子に関するものである。
光電変換膜をカラーの撮像素子に用いる観点から眺める
と、次の点が重要となる。すなわち、光電変換膜の比抵
抗が低いと撮像の解像度が下がり、膜に欠陥があれば像
にきすが生じ、分光感度が優れていない場合は色再現が
悪くなる。これらの条件は必ずしも個別的ではなく、全
体として総合的に満足されている必要があり、結果とし
て光電変換膜には最適条件が存在することになる。例え
ば、撮像管の光電変換膜として用いる時、走査する電子
ビームの抵抗と、光電変換膜の電気的容量の関係から残
像特性が制限され、残像特性を改善するためには、光電
変換膜の膜厚は厚い方が好ましい。
と、次の点が重要となる。すなわち、光電変換膜の比抵
抗が低いと撮像の解像度が下がり、膜に欠陥があれば像
にきすが生じ、分光感度が優れていない場合は色再現が
悪くなる。これらの条件は必ずしも個別的ではなく、全
体として総合的に満足されている必要があり、結果とし
て光電変換膜には最適条件が存在することになる。例え
ば、撮像管の光電変換膜として用いる時、走査する電子
ビームの抵抗と、光電変換膜の電気的容量の関係から残
像特性が制限され、残像特性を改善するためには、光電
変換膜の膜厚は厚い方が好ましい。
しかし、膜厚を厚くすると、キャリアが横に流れる距離
を長クシ、ひいては解像度の劣化を＠たしてしまう。逆
に膜厚が薄すぎる場合は、膜の欠陥数が増え、撮像素子
にきすが発生すると同時（で、光電変換すべき光を十分
吸収しきれず、光感度の低いものになってし１う。この
ことは、光電変換膜を有する固体撮像素子においても同
じことである。
を長クシ、ひいては解像度の劣化を＠たしてしまう。逆
に膜厚が薄すぎる場合は、膜の欠陥数が増え、撮像素子
にきすが発生すると同時（で、光電変換すべき光を十分
吸収しきれず、光感度の低いものになってし１う。この
ことは、光電変換膜を有する固体撮像素子においても同
じことである。
従って本発明の目的は、きすが少なく、分光光電変換率
が高く、かつ解像度が高いカラー撮像に適した光電変換
素子を提供することにある。
が高く、かつ解像度が高いカラー撮像に適した光電変換
素子を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明では、先ず混色、
解像度劣化を押えるように、できるだけ光電変換の膜厚
を薄くしている。これは、混色現象が膜厚の２乗に逆比
例して減少するため、薄い膜の方が有利であるからであ
る。しかしながら、薄すぎる場合にはきすの発生、長波
長域での元利用度の低下を来たすので、長波長での光吸
収係数を限定すると同時に、きすの発生限界がら膜厚の
下限を押えることによシ、特性の優れた光電変換素子を
提供するものである。
解像度劣化を押えるように、できるだけ光電変換の膜厚
を薄くしている。これは、混色現象が膜厚の２乗に逆比
例して減少するため、薄い膜の方が有利であるからであ
る。しかしながら、薄すぎる場合にはきすの発生、長波
長域での元利用度の低下を来たすので、長波長での光吸
収係数を限定すると同時に、きすの発生限界がら膜厚の
下限を押えることによシ、特性の優れた光電変換素子を
提供するものである。
以下、本発明を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は、光電変換膜の分光特性を示したものである。
横軸は可視光波長であシ、縦軸は照射した光子により励
起された光電流の比光電変換率である。図中４が変換率
１ （＝１００％）の線を示し、５が変換率０．１（＝
１０％）の直線を示す。
起された光電流の比光電変換率である。図中４が変換率
１ （＝１００％）の線を示し、５が変換率０．１（＝
１０％）の直線を示す。
１〜３は第１表に示すＡＩ、２．３の膜特性に対する分
光感度である。
光感度である。
第１表：第１図の膜の特性
但し、吸収係数は波長６ＱＱｎｍにおける値。
すなわち、１は膜厚が薄く、短波長域では変換効率が高
いが、長波長域での光の吸収率が低下し、そのため効率
が太きく低下する。３は膜厚が厚い膜の場合であり、こ
の場合は逆に短波長域で効率が低下し、長波長域では高
くなる。いずれにしても可視域全体のバランスとしては
適当でない。２ばこれらの中間に位置する膜厚を有する
膜の光電変換率を示し、この場合には、短波長、長波長
域共に高い変換率を示す。このような現象が生じるのは
、スパッタ法やグロー放電法により堆積したａ ３ｉ
：Ｈ膜では、作成条件によシ膜への水素元素の含有量に
差が生じ、そのために膜の吸収係数が変化するためであ
シ、従って膜厚、膜の吸収係数に最適値が生じる。
いが、長波長域での光の吸収率が低下し、そのため効率
が太きく低下する。３は膜厚が厚い膜の場合であり、こ
の場合は逆に短波長域で効率が低下し、長波長域では高
くなる。いずれにしても可視域全体のバランスとしては
適当でない。２ばこれらの中間に位置する膜厚を有する
膜の光電変換率を示し、この場合には、短波長、長波長
域共に高い変換率を示す。このような現象が生じるのは
、スパッタ法やグロー放電法により堆積したａ ３ｉ
：Ｈ膜では、作成条件によシ膜への水素元素の含有量に
差が生じ、そのために膜の吸収係数が変化するためであ
シ、従って膜厚、膜の吸収係数に最適値が生じる。
以上の説明は、非晶質Ｓｌ膜がＳｌとＨ元素よシ構成さ
れている膜に対するものであるが、Ｓｉ。
れている膜に対するものであるが、Ｓｉ。
Ｈを母材とするこの非晶質Ｓｉ膜にＮ、Ｐ、Ａｓ。
Ｂ、Ａ７．及びＧａを少なくとも一種類以上、Ｓｉに対
して数四〜数１〇四添加することによって、第１図の短
波長側の光電変換効率を向上させることができる。又、
膜の吸収係数は上述したごとく水素の置場外に、Ｆ、Ｇ
ｅ、Ｃをａ−８ｉ：Ｈ＝１〜１０モル％添加することに
よっても変化させることができる。これらの添加量が上
記添加量以上になると、膜の比抵抗が１０８０・ｍ以下
になりキャリアの横流れの原因になると同時に蓄積動作
を低下させ、光電変換率を下げてしまう。
して数四〜数１〇四添加することによって、第１図の短
波長側の光電変換効率を向上させることができる。又、
膜の吸収係数は上述したごとく水素の置場外に、Ｆ、Ｇ
ｅ、Ｃをａ−８ｉ：Ｈ＝１〜１０モル％添加することに
よっても変化させることができる。これらの添加量が上
記添加量以上になると、膜の比抵抗が１０８０・ｍ以下
になりキャリアの横流れの原因になると同時に蓄積動作
を低下させ、光電変換率を下げてしまう。
第２図は光電変換膜の膜厚ときすの関係を示す図であシ
、固体撮像素子の光電変換膜として使用した場合の値で
ある。縦軸はきすの個数で、横軸は光電変換膜の膜厚（
μｍ）である。この図かられかるように膜厚が薄い場合
には、光電変換膜の表面被覆が十分でないため、膜の薄
い所、膜の弱い所を通して電流が流れ、撮像装置では主
に白きずが発生するっ又、膜厚の厚い領域で、再びきす
が発生する。これは非晶質Ｓｉ膜の内部歪のために、５
ｚｚｍ以上の膜になると膜内応力に耐え切れず欠陥を発
生し、そのために膜が部分的にはく離し、撮像素子の場
合には、薄い時と同様白きすを生じてしまうからである
。
、固体撮像素子の光電変換膜として使用した場合の値で
ある。縦軸はきすの個数で、横軸は光電変換膜の膜厚（
μｍ）である。この図かられかるように膜厚が薄い場合
には、光電変換膜の表面被覆が十分でないため、膜の薄
い所、膜の弱い所を通して電流が流れ、撮像装置では主
に白きずが発生するっ又、膜厚の厚い領域で、再びきす
が発生する。これは非晶質Ｓｉ膜の内部歪のために、５
ｚｚｍ以上の膜になると膜内応力に耐え切れず欠陥を発
生し、そのために膜が部分的にはく離し、撮像素子の場
合には、薄い時と同様白きすを生じてしまうからである
。
第３図は非晶質Ｓ１膜を堆積するスパッタ装置の概略図
を示したものである。真空槽１ｏは排気口１１より拡散
ポンプ又はターボポンプにて真空排気される。真空槽１
ｏの中にはｓｉメタ−ット１２と、膜を堆積する基板を
載せる基板ポールダ１３があり、ターゲット１２には外
部より高周波電力源１７が接続されている。１４．１５
および１６はガスの流入口であｐｌそれぞれ、スパッタ
時に水素、Ａｒおよび添加用のガスＣＮ２． ＰＨ３゜
Ａｔ（ＣＨｓ）ｓ ＋ Ｂ２Ｈ６＋ Ｇａ （ＣＨ３）
３ Ｔ ＡｓＨｓの少なくとも一種類〕を真空槽１ｏに
流入する。
を示したものである。真空槽１ｏは排気口１１より拡散
ポンプ又はターボポンプにて真空排気される。真空槽１
ｏの中にはｓｉメタ−ット１２と、膜を堆積する基板を
載せる基板ポールダ１３があり、ターゲット１２には外
部より高周波電力源１７が接続されている。１４．１５
および１６はガスの流入口であｐｌそれぞれ、スパッタ
時に水素、Ａｒおよび添加用のガスＣＮ２． ＰＨ３゜
Ａｔ（ＣＨｓ）ｓ ＋ Ｂ２Ｈ６＋ Ｇａ （ＣＨ３）
３ Ｔ ＡｓＨｓの少なくとも一種類〕を真空槽１ｏに
流入する。
この時のガス圧は、水素ガスが（１〜５ ） Ｘ １０
”’ｌ’ｏｒｒ、Ａｒガスが（０，５〜２ ） Ｘｌ０
−’Ｔｏｒｒ 。
”’ｌ’ｏｒｒ、Ａｒガスが（０，５〜２ ） Ｘｌ０
−’Ｔｏｒｒ 。
その他の添加ガスは約１０−７〜１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度
である。基板温度は１５０〜２５０Ｃで、膜厚が０、５
〜３μｍの膜を堆積するＫは約０．５〜３時間を要する
。
である。基板温度は１５０〜２５０Ｃで、膜厚が０、５
〜３μｍの膜を堆積するＫは約０．５〜３時間を要する
。
スパック法により非晶質Ｓｉを堆積する場合、Ｓｉ元素
はターゲットから供給されるが、グロー放電ＣＶＤの場
合はガス状のｓＩすなわちＳ＋Ｉ（。
はターゲットから供給されるが、グロー放電ＣＶＤの場
合はガス状のｓＩすなわちＳ＋Ｉ（。
よシ供給される。第３図の装置をグロー放電ＣＶＤ法に
使用する場合には、Ａｒガスの代シに５ｊＪ（。
使用する場合には、Ａｒガスの代シに５ｊＪ（。
を流入し、ガス圧をＯ０Ｉ〜ＩＴｏｒｒに保つ。水素ガ
ス圧はＯ〜０．５Ｔｏｒｒ程度であシ、添加ガス圧は約
１０”” Ｔｏｒｒ である。基板の温度はスパッタの
場合と同様１５０〜２５０ｉＣに保つ。高周波電力は約
１００Ｗであり、スパッタの場合の８ｏ。
ス圧はＯ〜０．５Ｔｏｒｒ程度であシ、添加ガス圧は約
１０”” Ｔｏｒｒ である。基板の温度はスパッタの
場合と同様１５０〜２５０ｉＣに保つ。高周波電力は約
１００Ｗであり、スパッタの場合の８ｏ。
Ｗに比べてグロー放電ＣＶＤの場合は小さい値で堆積す
る。
る。
第４図は本発明の一実施例の具体的構成を示したもので
、光電変換膜の両面に電子、正孔の注入阻止層を有する
例である。図中、２ｏは基板、２１．２５は電極（Ｔａ
、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌ。
、光電変換膜の両面に電子、正孔の注入阻止層を有する
例である。図中、２ｏは基板、２１．２５は電極（Ｔａ
、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌ。
Ｔｉ又はＡｕ又は酸化スズ、ＩＴＯ等透明電極。
金属の半透明電極）、２３は光電変換部であシ、２２．
２４が注入阻止層である。これら阻止層２２．２４の構
成は、電極２１．２５に印加される電場の方向によって
異なる。電極２１が電極２５に対して十電位の時には、
２２が正孔阻止層、２４が電子阻止層として働くような
層を用いる。
２４が注入阻止層である。これら阻止層２２．２４の構
成は、電極２１．２５に印加される電場の方向によって
異なる。電極２１が電極２５に対して十電位の時には、
２２が正孔阻止層、２４が電子阻止層として働くような
層を用いる。
この時、阻止層２２はＰＨ，もしくはＡＳＨ８全数１０
ｐ添加した非晶質３ｉ膜で膜厚〜１００人程度０ものが
用いられる。又、金属酸化物の薄い膜（〜１００人）も
有効であシ、例えばＳｉｎ、。
ｐ添加した非晶質３ｉ膜で膜厚〜１００人程度０ものが
用いられる。又、金属酸化物の薄い膜（〜１００人）も
有効であシ、例えばＳｉｎ、。
Ａ４０３ 、 ｃｅｏ、 、 Ｔａｘｅｓ 、 Ｙ２Ｏ
３が用いられる。
３が用いられる。
一方、阻止層２４には数１０四のＢ２Ｈ６゜Ｇ ａ （
ＣＨｓ ） ２ 、Ａｔ （ＣＨｓ）’ ２ を添加
した非晶質Ｓｉ膜で膜厚約１００〜３０００程度のもの
を用いるか、銅の酸化物Ｃｕ２Ｏも有効である。電位方
向が上述の場合と逆になる時には阻止層２２と２４の物
質をお互に交換し、２２を電子阻止層、２４を正孔阻止
層とすればよい。
ＣＨｓ ） ２ 、Ａｔ （ＣＨｓ）’ ２ を添加
した非晶質Ｓｉ膜で膜厚約１００〜３０００程度のもの
を用いるか、銅の酸化物Ｃｕ２Ｏも有効である。電位方
向が上述の場合と逆になる時には阻止層２２と２４の物
質をお互に交換し、２２を電子阻止層、２４を正孔阻止
層とすればよい。
第５図は本発明の他の実施例の具体的構成を示したもの
で、固体撮像素子に適用した場合の要部断面図である。
で、固体撮像素子に適用した場合の要部断面図である。
図中、３１は結晶Ｓｉよりなる基板であり、画像信号処
理用ＬＳＩ基板である。基板３１にはＭＯＳゲートを有
する画素部分と、これらの信号の転送に用いるＭＯＳ又
はＣＣＤの機能を有する部分を備えた信号処理走査部が
構成されている。各画素の上面には画素の個数に対応し
て、それぞれ画素電極３２が分離して存在する。
理用ＬＳＩ基板である。基板３１にはＭＯＳゲートを有
する画素部分と、これらの信号の転送に用いるＭＯＳ又
はＣＣＤの機能を有する部分を備えた信号処理走査部が
構成されている。各画素の上面には画素の個数に対応し
て、それぞれ画素電極３２が分離して存在する。
この上に光電変換部（光電変換膜）３３がある。
その上に透明電極３４があり、さらにその上層部分に光
分離フィルタ（例えばＲ，Ｇ、Ｂのフィルタ）３５があ
る。このフィルタは各画素に１色ずつ対応して、％Ｊ、
３色単位で周期的に配列されている。
分離フィルタ（例えばＲ，Ｇ、Ｂのフィルタ）３５があ
る。このフィルタは各画素に１色ずつ対応して、％Ｊ、
３色単位で周期的に配列されている。
この光電変換部３３に要求される特性であるが、第１図
で説明したように、水素の含有量にもよるが薄すぎる場
合には、長波長光に対する感度が低すぎてカラー撮像に
不適当となるし、又、第２図でも述べたように白きすの
発生にもなる。ところで、第１図、第２図で説明した制
限の他に、画素ごとに分離されたデバイスでは、自分自
身で発生した信号電荷が、膜が厚い場合には横方向に流
れて他の画素にガロわり、信号の混信ｔなわち混色現象
を生じ、再生像の色再現が不可能となシ、又、解像度自
身も劣化してしまうので、膜厚に制限が加えられる。こ
の観点からすれば膜厚は薄い方が望ましい。このような
相矛盾した要求を勘案して撮像デバイスに用いる光電変
換膜３３の膜厚は０８〜４μｍが妥当であり、最も好ま
しい値は０．９〜１．５μｎ］である。
で説明したように、水素の含有量にもよるが薄すぎる場
合には、長波長光に対する感度が低すぎてカラー撮像に
不適当となるし、又、第２図でも述べたように白きすの
発生にもなる。ところで、第１図、第２図で説明した制
限の他に、画素ごとに分離されたデバイスでは、自分自
身で発生した信号電荷が、膜が厚い場合には横方向に流
れて他の画素にガロわり、信号の混信ｔなわち混色現象
を生じ、再生像の色再現が不可能となシ、又、解像度自
身も劣化してしまうので、膜厚に制限が加えられる。こ
の観点からすれば膜厚は薄い方が望ましい。このような
相矛盾した要求を勘案して撮像デバイスに用いる光電変
換膜３３の膜厚は０８〜４μｍが妥当であり、最も好ま
しい値は０．９〜１．５μｎ］である。
なお、本発明は上記固体撮像素子の他に、画素又は色単
位に電極が分割されていて、しかも光電変換膜は分割さ
れずに使用する密着型ラインセンサ、単管撮像素子にお
いても有効である。
位に電極が分割されていて、しかも光電変換膜は分割さ
れずに使用する密着型ラインセンサ、単管撮像素子にお
いても有効である。
以上説明したように、本発明によれば、光電変換部を規
定することによシ、きすが少なく分光。
定することによシ、きすが少なく分光。
解像度の優れた固体撮像素子、ラインセンサ、単管カラ
ー撮像素子を得ることができる。
ー撮像素子を得ることができる。
第１図は光電変換膜の分光光電変換特性図、第２図は膜
厚ときすの関係を示す図、第３図は光電変換素子の作成
に使用するスパッタ装置の説明図、第４図、第５図は本
発明の光電変換素子の実施例を示すもので、それぞれ要
部の断面図である。 ２０・・・基板、２１．２５・・・電極、２２．２４・
・・注入阻止層、２３・・・光電変換部、３１・・・基
板、３２・・・画素電極、３３・・・光電変換部（光電
変換膜）、Ｙ ） 図 Ｙ ｚ 区 暖冴ひ勺 第 ３２ 第 ５ 区
厚ときすの関係を示す図、第３図は光電変換素子の作成
に使用するスパッタ装置の説明図、第４図、第５図は本
発明の光電変換素子の実施例を示すもので、それぞれ要
部の断面図である。 ２０・・・基板、２１．２５・・・電極、２２．２４・
・・注入阻止層、２３・・・光電変換部、３１・・・基
板、３２・・・画素電極、３３・・・光電変換部（光電
変換膜）、Ｙ ） 図 Ｙ ｚ 区 暖冴ひ勺 第 ３２ 第 ５ 区
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、非非晶質Ｓ模膜母材とする光電変換膜を用いて構成
した光電変換素子において、波長６００ｎｍにおける吸
収係数が１０’ ｃｍ−’ であり、膜厚が０．８μｍ
以上で３μｍ以下であることを特徴とする光電変換素子
。 ２、前記光電変換膜の構成母材である非晶質Ｓｉ膜は、
リアクティブスパッタ法又はグローＣＶＤ法で堆積した
もので、該非晶質Ｆｆ３４膜の暗比抵抗の値が１０８０
・（１）以上である特許請求の範囲第１項記載の光電変
換素子。 ３、前記非晶質Ｓｉ膜は、元素としてＳｉ以外にＨ，Ｆ
、Ｃ，Ｇｅのうちの少なくとも１つ以上を主元素として
含み、かつ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ａ７゜Ｑａ、Ａｓのうちの少
なくとも１種類以上を膜厚方向の一部分乃至全域に含む
ものである特許請求の範囲第１項記載の光電変換素子。 ４、前記光電変換膜は、非晶質Ｓｉ膜と、該非晶質Ｓｉ
、膜の光入射側又はその反対側の少なくとも一方の面に
キャリア注入阻止層を備えて構成したものである特許請
求の範囲第１項記載の光電変換素子。 ５、前記非晶質Ｓｉ膜は、結晶Ｓｉより成る画像信号処
理用ＬＳＩ基板上に形成さｉｔだものである特許請求の
範囲第１項記載の光電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57187422A JPS5978567A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57187422A JPS5978567A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5978567A true JPS5978567A (ja) | 1984-05-07 |
Family
ID=16205766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57187422A Pending JPS5978567A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5978567A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7920189B2 (en) | 2007-03-16 | 2011-04-05 | Fujifilm Corporation | Solid-state imaging device |
-
1982
- 1982-10-27 JP JP57187422A patent/JPS5978567A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7920189B2 (en) | 2007-03-16 | 2011-04-05 | Fujifilm Corporation | Solid-state imaging device |
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