JPS598060B2 - フォトマスク乾板の検査装置 - Google Patents
フォトマスク乾板の検査装置Info
- Publication number
- JPS598060B2 JPS598060B2 JP55119841A JP11984180A JPS598060B2 JP S598060 B2 JPS598060 B2 JP S598060B2 JP 55119841 A JP55119841 A JP 55119841A JP 11984180 A JP11984180 A JP 11984180A JP S598060 B2 JPS598060 B2 JP S598060B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dry plate
- laser beam
- photomask
- inspection equipment
- photoelectric detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の回路パターンを形成するためのフ
ォトマスク乾板の検査装置に関するものである。
ォトマスク乾板の検査装置に関するものである。
半導体装置の回路パターン形成用フォトマスクはガラス
板上に金属酸化膜をコーティングしこれをフォトエッチ
ングにより回路パターンに対応した形状にエッチングし
て製造する。
板上に金属酸化膜をコーティングしこれをフォトエッチ
ングにより回路パターンに対応した形状にエッチングし
て製造する。
このようなフォトマスク製造工程前に、ガラス板上の金
属酸化膜全面にレジストを塗布した状態のいわゆる乾板
はその表面を検査してレジスト上に不純物異物が付着し
ているものを取除きまた金属酸化膜の状態を検査して空
洞やピンホールが形成されたものを取除かなければなら
ない。このような乾板の検査作業は表面異物検査および
ピンホール検査の2つの作業を行なわなければならず各
々作業に大がかりな光学装置を必要とし多大な時間を要
していz本発明は上記の点に鑑みなされたものであつて
フォトマスク乾板の表面異物検出およびピンホール検出
を同時にできる乾板検査装置の提供を目的とする○この
ため本発明に係る検査装置においては、レーザ光発生器
からのレーザ光を偏光ビームスプリッタおよびスキャニ
ング装置を介して検査すべき乾板に照射し、この乾板か
らの反射光のうち乾板表面の異物に対応した偏光を上記
偏光ビームスプリッタで分割してこれを検知する光電検
出器を備え、さらに上記乾板のレーザ光照射面の反対側
に乾板のピンホール検出用光電検出器を備えている。以
下、図面に基いて本発明をさらに詳しく説明する。
属酸化膜全面にレジストを塗布した状態のいわゆる乾板
はその表面を検査してレジスト上に不純物異物が付着し
ているものを取除きまた金属酸化膜の状態を検査して空
洞やピンホールが形成されたものを取除かなければなら
ない。このような乾板の検査作業は表面異物検査および
ピンホール検査の2つの作業を行なわなければならず各
々作業に大がかりな光学装置を必要とし多大な時間を要
していz本発明は上記の点に鑑みなされたものであつて
フォトマスク乾板の表面異物検出およびピンホール検出
を同時にできる乾板検査装置の提供を目的とする○この
ため本発明に係る検査装置においては、レーザ光発生器
からのレーザ光を偏光ビームスプリッタおよびスキャニ
ング装置を介して検査すべき乾板に照射し、この乾板か
らの反射光のうち乾板表面の異物に対応した偏光を上記
偏光ビームスプリッタで分割してこれを検知する光電検
出器を備え、さらに上記乾板のレーザ光照射面の反対側
に乾板のピンホール検出用光電検出器を備えている。以
下、図面に基いて本発明をさらに詳しく説明する。
レーザ光発生器1からのレーザ光はビームエクスパンダ
2を通過して偏光ビームスプリッタ3に入射しここで偏
光作用を受けて例えば円偏光の光のみがここを通過し光
学レンズ4を通してスキャナ5のスキャニングミラー6
で回転走査されスキャニングレンズTを通しで検査すべ
き乾板8を照射する。乾板8は前述のようにガラス板上
に金属酸化膜を形成しその土にレジストを塗布したもの
であり金属酸化膜が完全に形成されていればレーザ光は
乾板8を通過しない。この乾板8の金属酸化膜にピンホ
ールが形成されている場合にはこの部分をレーザ光が透
過し光電検出器9により検知される。一方、ピンホール
が形成されていない部分では照射されたレーザ光は反射
されて光路を逆進する。このとき乾板8の表面に異物が
付着 。していると反射光は円偏光の光から例えばP偏
光の光に変化しこれが偏光ビームスプリッタ3で分割さ
れて集光レンズ10を通して光電検出器11で検知され
る。以上のような乾板検査装置においては1つのレーザ
光発生器を用いて乾板表面の異物検査およびピンホール
検査の両方を同時に行なうことができ検査装置が小型化
?れ作業能率が大きく向上すん
2を通過して偏光ビームスプリッタ3に入射しここで偏
光作用を受けて例えば円偏光の光のみがここを通過し光
学レンズ4を通してスキャナ5のスキャニングミラー6
で回転走査されスキャニングレンズTを通しで検査すべ
き乾板8を照射する。乾板8は前述のようにガラス板上
に金属酸化膜を形成しその土にレジストを塗布したもの
であり金属酸化膜が完全に形成されていればレーザ光は
乾板8を通過しない。この乾板8の金属酸化膜にピンホ
ールが形成されている場合にはこの部分をレーザ光が透
過し光電検出器9により検知される。一方、ピンホール
が形成されていない部分では照射されたレーザ光は反射
されて光路を逆進する。このとき乾板8の表面に異物が
付着 。していると反射光は円偏光の光から例えばP偏
光の光に変化しこれが偏光ビームスプリッタ3で分割さ
れて集光レンズ10を通して光電検出器11で検知され
る。以上のような乾板検査装置においては1つのレーザ
光発生器を用いて乾板表面の異物検査およびピンホール
検査の両方を同時に行なうことができ検査装置が小型化
?れ作業能率が大きく向上すん
図面は本発明に係る乾板検査装置の構成図であるo1・
・・・・・レーザ光発生器、 リツタ、5・・・・・・スキヤナ、 ラ一、8・・・・・・乾板、9,1 3・・・・・・偏光ビームスプ 6・・・・・・スキヤニングミ 1・・・・・・光電検出器。
・・・・・レーザ光発生器、 リツタ、5・・・・・・スキヤナ、 ラ一、8・・・・・・乾板、9,1 3・・・・・・偏光ビームスプ 6・・・・・・スキヤニングミ 1・・・・・・光電検出器。
Claims (1)
- 1 レーザ光発生器からのレーザ光を偏光ビームスプリ
ッタおよびスキャニング装置を介して検査すべき乾板に
照射し、該乾板からの反射光のうち上記乾板表面異物に
対応した偏光を上記偏光ビームスプリッタで分割してこ
れを検知する光電検出器を備え、さらに上記乾板のレー
ザ光照射面の反対側に乾板のピンホール検出用光電検出
器を備えたフォトマスク乾板の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55119841A JPS598060B2 (ja) | 1980-09-01 | 1980-09-01 | フォトマスク乾板の検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55119841A JPS598060B2 (ja) | 1980-09-01 | 1980-09-01 | フォトマスク乾板の検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5745230A JPS5745230A (en) | 1982-03-15 |
| JPS598060B2 true JPS598060B2 (ja) | 1984-02-22 |
Family
ID=14771577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55119841A Expired JPS598060B2 (ja) | 1980-09-01 | 1980-09-01 | フォトマスク乾板の検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598060B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58162038A (ja) * | 1982-03-23 | 1983-09-26 | Canon Inc | 面状態検査装置 |
-
1980
- 1980-09-01 JP JP55119841A patent/JPS598060B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5745230A (en) | 1982-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950002172B1 (ko) | 편광자를 사용한 편광노광장치 및 편광마스크 제조방법 | |
| JPH0414341B2 (ja) | ||
| JPS58120155A (ja) | レチクル異物検出装置 | |
| JPS61260211A (ja) | 自動異物検出方法及びその装置 | |
| JPS598060B2 (ja) | フォトマスク乾板の検査装置 | |
| JP3282790B2 (ja) | 位相シフトマスクの欠陥検査装置 | |
| JPH05142156A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPS6240656B2 (ja) | ||
| JPH0743323B2 (ja) | 表面異物検査装置 | |
| JP3068636B2 (ja) | パターン検査方法および装置 | |
| JP2705764B2 (ja) | 透明ガラス基板の欠陥検出装置 | |
| JPH0462457A (ja) | 表面状態検査装置 | |
| JPS62134647A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPS58204344A (ja) | パタ−ンの欠陥検査装置 | |
| JPS6342222B2 (ja) | ||
| JPS5948540B2 (ja) | ウェハ上の異物検査方法 | |
| JPH07333167A (ja) | 表面状態検査装置及びそれを用いた露光装置 | |
| JPH03153054A (ja) | 異物検査装置及び異物検査方法 | |
| JPH04111336A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JPH04103144A (ja) | 異物検査方法 | |
| JPS62170963A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH03230544A (ja) | ウェーハ外観検査装置 | |
| JPH01239922A (ja) | パターン欠陥検査装置 | |
| JPH01305477A (ja) | 外観欠陥検査方法 | |
| JPS62257010A (ja) | 高さ検出方法 |