JPS5980911A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS5980911A JPS5980911A JP57192222A JP19222282A JPS5980911A JP S5980911 A JPS5980911 A JP S5980911A JP 57192222 A JP57192222 A JP 57192222A JP 19222282 A JP19222282 A JP 19222282A JP S5980911 A JPS5980911 A JP S5980911A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- substrate
- recording medium
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/656—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing Co
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気記録材料、より詳しく述べるならば、コ
バルト・レニウム垂直磁気記録媒体に関するものである
。
バルト・レニウム垂直磁気記録媒体に関するものである
。
磁気記録媒体は、コンピー−ターの記憶装置に用いられ
一般に記録媒体の長手方向に磁化させている。しかしな
がらこのような磁化方式では記録密度の高密度化に限界
があり、はるかに高密度化が可能となる記録媒体の面に
垂直な方向に磁化する方式が提案されている。そして、
磁性薄膜に対して垂直方向に磁化可能な垂直磁気記録媒
体には、コバルト・レニウムが使用され、スパッタリン
グによって基板上に薄膜を形成している。垂直記録媒体
の作成には、膜面垂直方向の反磁界に打勝つ垂直磁気異
方性を付与することが必要である。最密六方晶コバルト
はＣ軸方向に大きい結晶磁気異方性を有しているが、磁
化が大きいために形状磁気異方性エネルギーが大きく、
垂直磁気異方性膜は得られない。そのため、レニウム（
以下ｌｅｅと略す）を添加することにより飽和磁化を減
少させるとともに、最密六方晶のＣ軸を基板垂直方向に
強く配向させることにより、垂直磁気異方性膜を作成す
ることが可能になる。ところが、超高密度磁気記録を実
現させた場合、１つのビットにおける減磁界は、薄膜時
の最大の減磁界４７ＣＭＢ（Ｍｅは飽和磁化）−より相
当域る筈であり、必ずしもＫｕ：＞２”ＫＭｓ２ ｒＫｕは磁化膜の結晶異方性定数である）の条件を満た
す必要はないと考えられる。
一般に記録媒体の長手方向に磁化させている。しかしな
がらこのような磁化方式では記録密度の高密度化に限界
があり、はるかに高密度化が可能となる記録媒体の面に
垂直な方向に磁化する方式が提案されている。そして、
磁性薄膜に対して垂直方向に磁化可能な垂直磁気記録媒
体には、コバルト・レニウムが使用され、スパッタリン
グによって基板上に薄膜を形成している。垂直記録媒体
の作成には、膜面垂直方向の反磁界に打勝つ垂直磁気異
方性を付与することが必要である。最密六方晶コバルト
はＣ軸方向に大きい結晶磁気異方性を有しているが、磁
化が大きいために形状磁気異方性エネルギーが大きく、
垂直磁気異方性膜は得られない。そのため、レニウム（
以下ｌｅｅと略す）を添加することにより飽和磁化を減
少させるとともに、最密六方晶のＣ軸を基板垂直方向に
強く配向させることにより、垂直磁気異方性膜を作成す
ることが可能になる。ところが、超高密度磁気記録を実
現させた場合、１つのビットにおける減磁界は、薄膜時
の最大の減磁界４７ＣＭＢ（Ｍｅは飽和磁化）−より相
当域る筈であり、必ずしもＫｕ：＞２”ＫＭｓ２ ｒＫｕは磁化膜の結晶異方性定数である）の条件を満た
す必要はないと考えられる。
一方、Ｏｏ −Ｒｅ垂直磁化膜は、バルクの場合コバル
トの飽和磁化が、Ｒｅ含有量が増えるに従い、直線的に
減少するのに対し、その直線よりやや高い飽和磁化の減
少傾向を示していることから、結晶粒界にＲｅが偏析し
ていることが予想され、最近、膜の断面のオージェ電子
分光分析によって実証された。つまり、飽和磁化を下げ
、減磁界を小さくするために、結晶粒中に適度にＲｅが
混合するこ・とと、結晶粒界にＲｅが偏析し、非磁性層
を形成することによって、磁壁移動による磁化機構を減
少させ、結晶粒間を磁気的に分類させて、単磁区粒子の
磁化回転のみにすることが、理想的な垂直磁気記録媒体
と考えられる。
トの飽和磁化が、Ｒｅ含有量が増えるに従い、直線的に
減少するのに対し、その直線よりやや高い飽和磁化の減
少傾向を示していることから、結晶粒界にＲｅが偏析し
ていることが予想され、最近、膜の断面のオージェ電子
分光分析によって実証された。つまり、飽和磁化を下げ
、減磁界を小さくするために、結晶粒中に適度にＲｅが
混合するこ・とと、結晶粒界にＲｅが偏析し、非磁性層
を形成することによって、磁壁移動による磁化機構を減
少させ、結晶粒間を磁気的に分類させて、単磁区粒子の
磁化回転のみにすることが、理想的な垂直磁気記録媒体
と考えられる。
従来のＯｏ −Ｒｅ垂直磁化記録媒体は、膜の垂直異方
性（特にここでは垂直異方性磁界Ｈｋで表わす）を上げ
ると垂直方向の保磁力Ｈａ（土）も上昇してしまう。
性（特にここでは垂直異方性磁界Ｈｋで表わす）を上げ
ると垂直方向の保磁力Ｈａ（土）も上昇してしまう。
４インチＯｏターゲットにＲｅペレットをおいて、１２
．５μ惰厚のポリイミドにＲＦマグネトロンスパッタ形
成させた例を以下に記す。
．５μ惰厚のポリイミドにＲＦマグネトロンスパッタ形
成させた例を以下に記す。
例１． 初期真空度 ３Ｘ １０−８ｔｏｒｒ投入電
力 ＩＫＶ ７０ｍＡ 時間 １ｈｏｕｒ における膜特性は、 例２ 初期真空度 ３．５ Ｘ １Ｏ−８ｔｏｒｒ
投入電力 ２ Ｋ Ｖ １２７ ｍ Ａ時間
１０ｍ における膜の特性は、 であった。これは、投入電力を変えた場合の例であるが
、基板加熱した場合も同様の傾向を示す。
力 ＩＫＶ ７０ｍＡ 時間 １ｈｏｕｒ における膜特性は、 例２ 初期真空度 ３．５ Ｘ １Ｏ−８ｔｏｒｒ
投入電力 ２ Ｋ Ｖ １２７ ｍ Ａ時間
１０ｍ における膜の特性は、 であった。これは、投入電力を変えた場合の例であるが
、基板加熱した場合も同様の傾向を示す。
つまり、熱が膜形成時にかかることによって、保磁力Ｈ
ａも、異方性磁界Ｈｋも上昇する。ところがこれは、現
実に非常に不都合である。垂直記録媒体は、例２のよう
に高Ｈｋが当然望ましいのであるが、ＨＯ（１）が大き
くなりすぎると、フェライト、パーマロイ、センダスト
、アモルファス軟磁性体等を用いた磁気ヘッドでは、飽
和させる為に、ヘッドに流す電流を非常に大きくしなけ
ればならない。たとえ、飽和記録できても消去が困難で
あったりオーバーライド特性が劣化してしまうという欠
点が生じる。一方、例１のような場合には、書き込み電
流及び、オーバーライドの特性は改善されるが、垂直磁
気記録本来の垂直異方性磁界が小であるため、高密度記
録における磁化反転がシャープでなく、記録密度特性が
悪化してしまう。
ａも、異方性磁界Ｈｋも上昇する。ところがこれは、現
実に非常に不都合である。垂直記録媒体は、例２のよう
に高Ｈｋが当然望ましいのであるが、ＨＯ（１）が大き
くなりすぎると、フェライト、パーマロイ、センダスト
、アモルファス軟磁性体等を用いた磁気ヘッドでは、飽
和させる為に、ヘッドに流す電流を非常に大きくしなけ
ればならない。たとえ、飽和記録できても消去が困難で
あったりオーバーライド特性が劣化してしまうという欠
点が生じる。一方、例１のような場合には、書き込み電
流及び、オーバーライドの特性は改善されるが、垂直磁
気記録本来の垂直異方性磁界が小であるため、高密度記
録における磁化反転がシャープでなく、記録密度特性が
悪化してしまう。
本発明はかかる点を鑑み、Ｏｏ −Ｒｅ系に更に第三元
素としてハフニウム、タンタル、タングステンのうち少
なくとも一種を添加することによりこれらの難点を解決
したものである。
素としてハフニウム、タンタル、タングステンのうち少
なくとも一種を添加することによりこれらの難点を解決
したものである。
本発明の目的は、結晶粒間を磁気的に分離させ、超高密
度磁気記録媒体を提供することにある。
度磁気記録媒体を提供することにある。
本発明の他の目的は１００ＫＦＲＰ工以上の超高密度記
録媒体における出方及び分解能を飛躍的に高めることに
ある。
録媒体における出方及び分解能を飛躍的に高めることに
ある。
本発明はＣ！ ｏ −Ｒｅに更に１０重量％（以下ｗｔ
％と略す）までのハフニウム（以下Ｈｆと略す）タンタ
ル（以下Ｔａと略す）、タングステン（以下Ｗと略す）
のうち少なくとも一種を加えることにより明らかに効果
を発揮する。Ｈｆ、ＴＱ、Ｗの添加量が４０ｗｔ％を越
えると膜の結晶性が著しく低下し、膜の垂直磁気異方性
が急激に落ちる。
％と略す）までのハフニウム（以下Ｈｆと略す）タンタ
ル（以下Ｔａと略す）、タングステン（以下Ｗと略す）
のうち少なくとも一種を加えることにより明らかに効果
を発揮する。Ｈｆ、ＴＱ、Ｗの添加量が４０ｗｔ％を越
えると膜の結晶性が著しく低下し、膜の垂直磁気異方性
が急激に落ちる。
従来Ｏｏ −Ｒｅ ２元系では、Ｒｅが１２〜３０ｗｔ
％の範囲で磁気特性、結晶配向とも良好であるとされて
いたが、本発明のＨｆ 、ＴＱ 、Ｗ添加によってＲｅ
量の下限が広がり二元系の場合よりも良い特性を示した
。第１図に本発明の効果を示す。
％の範囲で磁気特性、結晶配向とも良好であるとされて
いたが、本発明のＨｆ 、ＴＱ 、Ｗ添加によってＲｅ
量の下限が広がり二元系の場合よりも良い特性を示した
。第１図に本発明の効果を示す。
表中の数字は、Ｃｏ中のＲｅとＨｆ、Ｔｆｆ、Ｗの含有
量を重量％で表示した。斜線部が本発明によって垂直磁
気異方性が改善された領域で、その他は本発明の効果を
示さない領域である。
量を重量％で表示した。斜線部が本発明によって垂直磁
気異方性が改善された領域で、その他は本発明の効果を
示さない領域である。
具体例として、Ｄｃスパッタ、ＲＩＰスパッタ。
マグネトロンスパッタ、対向ターゲット方式スパッタ、
イオンビームスパッタ、イオンブレーティング電子ビー
ム蒸着、メッキ等薄膜作製法あるいはポリエチレンテレ
フタラート、ポリイミド、ガラス、アルマイト処理した
アルミ基板等の基板材質にかかわらず、本発明のＨｆ
、ＴＱ 、Ｗ添加効果がある。一般に、垂直磁気記録媒
体として、垂直磁気記録層単層の場合とその下に裏うち
層として高透磁率層を設ける場合があるが、本発明は、
裏うち高透磁率層の材質、例えばパーマロイ。
イオンビームスパッタ、イオンブレーティング電子ビー
ム蒸着、メッキ等薄膜作製法あるいはポリエチレンテレ
フタラート、ポリイミド、ガラス、アルマイト処理した
アルミ基板等の基板材質にかかわらず、本発明のＨｆ
、ＴＱ 、Ｗ添加効果がある。一般に、垂直磁気記録媒
体として、垂直磁気記録層単層の場合とその下に裏うち
層として高透磁率層を設ける場合があるが、本発明は、
裏うち高透磁率層の材質、例えばパーマロイ。
Ｃｏ系、Ｆｅ系、アモルファス高透磁率薄膜を各種変更
してもなりたつ。
してもなりたつ。
以下、実施例にもとづいて、本発明を説明する。
実施例１、
ポリイミド基板にＲＦ電源でＯｏ −Ｒｅ及び、Ｃｏ
Ｒｅ−Ｈｆ垂直磁化膜を形成した。ターゲラ トは、
Ｃｏ−１５ｖ１％Ｒｅ、Ｃｏ−１ （５ｗｔ％Ｒｅ、Ｏ
ｏ−２０ｗｔ％Ｒｅと３種類のＣｏ −Ｒｅ合金ターゲ
ットを用いた。Ｏｏ −Ｒｅ −Ｈｆ三元系垂直磁化膜
については、Ｑ Ｏ−Ｒ９合金ターゲツト上に５Ｘ５Ｘ
ＩＭのサイズのＨｆペレットを分布が均一になるように
配置して各種のＨｆ量σ）薄膜を作成した。各成分の含
有量はＸＭＡにて定量を行った。
Ｒｅ−Ｈｆ垂直磁化膜を形成した。ターゲラ トは、
Ｃｏ−１５ｖ１％Ｒｅ、Ｃｏ−１ （５ｗｔ％Ｒｅ、Ｏ
ｏ−２０ｗｔ％Ｒｅと３種類のＣｏ −Ｒｅ合金ターゲ
ットを用いた。Ｏｏ −Ｒｅ −Ｈｆ三元系垂直磁化膜
については、Ｑ Ｏ−Ｒ９合金ターゲツト上に５Ｘ５Ｘ
ＩＭのサイズのＨｆペレットを分布が均一になるように
配置して各種のＨｆ量σ）薄膜を作成した。各成分の含
有量はＸＭＡにて定量を行った。
スパッタ条件
イミド基板のガス出しを行った。スノくツタ中は、基板
ホルダーを水冷した。スパッタ時間は、１５分で膜厚は
約０６μｍであった。
ホルダーを水冷した。スパッタ時間は、１５分で膜厚は
約０６μｍであった。
この結果４０ｗｔ％までのＨｆを添加することにより、
垂直磁気異方性が約２０％向上した。
垂直磁気異方性が約２０％向上した。
又Ｒｅ量を増加させると異方性磁界Ｈｋが最大となるＨ
ｆ量は少なくなった。更にＨｆ量が４［）ｗｔ％を越え
ると結晶配向性は急速に悪化すると共じ、垂直磁気異方
性も急激に低くなった。
ｆ量は少なくなった。更にＨｆ量が４［）ｗｔ％を越え
ると結晶配向性は急速に悪化すると共じ、垂直磁気異方
性も急激に低くなった。
実施例２゜
電子ビーム蒸発源を三個備え、基板と電子ビーム蒸発源
の間に高周波を印加するコイルを備えたイオンブレーテ
ィング装置によりポリイミドテープにＯｏ −Ｒｅ −
Ｔ ａ三元系メディアを作製した。
の間に高周波を印加するコイルを備えたイオンブレーテ
ィング装置によりポリイミドテープにＯｏ −Ｒｅ −
Ｔ ａ三元系メディアを作製した。
各電子ビーム蒸発源にはそれぞれＣｏ 、Ｒｓ 。
Ｔａを充填し各電子ビームのパワーをコントロールする
ことにより付着膜の組成を変えることが可能である。成
膜速度は約５ｏｏＸ／８ｅｃであった。
ことにより付着膜の組成を変えることが可能である。成
膜速度は約５ｏｏＸ／８ｅｃであった。
実験はＣｏとＲｅの蒸発源のパワーの比を三段階に変更
して生成膜のｏＯとＲｅの重量比が、９０：１０，８５
：１５，８０：２０のものに対してＴＱのパワーを変動
させて、三種の元素の組成を変更した。いずれの場合に
おいてもＴＱの量カ４０ ｗｔ％を越えるどＨｋは急激
に低下した。その様子を第２図に示す。○印はＣｏ、：
Ｒｅの比が９０：１０、Δ印はｃｏとＲｅの比が１３５
：１５、Ｘ印はＯｏとＲｅの比が８０７２０である。
して生成膜のｏＯとＲｅの重量比が、９０：１０，８５
：１５，８０：２０のものに対してＴＱのパワーを変動
させて、三種の元素の組成を変更した。いずれの場合に
おいてもＴＱの量カ４０ ｗｔ％を越えるどＨｋは急激
に低下した。その様子を第２図に示す。○印はＣｏ、：
Ｒｅの比が９０：１０、Δ印はｃｏとＲｅの比が１３５
：１５、Ｘ印はＯｏとＲｅの比が８０７２０である。
実施例３゜
対向ターゲット方式スパッタ装置を用い、ビデオ用テー
プを作製し画像処理を行った。
プを作製し画像処理を行った。
第６図Ｇこ対向ターゲット方式スパッタ装置の概略図を
示す。Ｏｏ −Ｒｅ ２元系ターゲット１と専′ハ］の
直流電源（以下ＤＣ電源と記す）２とそれに対向して設
けられたＯ ｏ −Ｒｅ −Ｗ三元系ターゲット３と専
用のＤＯ電源４からなり、この対向したターゲット間に
約３００ガウスの磁界を発生させ、基板５がプラズマに
さらされないようにペルジャーの外側に電磁石６を備え
た構成である。基板５は、ロール方式で巻き取れるよう
に設計してあり、後方の加熱及び水冷可能な基板ホルダ
ー７及びそれと連動したガイド俸によって上下に可動に
なっている。
示す。Ｏｏ −Ｒｅ ２元系ターゲット１と専′ハ］の
直流電源（以下ＤＣ電源と記す）２とそれに対向して設
けられたＯ ｏ −Ｒｅ −Ｗ三元系ターゲット３と専
用のＤＯ電源４からなり、この対向したターゲット間に
約３００ガウスの磁界を発生させ、基板５がプラズマに
さらされないようにペルジャーの外側に電磁石６を備え
た構成である。基板５は、ロール方式で巻き取れるよう
に設計してあり、後方の加熱及び水冷可能な基板ホルダ
ー７及びそれと連動したガイド俸によって上下に可動に
なっている。
スパッタ条件
この対向ターゲット方式スパッタ装置は、それぞれの電
極に電源を独立に設けているため、０Ｏ−Ｒｅ膜中のＷ
量を変えるにはそれぞれターゲットに加えるパワーを変
えればよく、パワーを変えたことによる膜厚分布の変動
は、基板ホルダー及び基板の上下によって制御した。
極に電源を独立に設けているため、０Ｏ−Ｒｅ膜中のＷ
量を変えるにはそれぞれターゲットに加えるパワーを変
えればよく、パワーを変えたことによる膜厚分布の変動
は、基板ホルダー及び基板の上下によって制御した。
第４図に、Ｗ量を変えたときのにθ、。と、Ｈｋの変化
を示す。Ｗが４０ｗｔ％以下の範囲では、ＨｋがＭｕ添
加によって急激に上昇している。ただしＷが４０ｗｔ％
以上添加されるとＮθ、。が異常に大となり結晶性及び
その配向性が悪化したと思われる。
を示す。Ｗが４０ｗｔ％以下の範囲では、ＨｋがＭｕ添
加によって急激に上昇している。ただしＷが４０ｗｔ％
以上添加されるとＮθ、。が異常に大となり結晶性及び
その配向性が悪化したと思われる。
第４図は、第２図の傾向と全く同様であり、膜形成装置
及び、基板による差はない。
及び、基板による差はない。
実施例４゜
カウフマン型イオン源からぢ１き出されたアルゴンイオ
ンビームをターゲットに照射するイオンビームスパッタ
装置を用いガラス基板上に０ｏ−Ｒｅ −Ｔ ａ三元系
メディアを作製した。
ンビームをターゲットに照射するイオンビームスパッタ
装置を用いガラス基板上に０ｏ−Ｒｅ −Ｔ ａ三元系
メディアを作製した。
Ｃｏ−１０ｗｔ％Ｒｅ、Ｃｏ−１５ｗｔ％Ｒｅ。
Ｃｏ−２０ｗｔ％Ｒｅの三種のターゲット上に５謁角で
厚さ１語のハフニウムペレットを載せてイオンビームを
照射し、スパッタした。ハフニウムペレットの個数及び
配置によりガラス基板上に付着するＯ ｏ −Ｒｅ −
Ｈｆの組成が変った。いずれのターゲットを用いた場合
でもハフニウムが微量混入することにより結晶配向性及
び垂直異方性磁界が向上するが、ハフニウムの量が４０
ｗｔ％を越えると結晶配向性及び垂直異方性磁界のいず
れも極端に悪化した。
厚さ１語のハフニウムペレットを載せてイオンビームを
照射し、スパッタした。ハフニウムペレットの個数及び
配置によりガラス基板上に付着するＯ ｏ −Ｒｅ −
Ｈｆの組成が変った。いずれのターゲットを用いた場合
でもハフニウムが微量混入することにより結晶配向性及
び垂直異方性磁界が向上するが、ハフニウムの量が４０
ｗｔ％を越えると結晶配向性及び垂直異方性磁界のいず
れも極端に悪化した。
実施例５゜
前記８インチマグネトロンスパッタ装置を用い、記録再
生評価用５インチフロッピーメディアを作製した。本ス
パッタ装置は、３基の８インチターゲットを備えており
、電極１には、ＣＯメタ−ゲット上膜組成がｃ ｏ、、
Ｚ ｒ、、 （重量％表示）となるようにＺｒペレッ
トを置いたもの、１！極２には、Ｏｏ−１６ｗｔ％Ｒｅ
ターゲット、電極３にはＯｏ−１６ｗｔ％Ｒｅターゲッ
ト上にＴａペレットを膜組成が（Ｃ０８４Ｒｅ１６ ）
９６ Ｔ １”４となるように配置した。基板は、５０
μ渭厚ポリエチレンテレフタラートを用いた。一般にｐ
ｍ’ｒとか、マイラといわれているものであり、耐熱性
に乏しいため、Ｄｏ電源により膜を形成した。スパッタ
の順序としては、別々の基板にｏ ０１１５ ｚｒ＋！
膜を０３μ毒同−条件で形成後、一つの基板にはＣ０８
４Ｒｅ、６膜を０．６μ常、別の基板には（Ｏｏｇ４Ｒ
ｅ１６ ）４１６ Ｔ Ｑ４膜を０．６μ常作製した。
生評価用５インチフロッピーメディアを作製した。本ス
パッタ装置は、３基の８インチターゲットを備えており
、電極１には、ＣＯメタ−ゲット上膜組成がｃ ｏ、、
Ｚ ｒ、、 （重量％表示）となるようにＺｒペレッ
トを置いたもの、１！極２には、Ｏｏ−１６ｗｔ％Ｒｅ
ターゲット、電極３にはＯｏ−１６ｗｔ％Ｒｅターゲッ
ト上にＴａペレットを膜組成が（Ｃ０８４Ｒｅ１６ ）
９６ Ｔ １”４となるように配置した。基板は、５０
μ渭厚ポリエチレンテレフタラートを用いた。一般にｐ
ｍ’ｒとか、マイラといわれているものであり、耐熱性
に乏しいため、Ｄｏ電源により膜を形成した。スパッタ
の順序としては、別々の基板にｏ ０１１５ ｚｒ＋！
膜を０３μ毒同−条件で形成後、一つの基板にはＣ０８
４Ｒｅ、６膜を０．６μ常、別の基板には（Ｏｏｇ４Ｒ
ｅ１６ ）４１６ Ｔ Ｑ４膜を０．６μ常作製した。
後でメディアにソリがないように反対面にも同一条件で
膜を形成した。
膜を形成した。
スパッタ条件
の構成を示す。メディアＡは、５０μｍマイラ８の両面
に０３μｍ厚のＯｏ８５Ｚ ｒ、、アモルファス軟磁性
膜９と０．６ ＩＩ ｒｎ厚のＣｏ８４Ｒｅ、６垂直磁
化膜１０を形成したものであり、メディアＢ Ｌ１５０
μｍマイラ８の両面に０３μｍ厚のＣｏ６゜Ｚｒ、！ア
モルファス軟磁性膜９と０６μｍ厚の（００８４Ｒｅ１
６ ）１１６ Ｔ Ｑ４垂直磁化膜１１を形成したもの
である。
に０３μｍ厚のＯｏ８５Ｚ ｒ、、アモルファス軟磁性
膜９と０．６ ＩＩ ｒｎ厚のＣｏ８４Ｒｅ、６垂直磁
化膜１０を形成したものであり、メディアＢ Ｌ１５０
μｍマイラ８の両面に０３μｍ厚のＣｏ６゜Ｚｒ、！ア
モルファス軟磁性膜９と０６μｍ厚の（００８４Ｒｅ１
６ ）１１６ Ｔ Ｑ４垂直磁化膜１１を形成したもの
である。
メディアＡとメディアＢを、１．３μ？？＋厚パーマロ
イ主磁極−補助磁極タイプヘッドで記録再生したときの
記録密度特性を第６図に示す。第６図は両対数グラフ上
でプロットＬ７である。縦軸は、相対出力、横軸は、記
録密度を（ＫＦＲＰ工）の単位で記しである。同図から
、メディアＢの方が、セカンドビーク、サードビークの
出力がかなり大きくなっている。このことは、Ｃｏ−Ｒ
ｅ膜Ｋ Ｔ ａを添加したＯ ｏ −Ｒｅ−Ｔａ三元系
垂直磁化膜が、実用上においても、０ｏ−Ｒｅ二元系膜
よりも優れており、１００ＫＦＲＰ工以上の超高密度磁
気記録を十分可能ならしめうる。
イ主磁極−補助磁極タイプヘッドで記録再生したときの
記録密度特性を第６図に示す。第６図は両対数グラフ上
でプロットＬ７である。縦軸は、相対出力、横軸は、記
録密度を（ＫＦＲＰ工）の単位で記しである。同図から
、メディアＢの方が、セカンドビーク、サードビークの
出力がかなり大きくなっている。このことは、Ｃｏ−Ｒ
ｅ膜Ｋ Ｔ ａを添加したＯ ｏ −Ｒｅ−Ｔａ三元系
垂直磁化膜が、実用上においても、０ｏ−Ｒｅ二元系膜
よりも優れており、１００ＫＦＲＰ工以上の超高密度磁
気記録を十分可能ならしめうる。
実施例６゜
８インチターゲットを有するマグネトロンスパッタ装置
を用い、５インチのアルマイト処理したアルミディスク
上に、非磁性アモルファス００，０Ｔａ、。（重量％）
を０，５μ情形成させ、ディスクＯＫは０ｏ１１４Ｒｅ
ｔｅを０．５ ＩＩ 飛作製した。構成図は、第７図に
示した。
を用い、５インチのアルマイト処理したアルミディスク
上に、非磁性アモルファス００，０Ｔａ、。（重量％）
を０，５μ情形成させ、ディスクＯＫは０ｏ１１４Ｒｅ
ｔｅを０．５ ＩＩ 飛作製した。構成図は、第７図に
示した。
０５μ儒非ａ性アモルファスＣｏｇ。Ｔａ、ｏを下層に
設けたのは、アルマイト処理したディスク表面の粗さを
緩和させることと、その上の００８４１”Ｉｌｌと（０
０８４Ｒ”１６ ）９６ Ｔ （’４の磁気特性を上昇
させるためである。
設けたのは、アルマイト処理したディスク表面の粗さを
緩和させることと、その上の００８４１”Ｉｌｌと（０
０８４Ｒ”１６ ）９６ Ｔ （’４の磁気特性を上昇
させるためである。
１紀２種のディスクを用い、５インチウィンチェスター
ディスクドライブで記録再生を行った。
ディスクドライブで記録再生を行った。
浮上量を小さくするため、標準の３６００ ｒｐｍから
、１１０００ｒｐに”落とした。浮上量は、０．２μ青
程度である。磁気ヘッドは、標準のＭｎ−Ｚ ｎ −７
エライトで、ギャップは１μ常でありだ。ディスクＣと
ディスクＤを用いた場合の記録密度特性を第８図に示す
。縦軸は相対出力、横軸は記録密度（単位はＫ］ｌＩ’
ＲＰ工）である。Ｔａを４％添加したディスクっけ、デ
ィスクＣに較べ、セカンドビーク値で倍の出力を得てい
る。
、１１０００ｒｐに”落とした。浮上量は、０．２μ青
程度である。磁気ヘッドは、標準のＭｎ−Ｚ ｎ −７
エライトで、ギャップは１μ常でありだ。ディスクＣと
ディスクＤを用いた場合の記録密度特性を第８図に示す
。縦軸は相対出力、横軸は記録密度（単位はＫ］ｌＩ’
ＲＰ工）である。Ｔａを４％添加したディスクっけ、デ
ィスクＣに較べ、セカンドビーク値で倍の出力を得てい
る。
なお、本発明は前記実施例に制約されない。
Ｃｏ−Ｒｅ−Ｈｆ、０ｎ−Ｒｅ−Ｔａ 、Ｃｏ−Ｒｅ−
Ｗ等の三元合金を作製しうるスパッタ以外の他の手段、
例えば、電子ビーム蒸着、メッキ、ロール法等でもよい
。また、実施例２では、対向ターゲット方式の改良装置
を用いた例を挙げたが、Ｏｏ ’−Ｒｅ −Ｔ ａ三元
合金で最良の垂直磁気異方性を有する成分組成が決定さ
れれば、対向する二個のターゲットともに同一三元材質
を用い、同一の直流もしくは高周波電源を使用する方式
でもよい。また、実施例１及び実施例３は、基板水冷し
ているが、基板加熱を行なうとＯｏ −Ｒｅ ２元合金
の特性は、Ｈｋ＝６８００と高くなるが、Ｉｆ、Ｔａ、
Ｗ添加により、Ｈｋは更に高くなる。
Ｗ等の三元合金を作製しうるスパッタ以外の他の手段、
例えば、電子ビーム蒸着、メッキ、ロール法等でもよい
。また、実施例２では、対向ターゲット方式の改良装置
を用いた例を挙げたが、Ｏｏ ’−Ｒｅ −Ｔ ａ三元
合金で最良の垂直磁気異方性を有する成分組成が決定さ
れれば、対向する二個のターゲットともに同一三元材質
を用い、同一の直流もしくは高周波電源を使用する方式
でもよい。また、実施例１及び実施例３は、基板水冷し
ているが、基板加熱を行なうとＯｏ −Ｒｅ ２元合金
の特性は、Ｈｋ＝６８００と高くなるが、Ｉｆ、Ｔａ、
Ｗ添加により、Ｈｋは更に高くなる。
本発明は、以上説明したように、ｃｏ −Ｒｅ膜Ｋ Ｈ
ｆ 、 Ｔ ａ、 Ｗを１０Ｍ景弾以下含有させ、Ｏｏ
−Ｒｅ二元合金における垂直磁気異方性の限界を大き
く上回る垂直磁気記録媒体を作り出し、現在の記録密度
特性を大幅に改善した超高密度記録媒体を作り出すもの
である。
ｆ 、 Ｔ ａ、 Ｗを１０Ｍ景弾以下含有させ、Ｏｏ
−Ｒｅ二元合金における垂直磁気異方性の限界を大き
く上回る垂直磁気記録媒体を作り出し、現在の記録密度
特性を大幅に改善した超高密度記録媒体を作り出すもの
である。
第１図は本発明の詳細な説明する図である。
第２図は実施例２を説明するためのもので、Ｔａ添加量
に対する異方性磁界Ｈｋの変化を示したもの。 第３図及び第４図は、実施例３を説明するためのもので
、それぞれ、装置の構成図、Ｗｆｉに対する膜特性の変
化を示したもの。・− 第５図・第６図は、実施例５を説明するためのもので、
メディアの構成図及びそれぞれのメディアの記録密度特
性。 第７図・第８図は、実施例６を説明するためのもので、
磁気ディスクの構成図及びそれぞれの磁気ディスクの記
録密度特性である。 １・・・Ｃｏ−Ｒｅ合金ターゲット ２・・・直流電源 ３・・・Ｏｏ −Ｒｅ −Ｗ合金ターゲット４・・・直
流電源 ５・・・基板 ６・・・電磁石 ７・・・基板ホルダー ８−・・マイラ（ＳＯμｆｎ） ９− （１！ ｏ −Ｚ ｒ膜（０３μｍ）１０・・・
Ｏｏ −Ｒｅ膜（０６μ？７Ｉ）１１−−− Ｏｏ −
Ｒｅ −Ｔ ａ膜（０，６μｍ）１２、・・・アルミデ
ィスク（１，９Ｍ）１３・・・アルマイト １４− Ｏｏ −Ｔ ａ膜（０，５μｍ）１５− Ｏｏ
−Ｒｅ膜あるいはＱ ｏ −Ｒｅ −Ｗ膜（０，３μ
惰） ！ｆ、ＩＩ￥ｌ Ｔａ ＣｗｔＸ） ＄ ３ 図 Ｗ （ｖＪ力幻 ピｒ １、 １ｎ 第５Ｖ￥１ 記ａ智に 卒 ら 品 多 ワ 唱 ！ｉ、 ＃−＠六Ｌ （１ｃＦＲＰ１ン茅 ８ω
に対する異方性磁界Ｈｋの変化を示したもの。 第３図及び第４図は、実施例３を説明するためのもので
、それぞれ、装置の構成図、Ｗｆｉに対する膜特性の変
化を示したもの。・− 第５図・第６図は、実施例５を説明するためのもので、
メディアの構成図及びそれぞれのメディアの記録密度特
性。 第７図・第８図は、実施例６を説明するためのもので、
磁気ディスクの構成図及びそれぞれの磁気ディスクの記
録密度特性である。 １・・・Ｃｏ−Ｒｅ合金ターゲット ２・・・直流電源 ３・・・Ｏｏ −Ｒｅ −Ｗ合金ターゲット４・・・直
流電源 ５・・・基板 ６・・・電磁石 ７・・・基板ホルダー ８−・・マイラ（ＳＯμｆｎ） ９− （１！ ｏ −Ｚ ｒ膜（０３μｍ）１０・・・
Ｏｏ −Ｒｅ膜（０６μ？７Ｉ）１１−−− Ｏｏ −
Ｒｅ −Ｔ ａ膜（０，６μｍ）１２、・・・アルミデ
ィスク（１，９Ｍ）１３・・・アルマイト １４− Ｏｏ −Ｔ ａ膜（０，５μｍ）１５− Ｏｏ
−Ｒｅ膜あるいはＱ ｏ −Ｒｅ −Ｗ膜（０，３μ
惰） ！ｆ、ＩＩ￥ｌ Ｔａ ＣｗｔＸ） ＄ ３ 図 Ｗ （ｖＪ力幻 ピｒ １、 １ｎ 第５Ｖ￥１ 記ａ智に 卒 ら 品 多 ワ 唱 ！ｉ、 ＃−＠六Ｌ （１ｃＦＲＰ１ン茅 ８ω
Claims (1)
- コバルトとレニウムに加えて、ノ飄フニウム、タンタル
、タングステンのうち少なくとも一種を含有したことを
特徴とする垂直記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192222A JPS5980911A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192222A JPS5980911A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5980911A true JPS5980911A (ja) | 1984-05-10 |
Family
ID=16287688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57192222A Pending JPS5980911A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5980911A (ja) |
-
1982
- 1982-11-01 JP JP57192222A patent/JPS5980911A/ja active Pending
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