JPS5982755A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS5982755A
JPS5982755A JP57192455A JP19245582A JPS5982755A JP S5982755 A JPS5982755 A JP S5982755A JP 57192455 A JP57192455 A JP 57192455A JP 19245582 A JP19245582 A JP 19245582A JP S5982755 A JPS5982755 A JP S5982755A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
sealing plate
sealing
cooling body
cylindrical body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP57192455A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6258664B2 (ja
Inventor
Satoshi Mikami
三上 訓
Kenji Iimura
飯村 健二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP57192455A priority Critical patent/JPS5982755A/ja
Publication of JPS5982755A publication Critical patent/JPS5982755A/ja
Publication of JPS6258664B2 publication Critical patent/JPS6258664B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/111Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/40Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings
    • H10W76/42Fillings
    • H10W76/47Solid or gel fillings

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は半導体素子を金属製冷却体の凹部に配置し樹脂
を注型して封止した半導体装置に関する′ ものである
〔従来技術〕
この種半導体装置の典型は自冷式単相ダイオードモジュ
ールで、第1図、第2図は従来の自冷式単相ダイオード
モジュールを示している。
両図において、アルミニウム製冷却体1は凹部を有し、
凹部底面にセラミック板2を介して、サブアセンブリ3
が固着されている。そして、凹部内にはエポキシ樹脂4
が注型硬化され、封止体となっている。サブアセンブリ
3はリード5とダイオードペレット6からなり、全波整
流回路を構成している。冷却体1の外周には複数のフィ
ン7が設けられている。  − 封止体4は熱サイクルを受けて膨張、収縮をし、封止体
4と冷却体1の内側壁面は剥離し易く、このため、湿気
等が侵入して、電気的特性を低下させる。このため、冷
却体1の内側壁面に溝を設けて、迷路を作ね、湿気等の
侵入を防いでいるが充分ではなかった。
また、冷却体1は、先ず、押出成型機を用いて、第2図
に示す形の外形を断面形状として持つ棒状体を作り、こ
れを所定長さに切断してから、凹部、溝を形成してから
、全面に防錆処理を施して完成するので、多くの加工を
要する。また、凹部形成のための中ぐり加工は、芯出し
のため熟練を必要とする。
〔発明の目的〕
それ故、本発明は、電気的特性が低下することはなく、
従って信頼性が高く、捷た、容易に製作することが可能
な半導体装置を提供するにある。
〔発明の概要〕
本発明の特徴とするところは、冷却体は筒状体の一方の
開孔部に封止板を圧着して構成されるものであり、他方
の開孔部より一方の開孔部の方75;広くされているこ
とにある。
さらに、本発明の特徴とするところは、封止体には絶縁
部材を取囲んで溝が設けられていることにある。
〔発明の実施例〕
第3図は本発明の一実施例を示しており、第1図、第2
図と同一符号は同一物、相当物を示している。
第3図の実Mi例で、第1図、第2図に示す従来例と異
なっているところは、冷却体1力!筒状体1aと封止板
1bに分かれており、筒状体1aの下方開孔部に封止板
1bが圧入されている点にある。また、圧入の結果、筒
状体1aの下方端は押広げられ、そのため、下方開孔部
は上方開孔部よ如広くなっている。従って、封止体4で
あるエポキシ樹脂が熱サイクルを受け、上方に膨張しよ
うとした時、その膨張が規制されるので、封止体4と筒
状体1aが剥離するおそれは少ない。
更に、封止板1bには絶縁部材2を取囲んで溝8が設け
られている。封止体4は、注型時にこの溝8内に充填さ
れる。封止板1aと封止体4は両者間に引張力が加わっ
た時に剥離するが、両者間の接触面積が溝8の存在によ
り、相当大きくなっているので、かなり大きな引張力が
加わらないかぎり、両者間で剥離は起らない。従って、
たとえ、筒状体1aと封止体4の間で剥離を生じたとし
ても、封止板1bと封止体4はほとんど剥離を生じない
ので、湿気等が侵入することはほとんどなく、従って、
電気的特性は一定で、信頼性は高い。
筒状体1aは中空状に押出成型し、その後、防錆加工を
施すだけでよい。また、封止板1bは打抜きにより得る
ことカよできる。この時、溝8を形成してもよい。筒状
体1aの下方開孔部に瞬間的に力を加えて、押広げ、封
止板1bを配置して力を解除すれば、両者は機械的に圧
着されるうあるいは、封止板1bを配置しておいて、筒
状体1aの下方開孔部に外側から力を加えて、両者をか
しめて固着してもよい。
筒状体1aと封止板1bは同一材質に限るものではない
ので、仕様に応じて、材料を選択できる。
冷却体1はこのように、簡単に得ることができ、また、
加工に当って、熟練を必要としない。
第4図に示す冷却体1では、封止板1bの下面にも、溝
9が設けられている。従って、冷却体1を作る時、封止
板1bの方向性を確認する必要がない。
また、溝8.9は、圧着力が、絶縁部材2、ベレット6
に伝わり、破損することを防止する。
以上の説明では、単相ダイオードブリッジについて説明
したが、これに限られるものではなく、サイリスタブリ
ッジや混合モジュール等、各種のものに本発明は適用で
きる、まだ、絶縁部材上に能動素子だけでなく、抵抗、
コンデンサ等の受動素子が載置されていてもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、製作が容易で、
信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体装置を示す縦断面図、第2図は第
1図に示す半導体装置の上面図、第3図は本発明の一実
施例を示す縦断面図、第4図は本発明の他の実施例を示
す冷却体の縦断面図である。 1・・・冷却体、1a・・・筒状体、1b・・・封止板
、2・・・絶縁部材、3・・・サブアセンブリ、4・・
・封止体、5・・・リード、6・・・ダイ万一ドペレッ
ト、7・・・フィン、弔1図 第7図 糖3図 弔4日

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、金属製冷却体の凹部内に半導体素子を配置し、樹脂
    封止した半導体装置において、冷却体は筒状体の一方の
    開孔部に封止板を圧着して構成されたものであり、他方
    の開孔部より上記一方の開孔部は広くなっていることを
    特徴とする半導体装置。 2、第1項にお・ハて、回路素子は封止体に絶縁部材を
    介して固着され、封止体には絶縁部材を取囲んで溝が設
    けられていることを特徴とする半導体装置。
JP57192455A 1982-11-04 1982-11-04 半導体装置 Granted JPS5982755A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57192455A JPS5982755A (ja) 1982-11-04 1982-11-04 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57192455A JPS5982755A (ja) 1982-11-04 1982-11-04 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5982755A true JPS5982755A (ja) 1984-05-12
JPS6258664B2 JPS6258664B2 (ja) 1987-12-07

Family

ID=16291582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57192455A Granted JPS5982755A (ja) 1982-11-04 1982-11-04 半導体装置

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JP (1) JPS5982755A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5920119A (en) * 1996-02-22 1999-07-06 Hitachi, Ltd. Power semiconductor module employing metal based molded case and screw fastening type terminals for high reliability

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5920119A (en) * 1996-02-22 1999-07-06 Hitachi, Ltd. Power semiconductor module employing metal based molded case and screw fastening type terminals for high reliability

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6258664B2 (ja) 1987-12-07

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