JPS5982774A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5982774A JPS5982774A JP57193192A JP19319282A JPS5982774A JP S5982774 A JPS5982774 A JP S5982774A JP 57193192 A JP57193192 A JP 57193192A JP 19319282 A JP19319282 A JP 19319282A JP S5982774 A JPS5982774 A JP S5982774A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- metal thin
- metal
- insulating film
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置にかかりとくにショットキードリ
アダイオードの構造に関するものである。
アダイオードの構造に関するものである。
従来、金属シリサイド属を用いてショットキーバリアダ
イオードを形成する際に金属シリサイド層と配線金属薄
膜層の間にバリアメタル層として金属薄膜層を設け、シ
ョットキードリアダイオードの特性変化、特に熱による
特性変化を防止しているが、その際バリアメタル層配線
金属層の順に被着し、両者を、同時にエツチングすると
配線金属層下すべてにバリアメタル層が残り、この場合
バリアメタル層と半導体基板の密着性が悪い場合には、
配線金属層下がれを起こす可能性や、バリアメタル層と
配線金属層間で、配線金属層バターニングのための処理
中に、配線金属層とバリアメタル層間の電池作用により
配線金属層あるいは、バリアメタル層が、腐蝕され配線
の細りや断線が、発生しゃすくな夛信頼度の低下２歩留
の低下の原因となった。
イオードを形成する際に金属シリサイド層と配線金属薄
膜層の間にバリアメタル層として金属薄膜層を設け、シ
ョットキードリアダイオードの特性変化、特に熱による
特性変化を防止しているが、その際バリアメタル層配線
金属層の順に被着し、両者を、同時にエツチングすると
配線金属層下すべてにバリアメタル層が残り、この場合
バリアメタル層と半導体基板の密着性が悪い場合には、
配線金属層下がれを起こす可能性や、バリアメタル層と
配線金属層間で、配線金属層バターニングのための処理
中に、配線金属層とバリアメタル層間の電池作用により
配線金属層あるいは、バリアメタル層が、腐蝕され配線
の細りや断線が、発生しゃすくな夛信頼度の低下２歩留
の低下の原因となった。
以上の理由から、配線金属層被着前にバリアメタル層が
金属シリサイド金少なくとも覆う様、必要な部分のみ残
し、不要な部分をエツチングした構造がとられている。
金属シリサイド金少なくとも覆う様、必要な部分のみ残
し、不要な部分をエツチングした構造がとられている。
しかしながら、この方法にも、バリアメタル層と隣接す
る配線金属層とのずれによるショートを防止するためバ
リアメタル層と隣接する配線金属層間の充分なマージン
を確保する必要があった。
る配線金属層とのずれによるショートを防止するためバ
リアメタル層と隣接する配線金属層間の充分なマージン
を確保する必要があった。
本発明の目的は、上記従来の欠点を解消する新規なるシ
ョットキーバリアダイオードの構造を提供することであ
る。
ョットキーバリアダイオードの構造を提供することであ
る。
即ち、本発明は、半導体基板の一生面上ヲ援う第１の絶
縁膜と、該第１の絶縁膜に選択的に前記半導体基板に達
する様に設けられた第１の開孔部と、該第１の開孔部の
半導体基板ｐ面に設けられた金属シリサイド層と、該金
属シリサイド層を少なくとも榛う第１の金属薄膜と、該
第１の金属薄膜を少なくとも覆う第２の絶縁膜と、該第
２の絶縁膜に選択的に前記第１の金属薄膜に達しかつ前
記第１の金属薄膜のパターンより小さい形状に設けられ
た第２の開孔部と、該第２の開孔部を覆う第２の金Ｍ薄
膜とを有することに特徴がある。
縁膜と、該第１の絶縁膜に選択的に前記半導体基板に達
する様に設けられた第１の開孔部と、該第１の開孔部の
半導体基板ｐ面に設けられた金属シリサイド層と、該金
属シリサイド層を少なくとも榛う第１の金属薄膜と、該
第１の金属薄膜を少なくとも覆う第２の絶縁膜と、該第
２の絶縁膜に選択的に前記第１の金属薄膜に達しかつ前
記第１の金属薄膜のパターンより小さい形状に設けられ
た第２の開孔部と、該第２の開孔部を覆う第２の金Ｍ薄
膜とを有することに特徴がある。
次に、本発明をよりよく理解するために、従来の実施例
と比較しながら、本発明の実施例について説明する。
と比較しながら、本発明の実施例について説明する。
第１図に従来のブヨットキーバリアダイオードのショッ
トキーコンタクト部分の断面図を示す。
トキーコンタクト部分の断面図を示す。
半導体基板１の一生面上を覆う、第１の絶縁膜２と、該
第１の絶縁膜に選択的に前記半導体基板に達する様に設
けられた第１の開孔部３と該第１の開孔部の半導体基板
表面に設けられた金属ンリサイド層４と、該金属ノリサ
イド層を少なくとも覆う第１の金属薄膜５と該第１の金
属薄膜上に形成された第２の金属薄膜６によ多構成され
ている。
第１の絶縁膜に選択的に前記半導体基板に達する様に設
けられた第１の開孔部３と該第１の開孔部の半導体基板
表面に設けられた金属ンリサイド層４と、該金属ノリサ
イド層を少なくとも覆う第１の金属薄膜５と該第１の金
属薄膜上に形成された第２の金属薄膜６によ多構成され
ている。
金属シリサイド層としては、代表例として、白金７リサ
イド層が用いられる。また、第１の金属薄膜は、第２の
金属薄膜と金属シリサイド層間の反応を抑える目的で設
けられるバリアメタル層で、代表例として、チタン・タ
ングステン合金属などの高融点金属が使用される。第２
の金属薄膜は、配線金属薄膜で、代表例としては、アル
ミニウム層が用いられる。
イド層が用いられる。また、第１の金属薄膜は、第２の
金属薄膜と金属シリサイド層間の反応を抑える目的で設
けられるバリアメタル層で、代表例として、チタン・タ
ングステン合金属などの高融点金属が使用される。第２
の金属薄膜は、配線金属薄膜で、代表例としては、アル
ミニウム層が用いられる。
この従来の構造では、第１の金属薄膜５と隣接する第２
の金属薄膜σの間にパターニングの際のずれを見込んで
充分なマージンをとる必要がち漫、また、第１の金属薄
膜５を第２の金属薄膜６が、完全に檀っていない場合に
は、第２の金属薄膜６及びＣのバターニングのための処
理中に、第２の金属薄膜と第１の金属薄膜の間に電池作
用により第１の金属薄膜あるいは、第２の金属薄膜が腐
蝕され、配線の細シや、断線が発生しゃすくな力、信頼
度の低下９歩留の低下の原因となった。
の金属薄膜σの間にパターニングの際のずれを見込んで
充分なマージンをとる必要がち漫、また、第１の金属薄
膜５を第２の金属薄膜６が、完全に檀っていない場合に
は、第２の金属薄膜６及びＣのバターニングのための処
理中に、第２の金属薄膜と第１の金属薄膜の間に電池作
用により第１の金属薄膜あるいは、第２の金属薄膜が腐
蝕され、配線の細シや、断線が発生しゃすくな力、信頼
度の低下９歩留の低下の原因となった。
次に本発明の実施例を第２図に示す。半導体基板１の一
生面上ヲ嫌う、第１の絶縁膜２と、該第１の絶縁膜に選
択的に前記半導体基板に達する様に設けられた第１の開
孔ｓ３と、該第１の開孔部の半導体基板表面に設けられ
た金属シリサイド層４と、該金属シリサイド層を少なく
とも覆う第１の金属薄膜５と該第１の金属薄膜を少なく
とも櫟う第２の絶縁膜７と該第２の絶縁膜に選択的に前
記第１の金属薄膜に達しかつ前記第１の金ｈ４薄膜のパ
ターンより、小さい形状に設けられた第２の開孔部８と
、該第２の開孔部を捗り第２の金属薄膜６とを有した構
造となっている。
生面上ヲ嫌う、第１の絶縁膜２と、該第１の絶縁膜に選
択的に前記半導体基板に達する様に設けられた第１の開
孔ｓ３と、該第１の開孔部の半導体基板表面に設けられ
た金属シリサイド層４と、該金属シリサイド層を少なく
とも覆う第１の金属薄膜５と該第１の金属薄膜を少なく
とも櫟う第２の絶縁膜７と該第２の絶縁膜に選択的に前
記第１の金属薄膜に達しかつ前記第１の金ｈ４薄膜のパ
ターンより、小さい形状に設けられた第２の開孔部８と
、該第２の開孔部を捗り第２の金属薄膜６とを有した構
造となっている。
以上の構造分とることにより、第１の金属薄膜５と隣接
する第２の金属薄膜Ｃの間にマージンが不要となり、か
つ、第２の金属薄膜及び第２の絶縁膜で第１の金属薄膜
を覆うため、第２の金属薄。
する第２の金属薄膜Ｃの間にマージンが不要となり、か
つ、第２の金属薄膜及び第２の絶縁膜で第１の金属薄膜
を覆うため、第２の金属薄。
膜と第１の金属薄膜間で、電池作用による不都合は起こ
らない。
らない。
また、第２図において第１の金属薄膜上に形成する第２
のＰ縁膜は、第１の金属薄膜からの生成膜でもよいし全
く別の絶縁膜でもよい。
のＰ縁膜は、第１の金属薄膜からの生成膜でもよいし全
く別の絶縁膜でもよい。
第１図は、従来のショットキーバリアダイオードの断面
図であり、第２図は、本発明の一実施例を示す断面図で
ある。 図中において、ｌ・・・・・・半導体基板、２・・・・
・・第１の絶縁膜、３・・・・・・第１の開孔部、４・
・・・・・金属シリサイド層、５・・・・・・第１の金
属薄膜、６・・・・・・第２の金属薄膜、７・・・・・
・第２の絶縁膜、８・・・・・・第２の開孔部、Ｃ・・
・・・・隣接する第２の金属薄膜である。
図であり、第２図は、本発明の一実施例を示す断面図で
ある。 図中において、ｌ・・・・・・半導体基板、２・・・・
・・第１の絶縁膜、３・・・・・・第１の開孔部、４・
・・・・・金属シリサイド層、５・・・・・・第１の金
属薄膜、６・・・・・・第２の金属薄膜、７・・・・・
・第２の絶縁膜、８・・・・・・第２の開孔部、Ｃ・・
・・・・隣接する第２の金属薄膜である。
Claims (1)
- 半導体基板の一生面上を棟う第１の絶縁膜と、該第１の
絶縁膜に選択的に前記半導体基板に達する様に設けられ
た第１の開孔部と、該第１の開孔部の半導体基板表面に
設けられた金槁シリサイド層と、該金属シリサイド層を
少なくとも穆う第１の金属薄膜と、該第１の金属薄膜を
少なくとも覆う第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜に選択
的に前記第１の金属薄膜に達しかつ前記第１の金属薄膜
のパターンより小さい形状に設けられた第２の開孔部と
、該第２の開孔部を覆う第２の金属薄膜とを有すること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57193192A JPS5982774A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57193192A JPS5982774A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5982774A true JPS5982774A (ja) | 1984-05-12 |
Family
ID=16303832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57193192A Pending JPS5982774A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5982774A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01319974A (ja) * | 1988-06-20 | 1989-12-26 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP2014241436A (ja) * | 2007-03-26 | 2014-12-25 | 住友電気工業株式会社 | ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5441673A (en) * | 1977-09-09 | 1979-04-03 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
| JPS5578578A (en) * | 1978-12-11 | 1980-06-13 | Toshiba Corp | Manufacture of schottky barrier diode |
-
1982
- 1982-11-02 JP JP57193192A patent/JPS5982774A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5441673A (en) * | 1977-09-09 | 1979-04-03 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
| JPS5578578A (en) * | 1978-12-11 | 1980-06-13 | Toshiba Corp | Manufacture of schottky barrier diode |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01319974A (ja) * | 1988-06-20 | 1989-12-26 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP2014241436A (ja) * | 2007-03-26 | 2014-12-25 | 住友電気工業株式会社 | ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 |
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