JPH07120529A - 半導体試験装置 - Google Patents
半導体試験装置Info
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- JPH07120529A JPH07120529A JP5267427A JP26742793A JPH07120529A JP H07120529 A JPH07120529 A JP H07120529A JP 5267427 A JP5267427 A JP 5267427A JP 26742793 A JP26742793 A JP 26742793A JP H07120529 A JPH07120529 A JP H07120529A
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体試験装置において、有害物質を使わ
ず、かつ表面実装型及びＤＩＰ型半導体装置と電気的特
性の測定装置とを電気的に接続する。 【構成】 キャリア１の表面には、横長の凹陥部３ａが
設けられ、凹陥部３ａ内に、常温で固体のガリウムなど
の無害性をもつ低融点金属３ｂが注入されている。半導
体装置４は、外部リード５ａが低融点金属３ｂで固定保
持され、低融点金属３ｂ及び配線パターン７ａを介して
測定装置に電気的に接続される。無害性をもつ低融点金
属が用いられるため、その取扱いに細心の注意を払う必
要がなく、しかも、半導体装置の外部リードを横長の凹
陥部３ａ内に受け入れるため、ＤＩＰ型に加えて表面実
装型を測定対象とすることが可能となる。
ず、かつ表面実装型及びＤＩＰ型半導体装置と電気的特
性の測定装置とを電気的に接続する。 【構成】 キャリア１の表面には、横長の凹陥部３ａが
設けられ、凹陥部３ａ内に、常温で固体のガリウムなど
の無害性をもつ低融点金属３ｂが注入されている。半導
体装置４は、外部リード５ａが低融点金属３ｂで固定保
持され、低融点金属３ｂ及び配線パターン７ａを介して
測定装置に電気的に接続される。無害性をもつ低融点金
属が用いられるため、その取扱いに細心の注意を払う必
要がなく、しかも、半導体装置の外部リードを横長の凹
陥部３ａ内に受け入れるため、ＤＩＰ型に加えて表面実
装型を測定対象とすることが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体試験装置に関
し、特に半導体装置の電気的特性を測定する治具と半導
体装置の外部リードとの電気的接続を確実にする半導体
試験装置に関する。
し、特に半導体装置の電気的特性を測定する治具と半導
体装置の外部リードとの電気的接続を確実にする半導体
試験装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体試験装置には図１２に示す
ように、絶縁体で形成された絶縁ブロック１５に半導体
装置４の外部リード５ｂの配列に合わせて溝１６を備
え、溝１６に水銀１７が注入され、図１３に示すように
溝１６入口部に、ゴム板に切れ目をいれた水銀除去膜１
８が備えられたものがある（例えば、特開平３−３００
６６６号公報）。
ように、絶縁体で形成された絶縁ブロック１５に半導体
装置４の外部リード５ｂの配列に合わせて溝１６を備
え、溝１６に水銀１７が注入され、図１３に示すように
溝１６入口部に、ゴム板に切れ目をいれた水銀除去膜１
８が備えられたものがある（例えば、特開平３−３００
６６６号公報）。
【０００３】半導体装置４を測定する時には、半導体装
置４の外部リード５ｂが水銀除去膜１８の切れ目を割っ
て挿入され、溝１６内の水銀１７と電気的接触をする。
外部リード５ｂの挿出時、外部リード５ｂに付着した水
銀１７は、水銀除去膜１８に触れて溝１６に戻される。
置４の外部リード５ｂが水銀除去膜１８の切れ目を割っ
て挿入され、溝１６内の水銀１７と電気的接触をする。
外部リード５ｂの挿出時、外部リード５ｂに付着した水
銀１７は、水銀除去膜１８に触れて溝１６に戻される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体試験
装置では、有害物質である水銀を電気的媒体として使用
しているため、例え水銀除去膜があったとしても、その
除去能力の劣化は常に監視する必要がある。また、測定
が終了して、この半導体試験装置を保管する場合、水銀
がこぼれないように常に水平で振動に対して安定な場所
を確保する必要がある。また、水銀を抜いて保管する場
合でも、絶縁ブロックの洗浄に所定の注意を払い、その
流出を許してはならない。さらに、作業中は、規定の手
袋を常時着用する必要がある。
装置では、有害物質である水銀を電気的媒体として使用
しているため、例え水銀除去膜があったとしても、その
除去能力の劣化は常に監視する必要がある。また、測定
が終了して、この半導体試験装置を保管する場合、水銀
がこぼれないように常に水平で振動に対して安定な場所
を確保する必要がある。また、水銀を抜いて保管する場
合でも、絶縁ブロックの洗浄に所定の注意を払い、その
流出を許してはならない。さらに、作業中は、規定の手
袋を常時着用する必要がある。
【０００５】以上述べたように従来の半導体試験装置で
は、有害物質である水銀を使用しているため、管理に細
心の注意を払う必要がある。
は、有害物質である水銀を使用しているため、管理に細
心の注意を払う必要がある。
【０００６】さらに、水銀除去膜を有しているため、表
面実装型の半導体装置を測定する場合には、外部リード
の抜差時に外部リードが水銀除去膜に引掛り、外部リー
ドに曲がりが生じる可能性が非常に高く、ＤＩＰやＳＩ
Ｐ型の半導体装置の測定にしか使えないという欠点があ
る。
面実装型の半導体装置を測定する場合には、外部リード
の抜差時に外部リードが水銀除去膜に引掛り、外部リー
ドに曲がりが生じる可能性が非常に高く、ＤＩＰやＳＩ
Ｐ型の半導体装置の測定にしか使えないという欠点があ
る。
【０００７】また、水銀による電気的接続に代えて、ハ
ンダを用いることも考えられるが、このハンダの融点は
１００℃以上であり、被試験半導体装置に熱による影響
を及ぼしてしまう慮れがあった。
ンダを用いることも考えられるが、このハンダの融点は
１００℃以上であり、被試験半導体装置に熱による影響
を及ぼしてしまう慮れがあった。
【０００８】本発明の目的は、ＤＩＰ，ＳＩＰ型の半導
体装置に加えて表面実装型の半導体装置の測定にも用い
られる半導体試験装置を提供することにある。
体装置に加えて表面実装型の半導体装置の測定にも用い
られる半導体試験装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体試験装置は、キャリアと、固定
治具と、固定解放治具とを有する半導体試験装置であっ
て、キャリアは、被測定半導体装置が実装されるもので
あり、配線パターンを有し、配線パターンは、キャリア
上に実装された被測定半導体装置と、電気的特性を測定
する測定装置とを電気的に接続するものであり、固定治
具は、キャリア上に実装された被測定半導体装置の外部
リードを固定保持するものであり、凹陥部と保持接点部
とを有し、凹陥部は、前記キャリアの配線パターンに連
通して設けられ、かつ被測定半導体装置の外部リードの
屈曲方向に合わせて横長とし、上面が開放されて被測定
半導体装置の外部リードを受け入れる受口をもつもので
あり、保持接点部は、常温で固体の無害性をもつ低融点
金属からなり、前記凹陥部内に、キャリアの配線パター
ンとは接触して収納され、固化して被測定半導体装置の
外部リードをキャリアの配線パターンに結合させて電気
的に接続させるとともに、被測定半導体装置をキャリア
上に固定保持するものであり、固定解放治具は、前記キ
ャリアを低融点金属の融点まで加熱し、保持接点部によ
る外部リードの固定を解放するものである。
め、本発明に係る半導体試験装置は、キャリアと、固定
治具と、固定解放治具とを有する半導体試験装置であっ
て、キャリアは、被測定半導体装置が実装されるもので
あり、配線パターンを有し、配線パターンは、キャリア
上に実装された被測定半導体装置と、電気的特性を測定
する測定装置とを電気的に接続するものであり、固定治
具は、キャリア上に実装された被測定半導体装置の外部
リードを固定保持するものであり、凹陥部と保持接点部
とを有し、凹陥部は、前記キャリアの配線パターンに連
通して設けられ、かつ被測定半導体装置の外部リードの
屈曲方向に合わせて横長とし、上面が開放されて被測定
半導体装置の外部リードを受け入れる受口をもつもので
あり、保持接点部は、常温で固体の無害性をもつ低融点
金属からなり、前記凹陥部内に、キャリアの配線パター
ンとは接触して収納され、固化して被測定半導体装置の
外部リードをキャリアの配線パターンに結合させて電気
的に接続させるとともに、被測定半導体装置をキャリア
上に固定保持するものであり、固定解放治具は、前記キ
ャリアを低融点金属の融点まで加熱し、保持接点部によ
る外部リードの固定を解放するものである。
【００１０】また、前記低融点金属は、融点が約３０℃
程度のものである。
程度のものである。
【００１１】また、低融点金属除去器を有し、該低融点
金属除去器は、液化された低融点金属から抜去した被試
験半導体装置の外部リードに付着している低融点金属を
払拭するものである。
金属除去器は、液化された低融点金属から抜去した被試
験半導体装置の外部リードに付着している低融点金属を
払拭するものである。
【００１２】
【作用】常温で固体の低融点金属を保持接点部として用
いている。保持接点部は、固化した低融点金属により半
導体装置の外部リードとキャリアの配線パターンとを結
合して電気的に接続させるとともに、半導体装置をキャ
リア上に固定保持する。
いている。保持接点部は、固化した低融点金属により半
導体装置の外部リードとキャリアの配線パターンとを結
合して電気的に接続させるとともに、半導体装置をキャ
リア上に固定保持する。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。
【００１４】（実施例１）図１は、本発明の実施例１に
係るキャリアを示す斜視図、図２は、本発明の実施例１
に係る被測定半導体装置を示す斜視図、図３は、被測定
半導体装置をキャリアに搭載した状態を示す斜視図であ
る。
係るキャリアを示す斜視図、図２は、本発明の実施例１
に係る被測定半導体装置を示す斜視図、図３は、被測定
半導体装置をキャリアに搭載した状態を示す斜視図であ
る。
【００１５】図において、本発明に係る半導体試験装置
は、キャリア１と、固定治具２と、固定解放治具９とを
有している。
は、キャリア１と、固定治具２と、固定解放治具９とを
有している。
【００１６】キャリア１は、図１，３に示すように、被
測定半導体装置４が実装されるものであり、配線パター
ン７ａを有している。配線パターン７ａは図５に示すよ
うに、例えばプリント基板等からなるキャリア１の中間
層に形成され、キャリア１の裏面には図６に示すように
接続パターン８が設けられ、配線パターン７ａは、スル
ーホールを介して接続パターン８に結合され、キャリア
１上に実装された被測定半導体装置４と、電気的特性を
測定する測定装置とを電気的に接続するようになってい
る。
測定半導体装置４が実装されるものであり、配線パター
ン７ａを有している。配線パターン７ａは図５に示すよ
うに、例えばプリント基板等からなるキャリア１の中間
層に形成され、キャリア１の裏面には図６に示すように
接続パターン８が設けられ、配線パターン７ａは、スル
ーホールを介して接続パターン８に結合され、キャリア
１上に実装された被測定半導体装置４と、電気的特性を
測定する測定装置とを電気的に接続するようになってい
る。
【００１７】固定治具２は、図１及び図２に示すよう
に、キャリア１上に実装された被測定半導体装置４の外
部リード５ａを固定保持するものであり、凹陥部３ａと
保持接点部３ｂとを有している。凹陥部３ａは、キャリ
ア１の配線パターン７ａの一部をなす低融点金属接触部
６ａに連通して設けられ、かつ被測定半導体装置４の外
部リード５ａの屈曲方向に合わせて横長とし、上面が開
放されて被測定半導体装置の外部リードを受け入れる受
口をもつものである。
に、キャリア１上に実装された被測定半導体装置４の外
部リード５ａを固定保持するものであり、凹陥部３ａと
保持接点部３ｂとを有している。凹陥部３ａは、キャリ
ア１の配線パターン７ａの一部をなす低融点金属接触部
６ａに連通して設けられ、かつ被測定半導体装置４の外
部リード５ａの屈曲方向に合わせて横長とし、上面が開
放されて被測定半導体装置の外部リードを受け入れる受
口をもつものである。
【００１８】保持接点部３ｂは、常温で固体の無害性を
もつ低融点金属からなり、凹陥部３ａ内に、キャリア１
の配線パターンとは接触して収納され、固化して被測定
半導体装置４の外部リード５ａをキャリア１の配線パタ
ーンに結合させて電気的に接続させるとともに、被測定
半導体装置をキャリア１上に固定保持するものである。
もつ低融点金属からなり、凹陥部３ａ内に、キャリア１
の配線パターンとは接触して収納され、固化して被測定
半導体装置４の外部リード５ａをキャリア１の配線パタ
ーンに結合させて電気的に接続させるとともに、被測定
半導体装置をキャリア１上に固定保持するものである。
【００１９】固定解放治具９は図８に示すように、恒温
槽からなり、キャリア１を低融点金属の融点まで加熱
し、保持接点部３ｂによる外部リード５ａの固定を解放
するものである。前記低融点金属は、融点が約３０℃程
度のもので、例えばガリウム等を用いる。
槽からなり、キャリア１を低融点金属の融点まで加熱
し、保持接点部３ｂによる外部リード５ａの固定を解放
するものである。前記低融点金属は、融点が約３０℃程
度のもので、例えばガリウム等を用いる。
【００２０】また、固定解放治具をなす恒温槽９内に
は、低融点金属除去器１０と、半導体装置抜差器１１と
を有している。低融点金属除去器１０は、液化された低
融点金属から抜去した被試験半導体装置の外部リードに
付着している低融点金属をエアーブローにより払拭する
ものである。尚、低融点金属除去器１０としては、エア
ーブロー以外に、洗浄して払拭するものを用いてもよ
く、低融点金属を払拭することができるものであれば、
いずれのものでもよい。
は、低融点金属除去器１０と、半導体装置抜差器１１と
を有している。低融点金属除去器１０は、液化された低
融点金属から抜去した被試験半導体装置の外部リードに
付着している低融点金属をエアーブローにより払拭する
ものである。尚、低融点金属除去器１０としては、エア
ーブロー以外に、洗浄して払拭するものを用いてもよ
く、低融点金属を払拭することができるものであれば、
いずれのものでもよい。
【００２１】また半導体装置抜差器１１は、半導体装置
４の外部リード５ａを、溶融した低融点金属中に抜き差
しするものである。
４の外部リード５ａを、溶融した低融点金属中に抜き差
しするものである。
【００２２】実施例において、恒温槽９内にキャリア１
を入れ、低融点金属３ｂが半分程溶解した時点で被試験
半導体装置４の外部リード５ａを低融点金属３ｂに浸す
ように半導体装置抜差器１１で搭載する。この作業は人
間が行ってもよい。その状態で恒温槽９内の温度を２５
℃の常温まで下げ、低融点金属３ｂが固化した時点でキ
ャリア１を恒温槽９から取り出し、測定装置１２のポゴ
ピンにキャリア１の接続パターン８を押し付けて測定装
置１２と、キャリア１の一体化を図り、被試験半導体装
置４を測定する。
を入れ、低融点金属３ｂが半分程溶解した時点で被試験
半導体装置４の外部リード５ａを低融点金属３ｂに浸す
ように半導体装置抜差器１１で搭載する。この作業は人
間が行ってもよい。その状態で恒温槽９内の温度を２５
℃の常温まで下げ、低融点金属３ｂが固化した時点でキ
ャリア１を恒温槽９から取り出し、測定装置１２のポゴ
ピンにキャリア１の接続パターン８を押し付けて測定装
置１２と、キャリア１の一体化を図り、被試験半導体装
置４を測定する。
【００２３】測定終了後、キャリア１を再び恒温槽９に
入れ、低融点金属が溶融された後、半導体装置抜差器１
１を使って被試験半導体装置４を抜き去る。この作業も
人間が行ってもよい。そしてエアーブローのような低融
点金属除去器１０によるエアーブローを半導体装置４の
外部リード５ａに対して行い、外部リード５ａに付着す
る低融点金属を払拭する。
入れ、低融点金属が溶融された後、半導体装置抜差器１
１を使って被試験半導体装置４を抜き去る。この作業も
人間が行ってもよい。そしてエアーブローのような低融
点金属除去器１０によるエアーブローを半導体装置４の
外部リード５ａに対して行い、外部リード５ａに付着す
る低融点金属を払拭する。
【００２４】キャリア１の保管は、低融点金属３ｂが常
温で固体であることから、常に常温にて管理されている
建物の中ならば、図７のように立てかけて保管すること
が可能となる。
温で固体であることから、常に常温にて管理されている
建物の中ならば、図７のように立てかけて保管すること
が可能となる。
【００２５】（実施例２）図９，図１０は、本発明の実
施例２に係るキャリアを示す斜視図、図１１は、被試験
半導体装置の搭載状態を示す斜視図である。
施例２に係るキャリアを示す斜視図、図１１は、被試験
半導体装置の搭載状態を示す斜視図である。
【００２６】本実施例に係るキャリア１は、下層キャリ
ア１ａと上層キャリア１ｂとを上下に積層したものであ
り、下層キャリア１ａは、表面上に配線パターン７ｂ及
び低融点金属接触部６ｂを形成し、上層キャリア１ｂ
は、下層キャリア１ａより小さいものを用い、その表面
に凹陥部３ａを設け、凹陥部３ａの底部に配線パターン
７ｂの一部をなす低融点金属接触部６ｂを臨ませて積層
し、低融点金属は、凹陥部３ａの底部から低融点金属接
触部６ｂに接触して凹陥部３ａ内に収納されるようにな
っている。
ア１ａと上層キャリア１ｂとを上下に積層したものであ
り、下層キャリア１ａは、表面上に配線パターン７ｂ及
び低融点金属接触部６ｂを形成し、上層キャリア１ｂ
は、下層キャリア１ａより小さいものを用い、その表面
に凹陥部３ａを設け、凹陥部３ａの底部に配線パターン
７ｂの一部をなす低融点金属接触部６ｂを臨ませて積層
し、低融点金属は、凹陥部３ａの底部から低融点金属接
触部６ｂに接触して凹陥部３ａ内に収納されるようにな
っている。
【００２７】本実施例によれば、キャリア１は、配線パ
ターンが表面上に設けられるため、パターン形成層の数
が減少し、キャリアを安価に作成することができるとい
う利点がある。
ターンが表面上に設けられるため、パターン形成層の数
が減少し、キャリアを安価に作成することができるとい
う利点がある。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、常温で固
体の無害性をもつ低融点金属を用いて半導体装置の外部
リードを測定装置に電気的に接続し、かつ半導体装置の
外部リードを固定保持するため、半導体装置の測定時、
低融点金属が固化されており、強固な電気的並びに物理
的接触を行うことができ、電気的特性試験を正確に行う
ことができる。
体の無害性をもつ低融点金属を用いて半導体装置の外部
リードを測定装置に電気的に接続し、かつ半導体装置の
外部リードを固定保持するため、半導体装置の測定時、
低融点金属が固化されており、強固な電気的並びに物理
的接触を行うことができ、電気的特性試験を正確に行う
ことができる。
【００２９】さらに、凹陥部の受口は、半導体装置の外
部リードの屈曲方向に合わせて横長とし、上面が開放さ
れているため、表面実装型，ＤＩＰ型を問わずに半導体
装置のリードを曲げることなしに測定することができ
る。
部リードの屈曲方向に合わせて横長とし、上面が開放さ
れているため、表面実装型，ＤＩＰ型を問わずに半導体
装置のリードを曲げることなしに測定することができ
る。
【００３０】さらに、測定後のキャリア保管時には、低
融点金属が常温で固体であるため、キャリアを積み上
げ、或いは立てかけても良く、水銀を扱う試験装置のよ
うに、水平を保つ場所を確保したり、気を使いながら洗
浄を行う必要がなく、作業能率を向上させることができ
る。
融点金属が常温で固体であるため、キャリアを積み上
げ、或いは立てかけても良く、水銀を扱う試験装置のよ
うに、水平を保つ場所を確保したり、気を使いながら洗
浄を行う必要がなく、作業能率を向上させることができ
る。
【図１】本発明の実施例１に係るキャリアを示す斜視図
である。
である。
【図２】被測定半導体装置を示す斜視図である。
【図３】実施例１において、被測定半導体装置をキャリ
アに搭載した状態を示す斜視図である。
アに搭載した状態を示す斜視図である。
【図４】図１に示したキャリアの低融点金属注入前の状
態を示す斜視図である。
態を示す斜視図である。
【図５】図１に示したキャリアの配線パターンが形成さ
れた中間層を示す正面図である。
れた中間層を示す正面図である。
【図６】図１に示したキャリアを示す裏面図である。
【図７】図１に示したキャリアの保管状態を示す斜視図
である。
である。
【図８】本発明に係る半導体試験装置の全体を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図９】本発明の実施例２に係るキャリアを示す斜視図
である。
である。
【図１０】本発明の実施例２に係るキャリアを示す斜視
図である。
図である。
【図１１】実施例２において、被測定半導体装置をキャ
リアに搭載した状態を示す斜視図である。
リアに搭載した状態を示す斜視図である。
【図１２】従来例の半導体測定装置を示す斜視図であ
る。
る。
【図１３】（ａ）は、水銀除去機能を示す展開斜視図、
（ｂ）はリード挿入状態を示す斜視図である。
（ｂ）はリード挿入状態を示す斜視図である。
１ キャリア １ａ 下層キャリア １ｂ 上層キャリア ２ 固定治具 ３ａ 凹陥部 ３ｂ 低融点金属 ４ 半導体装置 ５ａ，５ｂ 外部リード ６ａ，６ｂ 低融点金属接触部 ７ａ，７ｂ 配線パターン ８ 接続パターン ９ 固定解放治具（恒温槽） １０ 低融点金属除去器 １１ 半導体装置抜差器 １２ 測定装置
Claims (3)
- 【請求項１】 キャリアと、固定治具と、固定解放治具
とを有する半導体試験装置であって、 キャリアは、被測定半導体装置が実装されるものであ
り、配線パターンを有し、 配線パターンは、キャリア上に実装された被測定半導体
装置と、電気的特性を測定する測定装置とを電気的に接
続するものであり、 固定治具は、キャリア上に実装された被測定半導体装置
の外部リードを固定保持するものであり、凹陥部と保持
接点部とを有し、 凹陥部は、前記キャリアの配線パターンに連通して設け
られ、かつ被測定半導体装置の外部リードの屈曲方向に
合わせて横長とし、上面が開放されて被測定半導体装置
の外部リードを受け入れる受口をもつものであり、 保持接点部は、常温で固体の無害性をもつ低融点金属か
らなり、前記凹陥部内に、キャリアの配線パターンとは
接触して収納され、固化して被測定半導体装置の外部リ
ードをキャリアの配線パターンに結合させて電気的に接
続させるとともに、被測定半導体装置をキャリア上に固
定保持するものであり、 固定解放治具は、前記キャリアを低融点金属の融点まで
加熱し、保持接点部による外部リードの固定を解放する
ものであることを特徴とする半導体試験装置。 - 【請求項２】 前記低融点金属は、融点が約３０℃程度
のものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体
試験装置。 - 【請求項３】 低融点金属除去器を有し、 該低融点金属除去器は、液化された低融点金属から抜去
した被試験半導体装置の外部リードに付着している低融
点金属を払拭するものであることを特徴とする請求項１
に記載の半導体試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5267427A JP2586308B2 (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | 半導体試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5267427A JP2586308B2 (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | 半導体試験装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07120529A true JPH07120529A (ja) | 1995-05-12 |
| JP2586308B2 JP2586308B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=17444700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5267427A Expired - Lifetime JP2586308B2 (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | 半導体試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2586308B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS598281A (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-17 | 日本電信電話株式会社 | 加熱着脱形マイクロコネクタ |
| JPH02300666A (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体測定装置 |
-
1993
- 1993-10-26 JP JP5267427A patent/JP2586308B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS598281A (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-17 | 日本電信電話株式会社 | 加熱着脱形マイクロコネクタ |
| JPH02300666A (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2586308B2 (ja) | 1997-02-26 |
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