JPS598351Y2 - 半導体ウエハの処理治具 - Google Patents
半導体ウエハの処理治具Info
- Publication number
- JPS598351Y2 JPS598351Y2 JP6456578U JP6456578U JPS598351Y2 JP S598351 Y2 JPS598351 Y2 JP S598351Y2 JP 6456578 U JP6456578 U JP 6456578U JP 6456578 U JP6456578 U JP 6456578U JP S598351 Y2 JPS598351 Y2 JP S598351Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer processing
- processing jig
- semiconductor wafer
- semiconductor
- jig
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は半導体ウエハの処理治具にか・り、半導体ウ
エハの処理泊具を複数個連接して処理装置に内装するも
ので、この処理治具に支持した半導体ウエハ間の間隔を
処理装置の接続部を含め等しからしめた半導体ウエハの
処理治具の構造に関する。
エハの処理泊具を複数個連接して処理装置に内装するも
ので、この処理治具に支持した半導体ウエハ間の間隔を
処理装置の接続部を含め等しからしめた半導体ウエハの
処理治具の構造に関する。
半導体装置の製造において、半導体ウエハにデポジショ
ン、酸化、拡散等を施すに第１図に一部を切欠して斜視
図示する処理装置が用いられる。
ン、酸化、拡散等を施すに第１図に一部を切欠して斜視
図示する処理装置が用いられる。
図において、１は石英で筒状に形或された炉芯管で、そ
の一端のノズル部１１から反応ガス、一例の酸化性零囲
気ガスを流し、高温（例えば８００〜１２５０℃）に保
った炉芯管内に配置された半導体ウエハ２（複数個の中
の１つを破線図示する）に上記ガスをあて、炉芯管の開
放口より排出する。
の一端のノズル部１１から反応ガス、一例の酸化性零囲
気ガスを流し、高温（例えば８００〜１２５０℃）に保
った炉芯管内に配置された半導体ウエハ２（複数個の中
の１つを破線図示する）に上記ガスをあて、炉芯管の開
放口より排出する。
上記半導体ウエハを炉芯管内の所定部分に配置するため
の半導体ウエハの処理治具３は、第２図に斜視図示する
如く、石英のロツドで細長くだ円型になるとともに半導
体ウエハの径より小なる間隔ｄの平行部分が長く形威さ
れ、かつ上記平行部分の上面に半導体ウエハを支持する
溝１３．１３′・・・・・・が形或されてなる。
の半導体ウエハの処理治具３は、第２図に斜視図示する
如く、石英のロツドで細長くだ円型になるとともに半導
体ウエハの径より小なる間隔ｄの平行部分が長く形威さ
れ、かつ上記平行部分の上面に半導体ウエハを支持する
溝１３．１３′・・・・・・が形或されてなる。
また、上記処理治具における非平行部（両端部）は隣接
する処理治具の端部に支持された半導体ウエハとの間隔
を狭めるため、平面部ないし凹部２３に形或される。
する処理治具の端部に支持された半導体ウエハとの間隔
を狭めるため、平面部ないし凹部２３に形或される。
次に第３図にウエハの処理装置におけるウエハの処理治
具３，３′の接続部の状況を断面図示する。
具３，３′の接続部の状況を断面図示する。
図に示す如く、ウエハを挿入支持する溝によって半導体
ウエハ間の間隔が決定されるが、接続部は上記平面部ま
たは凹部２３によって間隔の短縮がはかられるがなお処
理治具における半導体ウエハ間の間隔Ｄよりも大なる間
隔Ｄ′になる。
ウエハ間の間隔が決定されるが、接続部は上記平面部ま
たは凹部２３によって間隔の短縮がはかられるがなお処
理治具における半導体ウエハ間の間隔Ｄよりも大なる間
隔Ｄ′になる。
上記を実態につき説明する。
ウエハの処理治具は半導体ウエハの自動処理化、作業性
等を考えて、炉芯管の均熱長に比し短かいものが適用さ
れることが多い、これを使用して熱処理を行なう場合、
前記治具を複数個同時に載せるのに充分な石英製のボー
ト受け台（第１図４）に載せ炉芯管の均熱長に合わせて
ウエハ処理治具を直列に並べる。
等を考えて、炉芯管の均熱長に比し短かいものが適用さ
れることが多い、これを使用して熱処理を行なう場合、
前記治具を複数個同時に載せるのに充分な石英製のボー
ト受け台（第１図４）に載せ炉芯管の均熱長に合わせて
ウエハ処理治具を直列に並べる。
このように並べて熱処理を施すとき、処理治具の接続部
にて半導体ウエハ間の間隔が上述の如く大となり、これ
により処理ガスの流れが不均一になり、拡散不純物層に
むらを生じて均一な拡散が不可能になった。
にて半導体ウエハ間の間隔が上述の如く大となり、これ
により処理ガスの流れが不均一になり、拡散不純物層に
むらを生じて均一な拡散が不可能になった。
また一回に拡散処理を施す半導体ウエハの枚数が少ない
などの欠点があった。
などの欠点があった。
この発明は上記従来の欠点に対し、これを改良する半導
体ウエハの処理治具を提供するものである。
体ウエハの処理治具を提供するものである。
この発明の半導体ウエハの処理治具は直列に並べて使用
するとき、この治具に支持されたウエハ間の間隔が治具
の接続部を含めて等しくなる特徴を有するものである。
するとき、この治具に支持されたウエハ間の間隔が治具
の接続部を含めて等しくなる特徴を有するものである。
次にこの発明を一実施例の半導体ウエハの処理治具につ
き図面を参照して詳細に説明する。
き図面を参照して詳細に説明する。
半導体ウエハにテ゛ポジション、酸化、拡散等を施すに
第４図に一部を切欠して斜視図示する処理装置が用いら
れる。
第４図に一部を切欠して斜視図示する処理装置が用いら
れる。
図において、１は石英で筒状に形或された炉芯管で、そ
の一端のノズル部１１から反応ガス、一例の酸化性零囲
気ガスを流し、高温（例えば８００〜１２５０℃）に保
った炉芯管内に配置された半導体ウエハ２（複数個の中
の１つを破線図示する）に上記ガスをあて、炉芯管の開
放口より排出する。
の一端のノズル部１１から反応ガス、一例の酸化性零囲
気ガスを流し、高温（例えば８００〜１２５０℃）に保
った炉芯管内に配置された半導体ウエハ２（複数個の中
の１つを破線図示する）に上記ガスをあて、炉芯管の開
放口より排出する。
上記半導体ウエハを炉芯管内の所定部分に設置するため
の処理治具３３は、第５図に斜視図示する如く、２本の
石英ロツド３３ ａ ，３３ ａ’を平行に固定し前記
炉芯管の軸線に平行に複数個３３．３３’，３３″・・
・・・・連接装入する。
の処理治具３３は、第５図に斜視図示する如く、２本の
石英ロツド３３ ａ ，３３ ａ’を平行に固定し前記
炉芯管の軸線に平行に複数個３３．３３’，３３″・・
・・・・連接装入する。
そして上面に半導体ウエハを主面に対向せしめて支持す
るための溝４３ ．４３′・・・・・・が形威されてな
る。
るための溝４３ ．４３′・・・・・・が形威されてな
る。
次にこのウエハの処理治具の接続部における半導体ウエ
ハの位置関係を第６図により示す。
ハの位置関係を第６図により示す。
図に示される如く、半導体ウエハを支持する溝間の間隔
Ｐは治具接続部間においても前記と同一の間隔Ｐになる
。
Ｐは治具接続部間においても前記と同一の間隔Ｐになる
。
この考案にか・る治具を用い半導体ウエハで一例のボロ
ン、またはリンを含む不純物拡散源が塗着されたものを
装着し、拡散に好適する炉芯管温度に保持された炉芯管
内にて零囲気を炉芯管ノズルより導入された酸化性ガス
により形威してウエハの表面にデポジョンを施す。
ン、またはリンを含む不純物拡散源が塗着されたものを
装着し、拡散に好適する炉芯管温度に保持された炉芯管
内にて零囲気を炉芯管ノズルより導入された酸化性ガス
により形威してウエハの表面にデポジョンを施す。
そして炉内におけるウエハの表面層抵抗分布を処理治具
の配置とともに第８図に示す。
の配置とともに第８図に示す。
図に示される如く、きわめて高い均一度が得られている
が、従来の処理治具による一例を第７図に示す。
が、従来の処理治具による一例を第７図に示す。
従来のものに比し炉芯管内における零囲気ガス流のむら
がないことがそのま・表面層抵抗値に表わされ、きわめ
て顕著な効果が認められた。
がないことがそのま・表面層抵抗値に表わされ、きわめ
て顕著な効果が認められた。
この考案は実施例に限定されることなく、広く半導体ウ
エハに対する気相反応に広く適用できる。
エハに対する気相反応に広く適用できる。
第１図は従来のウエハ処理治具が装入されている炉芯管
の一部を切欠して示す斜視図、第２図は従来のウエハ処
理治具の斜視図、第３図は従来のウエハ処理治具を説明
するための一部の断面図、第４図はこの考案にか・る一
実施例のウエハ処理治具が装入されている炉芯管の一部
を切欠して示す斜視図、第５図はこの考案の一実施例の
ウエハ処理治具の斜視図、第６図はこの考案の一実施例
のウエハ処理治具を説明するための一部の断面図、第７
図は従来のウエハ処理治具による効果を、また第８図は
この考案の一実施例のウエハ処理治具の効果を各々示す
図である。 なお図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すもの
とする。 ２・・・・・・半導体ウエハ、３ｕ，３Ｕ’・・・・・
・ウエハ処理治具、４３．４３’・・・・・ウエハ処理
泊具の溝。
の一部を切欠して示す斜視図、第２図は従来のウエハ処
理治具の斜視図、第３図は従来のウエハ処理治具を説明
するための一部の断面図、第４図はこの考案にか・る一
実施例のウエハ処理治具が装入されている炉芯管の一部
を切欠して示す斜視図、第５図はこの考案の一実施例の
ウエハ処理治具の斜視図、第６図はこの考案の一実施例
のウエハ処理治具を説明するための一部の断面図、第７
図は従来のウエハ処理治具による効果を、また第８図は
この考案の一実施例のウエハ処理治具の効果を各々示す
図である。 なお図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すもの
とする。 ２・・・・・・半導体ウエハ、３ｕ，３Ｕ’・・・・・
・ウエハ処理治具、４３．４３’・・・・・ウエハ処理
泊具の溝。
Claims (1)
- 上面の溝に半導体ウエハを互に主面を対向させて整列支
持する半導体ウエハの処理治具を直列に複数個連接して
処理装置に内装し、支持した半導体ウエハ間の間隔を連
設した半導体ウエハの処理治具間の接続部を含め等しか
らしめた半導体ウエハの処理治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6456578U JPS598351Y2 (ja) | 1978-05-16 | 1978-05-16 | 半導体ウエハの処理治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6456578U JPS598351Y2 (ja) | 1978-05-16 | 1978-05-16 | 半導体ウエハの処理治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54167676U JPS54167676U (ja) | 1979-11-26 |
| JPS598351Y2 true JPS598351Y2 (ja) | 1984-03-15 |
Family
ID=28968796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6456578U Expired JPS598351Y2 (ja) | 1978-05-16 | 1978-05-16 | 半導体ウエハの処理治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598351Y2 (ja) |
-
1978
- 1978-05-16 JP JP6456578U patent/JPS598351Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54167676U (ja) | 1979-11-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3183130A (en) | Diffusion process and apparatus | |
| JP2025069201A (ja) | サセプタ支持体 | |
| TW200411717A (en) | Method and apparatus for supporting semiconductor wafers | |
| JPS62134936A (ja) | 腐食耐性をもつたウエ−フア−・ボ−ト及びその製造法 | |
| JPS598351Y2 (ja) | 半導体ウエハの処理治具 | |
| JPH03501138A (ja) | プラズマで高めた化学蒸着ウエーハ保持固定具 | |
| JPH113865A (ja) | ウエハー積載用ボート及びその製造方法 | |
| JPH046826A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH0627955Y2 (ja) | 半導体ウェハ保持用ボート | |
| JP2001237193A (ja) | 熱処理装置用ウェハボートおよび熱処理方法 | |
| JPH0727870B2 (ja) | 減圧気相成長方法 | |
| JPS6020510A (ja) | 不純物拡散方法 | |
| US20250290203A1 (en) | Wafer boat | |
| JPH10287495A (ja) | 高純度炭化珪素質半導体処理部材及びその製造方法 | |
| JPS59191327A (ja) | 熱処理用治具 | |
| JPS6022314A (ja) | 半導体基板用ボ−ト | |
| JPH07183239A (ja) | 半導体熱処理装置 | |
| JPS5840824A (ja) | 半導体ウエハの熱処理装置 | |
| JPH01272112A (ja) | ウエハ保持治具 | |
| JPS62229932A (ja) | 縦型収納治具 | |
| JPH0513004Y2 (ja) | ||
| JP3082559B2 (ja) | 成膜用基板保持具とそれを用いた気相成長装置 | |
| JPH0632680Y2 (ja) | 半導体製造装置の加熱炉 | |
| JPH04101419A (ja) | 基板の熱処理炉 | |
| JP2001148350A (ja) | 縦型加熱装置 |