JPS5984231A - 閃光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、カメラ撮影用の電子閃光装置で、特にプリ発
光により絞り値を決定し、該絞り値に対応して主発光の
調光レベルを設定する電子閃光装置の改良に関するもの
である。なお、ここで調光レベルとは、主発光を停止さ
せる受光量の所定値を言う。

プリ発光による反射光の受光量に対応して、撮影レンズ
の絞りを決定し、その絞り値に対応した調光レベルで主
発光制御を行う電子閃光装置は既に提案されている。

ところで該従来装置においては、ブリ発光用キャパシタ
と主発光用キャパシタは別々の充電路によって充電され
、捷だ主発光用キャパシタの放電時にブリ発光用キャパ
シタは充電され続ける為に主発光完了後の両キャパシタ
の充電過程においてはブリ発光用キャパシタの充電電圧
が主発光用のそれよりもかなり高い電圧となる。

この様な状況下で次回のフラッシュ撮影が行われると、
プリ発光によって得られる絞り信号は、主キャパシタの
充電電圧に対応した総発光光量に相応しない値となり適
正露光量を得るために必要な絞り値よりも大きな値（小
絞り）となり、例えば、被写体が総発光光量の発光を行
なった時に適正露光となる様な被写体距離の限界に位置
している様な場合、本来ならば該閃光装置にて適正露光
の撮影を行なえるにもかかわらず不適正露光となる欠点
がある。

即ち、上記型式の閃光装置はプリ発光に際しプリ発光用
キャパシターの充電電圧をフル発光して、絞り値を決定
する。従って、該プリ発光用キャパシターの充電電荷に
よる発光が主キャパシターの総見光光量に相応した値と
なっていないとすると、該閃光装置の本来のＧＮＯに基
づく絞り値とはならない。よって、上記の如くプリ発光
用キャパシターの充電電圧が主キャパシターの充電電圧
よシも高い状態でプリ発光を行ない、その時のプリ発光
用キャパシターの充電電圧を、この閃光装置のＧＮＯと
みなして絞り値を決定し、その後直ちに主発光を行なわ
せると上記の不都合を生ずる。

例えば主キャパシターのフル充電の時（例えば３００■
まで充電された時）にＧＮＯが２０に相応する閃光能力
がある閃光装置の場合、上記の如くしてプリ発光用キャ
パシターが３００■“　まで充電され一方主キャパシタ
ーは１００Ｖまでしか充電がなされてい々い状態でプリ
発光を行なうと、ＧＮＯ２０相当のプリ発光が行なわれ
、この時被写体が５ｍの位置に存在していたとするとＧ
ＮＯ＝ＦｘＤ（Ｆ：絞り値、Ｄ：距離値）なる式に基づ
きＦ４が適正露光を得るのに必要な限界絞り値となるた
め、該閃光装置はＦ４よシも小さな値のＦＮＯ（例えば
Ｆ’３．５）をプリ発光によって選択する。しかしなが
らこの時点における主キャパシターの充電電圧Ｆｉ、３
０ＱＶではなく１００Ｖであるため、この時点の該閃光
装置の実際の閃光能力はＧＮＯ２０よりも低い値（例え
ばＧＮＯＩＯ）である。このため、この時点で直ちに主
発光がなされた時には５ｍの被写体に対しては実際には
上記Ｆ３．５よりも絞り値の小さな値のＦ２が限界絞り
値であるため、上記Ｆ３．５にて閃光撮影を行なったの
では上記限界距離５ｍに位置する被写体に対しては適正
露光を得ることが出来ない。

本発明は上記事項に鑑みなされたもので、ブパシターの
充電電圧の方をプリ発光用のキャパシターよりも高い状
態でプリ発光がなされる様なし上記の欠点を解消するこ
とを目的とする。

本発明は上記目的を達成するだめの構成として上記型式
の閃光装置において、主発光がなされた際にプリ発光用
キャパシターに対する放電路を形成し該キャパシターの
電荷を放電させる放電制御回路を設はプリ発光用と主発
光用キャパシターの閃光発光後における充電動作の開始
時点を一致する様なし、閃光発光後における主発光用キ
ャパシターの充電電圧がプリ発光用キャパシターの充電
電圧よりも低い状態となることを防止したものである。

前記放電制御回路としては後述の実施例の如く、プリ発
光用閃光放電管及び、該放電管のトリガー回路をシンク
ロスイッチのオンにて作動させる様構成するのみならず
、プリ発光用キャパシターに並列にサイリスターやトラ
ンジスター等から成る半導体スイッチング素子を接続し
、該素子の制御電極サイリスターの場合はゲート、トラ
ンジスターの場合はペースをシンクロスイッチに直接又
は、ワンショット回路等を介して接続しシンクロスイッ
チのオン信号にて上記スイッチング素子を導通させ、プ
リ発光用キャパシターに対する放電路を形成させる様な
しても良いＯ 又、上記の放電路を形成させるだめの信号手段として、
実施例においては、シンクロスイッチのオン信号により
パルスを出力するワンショット回路を使用しているが、
シンクロスイッチのオフにより上記ワンショット回路を
トリガーしても良い。尚、この場合はシンクロスイッチ
の構成をシャッター先幕の走行に連動してオフとなる様
シンクロスイッチを構成する必要があるＯ 又、上記信号手段としてはシンクロスイッチのオン又は
オフ信号以外にも、例えば主発光用の放電管に受光素子
を配設し、主発光がなされた時にこれを受光素子にて検
知し、該受光素子出力の変化信号にて上記放電路を形成
させたシ、主発光用放電管をトリガーするトリガー回路
からの信号（例えばトリガーコンデンサーの放電路中に
抵抗を設け、該抵抗出力にて上記放電路を形成させたシ
、主発光用放電管に流れる電流を検知して上記放電路を
形成させたりしても良い。

以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する
。

第１図は、本発明の一実施例である電子閃光装置の電気
回路図で、８は電池、９は電源スィッチ、１０は直流電
圧を昇圧するＩ）０．−、ＩＪＯコンバータ、１１は主
発光用キャパシター４１のための充電路を形成する整流
用ダイオード、１２はプリ発光用キャパシター１３のた
めの充電路を形成する整流用ダイオード、１３はプリ発
光用閃光放電管１４に光エネルギーを供給するためのプ
リ発光用キャパシター、１６は抵抗１７とトリガートラ
ンス１８とトリガーキャパシター１９とトリガーサイリ
スタ２０と抵抗２１で形成された公知のトリガ回路、２
２は主発光用閃光放電管２３をトリガーさせるだめの抵
抗２４とトリガーキャパシター２５とトリガートランス
２６とトリガーサイリスタ２７と抵抗２８とから形成さ
れた公知のトリガー回路、２９は主発光用閃光放電管２
３に逆方向に直列接続され、且つインダクタ３０に並列
接続されたダイオード、３１．３２は転流キャパシター
３３の充電抵抗、３４は抵抗２５を介して主サイリスタ
３６のゲートに接続されたキャパシター、３７は副サイ
リスタ、３８．３９は抵抗、４０は光量制御回路、４１
は撮影用の主発光用閃光放電管２３を発光させるための
主キヤパシタ−，４２は不図示のシャッターレリーズボ
タンの第１段抑圧によりオンするスイッチ、４３はカメ
ラのシャッター先番の走行に連動してオンするシンクロ
スイッチ、該スイッチは実際にはカメラ側に設けられて
いるが説明を簡単にするために閃光装置内に図示してい
る。Ｔ１はプリ発光用タイマ回路で例えばワンショット
回路にて構成される。

Ｔ、は主発光用タイマ回路で、該回路も例えばワンショ
ット回路にて構成される。Ｇ、は−タイマ回路Ｔ、又は
Ｔ、よりハイレベルの信号が入力することによりトラン
ジスタ４４をオフとするゲート回路、４５は被写体から
の反射光を受光する受光素子、４６は受光素子４５から
の光電流にょ９充電される積分キャパシター、４７〜５
１は分圧抵抗、５２〜５４はコンパレータ、Ｍは記憶回
路、５５〜５７はトランジスタ、５８−６゜は積分キャ
パシター、Ｇ、はゲート回路、６１はケート回路Ｇ、の
出力によシ開閉するトランジスタ、６２．６３は分圧抵
抗、６４は副サイリスタ３７をオンにするコンパレータ
、ＯＰは公知の絞シ制御信号発生回路、６４は絞り制御
信号をカメラ側に出力する端子、１００，１０１は上記
タイマー回路Ｔ、　、　Ｔ、の出力端ｔ３を前記サイリ
スター２０のゲートに接続するダイオードである。

次に動作について説明する。電源スィッチ９をオンする
と、Ｄｏ−ＤＣコンバータｌｏにょシプリ発光用キャパ
シター１３にはプリ発光用閃光放電管１４が発光するに
充分な電圧が充電される。次にスイッチ４２をオンする
と、タイマ回路ＴＩの各端子”ｔ　＋　”Ｒが一定時間
ハイＶペルとなる・端子ｔ３がハイレベルとなると、公
知のトリガー回路１６が動作し、プリ発光用閃光放電管
１４は発光を開始する。一方、端子ｔ、からハイレベル
の信号がゲート回路Ｇ、の端子ｔ１へ入力すると、端子
ｔ、がローレベルとなシ、トランジスタ４４はオフとな
って、積分キャパシタ４６の充電を可能にする。受光素
子４５は被写体からの反射光を電流に変換して、積分キ
ャパシター４６を充電させる０積分キャパシター４６の
充電電圧は被写体からの反射光を積算した値に比例した
ものとなる０分圧抵抗４７〜５１の分圧点ａ”−ｃの電
位は、被写体距離の近距離、中距離、遠距離に対応して
それぞれ定められている。例えば、遠距離であれば、積
分キャパシター４６の充電電圧はプリ発光が終った時点
で、分圧点Ｃの電位よシ高く、分圧点すの電位より低い
値となる。したがって、コンパレータ５４のみがハイレ
ベルの信号を出力する。また、中距離であれば、コンパ
レータ５３，５４がハイレベルの信号を出力し、近距離
であれば、コンパレータ５２〜５４のすべてがハイレベ
ルの信号を出力する。一定時間の後、プリ発光用タイマ
回路Ｔ、の端子ｔ２から記憶回路Ｍの端子ｔ７への入力
がハイレベルからローレベルに反転すると、記憶回路Ｍ
はその時の端子ｔ１〜ｔ、の入力レベルを記憶し、その
入力レベルに基づいてトランジスタ５５〜５７の一つを
オンさせる。例えば、コンパレータ５２〜５４の出力が
すべてハイレベルであれば、トランジスタ５５をオンさ
せ、近距離用の積分キャパシター５８を選択する。

同時に、トランジスタ５５〜５７のいずれか一つのオン
に応じて、絞り制御信号発生回路ＯＰは絞多制御信号を
発生し、端子６５からカメラ側に送シ、レンズの絞りを
被写体距離に応じて変えさせる。

次にレリーズボタンの第２段押下によシ、カメラのシャ
ッターレリーズを行なわせ、その結果シャッター先幕の
走行にてシンクロスイッチ４３がオンになると、主発光
用タイマ回路Ｔ２の端子”ｔ＋”３が一定時間ハイレベ
ルとなる。端子ｔ３がハイレベルになると、公知のトリ
ガー回路２２が動作し、主発光用閃光放電管２３は発光
を開始する。−刃端子ｔ２から−・イレベルの信号がゲ
ート回路Ｇ、の端子ｔ、へ入力すると、端子ｔ８はロー
レベルとなり、トランジスタ６１をオフとする。これに
よって、記憶回路Ｍによって選択された積分キャパシタ
ー５８〜６０の一つの充電が可能となる。主発光用閃光
放電管２３の閃光が被写体に反射して、受光素子４５に
受光されると、電流に変換され、記憶回路Ｍによって選
択された積分キャパシター５８〜６０の一つに充電され
る。積分キャパシター５８〜６０の一つの充電電圧が分
圧抵抗６２　、、６３０分圧点電圧（基準電圧）より高
くなると、コンパレータ６４がハイレベルの信号を副サ
イリスタ３７へ出力するため、副サイリスタ３７がオン
し、転流キャパシター３３の充電電荷により、主サイリ
スタ３６を逆バイヤスして、主サイリスタ３６をオフに
し、主発光用閃光放電管２３０発光を停止させる。

なお、主発光用タイマ回路Ｔ、の端子ｔ２からのハイレ
ベルの信号がゲート回路Ｇ、に入力することによシ、ト
ランジスタ４４がオフし、積分キャパシター４６が受光
素子４５を流れる電流により充電されるが、積分キャパ
シター４６の容量は積分キャパシター５８〜６０の容量
に比べて相当小さいので、積分キャパシター４６の充電
によるロスを無視することができる。

又、上記の如くしてタイマー回路Ｔ、の端子ｔ３からの
ハイレベルの信号にて主発光がなされる際に、該端子ｔ
、からのハイレベルの信号がダイオード１００を介して
トリガー回路１６に伝わる。よって、主発光と同期して
プリ発光が行なわれコンテンサー１３の電荷は主発光と
同期して放電される。尚、プリ発光による被写体からゾ の反射光量はプリ発光用キャパシターの容量輌主発光用
のキャパシターの容量に比して極めて小さな値に設定さ
れているため、主発光による反射光量に対して無視出来
るものであシ、主発光とプリ発光が同時に行なわれても
問題はない。

上記の如くして主発光が行なわれた後に主キヤパシタ−
４１への充電が開始されるのであるが、該主キヤパシタ
−４１の充電開始時点における電圧はフル発光がなされ
た際にはほぼゼロレベルから開始されそれ以外は所定の
電圧レベルから開始される。一方、上記プリ発光用キャ
パシター１３も主発光と同期して放電された後に充電を
開始するのであるが、該キャパシターは常にフル放電さ
れるので充電開始時点の電圧は常にほぼゼロレベルとな
る。

今、上記主発光によって主キヤパシタ−４１の残量電圧
が１００ｖであるとする。この状態では、プリ発光用キ
ャパシター１３がゼロレベルから１００■まで充電され
た後に主キヤパシタ−４１への充電が行なわれる。

又、主発光によって主キヤパシタ−４１の残ｉ′ａ圧が
ゼロノベルとなった場合は主発光後の充電にて主キャパ
シター及びプリ発光用キャパシターが共に充電されるの
で、この場合は主キャパシター及びプリ発光用キャパシ
ターの充電レベルは常に一致している。

以上の如くして主発光後常にプリ発光用キャパシターの
充電レベルよシも主キャパシターの充電レベルの方が高
い状態又は一致している状態となる。従って、主発光後
、プリ発光を行なわせだ時のプリ発光時のＧＮＯと、そ
の時の実際の閃光装置のＧＮＯとは一致もしくは実際の
閃光装置のＧＮＯの方が畠くなジ、上述の様な欠点を防
止出来る。

即ち、プリ発光時のＧＮＯと実際のＧＮＯとが一致して
いる時には、実質的に主発光がなされた時のＧＮＯに基
づいて絞ｐが決定されることになるので、被写体がＧＮ
Ｏ二ＤＸＦ　（決定されたＦＮＯ）にて決定される限界
距離に位置している場合にあっても、常に適正なる露光
がなされる。又、プリ発光時のＧＮＯの方がその時の閃
光装置のＧＮＯよりも低い時にあってもＧＮＯ（プリ発
光時のＧＮＯ）＝Ｄ（限界距離）ｘｐ（プリ発光により
決められたＦＮ　Ｏ）なる式に基づく限界距離よりもＧ
ＮＯ（実際の閃光能力を表わすＧＮＯ）　＝Ｉ）　（限
界距離）×Ｆ（プリ発光により決められたＦＮＯ）にて
決定される限界距離の方が長くなるため、たとえプリ発
光時のＧＮＯに基づく限界距離に被写体が位置していた
としても、適正露光が得られるものである。

以上の如く本発明によれば、プリ発光用キャパシターを
主発光時において放電する様なしているので、常にプリ
発光用キャパシターと主発光用キャパシターの充電レベ
ルを一致もしくは主発光用キャパシターの方が高レベル
状態におくことが出来、上述の従来装置の欠点を解消し
得るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る閃光装置の一実施例を示す回路図
である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ブリ発光用の電荷を充電するプリ発光用キヤの電荷を放
   電管に放電し主発光を行なわせる以前にブリ発光用キャ
   パシターの電荷を放電管に放電しプリ発光を行なわせ、
   該プリ発光による被写体からの反射光を測光し主発光時
   に使用する絞り値を決定する閃光装置において主発光に
   際して前記ブリ発光用キキパシターの蓄積電荷に対する
   放電路を形成する放電制御回路を設けた事を特徴とする
   閃光装置。