JPS5984428A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS5984428A JPS5984428A JP57194112A JP19411282A JPS5984428A JP S5984428 A JPS5984428 A JP S5984428A JP 57194112 A JP57194112 A JP 57194112A JP 19411282 A JP19411282 A JP 19411282A JP S5984428 A JPS5984428 A JP S5984428A
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- Japan
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- resist
- radiation
- layer
- positive
- pattern
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はパターン形成方法とくに放射線感応性樹脂を用
いたパターン形成方法に関する。
いたパターン形成方法に関する。
従来例の構成とその問題点
集積回路の高集積化、高〜密度化は従来のリングラフィ
技術の進歩により増大してきた。その最小線幅も１μｍ
前後となってきており、この加工線幅を達成するには、
高開口レンズを有した縮小投影法によシ紫外線露光する
方法、基板上に直接描画する電子ビーム露光法、Ｘ線を
用いたグロキンミティ露光法があげられる。しかし、い
ずれの方法もスループットを犠牲にすることなく良好な
線幅制御と高解像度及び良好な段差部のカバレジを同時
に得ることは困難である。特に実際の集積回路上におい
ては必然的に凹凸が発生し、放射線感応性樹脂（以後、
レジストと略）を塗布した後では、凹凸部におけるレジ
ストの膜厚差が発生し、良好な線幅制御が不可能となる
。
技術の進歩により増大してきた。その最小線幅も１μｍ
前後となってきており、この加工線幅を達成するには、
高開口レンズを有した縮小投影法によシ紫外線露光する
方法、基板上に直接描画する電子ビーム露光法、Ｘ線を
用いたグロキンミティ露光法があげられる。しかし、い
ずれの方法もスループットを犠牲にすることなく良好な
線幅制御と高解像度及び良好な段差部のカバレジを同時
に得ることは困難である。特に実際の集積回路上におい
ては必然的に凹凸が発生し、放射線感応性樹脂（以後、
レジストと略）を塗布した後では、凹凸部におけるレジ
ストの膜厚差が発生し、良好な線幅制御が不可能となる
。
このことを第１図を用いて説明する。第１図は従来法に
より単層レジスト膜を段差部へ塗布し、その段差部に対
して交叉してパターニングを行なった状態を示したもの
である。第１図ａは半導体基板等の基板１上に配線等の
段差物２が形成されておりその上にレジスト３が塗布さ
れた状態の断面図である。この場合、段差物２がない平
坦な基板１上のレジスト３の膜厚をｔＲｌの厚さに塗布
した時、段差物２上のレジスト３の膜厚は、レジスト自
身の粘性と塗布時の回転数により膜厚ｔＲ２に決定され
る。この時ｔＲ１””Ｒ２にすること、つまり凹凸部で
のレジスト膜の膜厚差を皆無にすることは物理的に不可
能である。このようにｔＲ１＼ｔＲ２の膜厚においてパ
ターンを形成した場合の平面図を第１図すに示す。
より単層レジスト膜を段差部へ塗布し、その段差部に対
して交叉してパターニングを行なった状態を示したもの
である。第１図ａは半導体基板等の基板１上に配線等の
段差物２が形成されておりその上にレジスト３が塗布さ
れた状態の断面図である。この場合、段差物２がない平
坦な基板１上のレジスト３の膜厚をｔＲｌの厚さに塗布
した時、段差物２上のレジスト３の膜厚は、レジスト自
身の粘性と塗布時の回転数により膜厚ｔＲ２に決定され
る。この時ｔＲ１””Ｒ２にすること、つまり凹凸部で
のレジスト膜の膜厚差を皆無にすることは物理的に不可
能である。このようにｔＲ１＼ｔＲ２の膜厚においてパ
ターンを形成した場合の平面図を第１図すに示す。
これは、段差物パターン２に対して直角に交叉してレジ
ストパターン３を形成すると、レジストパターン３の膜
厚ｔＲ４の位置ではパターン幅がｔｌ と決定されると
、膜厚ｔｌ（２の位置ではｔＲｌ〉ｔＲ２という関係が
あるためパターン１陥はｔ２とでかつｔｌ〉ｔ２となり
段差部における寸法変換差が発生してしまう。つまり、
非常に微測パターンになると良好な線１龍制御が得られ
ず、更に段差物２のエツジ部２ａでは実質上、平坦部の
膜厚ｔＲ１より厚くなるため解像度が低下する。一般に
解像度はレジストの膜厚が薄くなればなるほど向上する
。
ストパターン３を形成すると、レジストパターン３の膜
厚ｔＲ４の位置ではパターン幅がｔｌ と決定されると
、膜厚ｔｌ（２の位置ではｔＲｌ〉ｔＲ２という関係が
あるためパターン１陥はｔ２とでかつｔｌ〉ｔ２となり
段差部における寸法変換差が発生してしまう。つまり、
非常に微測パターンになると良好な線１龍制御が得られ
ず、更に段差物２のエツジ部２ａでは実質上、平坦部の
膜厚ｔＲ１より厚くなるため解像度が低下する。一般に
解像度はレジストの膜厚が薄くなればなるほど向上する
。
これは放射線自身の波長によって微細間隙になると干渉
１回折現象のため入射するエネルギーが減衰してしまう
ためである。つまり段差物上のレジスト膜厚差を少なく
するために、ただ単にレジストを厚く塗布し見掛は上の
レジスト膜厚差を軽減しようとしても解像度が低下する
ためにパターン形成上好ましくない。
１回折現象のため入射するエネルギーが減衰してしまう
ためである。つまり段差物上のレジスト膜厚差を少なく
するために、ただ単にレジストを厚く塗布し見掛は上の
レジスト膜厚差を軽減しようとしても解像度が低下する
ためにパターン形成上好ましくない。
このような従来の単層レジストによる段差上での解像度
２寸法変換差の値を向上するために三層構造レジスト法
などが提案されている。この方法を第２図を用いて説明
する。基板１上に段差部２が形成され有機膜２例えばフ
ォトレジスト４が厚く塗布され（第２図ａ）、更に有機
膜４上に無機膜層例えばプラズマ酸化硅素膜なと５を形
成後最上層にレジスト６を薄く塗布する（第２図ｂ）。
２寸法変換差の値を向上するために三層構造レジスト法
などが提案されている。この方法を第２図を用いて説明
する。基板１上に段差部２が形成され有機膜２例えばフ
ォトレジスト４が厚く塗布され（第２図ａ）、更に有機
膜４上に無機膜層例えばプラズマ酸化硅素膜なと５を形
成後最上層にレジスト６を薄く塗布する（第２図ｂ）。
次にレジスト層６をパターニングしレジストパターン６
ａを得る（第２図Ｃ）。レジストパターン６ａを介して
ドライエツチング技術を用いて無機膜層パターン６ａを
得る（第２図ｄ）。
ａを得る（第２図Ｃ）。レジストパターン６ａを介して
ドライエツチング技術を用いて無機膜層パターン６ａを
得る（第２図ｄ）。
最後にレジストパターン６ａ、無機膜層５ａを介して酸
素系ガスプラズマにて有機膜パターン４ａを形成する方
法である。
素系ガスプラズマにて有機膜パターン４ａを形成する方
法である。
この三層構造レジストによるパターン形成では最上層の
レジスト６を薄く出来るため解像度か良く、しかも最下
層の有機膜層４を厚く塗布しているため基板１上の段差
２の影響なくレジストパターン６ａが得られるため寸法
変換差が少ない０しかしドライエツチング技術上の終点
検出や、エツチング条件が多層にわたるため難しくしか
も、工程時間が長くかかり量産上、経済上好ましくない
。
レジスト６を薄く出来るため解像度か良く、しかも最下
層の有機膜層４を厚く塗布しているため基板１上の段差
２の影響なくレジストパターン６ａが得られるため寸法
変換差が少ない０しかしドライエツチング技術上の終点
検出や、エツチング条件が多層にわたるため難しくしか
も、工程時間が長くかかり量産上、経済上好ましくない
。
発明の目的
そこで、従来のように単層レジストを凹凸を有する実際
の集積回路上にパターン形成する際に障害となる、パタ
ーン寸法変換差とそれに伴なう解像度の低下を防ぎ、三
層構造レジストによるパターン形成方法の経済性、量産
性上の欠点を克服するパターン形成方法を提供すること
を目的とする。
の集積回路上にパターン形成する際に障害となる、パタ
ーン寸法変換差とそれに伴なう解像度の低下を防ぎ、三
層構造レジストによるパターン形成方法の経済性、量産
性上の欠点を克服するパターン形成方法を提供すること
を目的とする。
発明の構成
本発明は、レジストの膜厚を厚く塗布しながらも、段歩
部におけるパターン寸法変換差を少なくし、かつ解像度
の低下を防ぐために、レジストを２層に塗布することに
より厚く塗布しながらかつ最初に塗布したレジスト膜全
面に放射線感応させ更に第１のレジスト膜との溶解混合
を防ぐため第１のレジスト膜表面に第２のレジストを分
離するためのＭｌ、第２の処理を施こし、しかるのち第
２のレジストを塗布し、最後に第１．第２のレジスト膜
を同時にパターンを形成しようとするパターン形成方法
を提供しようとするものである。
部におけるパターン寸法変換差を少なくし、かつ解像度
の低下を防ぐために、レジストを２層に塗布することに
より厚く塗布しながらかつ最初に塗布したレジスト膜全
面に放射線感応させ更に第１のレジスト膜との溶解混合
を防ぐため第１のレジスト膜表面に第２のレジストを分
離するためのＭｌ、第２の処理を施こし、しかるのち第
２のレジストを塗布し、最後に第１．第２のレジスト膜
を同時にパターンを形成しようとするパターン形成方法
を提供しようとするものである。
本発明者らは、数々なる実験から前述の放射線反応した
レジスト膜表面に、第２のレジストと分離が可能でかつ
現像性を失なわさない変質層の形成を見い出した。前述
の変質層形成として本発明者らは特願昭５７−４１２７
３号にて、ＣＦ４などのハロゲン化合物プラズマによる
照射を提案した。
レジスト膜表面に、第２のレジストと分離が可能でかつ
現像性を失なわさない変質層の形成を見い出した。前述
の変質層形成として本発明者らは特願昭５７−４１２７
３号にて、ＣＦ４などのハロゲン化合物プラズマによる
照射を提案した。
このプラズマによって形成された変質ノー上はレジスト
塗布を均一に行うことが難しいことが判明した。そこで
本発明者らは、ハロゲン化合物プラズマ照射後、更に酸
素などの不活性ガスプラズマ照射をすることで、第１．
第２のレジスト分離が可能でかつ第１のレジストの現像
性が失なわれないことを見い出ｉ〜だ。更に第２のレジ
ストの塗布性が均一に得られることがわかった。これは
レジスト上にフッ素による変質層を形成したあと、第２
の処理として、不活性ガス、特に酸素プラズマにて照射
すると前述の変質層表面が改質つまり元のレジスト組成
に戻るためだと考えられる。
塗布を均一に行うことが難しいことが判明した。そこで
本発明者らは、ハロゲン化合物プラズマ照射後、更に酸
素などの不活性ガスプラズマ照射をすることで、第１．
第２のレジスト分離が可能でかつ第１のレジストの現像
性が失なわれないことを見い出ｉ〜だ。更に第２のレジ
ストの塗布性が均一に得られることがわかった。これは
レジスト上にフッ素による変質層を形成したあと、第２
の処理として、不活性ガス、特に酸素プラズマにて照射
すると前述の変質層表面が改質つまり元のレジスト組成
に戻るためだと考えられる。
実施例の説明
本発明の実施例を第３図を用いて詳細に説明する。実施
例としてポジ形レジスト、特にポジ形紫外１ｆｌ＆レジ
スト（以後、ポジＵＶレジスト）を例にとって説明する
。半導体基板等の基板１上にポジＵＶレジスト７を厚く
塗布し表面を平坦にし、ソフトベーキングを施こす（第
３図ａ）。次にポジＵＶレジスト７にＵＶＶＢ２全面照
射し感光したσＶレジス）７ａにする（第３図ｂ）。そ
して更に感光したポジＵＶレジス）７ａ表面全面にノ・
ロゲン系ガスプラズマ例えばフッ素系ガスプラズマ９で
照射を行ないポジＵＶレジスト変質層７ｂを形成する（
第３図Ｃ）。
例としてポジ形レジスト、特にポジ形紫外１ｆｌ＆レジ
スト（以後、ポジＵＶレジスト）を例にとって説明する
。半導体基板等の基板１上にポジＵＶレジスト７を厚く
塗布し表面を平坦にし、ソフトベーキングを施こす（第
３図ａ）。次にポジＵＶレジスト７にＵＶＶＢ２全面照
射し感光したσＶレジス）７ａにする（第３図ｂ）。そ
して更に感光したポジＵＶレジス）７ａ表面全面にノ・
ロゲン系ガスプラズマ例えばフッ素系ガスプラズマ９で
照射を行ないポジＵＶレジスト変質層７ｂを形成する（
第３図Ｃ）。
次に酸素を含むガスあるいは不活性ガスプラズマ１０に
てポジＵＶレジスト変質層７ｂ表面に第２の表面処理を
施こしポジＵＶレジスト復帰層７Ｃを形成する（第３図
ｄ）。次に第１層目のポジＵＶレジスト７と同タイプの
第２のポジＵＶレジスト１１を第１のポジＵＶレジスト
の復帰層７ｃ上に塗布しベーキングを施こす。この際、
変質層７ｂが形成されているため、第１．第２のポジＵ
Ｖレジスト７．１１における第２のポジＵＶレジスト１
１の塗布時の溶解がなく分離した形で積層形成が可能で
かつ第１の変質層７ｂ上に第２の変質層７Ｃが形成され
ているため第２のポジＵＶレジスト１１の塗布特性が良
好である（第３図ｅ）。
てポジＵＶレジスト変質層７ｂ表面に第２の表面処理を
施こしポジＵＶレジスト復帰層７Ｃを形成する（第３図
ｄ）。次に第１層目のポジＵＶレジスト７と同タイプの
第２のポジＵＶレジスト１１を第１のポジＵＶレジスト
の復帰層７ｃ上に塗布しベーキングを施こす。この際、
変質層７ｂが形成されているため、第１．第２のポジＵ
Ｖレジスト７．１１における第２のポジＵＶレジスト１
１の塗布時の溶解がなく分離した形で積層形成が可能で
かつ第１の変質層７ｂ上に第２の変質層７Ｃが形成され
ているため第２のポジＵＶレジスト１１の塗布特性が良
好である（第３図ｅ）。
次にパターンを有したマスク１２により光じゃへい部で
あるクロム部１２ａ以外に紫外線を用いて選択的に、第
１．第２のポジＵＶレジストを照射する（第３図ｆ）。
あるクロム部１２ａ以外に紫外線を用いて選択的に、第
１．第２のポジＵＶレジストを照射する（第３図ｆ）。
そして紫外線照射以外の第２のポジＵＶレジスト部分１
１ Ａ、第１のポジＵＶレジスト７ａ 、７ｂ 、７ｃ
を残して現像除去する（第３図ｑ）。これら一連の工程
をえて、レジスト厚を厚く塗布しながらも微細・くター
ンをかつ段差部における寸法変換差を少なくすることが
できる。
１ Ａ、第１のポジＵＶレジスト７ａ 、７ｂ 、７ｃ
を残して現像除去する（第３図ｑ）。これら一連の工程
をえて、レジスト厚を厚く塗布しながらも微細・くター
ンをかつ段差部における寸法変換差を少なくすることが
できる。
このことをもっと詳細に説明する。第４図に単層レジス
ト（ポジ形）の照射特性ａ１本発明ニ少かるパターン形
成方法によるレジストの照射特性すを示した。第４図ａ
は、第１の実施例で説明した第１層目のポジＵＶレジス
トのみの照射特性で第３図ａに示すｔｌ を厚くしてい
くと完全に現像しうる露光エネルギＥＴは大きくなる。
ト（ポジ形）の照射特性ａ１本発明ニ少かるパターン形
成方法によるレジストの照射特性すを示した。第４図ａ
は、第１の実施例で説明した第１層目のポジＵＶレジス
トのみの照射特性で第３図ａに示すｔｌ を厚くしてい
くと完全に現像しうる露光エネルギＥＴは大きくなる。
次に第４図すは、本発明にかかるパターン形成方法によ
る２層ポジＵＶレジストの照射特性で第１層、第２層膜
厚（ｔ１＋ｔ２）〔第３図参照〕を厚くしても完全に現
像しうる露光エネルギはほとんど変化量がない。つまり
、第１層目のポジＵＶレジストが感光しているため、選
択性が旨く、感度の低下がないことを証明している。こ
のことはレジスト厚の変動に露光エネルギーが依存しな
いので段差部におけるレジスト厚の変動にもかかわ、ら
ず、パターン幅変動率が少ないということである０本発
明の実施例〔第３図参照〕と第４図の照射特性の結果、
段差切ハターン２上にバターニングしたパターン３は、
従来法によると第５図の点線のごとくなるが、本発明に
よるパターン形成方法を用いると第６図の実線のごとく
寸法変化が少なくなった０いずれの実施例においても第
１．第２のレジストの膜厚条件は、下地である基板の凹
凸の段差量によって定めるべきである。そしてレジスト
の種別に関しても、Ｘ線、電子ビーム、イオンビーム。
る２層ポジＵＶレジストの照射特性で第１層、第２層膜
厚（ｔ１＋ｔ２）〔第３図参照〕を厚くしても完全に現
像しうる露光エネルギはほとんど変化量がない。つまり
、第１層目のポジＵＶレジストが感光しているため、選
択性が旨く、感度の低下がないことを証明している。こ
のことはレジスト厚の変動に露光エネルギーが依存しな
いので段差部におけるレジスト厚の変動にもかかわ、ら
ず、パターン幅変動率が少ないということである０本発
明の実施例〔第３図参照〕と第４図の照射特性の結果、
段差切ハターン２上にバターニングしたパターン３は、
従来法によると第５図の点線のごとくなるが、本発明に
よるパターン形成方法を用いると第６図の実線のごとく
寸法変化が少なくなった０いずれの実施例においても第
１．第２のレジストの膜厚条件は、下地である基板の凹
凸の段差量によって定めるべきである。そしてレジスト
の種別に関しても、Ｘ線、電子ビーム、イオンビーム。
紫外線、遠紫外線のいずれに関しても本発明を適用でき
ることは明確である。またＭｌの実施例における説明に
おいて、第３図すの工程とｃ、ｄの工程が前後逆になっ
ても本発明は可能であることはいうまでもない。すなわ
ち、工程ｃ、ｄののちｂの工程を実施してもよい。
ることは明確である。またＭｌの実施例における説明に
おいて、第３図すの工程とｃ、ｄの工程が前後逆になっ
ても本発明は可能であることはいうまでもない。すなわ
ち、工程ｃ、ｄののちｂの工程を実施してもよい。
さらに、本発明である第１．第２の変質層の実施例につ
いて説明する。第１のレジスト例えばＡＺ１４７０
（シッグＬ／イ社製）を１．０ ｐｒｏ塗布し、第１の
変質層をＣＦ４プラズマにて、２．５ｔｏｒｒ。
いて説明する。第１のレジスト例えばＡＺ１４７０
（シッグＬ／イ社製）を１．０ ｐｒｏ塗布し、第１の
変質層をＣＦ４プラズマにて、２．５ｔｏｒｒ。
２０ＶＶ、１分間施こして形成し、第２の変質層を、酸
素プラズマにて１ｓｏＷ、０．５ｔｏｒｒで５秒間節こ
し、第２のレジストＡＺ１４７０ （シップレイ社製
）を１．０μｍ塗布したのちの総合膜厚を測定した結果
、１．９μｍでほぼ第１．第２のレジストの分離が可能
で更に膜厚の均一性は６係以内と良好であった。
素プラズマにて１ｓｏＷ、０．５ｔｏｒｒで５秒間節こ
し、第２のレジストＡＺ１４７０ （シップレイ社製
）を１．０μｍ塗布したのちの総合膜厚を測定した結果
、１．９μｍでほぼ第１．第２のレジストの分離が可能
で更に膜厚の均一性は６係以内と良好であった。
発明の効果
以上のように本発明によると、レジスト厚を厚く塗布す
ることで、段差部の凹凸を軽減することができ、かつそ
の上で段差部におけるパターン幅変動率を減少させ、解
像度、感度の低下がない０またレジスト膜厚が厚いため
耐ドライエツチング特性が良好となる。つまり本発明は
今後の微細化への半導体集積回路の製造に重要な価値を
発揮するものである。
ることで、段差部の凹凸を軽減することができ、かつそ
の上で段差部におけるパターン幅変動率を減少させ、解
像度、感度の低下がない０またレジスト膜厚が厚いため
耐ドライエツチング特性が良好となる。つまり本発明は
今後の微細化への半導体集積回路の製造に重要な価値を
発揮するものである。
第１図ａは従来の単層レジスト法による段差部ヘパター
ニングした断面図、同ｂｌ′ｉ同ａの平面図、第２図ａ
−ｅは従来の三層構造レジスト法の工程図、第３図ａ
〜ｑは本発明の一実施例にかかるパターン形成方法の工
程図、第４図ａ、ｂは従来例と本発明による照射特性図
、第５図は本発明の実施例にかかるパターン平面図であ
る。 １・・・・・・基板、７・・・・・・ホトレジスト、７
ａ・・・・・・感光したレジスト、７ｂ・・・・・・変
質層、７Ｃ・・・・・・復帰層、８・・・・・・フッ素
系ガスプラズマ、９・・・・・・不活性ガスプラズマ。 笛１図 第２図 ／ ２ 第２図 ２ （Ｃ） ！ ３図 第３図 第３図 第４図 雷光工午ルキ゛− 雷光１イルキ“− 第５図
ニングした断面図、同ｂｌ′ｉ同ａの平面図、第２図ａ
−ｅは従来の三層構造レジスト法の工程図、第３図ａ
〜ｑは本発明の一実施例にかかるパターン形成方法の工
程図、第４図ａ、ｂは従来例と本発明による照射特性図
、第５図は本発明の実施例にかかるパターン平面図であ
る。 １・・・・・・基板、７・・・・・・ホトレジスト、７
ａ・・・・・・感光したレジスト、７ｂ・・・・・・変
質層、７Ｃ・・・・・・復帰層、８・・・・・・フッ素
系ガスプラズマ、９・・・・・・不活性ガスプラズマ。 笛１図 第２図 ／ ２ 第２図 ２ （Ｃ） ！ ３図 第３図 第３図 第４図 雷光工午ルキ゛− 雷光１イルキ“− 第５図
Claims (4)
- （１）基板上に第１の放射線感応性樹脂を塗布する工程
と、放射線照射を行ない前記第１の放射線感応性樹脂膜
を放射線反応させ、前記放射線反応した前記第１の放射
線感応性樹脂に第１の表面処理をして変質層を形成し、
前記第１の表面処理を施こして形成した変質層表面に更
に第２の表面処理を施こす工程と、前記第１．第２の表
面処理を施した前記第１の放射線感応性樹脂上に、第２
の放射線感応性樹脂を塗布し、選択的に放射線照射を行
なう工程と、現像処理によシ前記第１．第２の放射線感
応性樹脂膜を選択的に除去して放射線感応性樹脂パター
ンを形成する工程とを備えたことパを特徴とするパター
ン形成方法。 - （２）第１及び第２の放射線感応性樹脂を同一放射線反
応機構を有するものを用いることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載のパターン形成方法。 - （３）ハロゲン系ガスプラズマによって第１の放射線感
応性樹脂に第１の表面処理を施こすことを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載のパターン形成方法。 - （４）酸素、窒素又はアルゴンガスプラズマによって第
２の表面処理を施こすことを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載のパターン形成方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57194112A JPS5984428A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57194112A JPS5984428A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984428A true JPS5984428A (ja) | 1984-05-16 |
| JPH035654B2 JPH035654B2 (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=16319115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57194112A Granted JPS5984428A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5984428A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006316995A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Eads Space Transportation Gmbh | 機械式回転駆動装置 |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP57194112A patent/JPS5984428A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006316995A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Eads Space Transportation Gmbh | 機械式回転駆動装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH035654B2 (ja) | 1991-01-28 |
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