JPH035654B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH035654B2 JPH035654B2 JP57194112A JP19411282A JPH035654B2 JP H035654 B2 JPH035654 B2 JP H035654B2 JP 57194112 A JP57194112 A JP 57194112A JP 19411282 A JP19411282 A JP 19411282A JP H035654 B2 JPH035654 B2 JP H035654B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- radiation
- pattern
- layer
- sensitive resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はパターン形成方法とくに放射線感応性
樹脂を用いたパターン形成方法に関する。
樹脂を用いたパターン形成方法に関する。
従来例の構成とその問題点
集積回路の高集積化、高密度化は従来のリソグ
ラフイ技術の進歩により増大してきた。その最小
線幅も1μｍ前後となつてきており、この加工線
幅を達成するには、高開口レンズを有した縮小投
影法により紫外線露光する方法、基板上に直接描
画する電子ビーム露光法、Ｘ線を用いたプロキシ
ミテイ露光法があげられる。しかし、いずれの方
法もスループツトを犠牲にすることなく良好な線
幅制御と高解像度及び良好な段差部のカバレジを
同時に得ることは困難である。特に実際の集積回
路上においては必然的に凹凸が発生し、放射線感
応性樹脂（以後、レジストと略）を塗布した後で
は、凹凸部におけるレジストの膜厚差が発生し、
良好な線幅制御が不可能となる。
ラフイ技術の進歩により増大してきた。その最小
線幅も1μｍ前後となつてきており、この加工線
幅を達成するには、高開口レンズを有した縮小投
影法により紫外線露光する方法、基板上に直接描
画する電子ビーム露光法、Ｘ線を用いたプロキシ
ミテイ露光法があげられる。しかし、いずれの方
法もスループツトを犠牲にすることなく良好な線
幅制御と高解像度及び良好な段差部のカバレジを
同時に得ることは困難である。特に実際の集積回
路上においては必然的に凹凸が発生し、放射線感
応性樹脂（以後、レジストと略）を塗布した後で
は、凹凸部におけるレジストの膜厚差が発生し、
良好な線幅制御が不可能となる。
このことを第１図を用いて説明する。第１図は
従来法により単層レジスト膜を段差部へ塗布し、
その段差部に対して交叉してパターニングを行な
つた状態を示したものである。第１図ａは半導体
基板等の基板１上に配線等の段差物２が形成され
ておりその上にレジスト３が塗布された状態の断
面図である。この場合、段差物２がない平坦な基
板１上のレジスト３の膜厚をtR1の厚さに塗布し
た時、段差物２上のレジスト３の膜厚は、レジス
ト自身の粘性と塗布時の回転数により膜厚tR2に
決定される。この時tR1＝tR2にすること、つまり
凹凸部でのレジスト膜の膜厚差を皆無にすること
は物理的に不可能である。このようにtR1≠tR2の
膜厚においてパターンを形成した場合の平面図を
第１図ｂに示す。
従来法により単層レジスト膜を段差部へ塗布し、
その段差部に対して交叉してパターニングを行な
つた状態を示したものである。第１図ａは半導体
基板等の基板１上に配線等の段差物２が形成され
ておりその上にレジスト３が塗布された状態の断
面図である。この場合、段差物２がない平坦な基
板１上のレジスト３の膜厚をtR1の厚さに塗布し
た時、段差物２上のレジスト３の膜厚は、レジス
ト自身の粘性と塗布時の回転数により膜厚tR2に
決定される。この時tR1＝tR2にすること、つまり
凹凸部でのレジスト膜の膜厚差を皆無にすること
は物理的に不可能である。このようにtR1≠tR2の
膜厚においてパターンを形成した場合の平面図を
第１図ｂに示す。
これは、段差物パターン２に対して直角に交又
してレジストパターン３を形成すると、レジスト
パターン３の膜厚tR1の位置ではパターン幅がl1と
決定されると、膜厚tR2の位置ではtR1＞tR2という
関係があるためパターン幅はl2とでかつl1＞l2と
なり段差部における寸法変換差が発生してしま
う。つまり、非常に微細パターンになると良好な
線幅制御が得られず、更に段差物２のエツジ部２
ａでは実質上、平坦部の膜厚tR1より厚くなるた
め解像度が低下する。一般に解像度はレジストの
膜厚が薄くなればなるほど向上する。これは放射
線自身の波長によつて微細間隙になると、干渉、
回析現象のため入射するエネルギーが減衰してし
まうためである。つまり段差物上のレジスト膜厚
差を少なくするために、ただ単にレジストを厚く
塗布し見掛け上のレジスト膜厚差を軽減しようと
しても解像度が低下するためにパターン形成上好
ましくない。
してレジストパターン３を形成すると、レジスト
パターン３の膜厚tR1の位置ではパターン幅がl1と
決定されると、膜厚tR2の位置ではtR1＞tR2という
関係があるためパターン幅はl2とでかつl1＞l2と
なり段差部における寸法変換差が発生してしま
う。つまり、非常に微細パターンになると良好な
線幅制御が得られず、更に段差物２のエツジ部２
ａでは実質上、平坦部の膜厚tR1より厚くなるた
め解像度が低下する。一般に解像度はレジストの
膜厚が薄くなればなるほど向上する。これは放射
線自身の波長によつて微細間隙になると、干渉、
回析現象のため入射するエネルギーが減衰してし
まうためである。つまり段差物上のレジスト膜厚
差を少なくするために、ただ単にレジストを厚く
塗布し見掛け上のレジスト膜厚差を軽減しようと
しても解像度が低下するためにパターン形成上好
ましくない。
このような従来の単層レジストによる段差上で
の解像度、寸法変換差の値を向上するために三層
構造レジスト法などが提案されている。この方法
を第２図を用いて説明する。基板１上に段差物２
が形成され有機膜、例えばフオトレジスト４が厚
く塗布され（第２図ａ）、更に有機膜４上に無機
膜層例えばプラズマ酸化硅素膜など５を形成後最
上層にレジスト６を薄く塗布する（第２図ｂ）。
次にレジスト層６をパターニングしレジストパタ
ーン６ａを得る（第２図ｃ）。レジストパターン
６ａを介してドライエツチング技術を用いて無機
膜層パターン５ａを得る（第２図ｄ）。
の解像度、寸法変換差の値を向上するために三層
構造レジスト法などが提案されている。この方法
を第２図を用いて説明する。基板１上に段差物２
が形成され有機膜、例えばフオトレジスト４が厚
く塗布され（第２図ａ）、更に有機膜４上に無機
膜層例えばプラズマ酸化硅素膜など５を形成後最
上層にレジスト６を薄く塗布する（第２図ｂ）。
次にレジスト層６をパターニングしレジストパタ
ーン６ａを得る（第２図ｃ）。レジストパターン
６ａを介してドライエツチング技術を用いて無機
膜層パターン５ａを得る（第２図ｄ）。
最後にレジストパターン６ａ、無機膜層５ａを
介して酸素系ガスプラズマにて有機膜パターン４
ａを形成する方法である。
介して酸素系ガスプラズマにて有機膜パターン４
ａを形成する方法である。
この三層構造レジストによるパターン形成では
最上層のレジスト６を薄く出来るため解像度が良
く、しかも最下層の有機膜層４を厚く塗布してい
るため基板１上の段差２の影響なくレジストパタ
ーン６ａが得られるため寸法変換差が少ない。し
かしドライエツチング技術上の終点検出や、エツ
チング条件が多層にわたるため難しくしかも、工
程時間が長くかかり量産上、経済上好ましくな
い。
最上層のレジスト６を薄く出来るため解像度が良
く、しかも最下層の有機膜層４を厚く塗布してい
るため基板１上の段差２の影響なくレジストパタ
ーン６ａが得られるため寸法変換差が少ない。し
かしドライエツチング技術上の終点検出や、エツ
チング条件が多層にわたるため難しくしかも、工
程時間が長くかかり量産上、経済上好ましくな
い。
発明の目的
そこで、従来のように単層レジストを凹凸を有
する実際の集積回路上にパターン形成する際に障
害となる、パターン寸法変換差とそれに伴なう解
像度の低下を防ぎ、三層構造レジストによるパタ
ーン形成方法の経済性、量産性上の欠点を克服す
るパターン形成方法を提供することを目的とす
る。
する実際の集積回路上にパターン形成する際に障
害となる、パターン寸法変換差とそれに伴なう解
像度の低下を防ぎ、三層構造レジストによるパタ
ーン形成方法の経済性、量産性上の欠点を克服す
るパターン形成方法を提供することを目的とす
る。
発明の構成
本発明は、レジストの膜厚を厚く塗布しながら
も、段差部におけるパターン寸法変換差を少なく
し、かつ解像度の低下を防ぐために、レジストを
２層に塗布することにより厚く塗布しながらかつ
最初に塗布したレジスト膜全面に放射線感応させ
更に第１のレジスト膜との溶解混合を防ぐため第
１のレジスト膜表面に第２のレジストを分離する
ための第１、第２の処理を施こし、しかるのち第
２のレジストを塗布し、最後に第１、第２のレジ
スト膜を同時にパターンを形成しようとするパタ
ーン形成方法を提供しようとするものである。
も、段差部におけるパターン寸法変換差を少なく
し、かつ解像度の低下を防ぐために、レジストを
２層に塗布することにより厚く塗布しながらかつ
最初に塗布したレジスト膜全面に放射線感応させ
更に第１のレジスト膜との溶解混合を防ぐため第
１のレジスト膜表面に第２のレジストを分離する
ための第１、第２の処理を施こし、しかるのち第
２のレジストを塗布し、最後に第１、第２のレジ
スト膜を同時にパターンを形成しようとするパタ
ーン形成方法を提供しようとするものである。
本発明者らは、数々なる実験から前述の放射線
反応したレジスト膜表面に、第２のレジストと分
離が可能でかつ現像性を失なわさない変質層の形
成を見い出した。前述の変質層形成として本発明
者らは特願昭57−41273号（特開昭58−15735号）
にて、CF4などのハロゲン化合物プラズマによる
照射を提案した。このプラズマによつて形成され
た変質層上はレジスト塗布を均一に行うことが難
しいことが判明した。そこで本発明者らは、ハロ
ゲン化合物プラズマ照射後、更に酸素などの不活
ガスプラズマ照射をすることで、第１、第２のレ
ジスト分離が可能でかつ第１のレジストの現像性
が失なわれないことを見い出した。更に第２のレ
ジストの塗布性が均一に得られることがわかつ
た。これはレジスト上にフツ素による変質層を形
成したあと、第２の処理として、不活性ガス、特
に酸素プラズマにて照射すると前述の変質層表面
が改質つまり元のレジスト組成に戻るためだと考
えられる。
反応したレジスト膜表面に、第２のレジストと分
離が可能でかつ現像性を失なわさない変質層の形
成を見い出した。前述の変質層形成として本発明
者らは特願昭57−41273号（特開昭58−15735号）
にて、CF4などのハロゲン化合物プラズマによる
照射を提案した。このプラズマによつて形成され
た変質層上はレジスト塗布を均一に行うことが難
しいことが判明した。そこで本発明者らは、ハロ
ゲン化合物プラズマ照射後、更に酸素などの不活
ガスプラズマ照射をすることで、第１、第２のレ
ジスト分離が可能でかつ第１のレジストの現像性
が失なわれないことを見い出した。更に第２のレ
ジストの塗布性が均一に得られることがわかつ
た。これはレジスト上にフツ素による変質層を形
成したあと、第２の処理として、不活性ガス、特
に酸素プラズマにて照射すると前述の変質層表面
が改質つまり元のレジスト組成に戻るためだと考
えられる。
実施例の説明
本発明の実施例を第３図を用いて詳細に説明す
る。実施例としてポジ形レジスト、特にポジ形紫
外線レジスト（以後、ポジUVレジスト）を例に
とつて説明する。半導体基板等の基板１上にポジ
UVレジスト７を厚く塗布し表面を平坦にし、ソ
フトベーキングを施こす（第３図ａ）。次にポジ
UVレジスト７にUV光８を全面照射し感光した
UVレジスト７ａにする（第３図ｂ）。そして更
に感光したポジUVレジスト７ａ表面全体にハロ
ゲン化合物プラズマ例えばフツ素系ガスプラズマ
９で照射を行ないポジUVレジスト変質層７ｂを
形成する（第３図ｃ）。
る。実施例としてポジ形レジスト、特にポジ形紫
外線レジスト（以後、ポジUVレジスト）を例に
とつて説明する。半導体基板等の基板１上にポジ
UVレジスト７を厚く塗布し表面を平坦にし、ソ
フトベーキングを施こす（第３図ａ）。次にポジ
UVレジスト７にUV光８を全面照射し感光した
UVレジスト７ａにする（第３図ｂ）。そして更
に感光したポジUVレジスト７ａ表面全体にハロ
ゲン化合物プラズマ例えばフツ素系ガスプラズマ
９で照射を行ないポジUVレジスト変質層７ｂを
形成する（第３図ｃ）。
次に酸素を含むガスあるいは不活性ガスプラズ
マ１０にてポジUVレジスト変質層７ｂ表面に第
２の表面処理を施こしポジUVレジスト復帰層７
ｃを形成する（第３図ｄ）。次に第１層目のポジ
UVレジスト７と同タイプの第２のポジUVレジ
スト１１を第１のポジUVレジストの復帰層７ｃ
上に塗布しベーキングを施こす。この際、変質層
７ｂが形成されているため、第１、第２のポジ
UVレジスト７，１１における第２のポジUVレ
ジスト１１の塗布時の溶解がなく分離した形で積
層形成が可能でかつ第１の変質層７ｂ上に第２の
変質層７ｃが形成されているため第２のポジUV
レジスト１１の塗布特性が良好である（第３図
ｅ）。
マ１０にてポジUVレジスト変質層７ｂ表面に第
２の表面処理を施こしポジUVレジスト復帰層７
ｃを形成する（第３図ｄ）。次に第１層目のポジ
UVレジスト７と同タイプの第２のポジUVレジ
スト１１を第１のポジUVレジストの復帰層７ｃ
上に塗布しベーキングを施こす。この際、変質層
７ｂが形成されているため、第１、第２のポジ
UVレジスト７，１１における第２のポジUVレ
ジスト１１の塗布時の溶解がなく分離した形で積
層形成が可能でかつ第１の変質層７ｂ上に第２の
変質層７ｃが形成されているため第２のポジUV
レジスト１１の塗布特性が良好である（第３図
ｅ）。
次にパターンを有したマスク１２により光しや
へい部であるクロム部１２ａ以外に紫外線を用い
て選択的に、第１、第２のポジUVレジストを照
射する（第３図ｆ）。そして紫外線照射以外の第
２のポジUVレジスト部分１１ａ、第１のポジ
UVレジスト７ａ，７ｂ，７ｃを残して現像除去
する（第３図ｇ）。これら一連の工程をえて、レ
ジスト厚を厚く塗布しながらも微細パターンをか
つ段差部における寸法変換差を少なくすることが
できる。
へい部であるクロム部１２ａ以外に紫外線を用い
て選択的に、第１、第２のポジUVレジストを照
射する（第３図ｆ）。そして紫外線照射以外の第
２のポジUVレジスト部分１１ａ、第１のポジ
UVレジスト７ａ，７ｂ，７ｃを残して現像除去
する（第３図ｇ）。これら一連の工程をえて、レ
ジスト厚を厚く塗布しながらも微細パターンをか
つ段差部における寸法変換差を少なくすることが
できる。
このことをもつと詳細に説明する。第４図に単
層レジスト（ポジ形）の照射特性ａ、本発明にか
かるパターン形成方法によるレジストの照射特性
ｂを示した。第４図ａは、第１の実施例で説明し
た第１層目のポジUVレジストのみの照射特性で
第３図ａに示すt1を厚くしていくと完全に現像し
うる露光エネルギETは大きくなる。次に第４図
ｂは、本発明にかかるパターン形成方法による２
層ポジUVレジストの照射特性で第１層、第２層
膜厚（t1＋t2）〔第３図参照〕を厚くしても完全
に現像しうる露光エネルギはほとんど変化量がな
い。つまり、第１層目のポジUVレジストが感光
しているため、選択性が高く、感度の低下がない
ことを証明している。このことはレジスト厚の変
動に露光エネルギーが依存しないので段差部にお
けるレジスト厚の変動にもかかわらず、パターン
幅変動率が少ないということである。本発明の実
施例〔第３図参照〕と第４図の照射特性の結果、
段差物パターン２上にパターニングしたパターン
３は、従来法によると第５図の点線のごとくなる
が、本発明によるパターン形成方法を用いると第
５図の実線のごとく寸法変化が少なくなつた。
層レジスト（ポジ形）の照射特性ａ、本発明にか
かるパターン形成方法によるレジストの照射特性
ｂを示した。第４図ａは、第１の実施例で説明し
た第１層目のポジUVレジストのみの照射特性で
第３図ａに示すt1を厚くしていくと完全に現像し
うる露光エネルギETは大きくなる。次に第４図
ｂは、本発明にかかるパターン形成方法による２
層ポジUVレジストの照射特性で第１層、第２層
膜厚（t1＋t2）〔第３図参照〕を厚くしても完全
に現像しうる露光エネルギはほとんど変化量がな
い。つまり、第１層目のポジUVレジストが感光
しているため、選択性が高く、感度の低下がない
ことを証明している。このことはレジスト厚の変
動に露光エネルギーが依存しないので段差部にお
けるレジスト厚の変動にもかかわらず、パターン
幅変動率が少ないということである。本発明の実
施例〔第３図参照〕と第４図の照射特性の結果、
段差物パターン２上にパターニングしたパターン
３は、従来法によると第５図の点線のごとくなる
が、本発明によるパターン形成方法を用いると第
５図の実線のごとく寸法変化が少なくなつた。
いずれの実施例においても第１、第２のレジス
トの膜厚条件は、下地である基板の凹凸の段差量
によつて定めるべきである。そしてレジストの種
別に関しても、Ｘ線、電子ビーム、イオンビー
ム、紫外線、遠紫外線のいずれに関しても本発明
を適用できることは明確である。また第１の実施
例における説明において、第３図ｂの工程とｃ，
ｄの工程が前後逆になつても本発明は可能である
ことはいうまでもない。すなわち、工程ｃ，ｄの
のちｂの工程を実施してもよい。
トの膜厚条件は、下地である基板の凹凸の段差量
によつて定めるべきである。そしてレジストの種
別に関しても、Ｘ線、電子ビーム、イオンビー
ム、紫外線、遠紫外線のいずれに関しても本発明
を適用できることは明確である。また第１の実施
例における説明において、第３図ｂの工程とｃ，
ｄの工程が前後逆になつても本発明は可能である
ことはいうまでもない。すなわち、工程ｃ，ｄの
のちｂの工程を実施してもよい。
さらに、本発明である第１、第２の変質層の実
施例について説明する。第１のレジスト例えば
AZ1470（シツプレイ社製）を1.0μｍを塗布し、第
１の変質層をCF4プラズマにて、2.5torr、20W、
１分間施こして形成し、第２の変質層を、酸素プ
ラズマにて150W、0.5torrで５秒間施こし、第２
のレジストAZ1470（シツプレイ社製）を1.0μｍ塗
布したのちの総合膜厚を測定した結果、1.9μｍで
ほぼ第１、第２のレジストの分離が可能で更に膜
厚の均一性は５％以内と良好であつた。
施例について説明する。第１のレジスト例えば
AZ1470（シツプレイ社製）を1.0μｍを塗布し、第
１の変質層をCF4プラズマにて、2.5torr、20W、
１分間施こして形成し、第２の変質層を、酸素プ
ラズマにて150W、0.5torrで５秒間施こし、第２
のレジストAZ1470（シツプレイ社製）を1.0μｍ塗
布したのちの総合膜厚を測定した結果、1.9μｍで
ほぼ第１、第２のレジストの分離が可能で更に膜
厚の均一性は５％以内と良好であつた。
発明の効果
以上のように本発明によると、レジスト厚を厚
く塗布することで、段差部の凹凸を軽減すること
ができ、かつその上で段差部におけるパターン幅
変動率を減少させ、解像度、感度の低下がない。
またレジスト膜厚が厚いため耐ドライエツチング
特性が良好となる。つまり本発明は今後の微細化
への半導体集積回路の製造に重要な価値を発揮す
るものである。
く塗布することで、段差部の凹凸を軽減すること
ができ、かつその上で段差部におけるパターン幅
変動率を減少させ、解像度、感度の低下がない。
またレジスト膜厚が厚いため耐ドライエツチング
特性が良好となる。つまり本発明は今後の微細化
への半導体集積回路の製造に重要な価値を発揮す
るものである。
第１図ａは従来の単層レジスト法による段差部
へパターニングした断面図、同ｂは同ａの平面
図、第２図ａ〜ｅは従来の三層構造レジスト法の
工程図、第３図ａ〜ｇは本発明の一実施例にかか
るパターン形成方法の工程図、第４図ａ，ｂは従
来例と本発明による照射特性図、第５図は本発明
の実施例にかかるパターン平面図である。 １……基板、７……ホトレジスト、７ａ……感
光したレジスト、７ｂ……変質層、７ｃ……復帰
層、８……フツ素系ガスプラズマ、９……不活性
ガスプラズマ。
へパターニングした断面図、同ｂは同ａの平面
図、第２図ａ〜ｅは従来の三層構造レジスト法の
工程図、第３図ａ〜ｇは本発明の一実施例にかか
るパターン形成方法の工程図、第４図ａ，ｂは従
来例と本発明による照射特性図、第５図は本発明
の実施例にかかるパターン平面図である。 １……基板、７……ホトレジスト、７ａ……感
光したレジスト、７ｂ……変質層、７ｃ……復帰
層、８……フツ素系ガスプラズマ、９……不活性
ガスプラズマ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に第１の放射線感応性樹脂を塗布する
工程と、放射線照射を行ない前記第１の放射線感
応性樹脂膜を放射線反応させ、前記放射線反応し
た前記第１の放射線感応性樹脂に第１のフツ素系
ガスプラズマによつて、表面処理をして変質層を
形成し、前記第１の表面処理を施して形成した変
質層表面に更に第２の酸素、窒素又はアルゴンガ
スプラズマによつて、表面処理を施す工程と、前
記第１、第２の表面処理を施した前記第１の放射
線感応性樹脂上に、第２の放射線感応性樹脂を塗
布し、選択的に放射線照射を行なう工程と、現像
処理により前記第１、第２の放射線感応性樹脂膜
を選択的に同時に除去して放射線感応性樹脂パタ
ーンを形成する工程とを備えたことを特徴とする
パターン形成方法。 ２ 第１及び第２の放射線感応性樹脂を同一放射
線反応機構を有するものを用いることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載のパターン形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57194112A JPS5984428A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57194112A JPS5984428A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984428A JPS5984428A (ja) | 1984-05-16 |
| JPH035654B2 true JPH035654B2 (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=16319115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57194112A Granted JPS5984428A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5984428A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005021459B3 (de) * | 2005-05-10 | 2006-07-13 | Eads Space Transportation Gmbh | Mechanischer Rotationsantrieb |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP57194112A patent/JPS5984428A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5984428A (ja) | 1984-05-16 |
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