JPS5984519A - 現像液 - Google Patents
現像液Info
- Publication number
- JPS5984519A JPS5984519A JP57194742A JP19474282A JPS5984519A JP S5984519 A JPS5984519 A JP S5984519A JP 57194742 A JP57194742 A JP 57194742A JP 19474282 A JP19474282 A JP 19474282A JP S5984519 A JPS5984519 A JP S5984519A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developer
- cyclohexanone
- mask
- dioxane
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ポリメチルアクリル酸グリシジル（以下、Ｐ
ＧＭＡと略丁。）からなるフォトレジス）（％［１ｔｉ
子線レジスト）の現像液に関するものである。
ＧＭＡと略丁。）からなるフォトレジス）（％［１ｔｉ
子線レジスト）の現像液に関するものである。
高感度、高解像力をもつ電子線レジストとしてＰＧＭＡ
がある。このレジストのｉｔ平均分子斯１０万のものは
、ｌ０ＫＶの電子線に対し、レジスト残ｗＡ高が５０％
に達する感度は０．４μＯ／ ｃｄｔでるり、実用的に
１μｍの微細線１で形成できる。
がある。このレジストのｉｔ平均分子斯１０万のものは
、ｌ０ＫＶの電子線に対し、レジスト残ｗＡ高が５０％
に達する感度は０．４μＯ／ ｃｄｔでるり、実用的に
１μｍの微細線１で形成できる。
このレジストは、ＰＧＭＡボリマーヲ浴媒に靜かして１
５〜３５センチボイズのレジスト液として供給される。
５〜３５センチボイズのレジスト液として供給される。
この液をウエーノ・等に塗４１ｊ Ｌ、、８０°〜１０
０℃で１０分〜３０分間熱処理する。
０℃で１０分〜３０分間熱処理する。
こｒＬ金、電子巌嬉元装置に入れ、真空中で図形を描画
し、次に全気中に取田してから現塚し、描画図形を現出
させる。
し、次に全気中に取田してから現塚し、描画図形を現出
させる。
ＰＧＭＡの公矧の埃ｆ＆伝に工ｎｉ’ｘ、メチルエチル
ケトン（ＭｆｆｉＫ）とエチルアルコールとのｂＭ比４
：１から８：ｌの混合成金１針程度スプレーし、仄にメ
チルイソブチルケトン（ＭｌＢＫ）ｉスプレーしてリン
スし、最後に望素葡吹付けなから扁速に回転してリンス
液葡吹飛はして乾燥させる。
ケトン（ＭｆｆｉＫ）とエチルアルコールとのｂＭ比４
：１から８：ｌの混合成金１針程度スプレーし、仄にメ
チルイソブチルケトン（ＭｌＢＫ）ｉスプレーしてリン
スし、最後に望素葡吹付けなから扁速に回転してリンス
液葡吹飛はして乾燥させる。
上記現像液で、ｇＢＫは未露光ポリマーの良溶媒であり
、能力エチルアルコールは貧溶媒である。
、能力エチルアルコールは貧溶媒である。
そして、両者の混合に、Ｊ：り、低膨詞の現１象液奮つ
くる。
くる。
しかし、Ｍｇｘｉ、ｔＭｔ点８０℃、またエタノールは
７８℃で、両者とも蒸気圧が篩く、スプレー中Ｖこ蒸発
するので、現悔゛室の排気が必做であるが、これらの溶
媒蒸気が排気されると、環境保全土留１しくない。
７８℃で、両者とも蒸気圧が篩く、スプレー中Ｖこ蒸発
するので、現悔゛室の排気が必做であるが、これらの溶
媒蒸気が排気されると、環境保全土留１しくない。
１だＭＥＫは架橋したレジスト図形ｌさせるので、露光
部が膨潤して乾燥後に変形し、このためにレジスト図形
線幅にバラツキが生じ、微細図形が設岨°線輻と異なっ
てし１う。
部が膨潤して乾燥後に変形し、このためにレジスト図形
線幅にバラツキが生じ、微細図形が設岨°線輻と異なっ
てし１う。
不覚ｐＨの目的は、こうした問題点ヶが１消したｌ［規
なＰＧＭＡ用現像液ケ提供することにある。
なＰＧＭＡ用現像液ケ提供することにある。
４究明を案出する過程で、不発町名は次のことを見出し
た。
た。
机塚赦の蒸発ケ防止するには、低蒸気圧の溶媒を用いれ
はよい。未架橋ＰＧＭＡｔ醒胴、する溶媒にはアセトン
、シクロヘキサノン、ジオキサンテトロヒドロフラン等
がある。このうち、シクロヘキサノンは沸点１５６’ｃ
、’！たジオキサンのそ扛は１０１℃で、ＭＥＫに比較
して蒸気圧がかなり低いので、スプレー中に蒸発が少な
い。
はよい。未架橋ＰＧＭＡｔ醒胴、する溶媒にはアセトン
、シクロヘキサノン、ジオキサンテトロヒドロフラン等
がある。このうち、シクロヘキサノンは沸点１５６’ｃ
、’！たジオキサンのそ扛は１０１℃で、ＭＥＫに比較
して蒸気圧がかなり低いので、スプレー中に蒸発が少な
い。
また、ジオキサンとシクロヘキサノンは単独で、未架橋
Ｐ（）ＭＡの限界的な溶媒であるから貧浴媒葡混合する
ことなく、現像液として使用できる。
Ｐ（）ＭＡの限界的な溶媒であるから貧浴媒葡混合する
ことなく、現像液として使用できる。
従って、ジオキサン、シクロヘキサノンの単独溶媒、又
は画浴媒の混合物ゲ現株液に用いると艮すことがわかっ
た。さらには、前ｉｉｅ’１１独ｍ媒又両浴媒の混合物
に、ジオキサン、シクロヘキサンの艮溶媒列えはＭＥＫ
、塩化ベンゼン、酢酸セロソルブ等を少量混合して溶解
力を強めたものに現像液に用いると艮すことがわかった
。この混合する割合は、２０容量％以下が工い。
は画浴媒の混合物ゲ現株液に用いると艮すことがわかっ
た。さらには、前ｉｉｅ’１１独ｍ媒又両浴媒の混合物
に、ジオキサン、シクロヘキサンの艮溶媒列えはＭＥＫ
、塩化ベンゼン、酢酸セロソルブ等を少量混合して溶解
力を強めたものに現像液に用いると艮すことがわかった
。この混合する割合は、２０容量％以下が工い。
この現像液の使用によシ、現像時に生じるレジスト図形
の変形が低減でき、また図形間に生ずるスカム（レジス
トの残り）が減少する。このため、図形の寸法バラツキ
が改善でき、図形寸法のウェー−・面内分布が向上する
。さらに２ｐｍ、以下の微細図形で設計値と′電子線描
画図形寸法との間に偏差音低減できる。
の変形が低減でき、また図形間に生ずるスカム（レジス
トの残り）が減少する。このため、図形の寸法バラツキ
が改善でき、図形寸法のウェー−・面内分布が向上する
。さらに２ｐｍ、以下の微細図形で設計値と′電子線描
画図形寸法との間に偏差音低減できる。
また本現像液は蒸気圧が低いため、スプレーによる蒸発
は少ないため、現像液１１〜の蒸発の潜熱による、ウェ
ーハ温度の低下は無視できる。このため、現像条件が一
定になり、レジスト図形寸法の書境性が改善さｎるひと
つの原因となる。またこの低蒸気圧は前述した環境問題
に対して有オリとなる。
は少ないため、現像液１１〜の蒸発の潜熱による、ウェ
ーハ温度の低下は無視できる。このため、現像条件が一
定になり、レジスト図形寸法の書境性が改善さｎるひと
つの原因となる。またこの低蒸気圧は前述した環境問題
に対して有オリとなる。
さらにエタノールは３０℃で蒸気圧７９ ｍ Ｈｇであ
シ、ＭＢＫが２６°で１００ ｍｍＨｇであるので、保
存中にＭＥＫの蒸発が起こ９、液組成が変化する。しか
し、本発明による現像液では、保存お工ひスプレー中で
の組成変化は起こらない。
シ、ＭＢＫが２６°で１００ ｍｍＨｇであるので、保
存中にＭＥＫの蒸発が起こ９、液組成が変化する。しか
し、本発明による現像液では、保存お工ひスプレー中で
の組成変化は起こらない。
なお、本発明の現像液としてジオキサン及び／又はシク
ロヘキサノンに他の成分上混合したものを用いる場合、
上記の池、非溶媒であるメチルイソブチルケトンｋｌＯ
：１〜２０二１の割合で混合しても工い。
ロヘキサノンに他の成分上混合したものを用いる場合、
上記の池、非溶媒であるメチルイソブチルケトンｋｌＯ
：１〜２０二１の割合で混合しても工い。
ネガレジストにおいて未露光部は現像液に溶解し、他方
露光部はポリマー分子間に架橋が生じ、巨大網状分子勿
形成するために現像液に不溶になる。しかし、溶媒分子
が網状構造に入り込むため、架橋レジストは膨潤する。
露光部はポリマー分子間に架橋が生じ、巨大網状分子勿
形成するために現像液に不溶になる。しかし、溶媒分子
が網状構造に入り込むため、架橋レジストは膨潤する。
そしてリンスにより、溶媒分子は網目より引出され、レ
ジスト図形は収縮する。このレジスト図形の膨潤、収縮
の過程で無理な力が加われば、リンス、乾燥後にレジス
ト網目は描画時の配列から変形し、この変形の不均一の
ため線幅にもバラツキが生ずる。
ジスト図形は収縮する。このレジスト図形の膨潤、収縮
の過程で無理な力が加われば、リンス、乾燥後にレジス
ト網目は描画時の配列から変形し、この変形の不均一の
ため線幅にもバラツキが生ずる。
この変形が起こらないようにするには、膨潤の少ない現
像液を使用するか、あるいはリンス時に無理がか＼らな
いように丁れば良い。本発明によれば、ＭＫＫ工夛未露
光ポリマーに対する溶解速度の遅いシクロヘキサン、あ
るいはジオキサンを現像液としているので、こ扛らの溶
媒はＰＧＭＡとの相互作用が少ないため、リンス時の収
縮に無理な力がかからない。
像液を使用するか、あるいはリンス時に無理がか＼らな
いように丁れば良い。本発明によれば、ＭＫＫ工夛未露
光ポリマーに対する溶解速度の遅いシクロヘキサン、あ
るいはジオキサンを現像液としているので、こ扛らの溶
媒はＰＧＭＡとの相互作用が少ないため、リンス時の収
縮に無理な力がかからない。
以下、具体的な実施向にＪニジ本発明を更にｉ＋＋細に
説明する。
説明する。
実施例
ガラス板に９０ａｍのクロムを蒸治したマスク基板にＰ
ＧＭＡレジスト液ｒ塗布し、Ｎさ５００ｎｍの膜にする
。こｆＬｌｓｏ℃で３０分間熱処理後、電子線露光装置
を用い、ｌ０ＫＶに加速した電子ビームにより０．６μ
０７−の照射量で図形金描く。描画終了後、３０分間そ
の１＼真空内に族１ａシてから、マスク基板を装置外［
＊出して現像する。
ＧＭＡレジスト液ｒ塗布し、Ｎさ５００ｎｍの膜にする
。こｆＬｌｓｏ℃で３０分間熱処理後、電子線露光装置
を用い、ｌ０ＫＶに加速した電子ビームにより０．６μ
０７−の照射量で図形金描く。描画終了後、３０分間そ
の１＼真空内に族１ａシてから、マスク基板を装置外［
＊出して現像する。
現像ＶＣはスル−現像機を用い、マスクはその面の中心
で垂直な方向を軸としてｔｏｏｒｐｍ程度に回転しなが
ら、ジオキサンを５０秒間スプレーし、次にＭよりＫ’
ｉ２５秒スプレーしてリンスする。最俵に、窒素でリン
ス液を吸き飛ばしなから１５００ｒ、ｐ、ｔｎ、の回転
速度で回転乾燥する。
で垂直な方向を軸としてｔｏｏｒｐｍ程度に回転しなが
ら、ジオキサンを５０秒間スプレーし、次にＭよりＫ’
ｉ２５秒スプレーしてリンスする。最俵に、窒素でリン
ス液を吸き飛ばしなから１５００ｒ、ｐ、ｔｎ、の回転
速度で回転乾燥する。
現１ｆ１１１．１４０’で３０分間ポストベークしてか
ら、このマスフケプラズマアッシャに入れ、真空排気後
、１３３パスカルになるよう空気會導入してプラズマ放
−芒ぜて、レジスト図形の間に残っているスカム奮除去
する。次に硝酸゛セリウムーアンモニウム水溶液でクロ
ムのエツチング全行ない、最後に、酸素プラズマ等でレ
ジストに除去する。
ら、このマスフケプラズマアッシャに入れ、真空排気後
、１３３パスカルになるよう空気會導入してプラズマ放
−芒ぜて、レジスト図形の間に残っているスカム奮除去
する。次に硝酸゛セリウムーアンモニウム水溶液でクロ
ムのエツチング全行ない、最後に、酸素プラズマ等でレ
ジストに除去する。
このようにしてクロムマスクが製作できる。
実施例
表面に５ｉＯｚｋｌ＃さ５００ｎｙ＋ｔに形成したＳｉ
ミラニーへ、６００ ｎｍのＰＧＭＡの塗布し、９０℃
で１５５分間ブレベークる。これに２０ＫＶの加速′電
圧の電子ビームに、１ｍ＃）１．３μ０／ｃａの照射量
で描画する。
ミラニーへ、６００ ｎｍのＰＧＭＡの塗布し、９０℃
で１５５分間ブレベークる。これに２０ＫＶの加速′電
圧の電子ビームに、１ｍ＃）１．３μ０／ｃａの照射量
で描画する。
現像はシクロヘキサノン： ＭｆｆｉＫがｓ ： ｌの
％容針比の混合液盆１分スプレーし、次にリンス液とし
てＭよりＫｙ３０秒スプレスプレー回転乾燥後、１４０
℃にベータし、実施し１１と同僚にプラズマアッシャで
スカムの除去？行ない、次にぶつ化アンモニウム飽和溶
液と、５０Ｘぶつ酸の１：ｌ混合液７．Ｈ２５℃ＩＣ保
って１分間エツチング後、水洗し回転乾燥する。
％容針比の混合液盆１分スプレーし、次にリンス液とし
てＭよりＫｙ３０秒スプレスプレー回転乾燥後、１４０
℃にベータし、実施し１１と同僚にプラズマアッシャで
スカムの除去？行ない、次にぶつ化アンモニウム飽和溶
液と、５０Ｘぶつ酸の１：ｌ混合液７．Ｈ２５℃ＩＣ保
って１分間エツチング後、水洗し回転乾燥する。
このようにして、ｓｉｏ！膜に図形形成俊、不要になっ
たＰＧＭＡ’ｉｉ除去するため、硫酸と３０％２ｉ！ｒ
Ｍ化水素７に溶液の混合液中に浸し、レジス）ｋ酸化し
て除去する。
たＰＧＭＡ’ｉｉ除去するため、硫酸と３０％２ｉ！ｒ
Ｍ化水素７に溶液の混合液中に浸し、レジス）ｋ酸化し
て除去する。
本現像法は電子線レジメ） ＰＧＭＡの現像に適用でき
、フォトリングラフィ用クロムマスク製作に用いられる
。さらに集積回路ヶフォトマスクなしで゛直接にレジメ
）ｙｆ：塗布して加工゛［る直接描画、あるｂはバブル
メモリの直接加工等に適用できる。
、フォトリングラフィ用クロムマスク製作に用いられる
。さらに集積回路ヶフォトマスクなしで゛直接にレジメ
）ｙｆ：塗布して加工゛［る直接描画、あるｂはバブル
メモリの直接加工等に適用できる。
９
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ポリメチルアクリル酸グリシジルからなるフォト
レジストの現像液であって、ジオキサン６るーにシクロ
ヘキサノン又はこれらの混合′＋ｇを主成分とする現像
液。 ２、ジオキサンある帆はシクロヘキサノン又はこれらの
混合物に、ポリメチルアクリル酸グリシジルの艮浴媒で
あるメチルエチルケトン、酢酸セロンルブ又悼塩化ベン
セン等が２０容狩％以下混合されてなる、特許請求の範
囲の第１項に記載した現像液。 ３、 ジオキサンあるいはシクロヘキサノン又はこｎら
の混合物に、非溶媒であるメチルインブチルケトンかｌ
Ｏ：１〜２０：１の割合で混合さｎてなる、特ＩｆＦ情
求の範囲の第１項に記載した現像液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57194742A JPS5984519A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 現像液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57194742A JPS5984519A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 現像液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984519A true JPS5984519A (ja) | 1984-05-16 |
Family
ID=16329468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57194742A Pending JPS5984519A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | 現像液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5984519A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51130222A (en) * | 1975-05-07 | 1976-11-12 | Hitachi Ltd | A process for producing an electron beam resist image |
| JPS5359367A (en) * | 1976-11-10 | 1978-05-29 | Hitachi Ltd | Formation of electron beam resist image |
| JPS547930A (en) * | 1977-06-21 | 1979-01-20 | Fujitsu Ltd | Development of resist |
| JPS5647032A (en) * | 1979-09-26 | 1981-04-28 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Resin composition for resist and its using method |
| JPS56114943A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | Negative type resist material for electron beam |
| JPS56114942A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | High energy beam sensitive resist material and its using method |
-
1982
- 1982-11-08 JP JP57194742A patent/JPS5984519A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51130222A (en) * | 1975-05-07 | 1976-11-12 | Hitachi Ltd | A process for producing an electron beam resist image |
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| JPS547930A (en) * | 1977-06-21 | 1979-01-20 | Fujitsu Ltd | Development of resist |
| JPS5647032A (en) * | 1979-09-26 | 1981-04-28 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Resin composition for resist and its using method |
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| JPS56114942A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | High energy beam sensitive resist material and its using method |
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