JPS5984545A - ウエハおよびその加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はウェハおよびその加工方法、特にスクライプ工
程およびダイシング工程を排除し、割れや欠は等の不良
発生を防止することのできるウェハおよびそＱ加工方法
に関する。

従来、半導体製品の製造過程において、所要の回路パタ
ーンな形成したウェハな個々のベレットに分離する場合
、第１図および第２図に示すように、ウェハ１の表面に
形成したスクライブ線２に沿ってダイシングブレード３
で機械切削することによりブレーク溝４を加工していた
。

しかしながら、このようなダイシングブレードによるス
クライプまたはダイシングは機械加工作業であるので、
加工中にウェハ１の割れや欠けが発生し、歩留りが低下
する。また、スクライブまたはダイシング用の設、備は
相当高価であり、コスト的に高くつくという問題もあっ
た。

本発明の目的は、前記した従来技術の問題点を解決し、
スクライブやダイシングによるウエクの割れや欠は等の
不良発生を防止し、歩留りを向上させることのできるウ
ェハおよびその加工方法を提供することにある。

以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって詳細に説
明する。

第３図は本発明の一実施例を示すウェハの平面図である
。

この実施例において、回路パターンを形成済みのウェハ
１０には、所定の寸法で設けられるブレーキング領域に
沿ってブレーク溝１１が規則正しく基盤の目状に形成さ
れている。

このブレーク溝１１は本実施例では、拡散、蒸着工程に
おけるウェハ１０上への回路パターン形成時に通常のホ
トエツチング技術によりエツチング加工される。このブ
レーク溝１１のエツチング深さは、通常の回路パターン
のエツチング時におけるエツチング深さよりも深く、そ
の後のブレーキングのために十分な深さまでエツチング
される。

なお、このブレーク溝１１のホトエツチングのための装
置は通常知られているものでよいので、図面には示して
いない。

このようにしてブレーク溝１１をホトエツチングで形成
したウェハ１０（第３図）はその後、通常のブレーキン
グ（クラッキング）技術により、第４図に示すように、
個々のベレット１２にブレーキングして分離される。

本実施例においては、ウェハ１０を個々のベレット１２
に分離するために、従来のようにスクライプおよびダイ
シングによる機械加工を使用せず、ホトエツチングでブ
レーク溝１１を形成するので、ウェハ１０または分離後
のベレット１２に対して機械加工による割れや欠は等の
不良が発生することはなく、歩留りの向上を図ることが
できる。また、本実施例は既存のホトエツチング用の設
備を用いて実施できる上に、ホトエツチング用の設備は
スクライプおよびダイシング用の設備よりも大巾に廉価
であり、コストの低減を図ることができる。

なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、
たとえばホトエツチングの他に、エツチング液を用いた
化学的エツチングあるいはそれ以外の各種の物理的また
は化学的エツチングを含むものである。

また、エツチングによるブレーク溝の加工は前工程にお
けるアルミニウム配線パターン形成工程で実施すれば、
その後で外観検査が行なわれるので該ブレーク溝の加工
状況の検査も外観検査時に行なうことができ、便利であ
る。

以上説明したように、本発明によれば、ウェハをペレッ
ト化するためにスクライプやダイシングによる機械的ブ
レーク溝加工を要しないので、ウェハやベレットの割れ
や欠は等の不良発生を防止でき、歩留りを向上させるこ
とができ、コストの低減を図ることも可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は通常のダイシング前のウニノーの平面図、第２
図は従来のダイシング装置によるブレーク溝切削加工状
態な示す正面図、 第３図は本発明によりホトエツチングでブレーク溝を加
工したウェハの一実施例の平面図、第４図は第３図のＡ
−Ａ線断面図、 第５図はウェハなブレーキングして分離した１つのベレ
ットを示す斜視図である。 １０・・・ウェハ、１１・・・ブレーク？／Ｌ　１２・
・・ベレッ　ト。 −２２・

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ベレット化用のブレーク溝を物理的または化学的エ
   ツチングにより形成したウェハ。 ２、ウェハのブレーキング領域に沿ってベレット化用の
   ブレーク溝を物理的または化学的エツチングにより形成
   し、そのウェハな前記ブレーク溝に沿ってブレーキング
   するウェハ加工方法。