JPS5889841A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5889841A JPS5889841A JP56188101A JP18810181A JPS5889841A JP S5889841 A JPS5889841 A JP S5889841A JP 56188101 A JP56188101 A JP 56188101A JP 18810181 A JP18810181 A JP 18810181A JP S5889841 A JPS5889841 A JP S5889841A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scribing line
- aluminum
- layer
- insulating film
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P54/00—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に半導体集積
回路装置のスクライプ線構造に関するものである。
回路装置のスクライプ線構造に関するものである。
一般に半導体集積回路装置は半纏体ウェハーより個々の
ペレットに分離して製造される。従来、この工程はダイ
ヤモンドポイントより行われていたが、最近はグイシン
グンーによるスクライプ方法が一般になってきている。
ペレットに分離して製造される。従来、この工程はダイ
ヤモンドポイントより行われていたが、最近はグイシン
グンーによるスクライプ方法が一般になってきている。
更に自動化が進みフルオートダイシングソーが開発され
つつある。ところで、−従来の製造方法において、ダイ
シングンーによるスクライプ時にスクライブ線上にアル
ミニウムがあるとこのアルミニウムがめくれ巻がっ九９
、ヒゲ状になり、ペレッタイズの歩留り９組立歩留りの
低下をきたす。このためスクライブ線はアルミニウム以
外の構造が必要である。しかしながら、このアルミニウ
ムを酸化アルミニウム（Ａｍ！＊Ｏｓ’）にするとベレ
ッタイズ時にクラックが一生し信頼性上に重要な問題が
発生した。。
つつある。ところで、−従来の製造方法において、ダイ
シングンーによるスクライプ時にスクライブ線上にアル
ミニウムがあるとこのアルミニウムがめくれ巻がっ九９
、ヒゲ状になり、ペレッタイズの歩留り９組立歩留りの
低下をきたす。このためスクライブ線はアルミニウム以
外の構造が必要である。しかしながら、このアルミニウ
ムを酸化アルミニウム（Ａｍ！＊Ｏｓ’）にするとベレ
ッタイズ時にクラックが一生し信頼性上に重要な問題が
発生した。。
本発明は、このような従来のベレッタイズ時に生ずる間
罵を解決した、フルオートダイシングソーに適した半導
体集積回路装置の４１１にスクライプ線構造を提供せし
めるものである。
罵を解決した、フルオートダイシングソーに適した半導
体集積回路装置の４１１にスクライプ線構造を提供せし
めるものである。
本発明のＩＩＩＩＩｋは、半導体基板の↓表面にスクラ
イブ線を形成する前に、このスクライブ線にあた。
イブ線を形成する前に、このスクライブ線にあた。
る部分の絶縁膜を除去して一段差をつける工程を含む半
導体装置の製造方法にある。そして、このスクライブ線
にあたる部分を含む基板の表面にアルｉニラ五線を形成
し、その後このアルミニウムを酸化して酸化アルミニウ
ム膜を形成することが望ましい。
導体装置の製造方法にある。そして、このスクライブ線
にあたる部分を含む基板の表面にアルｉニラ五線を形成
し、その後このアルミニウムを酸化して酸化アルミニウ
ム膜を形成することが望ましい。
本発明によれば、スクライプ線にそれ以外の部分と段差
をつける仁とにより、クラックは半導体集積回路の内部
にオで及ばずスクライプ線の段のところで阻止すること
が出来る。さらに、フルオートダイシングソーのスクラ
イブ線認識線ウェハー上部より光をあてて行表うので、
その反射率の差により認識精度、速度が決ま−る。し九
がりぞ、スクライプ線材質が均一であることが必簀であ
るが、上記のように酸化アルζニウム展（ＡｊｍＯｓ）
を使えば均一な膜質が得られ、フルオートダイシングソ
ーの認識部が充分認識する。
をつける仁とにより、クラックは半導体集積回路の内部
にオで及ばずスクライプ線の段のところで阻止すること
が出来る。さらに、フルオートダイシングソーのスクラ
イブ線認識線ウェハー上部より光をあてて行表うので、
その反射率の差により認識精度、速度が決ま−る。し九
がりぞ、スクライプ線材質が均一であることが必簀であ
るが、上記のように酸化アルζニウム展（ＡｊｍＯｓ）
を使えば均一な膜質が得られ、フルオートダイシングソ
ーの認識部が充分認識する。
以下、本発明の実施例によって詳述する。
第１図、第２図社本発明の実施例を示す半導体装置の断
面図である。第１ＩＩにおいてシリコン半導体基板ｌに
集積回路の製造工種で−られる拡散。
面図である。第１ＩＩにおいてシリコン半導体基板ｌに
集積回路の製造工種で−られる拡散。
酸化後、写真食刻法に！リスクライプｌＩｉ！にあたる
一部分の絶縁膜２を除去する。この部分は次の陽極クラ
イブ線との段差をつける丸め行う。次に全面にアルミニ
ウム蒸着後、陽極酸化により配線形式及びスクライプ線
部分を酸化アルミニウム（人６０ｓ）にする。第２図は
他の実施例である。これは陽極酸化による一層配一の上
に層間絶縁膜４．二層アルミニウム５．保験膜６を施し
九構造を示す。この時二層アルミニウム、保護膜の工、
チング、ＰＲ剥離等で酸化アルｉ＝りム（人ｊｓｏｓ＞
がおかされないように、層間絶縁１！４は残、しておく
。
一部分の絶縁膜２を除去する。この部分は次の陽極クラ
イブ線との段差をつける丸め行う。次に全面にアルミニ
ウム蒸着後、陽極酸化により配線形式及びスクライプ線
部分を酸化アルミニウム（人６０ｓ）にする。第２図は
他の実施例である。これは陽極酸化による一層配一の上
に層間絶縁膜４．二層アルミニウム５．保験膜６を施し
九構造を示す。この時二層アルミニウム、保護膜の工、
チング、ＰＲ剥離等で酸化アルｉ＝りム（人ｊｓｏｓ＞
がおかされないように、層間絶縁１！４は残、しておく
。
以上本発明によればフルオートダイシングソーによるメ
クラ４プが容易に実施でき高歩留りが得られる。
クラ４プが容易に実施でき高歩留りが得られる。
第１図及び第２図は各々本発明の半導体集積回路の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
Claims (1)
- 半導体装置の製造方法において、半導体基板の主表面に
スクライブ線を形成する前に該スクライブ線にあたる部
分の絶縁膜を除去して段差をつける工程を含むことを特
徴とする半導体装置や製造方法・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56188101A JPS5889841A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56188101A JPS5889841A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5889841A true JPS5889841A (ja) | 1983-05-28 |
Family
ID=16217713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56188101A Pending JPS5889841A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5889841A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7358155B2 (en) * | 2005-01-25 | 2008-04-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Scribe-line structures and methods of forming the same |
-
1981
- 1981-11-24 JP JP56188101A patent/JPS5889841A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7358155B2 (en) * | 2005-01-25 | 2008-04-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Scribe-line structures and methods of forming the same |
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