JPS5986231A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS5986231A
JPS5986231A JP57196406A JP19640682A JPS5986231A JP S5986231 A JPS5986231 A JP S5986231A JP 57196406 A JP57196406 A JP 57196406A JP 19640682 A JP19640682 A JP 19640682A JP S5986231 A JPS5986231 A JP S5986231A
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JP
Japan
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lead
bonding
semiconductor device
metal
cutting
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JP57196406A
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English (en)
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Shinji Fujino
藤野　伸二
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NEC Home Electronics Ltd
NEC Corp
Original Assignee
NEC Home Electronics Ltd
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Wire Bonding (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体装置の一造方法にＩｊＡＬ、特に半導体
素子より延びる苦属細線のリードへのボンディング方法
Ｉ／Ｃ関するものである。
〔背緻技術〕
一般に半導体装置は例えば放熱板に半導体素子を固定す
ると共に、半導体素子の電極と一端が半一導体素子の近
傍に位−するように配置されたリードとを金属細線にて
ボンディングし、かつ半導体素子を含む主要部分を樹脂
材にてモールド被覆して構成されている。
ところで、金属細線を半導体素子及びリードにボンディ
ングする際に、半導体素子及びリードは例えば２００〜
３００℃程度に加熱されている関係で、銅を主成分とす
るリードは加熱によって表面が酸化し易く、金属細線の
ボンディングも良好に行うことができない。
従って、従来においてはリードにおける金属細線のボン
ディング予定部分に予め銀などの金属メッキ層が部分的
に形成されている。この構成によれば、金属ｍ線を半導
体素子及びリードに充分の強度を以って確実にボンディ
ングすることができ、半導体装置としての信頼性も充分
に確保できる。
しかし乍ら、金属メッキ層には主として銀が用いられる
上、部分的にメッキ処理される関係で、材料費は勿論の
こと、加工費も島〈なり、半導体装置のコストが高くな
るという問題がある。
このために、近時、金属メッキ層を省略してコスト低減
を図ると共に、金属細線のリードへのボン１イング性を
金属メッキ層を具えたものに比し余り損なわれないよう
に配慮した製造方法が提案されている。
例えば金属細線のリードへのボンディング時１１Ｃおけ
る加熱雰囲気を不活性雰囲気化することが試みられてい
るが、ボンディングツールの動キを阻害することなく、
不活性雰囲気を形成するためσ）設備か大損りとなる上
、製造上のトラブルが生じた際の修理が面倒になるとい
う問題がある。
〔発明の開示〕
本発明はこのような点に−み、簡単な構成によって特別
の作業雰囲気を設けることなく、金属細線をリードに確
実にボンディングできる半導体装置の製造方法を提供す
るものであり、具体的には半導体素子の電極より延びる
金属軸Ｒ？　ｋ表面に金属メッキ層の形成されていない
リードにボンディングするに先立って、リードの表面を
切削などによって地金を露出させることを特徴とするも
のである。
この発明によれば、ボンディング工程においてリードの
表面が酸化しても、ボンディングに先立って、切削など
によって嶋゛化されていない地金が露出するように処理
される関係で、金属軸線のリードへのボンディングを確
実に行うことができる。
又、リードには貴金属などの金属メッキ層か全く形成さ
れていないので、コストを有効に低減できる。
〔発明を実施するための最良の形態〕
次に、本発明の一実施例について第１図〜第２図を参照
して説明する。
まず、第１図に示すようＶｃ、２００〜３００℃に加熱
された基台１にリードフレーム２を、放熱板３及びリー
ト４が密接されるように載置する。そして、放熱板３に
固定された半導体素子５の電極に金属細線６を、キャピ
ラリー７を利用してボールボンディングする。そして、
切削刃８をリード４に押し当てて矢印方向に移動させ、
その表面を切削する。次に、第２−に示すように、切削
によって露出した酸化されていない地金４ａに金属軸線
６をボンディングする。以下、通常の方法によって半導
体装置を製造する。
この実施例によれば、金属細線６のリード４へのボンデ
ィングｆ４１Ｊに切削などによってリードの地金を露出
させる関係で、金属細線６σ）リード４へのボンティン
グを、金属メッキ層を有するものと同様に充分の強度を
以って行うことができる。
特に、リード４における金属軸線６のボンディング千足
部分にはくα属メッキ層を全く形成しないので、作業能
率の向上は勿−のこと、半導体装置としてのコストを有
効に低減できる。
第３図は本発明に保る他の′−Ａ施例を示すものであっ
て、金属軸線６のボンディングに先立ってリード４に四
部４ｂが、その底面に地蛍が霧出するように形成されて
いる。そして、その底面には金属細線６がボンディング
されている。
この実施例によれば、半導体素子を含む主要部分を樹脂
材９にてモールド仮置することにより、樹脂材９が四部
４ｂに充実される。この／ζめに、リード４に軸方向の
引張力が作用し、でも抜けることはない。
尚、本発明において、リードの表面酸化膜を除去し地金
を露出させる方法としては切削の他、機械的研磨、化学
的な除去方法を採用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第２図は本発明方法の説明図であって、第１図
はリードの表面を切削する状態を示す側断面図、第２図
は地金露出面に金属細線をボンディングした状態を示す
側断面図、第３図は本発明に１糸る他の実施例を示す要
部側断面図である。 特許出願人　　新日本電気株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子の電極より延びる金属細線を表面に金属メッ
    キ層の形成されていない１ノート−にボンディングする
    に先立って、リードの表面をνＪ肖１などによって地金
    を露出させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP57196406A 1982-11-08 1982-11-08 半導体装置の製造方法 Pending JPS5986231A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4721515A (en) * 1985-11-25 1988-01-26 Nippon Air Brake Co., Ltd. Control system of a dual-cylinder type dehumidifier
US4812148A (en) * 1986-11-21 1989-03-14 Nippon Air Brake Co., Ltd. Arrangement for controlling the removal of moisture from a two-cylinder type moisture remover
US12429237B2 (en) 2019-08-16 2025-09-30 Battelle Memorial Institute Method and system for dehumidification and atmospheric water extraction with minimal energy consumption

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US4721515A (en) * 1985-11-25 1988-01-26 Nippon Air Brake Co., Ltd. Control system of a dual-cylinder type dehumidifier
US4812148A (en) * 1986-11-21 1989-03-14 Nippon Air Brake Co., Ltd. Arrangement for controlling the removal of moisture from a two-cylinder type moisture remover
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