JPH04214642A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH04214642A
JPH04214642A JP90401690A JP40169090A JPH04214642A JP H04214642 A JPH04214642 A JP H04214642A JP 90401690 A JP90401690 A JP 90401690A JP 40169090 A JP40169090 A JP 40169090A JP H04214642 A JPH04214642 A JP H04214642A
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JP
Japan
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resin
bonding pad
semiconductor device
oxide film
semiconductor chip
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JP90401690A
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Hideki Motoshiro
源城　英毅
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関し、特に半導体チップのボンディングパッドの構造に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置としては、
半導体チップのボンディングパッドが金属細線を介して
リードフレームに電気的に接続されたものがある。この
種の樹脂封止型半導体装置を図２および図３によって説
明する。
【０００３】図２は従来の樹脂封止型半導体装置の縦断
面図、図３は従来の樹脂封止型半導体装置における半導
体チップのボンディングパッド部分を拡大して示す断面
図である。これらの図において、１は半導体チップ、２
は前記半導体チップ１が搭載されるリードフレームであ
る。このリードフレーム２はダイパッド部２ａとリード
部２ｂとからなり、前記半導体チップ１はダイパッド部
２ａ上に接合されている。半導体チップ１の上面にはボ
ンディングパッド３が設けられており、このボンディン
グパッド３は金属ワイヤ４を介してリードフレーム２の
リード部２ｂに電気的に接続されている。なお、このボ
ンディングパッド３はアルミニウムあるいはアルミニウ
ム合金によって形成されている。５はパッシベーション
膜で、半導体チップ１の上面に設けられている。６は半
導体チップ１，金属ワイヤ４等を封止するための封止樹
脂で、上述した各部材を埋没させてモールド成形されて
いる。なお、前記リード部２ｂは、リードフレーム形成
時にはダイパッド部２ａと同様に平坦に形成されており
、樹脂封止後に先端部分が下方を向くように曲げられる
。
【０００４】このように構成された従来の樹脂封止型半
導体装置を組み立てるには、先ず、リードフレーム２上
に半導体チップ１を接合させる。そして、半導体チップ
１のボンディングパッド３とリードフレーム２のリード
部２ｂとを金属ワイヤ４によって接続し、リードフレー
ム２を樹脂封止装置（図示せず）のモールド金型内に装
填する。この樹脂封止装置で封止樹脂６をモールド成形
した後、図２に示すようにリードフレーム２のリード部
２ｂを曲げ加工してこの半導体装置が完成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、このように
構成された従来の樹脂封止型半導体装置では、リード部
２ｂが導通不良を起こしやすいという問題があった。こ
れは、外気中の水分がリード部２ｂを伝ったりして封止
樹脂６を通して半導体チップ１の表面に達し、この水分
によって半導体チップ１のボンディングパッド３が腐食
されるからであった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る樹脂封止型
半導体装置は、ボンディングパッドの表面における金属
細線が接合していない部分に、酸化処理によって酸化膜
を設けたものである。
【０００７】
【作用】酸化膜が実質的に保護膜となり、ボンディング
パッドの表面が装置外からの水分に晒されなくなる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１によって詳細
に説明する。
【０００９】図１は本発明に係る樹脂封止型半導体装置
の要部を拡大して示す断面図で、同図において前記図２
および図３で説明したものと同一もしくは同等部材につ
いては、同一符号を付し詳細な説明は省略する。図１に
おいて、１１はアルミ酸化膜で、このアルミ酸化膜１１
は、半導体チップ１のボンディングパッド３における金
属ワイヤ４が接合していない部分の表面に設けられてい
る。このアルミ酸化膜１１を上述したようにボンディン
グパッド３に設けるには、ボンディングパッド３に金属
ワイヤ４を接合させてからボンディングパッド３を酸化
処理して行う。酸化処理法としては、ボンディングパッ
ド３に金属ワイヤ４を接合させてから酸素雰囲気中でボ
ンディングパッド３を加熱して酸化させる方法や、金属
ワイヤ４が接合されたボンディングパッド３を発煙硝酸
等の酸化性溶液に浸す方法が採られる。
【００１０】次に、このようにアルミ酸化膜１１を設け
て樹脂封止型半導体装置を組み立てる手順について説明
する。先ず、従来と同様にしてリードフレーム２に半導
体チップ１を接合させ、半導体チップ１のボンディング
パッド３に金属ワイヤ４を接合させてボンディングパッ
ド３とリードフレーム２のリード部２ｂとを電気的に接
続させる。そして、ボンディングパッド３に上述した酸
化処理を施す。このように金属ワイヤ接合後に酸化処理
することで、ボンディングパッド３における金属ワイヤ
４が接合していない部分にアルミ酸化膜１１が設けられ
ることになる。このようにしてアルミ酸化膜１１を形成
した後、従来と同様にしてリードフレーム１を樹脂封止
装置に装填させ、封止樹脂６をモールド成形する。そし
て、樹脂封止後にリード部２ｂを曲げ加工して組み立て
が完了する。
【００１１】したがって、このようにボンディングパッ
ド３にアルミ酸化膜１１を設けることによって、ボンデ
ィングパッド３の表面がアルミ酸化膜１１で覆われるこ
とになるから、アルミ酸化膜１１が実質的に保護膜とな
り、ボンディングパッド３が装置外からの水分に晒され
なくなる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る樹脂封
止型半導体装置は、ボンディングパッドの表面における
金属細線が接合していない部分に、酸化処理によって酸
化膜を設けたため、酸化膜が実質的に保護膜となり、ボ
ンディングパッドの表面が装置外からの水分に晒されな
くなる。したがって、封止樹脂を通して侵入した装置外
の水分によってボンディングパッドが腐食するようなこ
とを防止でき、耐湿性が向上されるから、信頼性の高い
樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る樹脂封止型半導体装置の要部を拡
大して示す断面図である。
【図２】従来の樹脂封止型半導体装置の縦断面図である
。
【図３】従来の樹脂封止型半導体装置における半導体チ
ップのボンディングパッド部分を拡大して示す断面図で
ある。
【符号の説明】
１　　半導体チップ ２　　リードフレーム ３　　ボンディングパッド ４　　金属ワイヤ ６　　封止樹脂 １１　　アルミ酸化膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　半導体チップのボンディングパッドが
    金属細線を介してリードフレームに電気的に接続された
    樹脂封止型半導体装置において、前記ボンディングパッ
    ドの表面における金属細線が接合していない部分に、酸
    化処理によって酸化膜を設けたことを特徴とする樹脂封
    止型半導体装置。
JP90401690A 1990-12-12 1990-12-12 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH04214642A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6603207B2 (en) 1995-07-14 2003-08-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrode structure for semiconductor device, method for forming the same, mounted body including semiconductor device and semiconductor device
JP2010114880A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Samsung Electronics Co Ltd 表面弾性波素子、表面弾性波装置、及びこれらの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6603207B2 (en) 1995-07-14 2003-08-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrode structure for semiconductor device, method for forming the same, mounted body including semiconductor device and semiconductor device
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