JPS5987458A - フオトマスク原板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明１ｄＩｃ、ＬＳＩ等の半導体装置を製造する際に
使用するフォトマスク原板の製造方法に関し、さらに詳
細には、金属クロム被膜を遮光層として有するフォトマ
スク原板の製造方法に関する。

従来、この種フォトマスク原板を製造するにあたっては
、ガラス又は石英の基板−ににスパッタリングや真空蒸
着によって、クロム金属の皮膜を形成させ、その後フォ
トレジストを塗蒲し。

これに露光を与えた後現像をしエツチング液に浸漬して
、フォトレジストの残った部分以外のクロム金属層を除
去して所望のパターンの遮光層を得ていた。上記従来方
法によると、エツチングの際、クロム金属が基板へ向っ
て垂直な方向（以下縦方向という）だけでなく、これと
直角方向（以下横方向という）にもエツチングされ、細
かいパターンを得ることができなかった。

すなわち、第１図に示すように、ガラス基板１上に設け
たクロム金属層２がエツチングの際同図口、ハに示すよ
うに、レジスｌ−３の端部から内側に向けてもエツチン
グされ侵食される。

従って、レジスト３の巾が狭い場合には、第２図に示す
ように、レジスト３０両端部から横方向にエツチングさ
れ、必要なパターンを得ることができなかった。

本発明は、このような欠点を防止したフォトマスク原板
の製造方法を提供することを目的とするものである。

そのため９本発明は、スパンタリング、真空蒸着等によ
って基板上にクロム金属層を形成させる際、炭酸ガス単
独又は炭酸ガスと他のガスとの混合物の清浄な雰囲気中
で行うことを特徴とするものである。

前記した他のガスとしては窒素酸素アルゴンガスを用い
るのが望１しく、炭酸ガス圧は５×丁５Ｔｏｒｒ〜ｌＸ
ｌ０−Ｔｏｒｒであることが望ましい。

上記のように、炭酸ガス圧の雰囲気中でクロム金属層を
形成させると、クロム金属は炭酸ガスを吸着しながら堆
積して所望の膜厚となる。

この炭酸ガスを含んだ膜は、エツチングの際。

横方向・＼のエツチング速度が縦方向に比し極小となる
。従って９本発明方法によれば、レジストの下の内側へ
の侵食が少なくなるのでサブミクロンのパターンをも容
易に形成することができる。

実施例１ ５　Ｘ　１０”−５Ｔｏｒｒ　〜Ｉ　Ｘ　１Ｏ−３Ｔｏ
ｒｒのガス圧の炭酸ガスの雰囲気中で真空蒸着にょシフ
ロム金属皮膜を形成させたものを、硝酸第二セリウムア
ンモン１６５１！　、過塩素酸４２ＣＣ，、純水ｉｎか
らなるエツチング液でエツチング液る。この場合の横方
向−＼のエツチング速度は縦方向１ｏに対して横方向４
であった。

実施例２ ５　Ｘ　１０　”ｌ’ｏｒｒの炭酸ガス圧に１×１０−
４〜１×ＩＦ”　’ｌ’ｏｒｒの酸素を加えた雰囲気中
で真空蒸着を行う。この場合には炭素を含んだ酸化クロ
ム膜と在る。この炭素を含んだ酸化クロム膜は、縦方向
と横方向とのエツチング速度の比は１ｏ：１と優れたエ
ツチング特性を持っている。エツチング液は実施例１と
同じ。

実施例３ 実施例１と実施例２との組み合わせになるもので、実施
例１で膜を形成させた後その上に実施例２の２００〜４
００＾の酸化クロム膜を形成させる。この場合、横方向
へのエツチング速度が極小であるのは前述の例通りであ
るが、酸化クロム膜が反射防止膜となって働き、露光の
際の多重反射光計を小さくする。この炭酸を含む酸化ク
ロム膜は２通常のクロＬ膜上に形成させることによって
も横方向へのエツチングを少なくする働きを有している
。

【図面の簡単な説明】

第１図イ２口、ハは従来の製造方法によるエツチング状
態を示す断面図、第２図は従来の製造方法によって得ら
れたフォトマスク原板の一部の断面図、第３図イ１ロ、
ハは本発明方向によって製造するエツチング状態を示す
断面図である。 １・・・ガラス　　　　　　３・・・レジスト２・・・
クロム膜 特許出願人　服　部　　功 代理人弁理士　　中　山　　　清

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ガラス又は石英基板−Ｈに真空蒸着、スパッタリング等
   の方法でクロム組成膜を形成させるフォトマスク原板の
   製造方法において、ガラス又は石英基板」二にクロム組
   成膜を形成させる際に。 炭繰ガス牟独又は他のガスと炭峠ガスとの混合物からな
   る清浄な雰囲気内で行うことを特徴とするフォトマスク
   原板の製造方法。