JPS5988805A - 磁気記憶体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置および磁気
ドラム装置等）に用いられる磁、気記憶体に関する。 現在実用化されている磁気記憶体は不連続媒体を有する
ものが主流である。この不連続媒体の磁気記憶媒体け、
　　Ｆｅ　Ｏｓ　Ｃｒｙ□、Ｆｅ１Ｆ８−３ Ｃｏ　等の磁性体粒子を有機樹脂からなる結合剤中に混
合分散して、基体上に塗布・乾燥・焼成１−で製造する
ため、磁気記憶媒体は磁性体粒子の大きさのレベルで不
連続である。 しか１〜、近年磁気記憶媒体の高記録密度化の要請によ
り、連続薄膜媒体からなる磁気記憶媒体の研究開発が盛
んに行なわれている。この連続助ハ０妨体は主にメッキ
、真空蒸着、スパッタ、イオンブレーティング等の手法
により作られる金属薄膜からなるものと、真空蒸着、ス
パッタ、イオンブレーティング等の手法により作られる
Ｆｅ３Ｏ４又けＦ　ｅ　２０　ａ等の金属酸化物薄膜か
らなるものが知られている。金属酸化物薄膜は残留磁束
密度が小官いため大きな再生出力が得らｈず高記録密度
の面で制約を受ける。他方金属薄膜からなる磁気記録媒
体（孤下金属鴎膜媒体と称する）は残留磁束密度が大き
く有望であるが、高温・高湿下の様な劣悪な雰囲気では
腐食し易く、十分耐食性のある金属薄膜媒体は寸だ知ら
れていない。寸たｒ（−Ｔ−Ｔカーブにおける角形性が
良いことは磁化遷移領域が小さく高記録密度に適する。 本発明の目的は上述の現況に鑑み、−Ｆｅ２０３より大
きな残留磁束密度を有しかつ角形性および耐食性がきわ
めて優れた金属薄膜媒体１Ｈ（（するものである。 （３） すなわち本発明の磁気記憶体は金酋円盤上に非磁性金属
又Ｈ非磁性金属酸化物層が被覆され、該非磁性金属層又
は非磁性金属酸化物層上にケイ素および白金を含むコバ
ルトからなる金属薄膜媒体が被覆されて構成されている
。 次に図面全参照して本発明の詳細な説明する。 第１図に本発明の磁気記憶体の部分断面図である。第１
図において磁気記憶体の金属円盤１としてアルミ合金が
軽くて加工性が良く安価なことから最も良く用いられる
が、　合によってｉｔ−：タン合金が用いられることも
ある。基盤表面は機械加工により小さなうねり（円周方
向５０ｍ以下、半径方向で１００ｍ以下）を有する面に
仕上げらね、ている。 次にこの基盤１の上に非磁性金属層又は非磁性金属酸化
物層２としてたとえばニッケルー燐又は酸化アルミニウ
ム合金がめっきにより被覆され、この下地体２の表面に
機械的研磨により最大表面さ００３ｍ以下に　匍仕上げ
される。次に上記下地体２の清面研磨面上に金属磁性媒
体３として、（４） ケイ素、および白金を含むコバルトからｆ（ｈ金属薄膜
ｆｌＪ体が高周波スバ、り法により被覆される。 次に上記金属薄−々シ体３の上にＳ　ｉ　Ｏ２に代表さ
れる保護膜４が高周波スパッタ法により被枠される。 金属７’３ｔ　Ｉ１１′’　ｆＡ’：体は抗磁力（’Ｈ
ｃ　）　５００〜１２（１（ｔｏｅ　（エルステッド）
、飽和磁束密度（Ｂ　ｓ　）　１１００（ＩＧ（ガラス
）Ｌノ下角形比（Ｂｒ／Ｂｓ）０．８〜０．９５、保磁
力角形比（Ｓ）Ｏ，Ｓ〜０．９５　　の範０の磁気記録
媒体と１、てｇｌｆ″Ｉｆｃヒステリシス特性を示す。 上記特性ｒ［金属薄１ｊ＾媒体中の白金およびケイ素の
′ｆＩＩＫ人きぐ佼存する。 第２図は飽和磁束密度、抗磁力および角形性の、金属薄
膜媒体中のケイ素の原子パーセントによる変化を示した
ものでケイ素２０ａｔ％ＪＮ下の範囲で高記録布度可能
な磁気記憶媒体と（、て使用出来る。 特に角形性及び保磁力角形性がケイ素の添加により著る

【−く十昇１．−　、高記録密度に適１．た磁気、記情
婢体であることが判る。 以−Ｆの様に白金を含み啓らにケイ素ｆ２０　原子パー
セント以下含むコバルト合金かＩ−Ｎなる金属薄（５） 腰は磁気記録媒体と（７て優れていることが分った。 金属磁性媒体３の上に被覆さハる保護膜は硬）ｍである
ことが望寸し、＜、オスミウム、ルテニウム、イリジウ
ム、マンガン、タングステン等の金属あるいけケイ素、
チタン、タンタル寸たけハフニウムの酸化物、蟹化物捷
たけ炭化物あるいはホウ素、炭素−！たけホウ素と炭素
の合金あるいはポリ珪酸が望才しい。 さらＶ（保護膜４の上にＲ−Ｇ（ＲはＣ数１０〜４０の
飽和又は不飽和炭化水素又はふっ素化炭化水素Ｇ　ｋｌ
：　Ｃ０ＯＨ、ＯＨＸＮＨ２、Ｃ０ＯＲ，５ｉＣＯＲ’
　）３ＣＯＮＨ２などの官能基）からなる潤滑剤あるい
はフッ素化アルキルポリエーテル、ポリテトラフロロエ
チレンテロマー等の潤滑剤を塗布することも出来る。 次にいくつかの例をあげて本発明を訝、明する。 実施例１ 合金円盤工として旋盤加工および熱矯正によって十分小
さなうねり（円周方向で５０ｍ　以下および半径方向で
１０ｍ以下）ｆ有する面に仕上（６） けらり、たディスク状アルミニウム合金盤十に非磁性合
金２と１〜でニッケルー燐合金全豹５０ｍ　の厚さにめ
っきし、このニッケルー燐めっき１１かを最大表面粗さ
Ｑ、０２　ｒｒｈ厚さ３０ｍまで鏡面研磨仕上げ１．た
。 次にこのニッケルー燐めっき膜の上に金属磁性媒体３と
して高周波スパッタ法によりアルゴン圧４Ｘ１０　”ｔ
ｏｒｒ、パワー’ａｔ　Ｗ　４．７　Ｗ　／　ｃａ　Ｋ
て膜厚５００Ａケイ素全５原子パーセント、白金ｆｃ２
０原子パ原子パーセントガルト合金薄膜を柚樽１．た。 さらにこの金属磁性媒体３の」二に５ｉ０２を２００Ｘ
のル’；ｔ　Ｉ’７−に高周波スパッタ法により被）（
１−てｌｉＨ気ディスクを作った。抗磁力ＨＣＳ残留磁
束密度Ｂｒ１角形ｐｊＳ、保磁力角形性Ｓ　はそわぞれ
９８０ｏｅ　、　　９２００　Ｇ、　０．９５．０．９
６で９＋−）だ。 実施例２ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３と１．てケイ素ｆ
、　１０１中子パーセント、白金を２０ｒｌｆ子パーセ
ント含むコバルト合金尚胛を膜厚５００Ａにて被覆１，
２て磁気ディスクを作った。 （７） Ｔ４　Ｃ％　Ｂ　ｒ　Ｎ　Ｓ　１Ｓ　　Ｉｄそｈぞれ７
８０ｏｅ　、　８０００Ｇ　１０．９５．０．９５であ
った。 実施例３ 実ｊｌＱ例１と同様にイ０１．金）ｆＪζ磁牲媒体３と
］−でケイ素ン・２０原子パーセント、白金を２（）原
子パーセント含むコバルト合金層＃　３００　ＡにてＪ
ＴＩ　ＯＪｌ　。 てイ１°１気ティスクを作った。 ＩＣ，Ｔｌｒ％　８％　Ｓ　　Ｕぞハぞれ５０（ｌｏｅ
　、　４００（ＩＧ　％　０．９５．０．９５で」）っ
た。 実施例４ 実施例１と同様ＶＣ但（、金属磁性庫体３としてケイ素
４２八−子パーセント、白金を２０　ｊｆ’子バー十ン
ト含むコバルト合金薄膜を膜厚８００Ａ　Ｋて被覆１、
て磁気ディスクを作った。 Ｔ”、Ｃ％　Ｂ　ｒ％　８％　Ｓ　　Ｆｉそれぞれ１０
２０ｏｅ　、　１１２００Ｇ、　０．９３．０．９２　
　であった。 実施例５ 実施例Ｉと同様に（ｌｆｉ　Ｌ金屑磁性媒体３吉ｆ−で
ケイ素を１５原子パーセント、白金を１０簾子パ一セン
ト含ｔｒコバルト合金薄膜衛膜厚５００Ａ　Ｋて被（ｓ
） 覆して磁気ディスクを作った。 ＴＴｃｓ　Ｂ　ｒｓ　　Ｓ−、Ｓ　　けそれぞｆｒ６１
ＱＱｏｅ　、　６０００Ｇ　、　Ｏ，Ｑ！’ｉ　、０．
９５でありｆｒ。 実施例６ 実施例１と同様に但し２金、叫磁性媒体３と１．でケイ
素を１原子パーセント、白金を゛；５原子パーヒント含
むコバルト合金薄膜を膜厚３ｏｏＫにて彼Ｎ１−て磁気
ディスクを作った。 Ｈｅ、Ｂｒ、Ｓ１Ｓ　　ｆｌそ力、ぞ：ｈｉ０７０ｏｃ
、１１．３００Ｇ、　０．８５．０．８５であった。 実施例７ 実施例１と同様に１２て但（−アルゴン圧４Ｘ１０　”
ｔｏｒｒ　％パワー密度Ｉ　Ｗ　／　ｔｙＡにて磁気デ
ィスクを作った。 実施例 実施例］とＰ１様に１．て世１．アルゴン圧４Ｘ１０　
”ｔｏｒｒ　％パワー密度１５　Ｗ　／　ｃｔｌ　Ｉｃ
て磁気ディスクを作った。 実施例９ 実施例１と同様に１−て但しアルゴン圧８刈０−３（９
） ｔｏｒｒ　、パワー密度Ｉ　Ｗ　／　ａｄにて磁気ディ
スクを作った。 実施例 実施例１と同様ｆして化１−アルゴン圧】刈０−１ｔｏ
ｒｒ　、パワー密度１５Ｗ／ｃｎにて磁気ディスクを作
っに０ 実施例１１ 実施例１と同様にして但し非磁性合金層と【、てアルミ
ニウム合金円盤１表面を陽極酸化により非磁性金属酸化
物層とし、て酸化アルミを被覆しこの酸化アルミを最大
表面１１さ００２ｍ芽で鏡面研磨仕上げして、磁気ディ
スクを作った。 実施例１２ 実施例１と同様にして但し保鯵膜として次の物質を千り
ぞれスパッタ法により８０ＯＡの厚さに被覆１−てそれ
ぞれ磁気ディスクを作った。 （１０） 番号　　保護膜　　　番号　　保護膜 ａ　　オスミウム　　　　　Ｉ　　　Ｔａ□０゜ｂ　　
ルテニウム　　　　ｍ　　　ＴａＮＣイソジウム　　　
　　ｎ　　　ＴａＣｄ　　マンガン　　　　　ｏ　　　
Ｈ５０ｅ　　タングステン　　　ｐ　　Ｈ５Ｎｆ　　　
ＳｉＮ　　　　　　　ｑ　　　ＺｒＣ４ ｇ　　　ＳｉＣｒ　　　ＶＣ ｈ　　　Ｔ　’　０２　　　　　　　８　　　Ｎ　ｂ　
Ｃｉ　　　　　ＴｉＮ　　　　　　　　　　　ｔ　　　
　Ｂｊ　　　　ＴｊＣｕ　　　　ダイアモンド構造炭素
Ｃｋ　　　　’ＡＩＣｖ　　　　Ｂ４Ｃ 比較例１ 実施例１と同様にして但し２二、ケルー燐めっき膜の上
に膜厚１ｍのクロムを介して金属磁性媒体３としてコバ
ルトを膜厚５００にで被覆（７て磁気ディスクを作った
。抗磁力ＨＣ，残留磁束密度Ｂｒ１角形性Ｓ１保磁力角
形性Ｓ　はそれぞれ６００ｏｅ　、　１３６００Ｇ　、
　０．７．０．７であった。 比較例２ 実施例１と同様に１．て白金ｆｌＯａｔ％残りが（１１
） コバルトからなるコバルト合金薄脚を膜厚５００Ａで神
伎して磁気ディスクを作った。 抗磁力Ｔ（Ｃ、７，ｌｊ留（１゛４束密度Ｒｒｓ角形性
Ｓ１保磁力角形性Ｓｄ゛それぞれ１１００ｏｅ　、　１
１５００Ｇ、　０．７５０．７５であった。 以上、実施例１〜１２および比較例１．２で示１、た磁
気ディスクを用いて電磁変換特性およびヘッドとの摩耗
試験および環境試験および水浸漬腐食試験を行なった結
果、次の特性を得た。電磁変換特性についてに実施例１
〜１２のディスクについて４０，０００〜８０，０００
ＦＲＰ、Ｔの記録密度が得られたが、比較例１．２のデ
ィスクでけ３０，０００ＦＲＰ　Ｉ　の記録ＦＭ度しか
得られなかった。ヘッドとの摩耗試験は２万回のコンタ
クトスタートストップテストを行なったところディスク
表面に傷は全く見られなかった。又、温度８　ｆｌ　℃
、相対湿１ｊ９０チで６ケ月放置する環境試験を行なっ
たところ実施例１〜１２訃よび比較例２についてにエラ
ーの増加数は全てＯであったが、比較例１のディスクは
エラーが１００倍に増加１．た。 （１２） 最後に実施例１〜１２および比較例１．２のディスクを
切断１、て１５端×１５間の切片を作り、１ケ月間２５
℃の水中に浸漬して＃和磁束密Ｉｆｆ　１１　［＋の菅
化を調べたところ、第３図の様な結牙！が得られた。第
３１ツ１け磁気記憶体？２５℃の水中にＭＹＮＩ−だ時
の飽和磁束密度Ｂｓの変化率（Ｂｓ／Ｆｌｏ　、　Ｂ。 は浸漬前の飽和磁束密度）の時間変化を示１．たもので
あり、値が１．０に近い程耐食性が良い。すなわち実施
例１〜１２は１ケ月の水中浸漬後もＢ８の変化は全くな
かったが比較例１は５０％、比較例２け２５％Ｂｓが減
少１．た。 以上の結果から本発明の磁気記憶体は８７ｈた耐食性（
耐環境性）及び耐ｒ′ｆ耗性及び高記録密度特性を有１
．ていることが分った。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気記憶体の一実施例の部分断面図。 図中、１は基板、２は非磁性合金層、３け金属薄膜媒体
、４は保護膜である。 第２図は本磁気記憶体に用いらわる金属薄膜媒（１３） 体にお汁る飽和磁束密度、抗磁力、および角形性の金属
薄ＩＩ　＆　ａ中のケイ素の原子パーセント［よる変化
を示１，た特性図。 第３図は本磁気記憶体に用いられる金属薄膜媒体の水浸
漬時間による飽和磁束密度の変化率を示１、た特性図。 （１４） 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、金属円盤上に非磁性金属層又は非磁性金属酸化物層
   が被覆され、該非磁性金属層又は非ｒｉａ性金属酸化物
   層上にケイ素および白金およびコバルトからなる合金薄
   膜媒体が被覆され、該金属薄膜媒体上に保護膜が被覆さ
   れて構成されたことｆ％徴とする磁気記憶体。 ２、非磁性金属がニッケルー燐でおる特許請求の範囲第
   １項記載の磁気記憶体。 ３、非磁性酸化物層が酸化アルミである特許請求ム、マ
   ンガン、タングステンである特許請求の範囲第１項記載
   の磁気記憶体。 ５、　保護膜がケイ素、チタン、タンタルまたはハフニ
   ウムの酸化物、窒化物またけ炭化物である特許請求の範
   囲第１項記載の磁気記憶体・。 ６　保護膜がホウ素、炭素またはホク素と炭素の合金で
   ある特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 ７、保護膜がポリ珪酸である特許請求の範囲第１項記載
   の磁気記憶体。