JPS5961106A - 磁気記憶体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置および磁気
ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体に関する。

現在実用化されている磁気記憶体は不連続媒体を有する
ものが主流である。この不連続媒体の磁気記憶媒体は、
γ−Ｆｅｚ　Ｏ−１ＣｒＯｔ　、　Ｆｅ、’　Ｆｅ　−
Ｃ。

等の磁性体粒子を有機樹脂からなる結合剤中に混合分散
して、基体上に塗布・幹燥・焼成して製造するため、磁
気記憶媒体は磁性体粒子の大きさのレベルで不連続であ
る。

しかし、近年磁気記憶媒体の高記録密度化の要請により
、連続薄膜媒体からなる保磁力の大きい磁気記憶媒体の
研究開発が盛んに行なわれている。

この連続薄膜媒体は主にメッキ、真空蒸着、スパッター
イオンブレーティング等の手法によシ作られる金属薄膜
からなるものと、真空蒸着、スパッタ、イオンブレーテ
ィング等の手法により作られるＦｅ５０４又はｒＦ、ｅ
ｙＯｓ等の金属酸化物薄膜からなるものが知られている
。金属酸化物薄膜は残留磁束密度が小さいため磁性膜中
の反磁界が小さく。

磁化遷移中が小さいが大きな再生出力が得られず高記録
密度の面で制約を受ける。他方金属薄膜からなる磁気記
録媒体（以下金属薄膜媒体と称する）は残留磁束密度が
金属酸化物薄膜に比べ大きく有望であるが、高温・高湿
下の様な劣悪な雰囲気では腐食し易く、十分耐食性のあ
る金属薄膜媒体はまだ知られていない。

本発明の目的は上述の現況に鑑み、７０００ガウス程度
の適度な残留磁束密度と保磁力と優れた角形性を有しか
つ耐食性がきわめて優れた金属薄膜媒体を有する磁気記
憶体を提供するものである。

すなわち本発明の磁気記憶体は合金基板上に非磁性合金
層又は非磁性酸化物層が被覆され、該非磁性合金層又は
非磁性酸化物層上にニッケル、白金及びコバルトからな
る合金又は鉄、白金及びコバルトからなる合金の薄膜媒
体が被覆され、さらに該媒体上に保護膜が被覆されて構
成されている。

次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。

第１図において磁気記憶体の合金基板１としてアルミ合
金が軽くて加工性が良く安価なことから最も良く用いら
れるが、場合によってはチタン合金が用いられることも
ある。基盤表面は機械加工によシ小さなうねシ（円周方
向で５０μｍｎ以下、半径方向で１００μｍ以下）を有
する面に仕上げられている。次にこの基盤１の上に非磁
性合金層２としテニッケルー燐合金がめっきにより被覆
され、この下地体２の表面は機械的研磨により最大表面
粗さ０．０３μｍ以下に鏡面仕上げされる。次に上記下
地体２の鏡面研磨面上に金属磁性媒体３としてニッケル
、白金及びコバルトからなる合金又は鉄。

白金及びコバルトからなる合金の薄膜媒体が高周波スパ
ッタ法により被覆される。次に上記金属薄膜媒体３の上
に：５ｉＯ７に代表される保護膜４が高周波スパッタ法
により被覆される。

前記、金属薄膜媒体は抗磁力（）（ｃ）３００〜１２０
０、．２にルステッド）、飽和磁束密度（ＢＳ　）　８
０００〜１２０００Ｇ（ガラス）、角形比（Ｂｒ／１３
ｃ）　０．７〜０９、保磁力角形比（Ｓ＊）０．７〜０
．９の範囲の磁気記録媒体として優れたヒステリシス特
性を示す。しかも上記特性は金属薄膜媒体中の白金およ
びニッケル又は鉄の量に犬きく依存する。

第２図は飽和磁束密度、抗磁力および角形性の金属薄膜
媒体中のニッケルの原子ノく一セントによる変化を白金
の原子パーセントをノくラメータとして示したものでニ
ッケルＯ〜１８　ａｔ−％の範囲で高記録密度可能な磁
気記憶媒体として使用出来る。

第３図は抗磁力の膜厚依存性を示したものでＦｅ又はＮ
１を添加しないＣＯとｐｔのみの膜でけＨｃが高過ぎて
、オーバーライド特性が悪くなる。高記録密度可能した
膜厚は１０００八以下であるのでＦｅ又はＮｉ添加の効
果が大きいことが分る。

以上の様に白金を３５原子パーセント以下及び鉄又はニ
ッケルを２０原子パーセント以下含むコバルト合金から
なる金属薄膜は磁気記録媒体として優れていることが分
った。金属薄膜媒体３の上に被覆される保護膜は硬質で
あることが望ましく。

オスミウム、ルデニウム、イリジウム、マンガン。

タングステン等の金属あるいはケイ素、チタン。

タンタルまたはノ・フニウムの酸化物、窒化物または炭
化物あるいはホウ素、炭素また°ｒまホウ素と炭素の合
金あるいけポリ珪酸が望ましＩへ。

さらに保護膜４の上にＲ−Ｇ　（几は炭素数１０〜４０
の飽和又は不飽和炭化水素又はふつ素化炭化水素、Ｇけ
Ｃ０ＯＨ、ＯＨ、ＮＨｔ　、Ｃ０ＯＲ’、５ｉ（ＯＲ’
）、。

Ｃ０ＮＨ，などの官能基）からなる潤滑剤あるいけフッ
素化アルキルポリエーテル、ポリテトラフロロエチレン
テロマー等の潤滑剤を塗布することも出来る。

次にいくつかの例をあげて本発明を説明する。

実施例１ 合金円盤１として旋盤加工および熱矯正によつて十分小
さなうねり（円周方向で５０μｍ以下および半径方向で
１０μｍ以下）を有する面に仕上げられたディスク状ア
ルミニウム合金盤上に非磁性合金２としてニッケルー燐
合金を約５０μｍの厚さ釦めっきし、このニッケルー燐
めっき膜を最大表面粗さ０．０２μｍ、厚さ３０μｍま
で鏡面研磨仕上げした。次にこのニッケルー燐めっき膜
の上に金属磁性媒体３として高周波スパンタ法によりア
ルゴン圧４Ｘ１０−２ｔｏｎ、パワー密度４．７Ｗ／ｃ
ｒ！にこて膜厚５００人の、白金を２０原子パーセント
及びニッケルを１０原子パーセント含むコバルト合金薄
膜を被覆した。さら忙この金属磁性媒体３の上に５ｉＯ
ｚを２００Ａの膜厚に高周波スパッタ法により被覆して
磁気ディスクを作った。抗磁力）−１ｃ、残留磁束密度
Ｂｒ（ＢｓＸＳ）はそれぞれ９０００ｅ、７２００Ｇで
あった。

実施例２ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３として白金を１０
原子パーセント及びニッケルを１０原子パーセント含む
コバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作った。Ｈ
ｃ、Ｂｒはそれぞれ９００ｃｒｐ。

９０００Ｇであった。

実施例３ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３として白金を７原
子パーセント及びニッケルを１０原子パーセント含むコ
バルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作った。Ｈｃ
、Ｂｒはそれぞれ５００ｃｅ。

１００００Ｇであった。

実施例４ 実施例１と同様にして但し金属磁性媒体３として白金を
３５原子パーセント及びニッケルを１０原子パーセント
含むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作った
。Ｈｃ、Ｂｒはそれぞれ５００で、７０００Ｇであった
。

実施例５ 実施例１と同様にして但し金属磁性媒体３として白金を
２０原子パーセント、ニッケルを２０原子パーセント含
むコバルト合金薄膜を被覆した。

Ｈｃ、Ｂｒはそれぞれ４５０　ｃｅ、５２００Ｇでアラ
た。

実施例６ 実施例１と同様にして但し金属磁性媒体３として白金を
１０原子パーセント、ニッケＡを２０原子パーセント含
むコバルト合金薄膜を被覆した。

Ｈｃ、Ｂｒはそれぞれ４００　ｃｅ、　６４００　Ｇで
あった。

実施例７ 実施例１と同様にして但し金属磁性媒体３として白金を
２０原子パーセント、鉄を１０原子ノ＜−セント含むコ
バルト合金薄膜を被覆した。Ｈｃ、Ｂｒはそれぞれ９０
０ｏｅ、８０００Ｇであった、。

実施例８ 実施例２と同様にして但しニッケルの代シに鉄を用いて
磁気ディスクを作った。Ｈｃ＊Ｂｒはそれぞれ９５０■
、ＩＱＯＯＯＧであった。

実施例９ 実施例４と同様にし但しニッケルの代りに鉄を用いて磁
気ディスクを作った。Ｈｅ、Ｂｒはそれぞれ６００　ｃ
ｅ　、８５００Ｇであった。

実施例１０ 実施例５と同様にして但しニッケルの代りに鉄を用いて
磁気ディスクを作った。Ｈｃ、ｒ−１ｒはそれぞれ５０
０　ｃｅ　、　６５００　Ｇであった。

実施例１１ 実施例１と同ｎ、に、シて但し非磁性合金層としてアル
ミニウム合金円盤１表面を陽極酸イヒによりｌト磁性金
属酸化物層として酸化アルミを被覆しこの酸化アルミを
最大表面粗さ０．０２μｍ′りで鏡面研磨仕上げした。

実施例１２ 実施例１と同様にして但し保護膜として次の物質をそれ
ぞれスノくツタ法により２００人の厚さに被覆してそれ
ぞれ磁気ディスクを作った。

実施例１３ 実施例１と同様忙して但し保護膜としＣテトラヒドロ上
フシラン２．０重量パーセントアルコール溶液をスピー
ン塗布法によシ塗布した後、２００”Ｃ３時間焼成して
磁気ディスクを作った。

実施例１４ 実施例５と同様にして但し金属磁性媒体３を膜厚２０〇
八で被覆して磁気ディスクを作った。Ｈｃ。

Ｂｒはそれぞれ５５０　Ｃｅ、、　５２００　Ｇであっ
た。

比較例 実施例１と同様にして但し金属磁性媒体３としてコバル
ト薄膜を５００人の膜厚で被覆して磁気ディ？りを作っ
た。Ｈｅ、Ｂｒはそれぞれ１２０■。

１２０００　Ｇであった。以上実施例１〜１４で示した
磁気ディスクを用いて電磁変換特性及びヘッドとの摩耗
試験及び環境試験を行なった結果１次の特性を得た。ヘ
ッドとの摩耗試験は２万回のコンタクトスタートストッ
プテストを行ないディスク表面に傷は全く見られなかっ
た。又１１Ｊ境試験九ついて温度８０　’Ｃ、相対湿度
９０％で６次月放置した時のエラーの増加数は全てＯで
あり、十分な耐食性を有していることが分った。又。比
較例については抗磁力が低く十分な電磁変換特性が得ら
れなかったので比較の為、２５℃の水中に浸漬して飽和
磁束密度Ｂｓの変化を調べた所、第４図の様な結果が得
られ、比較例だ比べ、実施例は優れた耐食性を有するこ
とが分った。第４図で縦軸は飽和磁束密度Ｂｓの変化率
（Ｂｓ／Ｂｏ、ただしＢｏは浸漬前の飽和磁束密度）又
、実施例１〜１４のディスクについて２００００〜５０
０００　Ｂ　Ｐ　ＩＯ高密度記録が出来たが、比較例は
抗磁力が小さく高密度記録を達成することは出来なかっ
た。

以上の結果から本発明の磁気記憶体は優れた耐食性（耐
ポ境性）及び耐摩耗性及び高記録密度特性を有して（へ
ることが分った。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。図中
、１は基板、２は非磁性合金属、３は金属薄膜媒体、４
は保護膜である。第２図は本磁気記憶体に川内られる金
属薄膜媒体における飽和磁束密度、抗磁力および角形性
の、金属薄膜媒体中のニッケルの原子パーセントによる
変化を白金の原子パーセントをパラメータとして示した
特性図である。第３図は本磁気記憶体に用いられる金属
薄膜媒体における抗磁力の膜厚依存性を示した特性図で
ある。第４図は本磁気記憶体に用いられる金属薄膜媒体
の水浸漬時間による飽和磁束密度の変化率を示した特性
図である。 第１　図 Ｈｃ　（ｋ　Ｏｅ）、Ｂｓ　（ＫＣｒ）第３図 ΔＣ００，Ｂ　　Ｐｆ　Ｏ，２ ・　　Ｃｏ０７　Ｎｉ　Ｏ，ｊ　　ＰｔＯ，２０Ｃ００
θ　ＮＬ　Ｄ、Ｉ　　Ｐｔ　Ｏ，／口　　ＣＤ０７Ｆｅ
Ｏ，ｆ　　Ｐｆ：０．２胱厚（わ ニア１（ン４叶　〕貴　　萌　　間　　　（田つ手続補
正書（自発） １、事件の表示　　　昭和５７年　特詩願第１７１６９
４号２、発明の名称　　磁気記憶体 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　　　出　願　人東京都港区芝五
臼−１３３音１冴 （４２３）　　　日本電気株式会社 代表者　関本忠弘 ４、代理人 〒１０８　　東京都港区芝五Ｊ−目３７計８冴　住友三
１．ｔｌヒル５、補正の対象 図面 ６　補正の内容 本願添付図面の第２図を別紙図面のように補正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、合金基板上に非磁性合金層又は非磁性酸化物層が被
   覆され、該非磁性合金層又は非磁性酸化物層上にニッケ
   ル、白金及びコバルトからなる合金又は鉄、白金及びコ
   バルトからなる合金の薄膜媒体が被覆され、さらに該媒
   体上に保護膜が被覆されていることを特徴とする磁気記
   憶体。 ２、非磁性合金層がニッケルー燐である特許請求の範囲
   第１項記載の磁気記憶体。 ３、非磁性金属酸化物層が、酸化アルミニウムである特
   許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 ４、　保護膜がオスミウム、ルテニウム、イリジウム、
   マンガン、クンゲステンである特許請求の範囲第１項記
   載の磁気記憶体。 ５　保護膜がケイ素、チタン、タンタルオたはハフニウ
   ムの酸化物、窒化物または炭化物である特許請求の範囲
   第１項記載の磁気記憶体。 ６、保護膜がホウ素、炭素またはホウ素と炭素の合金で
   ある特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 ７　保護膜がポリ珪酸である特許請求の範囲第１項記載
   の磁気記憶体。