JPS5990904A - 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 - Google Patents
電圧非直線抵抗体用磁器組成物Info
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- JPS5990904A JPS5990904A JP57201339A JP20133982A JPS5990904A JP S5990904 A JPS5990904 A JP S5990904A JP 57201339 A JP57201339 A JP 57201339A JP 20133982 A JP20133982 A JP 20133982A JP S5990904 A JPS5990904 A JP S5990904A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はチタン酸ストロンチウムを主体ど（る電圧非
直線抵抗体用磁器組成物に関りるものである。
直線抵抗体用磁器組成物に関りるものである。
チタン酸スｌ〜１］ンチウム半導体磁器の結晶粒界に絶
縁層を形成Ｊることにより、電圧非直線抵抗体（以上バ
リスタという）が（５）られることは知られている。
縁層を形成Ｊることにより、電圧非直線抵抗体（以上バ
リスタという）が（５）られることは知られている。
この神のバリスタとしては、゛りでに特開昭５７−２７
００１号、特開昭５７−３５３０３号などに開示されて
いる。前者の−ｂのは、ヂタン酸ストＵンチウム半導体
磁器の表面に、Ｍｌｌ 、７ｎ 、ＧＯなどの酸化物を
塗布し、こののら空気中または窒素雰囲気中において１
２００・〜、１３００℃の温度′ｃ１時間熱処理を行い
、前記半導体磁器の結晶粒ｙ−に絶縁層を形成したもの
である。また、後者のｂのは、Ｓ「１−１０３の生成分
に、半導体化促進用金属酸化物であるＮｂ２Ｏ５，１−
ｆ１２０５ 、ＷＯ３、ｌ−８２０３、Ｃｅ ０２ 、
Ｎｄ ２０３など、おＪζび電圧電流非直線特性改善用
金属酸化物ぐあるＶ２０５ 、Ｃｒ ２０３、ＣＯＯ１
ＣＵ２０、Ｍｌ） ０３ 、Ｍｌｌ ０２を金石させた
−しのぐある。
００１号、特開昭５７−３５３０３号などに開示されて
いる。前者の−ｂのは、ヂタン酸ストＵンチウム半導体
磁器の表面に、Ｍｌｌ 、７ｎ 、ＧＯなどの酸化物を
塗布し、こののら空気中または窒素雰囲気中において１
２００・〜、１３００℃の温度′ｃ１時間熱処理を行い
、前記半導体磁器の結晶粒ｙ−に絶縁層を形成したもの
である。また、後者のｂのは、Ｓ「１−１０３の生成分
に、半導体化促進用金属酸化物であるＮｂ２Ｏ５，１−
ｆ１２０５ 、ＷＯ３、ｌ−８２０３、Ｃｅ ０２ 、
Ｎｄ ２０３など、おＪζび電圧電流非直線特性改善用
金属酸化物ぐあるＶ２０５ 、Ｃｒ ２０３、ＣＯＯ１
ＣＵ２０、Ｍｌ） ０３ 、Ｍｌｌ ０２を金石させた
−しのぐある。
しかしながら、前者のものは絶縁層を形成づるためにＭ
ｎ 、７ｎ 、Ｃ（１などの酸化物を（ｔイＩｉ シな
ければならず、さらに酸化物を半導体磁器の結晶粒界に
均一に拡散さＵる熱処理が必要ひあるなど、製造工程」
ニバラツキの小さいバリスタを得るための」ンｌ−１，
Ｊ−ルが難しい点があり、したがっ′Ｃバリスタの特性
上に、非直線係ｖｌ（α）やしきい値電圧（Ｖ ｔｈ）
などのバラツ７１が大きいという欠点が見られる。
ｎ 、７ｎ 、Ｃ（１などの酸化物を（ｔイＩｉ シな
ければならず、さらに酸化物を半導体磁器の結晶粒界に
均一に拡散さＵる熱処理が必要ひあるなど、製造工程」
ニバラツキの小さいバリスタを得るための」ンｌ−１，
Ｊ−ルが難しい点があり、したがっ′Ｃバリスタの特性
上に、非直線係ｖｌ（α）やしきい値電圧（Ｖ ｔｈ）
などのバラツ７１が大きいという欠点が見られる。
また、後者のものは電几電流非直線特性改善用金属酸化
物であるＶ２０５ 、Ｃｒ２Ｏ３、Ｃｕ Ｏｌ（／１１
２０、ＭＯ０３、Ｍｎ ０２を磁器組成中に含有さＩＩ
Ｃいるが、イの製造Ｊ−程で中性または還元雰囲気中１
３５０〜１４２０℃の条件で焼成しているため、これら
金属酸化物が金属化し°〔蒸発りることになり、焼成炉
の炉拐などを傷め、さらには非直線係数（α）やしぎい
１「１電圧（Ｖ ｔｈ）にバラツキが生じるという欠点
が見られた。
物であるＶ２０５ 、Ｃｒ２Ｏ３、Ｃｕ Ｏｌ（／１１
２０、ＭＯ０３、Ｍｎ ０２を磁器組成中に含有さＩＩ
Ｃいるが、イの製造Ｊ−程で中性または還元雰囲気中１
３５０〜１４２０℃の条件で焼成しているため、これら
金属酸化物が金属化し°〔蒸発りることになり、焼成炉
の炉拐などを傷め、さらには非直線係数（α）やしぎい
１「１電圧（Ｖ ｔｈ）にバラツキが生じるという欠点
が見られた。
したがつＣ１この発明は上記した欠点を解潤したバリス
タを提供覆ることを目的とする。
タを提供覆ることを目的とする。
またこの発明はバラツキの小さい歩留りの良好なバリス
タを提供することを目的どづる。 りな４）ノ）、この
発明の要旨とりるどころは、チタン酸ストＬｆンヂウム
９８．５〜９９．８７モル％、酸化アルミニウム０ 、
（＋ ３へ・（）、５モル％、半導体化剤０．１・〜・
１．０モル％からなる電圧非直線抵抗体用磁器組成物で
ある。
タを提供することを目的どづる。 りな４）ノ）、この
発明の要旨とりるどころは、チタン酸ストＬｆンヂウム
９８．５〜９９．８７モル％、酸化アルミニウム０ 、
（＋ ３へ・（）、５モル％、半導体化剤０．１・〜・
１．０モル％からなる電圧非直線抵抗体用磁器組成物で
ある。
ここぐ、上記した組成範囲に限定した理由は次のとおり
Ｃ゛ある。酸化アルミニウムが０．０３モル％未満では
非直線係数（α）が小さくなり、０．５モル％を越える
どしきい値電圧（Ｖ口１）が高くなりすぎることになる
。また半導体化剤が０．１七ル％未満ではしきい１１１
１電圧（Ｖｔｔ＋）が高くなり、１モル％を越えるとバ
リスタ特性が得られにくくなる。したがつＣブタン酸ス
ト１１ンチウム量は４１８．５〜９９．８７モル％の範
囲に限定されることになる。
Ｃ゛ある。酸化アルミニウムが０．０３モル％未満では
非直線係数（α）が小さくなり、０．５モル％を越える
どしきい値電圧（Ｖ口１）が高くなりすぎることになる
。また半導体化剤が０．１七ル％未満ではしきい１１１
１電圧（Ｖｔｔ＋）が高くなり、１モル％を越えるとバ
リスタ特性が得られにくくなる。したがつＣブタン酸ス
ト１１ンチウム量は４１８．５〜９９．８７モル％の範
囲に限定されることになる。
なお、上記した組成物に、鉱化剤である５ｉ０２などを
微量含有させてもよい。
微量含有させてもよい。
また、特性に悪影響を向えない程度′Ｃその他の成分を
含有させてもよい。
含有させてもよい。
」−記した組成物は、中性または還元性雰囲気中１３５
０〜１４００℃ぐ焼成され、さらに自然雰囲気中１００
０〜１２００℃ｅ熱処理されることによって半導体磁器
となり、この半導体磁器の表面に電極を形成することに
Ｊ、つ【バリスタが得られることになる。
０〜１４００℃ぐ焼成され、さらに自然雰囲気中１００
０〜１２００℃ｅ熱処理されることによって半導体磁器
となり、この半導体磁器の表面に電極を形成することに
Ｊ、つ【バリスタが得られることになる。
さらに、半導体化剤とし−Ｃは、Ｙ２０ａ、Ｌａ２Ｏ３
などの希土類、Ｎｂ２Ｏ５，１−２１２０５、Ｗ Ｏａ
などがあり、これらのうち少なくとも １種以上を組成
物中に含４ｉさＵればＪ、い。
などの希土類、Ｎｂ２Ｏ５，１−２１２０５、Ｗ Ｏａ
などがあり、これらのうち少なくとも １種以上を組成
物中に含４ｉさＵればＪ、い。
以下、この発明を実施例に従つＣ詳述り−る。一実施例
１ ＋にｔ Ｆｌである３ ｒ”Ｉ’ ｉ ０ＦＩ 、八ｇ
２０３、半導体化剤を準備し、第１表に示す組成比率の
ものが得られるＪ、うに調合した。調合１３１１判にバ
インダを６重石％加えて湿式混合し、ｌＢ２水したのら
造粒して、月１力２ （１０（ｌ Ｋす／ ｃｍ２で成
形した。
１ ＋にｔ Ｆｌである３ ｒ”Ｉ’ ｉ ０ＦＩ 、八ｇ
２０３、半導体化剤を準備し、第１表に示す組成比率の
ものが得られるＪ、うに調合した。調合１３１１判にバ
インダを６重石％加えて湿式混合し、ｌＢ２水したのら
造粒して、月１力２ （１０（ｌ Ｋす／ ｃｍ２で成
形した。
成形物を自然雰囲気中１１５０℃Ｃ予備焼成を行い、次
いＣ還元雰囲気中１３５０〜１４００℃で焼成し、直径
８ｍｍ 、肉ＪＶ１ｍｍの半導体円板磁器を１９だ。こ
ののち自然雰囲気中１０（１０〜１２００℃で熱処理を
行った。
いＣ還元雰囲気中１３５０〜１４００℃で焼成し、直径
８ｍｍ 、肉ＪＶ１ｍｍの半導体円板磁器を１９だ。こ
ののち自然雰囲気中１０（１０〜１２００℃で熱処理を
行った。
この段階で結晶粒界に絶縁層が形成され（いる半導体磁
器が得られる。次いで半導体磁器の表面に６ 銀ベーストを印刷塗布し、自然雰囲気中８００１で焼さ
（ＪすＣ電極を形成し、バリスタをイ′１成したこのよ
うにしてｌｊｔられたバリスタのしきい値電Ｊ「（Ｖ
ｔｂ） 、おにび非Ｎ線係数（α）を求め、その結果を
第 １表に合わせで示した。
器が得られる。次いで半導体磁器の表面に６ 銀ベーストを印刷塗布し、自然雰囲気中８００１で焼さ
（ＪすＣ電極を形成し、バリスタをイ′１成したこのよ
うにしてｌｊｔられたバリスタのしきい値電Ｊ「（Ｖ
ｔｂ） 、おにび非Ｎ線係数（α）を求め、その結果を
第 １表に合わせで示した。
ここＣ′、しきいｆｉＴ］電圧（Ｖｔｌ＋）はバリスタ
に１０ＩｌｌＡの電流を流したときの電圧鎮、また非直
線係数（α）は次式Ｊ、り求めた。
に１０ＩｌｌＡの電流を流したときの電圧鎮、また非直
線係数（α）は次式Ｊ、り求めた。
ａ＝ １／、（２０（１（Ｖｔｏｌｌｌ △／Ｖ１
ｎ＋Ａ）第 １ 表 ［−ゝ 重 １９ 第１表からこの５を明の°ｂのにＪ、れば、Ｖｌｌｌが
低い領域でαの大きいバリスタかｉりられている。
ｎ＋Ａ）第 １ 表 ［−ゝ 重 １９ 第１表からこの５を明の°ｂのにＪ、れば、Ｖｌｌｌが
低い領域でαの大きいバリスタかｉりられている。
第１表中、※印をイリしたものはこの発明範囲外のちの
であり、それ以外はこの発明範囲内のものである。また
試オ′３１番号９のｂのはしきい値電ＩＦが高く、αの
測定が不可能であっＩご。
であり、それ以外はこの発明範囲内のものである。また
試オ′３１番号９のｂのはしきい値電ＩＦが高く、αの
測定が不可能であっＩご。
実施例２
実施例１の試料番号３の；ｂのをΔ、１ｉｉ（Ｊ’ＦＩ
吊号１のものをＢどじ、それぞれ１００個の試料につい
てＶ １１１ ； （Ｘ ）平均１ｉｆｊ （Ｋ ）ヲ
求め、（）結果全ｍ２表に示した。
吊号１のものをＢどじ、それぞれ１００個の試料につい
てＶ １１１ ； （Ｘ ）平均１ｉｆｊ （Ｋ ）ヲ
求め、（）結果全ｍ２表に示した。
次いで各試料Δ、］３につき３００Ｖのパルス電圧を印
加し、その後のＶｔｌｌ、αの平均値（又）を測定し、
ぞの結果へ−１Ｂ−としてそれぞれ第２表に示した。
加し、その後のＶｔｌｌ、αの平均値（又）を測定し、
ぞの結果へ−１Ｂ−としてそれぞれ第２表に示した。
なＪ３、比較例どして、次の組成比率からなる組成物を
用いた。（特開昭５７−３５３０３号に相当覆るバリス
タ） ３ ｒ ｌ−ｉ ０３ ９９．３モル％Ｙ２０
ａ Ｏ，２モル％Ｃｌｌ０
０．５モル％この組成物を混合ｌノ、バインダを５
〜１０重呈％加えで、１Ｌカ１００（ＩＫ ｏ ／ ｃ
ｍ２ｒ成形したノチ、３１ 元雰囲気中１４００℃で焼
成し、さらに酸化性雰囲気中１ （１００℃Ｃ熱処理し
く半導体磁器を得た。この半導体磁器の表面に銀ペース
Ｉ・を印刷塗布し、８００℃ｅ焼ｆ・Ｈ〕（電（→Ａを
形成し、バリスタを作成した。
用いた。（特開昭５７−３５３０３号に相当覆るバリス
タ） ３ ｒ ｌ−ｉ ０３ ９９．３モル％Ｙ２０
ａ Ｏ，２モル％Ｃｌｌ０
０．５モル％この組成物を混合ｌノ、バインダを５
〜１０重呈％加えで、１Ｌカ１００（ＩＫ ｏ ／ ｃ
ｍ２ｒ成形したノチ、３１ 元雰囲気中１４００℃で焼
成し、さらに酸化性雰囲気中１ （１００℃Ｃ熱処理し
く半導体磁器を得た。この半導体磁器の表面に銀ペース
Ｉ・を印刷塗布し、８００℃ｅ焼ｆ・Ｈ〕（電（→Ａを
形成し、バリスタを作成した。
このバリスタ １００個につきＶ［１１、αの平均値（
ズ）を測定しく試料Ｃ）、（ののら３００Ｖのパルス電
圧を印加し、Ｖｌ、ｌ＋、αの平均値（又）を測定した
（試料Ｃ′″）。この結果も第２表に合わけて示した。
ズ）を測定しく試料Ｃ）、（ののら３００Ｖのパルス電
圧を印加し、Ｖｌ、ｌ＋、αの平均値（又）を測定した
（試料Ｃ′″）。この結果も第２表に合わけて示した。
１
なＪ３、第２表には各試料△、Δ−１ＢＸＢ′、Ｃ，Ｃ
′について偏差値（σ）も合わせて示した。
′について偏差値（σ）も合わせて示した。
第 ２ 表
第２表から明らかなように、この発明によれば、しきい
値電圧（Ｖｔｌｌ）、非直線係数（α）どもバラツニ１
−の小さいバリスタが１ｑられている。
値電圧（Ｖｔｌｌ）、非直線係数（α）どもバラツニ１
−の小さいバリスタが１ｑられている。
以上の各実施例から明らかなにうに、この発明にかかる
バリスタ川磁器組成物にＪ：れ、ば、結晶粒界に絶皐家
層を形成するための金属酸化物を塗布、拡散さｌる工程
が不要であるため製造が容易であり、歩留Ｊ、りも良好
である。またｖｔｈ、αのバラツ：１の小さいバリスタ
を提供りることができる。
バリスタ川磁器組成物にＪ：れ、ば、結晶粒界に絶皐家
層を形成するための金属酸化物を塗布、拡散さｌる工程
が不要であるため製造が容易であり、歩留Ｊ、りも良好
である。またｖｔｈ、αのバラツ：１の小さいバリスタ
を提供りることができる。
特 許 出 願 人
株式会社村田製作所
手 続 補 ｉｒ 店 （６式）％式％
２、発明の名称
電圧非直線抵抗体用磁器組成物
３、補正をりる者
事件との関係 特許出願人
住所 京都府長岡京市人神ニー■目２６番１０ｑ名称
（（ｉ２３）株式会社 亭Ｉ Ｉｌｌ製作所昭和５８年
２月２２Ｂ（発送口〉 ５、補正により増加りる発明の数 ７、補正の内容 明細ｍの浄書（内容に変更なし）
（（ｉ２３）株式会社 亭Ｉ Ｉｌｌ製作所昭和５８年
２月２２Ｂ（発送口〉 ５、補正により増加りる発明の数 ７、補正の内容 明細ｍの浄書（内容に変更なし）
Claims (1)
- チタン酸スト１］ンヂウム９８．５〜９９．８７モル％
、酸化７フルミニウム０．０３〜０．５モル％、半導体
化剤０．１〜１．０モル％からなる電圧非直線抵抗体用
磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57201339A JPS5990904A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57201339A JPS5990904A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5990904A true JPS5990904A (ja) | 1984-05-25 |
| JPH0214762B2 JPH0214762B2 (ja) | 1990-04-10 |
Family
ID=16439379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57201339A Granted JPS5990904A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5990904A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60136205A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-19 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
| WO2011138915A1 (ja) * | 2010-05-07 | 2011-11-10 | 株式会社 村田製作所 | 高温構造材料、固体電解質形燃料電池用構造体および固体電解質形燃料電池 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03285258A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-16 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | 面実装型電池及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5842219A (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-11 | 松下電器産業株式会社 | 複合機能素子 |
-
1982
- 1982-11-16 JP JP57201339A patent/JPS5990904A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5842219A (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-11 | 松下電器産業株式会社 | 複合機能素子 |
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| WO2011138915A1 (ja) * | 2010-05-07 | 2011-11-10 | 株式会社 村田製作所 | 高温構造材料、固体電解質形燃料電池用構造体および固体電解質形燃料電池 |
| GB2495639A (en) * | 2010-05-07 | 2013-04-17 | Murata Manufacturing Co | High-temperature structural material, structural body for soli electrolyte fuel cell, and solid electrolyte fuel cell |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0214762B2 (ja) | 1990-04-10 |
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