JPS59915A - 積層回路部品の製造方法 - Google Patents
積層回路部品の製造方法Info
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- JPS59915A JPS59915A JP57110524A JP11052482A JPS59915A JP S59915 A JPS59915 A JP S59915A JP 57110524 A JP57110524 A JP 57110524A JP 11052482 A JP11052482 A JP 11052482A JP S59915 A JPS59915 A JP S59915A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は積層回路部品の製造方法に関し、＾誘電率を有
した酸化チタン系、チタン酸バリウム系コンデンサーを
有する回路において集積度の高い電気回路を構成しよう
とするものである。
した酸化チタン系、チタン酸バリウム系コンデンサーを
有する回路において集積度の高い電気回路を構成しよう
とするものである。
一般に磁気コンデンサーは電子回路中に＾性能、島信頼
性を利用して多く用いられている。最近の実装技術の進
歩は著しく、チップコンデンサーやチップ抵抗等リード
レス部品が実用化され広く普及してきた。とシわけ、チ
ップコンデンサーの分野ではセラミック製造技術である
グリーンシート工法の発達に伴い積層型のコンデンサー
として小型・高容量のコンデンサーを実現し１こ、そし
て小型・高容盪化の要望から一般に用いられている磁気
コンデンサーとして、誘電率の高い材料が用いられる。
性を利用して多く用いられている。最近の実装技術の進
歩は著しく、チップコンデンサーやチップ抵抗等リード
レス部品が実用化され広く普及してきた。とシわけ、チ
ップコンデンサーの分野ではセラミック製造技術である
グリーンシート工法の発達に伴い積層型のコンデンサー
として小型・高容量のコンデンサーを実現し１こ、そし
て小型・高容盪化の要望から一般に用いられている磁気
コンデンサーとして、誘電率の高い材料が用いられる。
これらのチップ部品は半導体部品とともに電子機器の小
型・高密度化に重要な役割を果している。数多く用いら
れる磁器コンデンサーを更に高密度実装を実現するため
に複数個のコンデンサーを１つのチップに構成すると実
装密度が上るとともに接地端子が内部Ｍｃｔ！ｌｉｉで
共通的に用いることができるため、端子１１Ｅ極数は単
機能チップコンデンサーで構成するときよシ少なくて良
い特長を有するようになる。更に次の段階として磁器コ
ンデンサーの表面を用いて機能回路を構成するととが考
えられる。このときにコンデンサーが高ｔｊｌｔ率であ
るｔこめに電極間に分布容量が発生し、回路上問題があ
った。この問題を解決する方法としてＭＩＩＥ体素子の
必要な部分に再結晶性焼結型低温ガラス層よシなる絶縁
層を設け、この絶縁層上に抵抗を設ける方法（特公昭４
８−１８０１５ 号）、或いは誘電体素子上に略全面
的にこの誘電体素子と熱膨張が餡等しい弱誘電体の層を
形成し、この弱誘電体層上に上記コンデンサー自体に跨
ってＲ，ＩＣ素子等の電気部品を装着する方法（特公昭
４６−４０１２９号）等の技術が見られる。このことを
第１図の概略図を用いて説明する。第１図において（１
）は誘電体層、（２）は内部電極、（３ンは配線電極、
（４月Ｊ厚膜抵抗、（６）は半導体素子、（６）は低誘
電率層（ガラ゛ス）を示す、誘電体層（１）上にガラス
等の低＠重体層（６）を設けることによって配線電極（
３）、厚膜抵抗（４）、半導体素子（６）が誘電体層（
１）と直接に接触しない構成となっている。この方法は
平面回路のみ構成するときには有効であるが、８次元的
に構成する場合、例えば誘電体層（１）の両面に回路実
装するとき、或いは平面回路を構成し、誘電体層（１）
の端部を通ってマザーボード（プリンート基板）へ信号
回路を構成するときが考えられる。何れの場合にも誘電
体層（１）の端部を配線経路に取る必要があシ、このま
までは分布容量が発生する。そこでガラス等の低誘電率
材料を端部にも施こすことが考えられるが、通常塗布、
或いは印刷で行なう場合、誘電体層（１）のエツジ部で
の処理が製造技術的に困難である。その理由は誘電体素
子の寸法ばらつきや焼結時の１’、ｕが・・ある１こめ
である。エツジ部で配線電極（３）の下部に必らず低誘
電率層（６）が介在してｂなければいけないのであるが
、端部４面にわたって処理することは工数、歩留まシの
点で問題がある。
型・高密度化に重要な役割を果している。数多く用いら
れる磁器コンデンサーを更に高密度実装を実現するため
に複数個のコンデンサーを１つのチップに構成すると実
装密度が上るとともに接地端子が内部Ｍｃｔ！ｌｉｉで
共通的に用いることができるため、端子１１Ｅ極数は単
機能チップコンデンサーで構成するときよシ少なくて良
い特長を有するようになる。更に次の段階として磁器コ
ンデンサーの表面を用いて機能回路を構成するととが考
えられる。このときにコンデンサーが高ｔｊｌｔ率であ
るｔこめに電極間に分布容量が発生し、回路上問題があ
った。この問題を解決する方法としてＭＩＩＥ体素子の
必要な部分に再結晶性焼結型低温ガラス層よシなる絶縁
層を設け、この絶縁層上に抵抗を設ける方法（特公昭４
８−１８０１５ 号）、或いは誘電体素子上に略全面
的にこの誘電体素子と熱膨張が餡等しい弱誘電体の層を
形成し、この弱誘電体層上に上記コンデンサー自体に跨
ってＲ，ＩＣ素子等の電気部品を装着する方法（特公昭
４６−４０１２９号）等の技術が見られる。このことを
第１図の概略図を用いて説明する。第１図において（１
）は誘電体層、（２）は内部電極、（３ンは配線電極、
（４月Ｊ厚膜抵抗、（６）は半導体素子、（６）は低誘
電率層（ガラ゛ス）を示す、誘電体層（１）上にガラス
等の低＠重体層（６）を設けることによって配線電極（
３）、厚膜抵抗（４）、半導体素子（６）が誘電体層（
１）と直接に接触しない構成となっている。この方法は
平面回路のみ構成するときには有効であるが、８次元的
に構成する場合、例えば誘電体層（１）の両面に回路実
装するとき、或いは平面回路を構成し、誘電体層（１）
の端部を通ってマザーボード（プリンート基板）へ信号
回路を構成するときが考えられる。何れの場合にも誘電
体層（１）の端部を配線経路に取る必要があシ、このま
までは分布容量が発生する。そこでガラス等の低誘電率
材料を端部にも施こすことが考えられるが、通常塗布、
或いは印刷で行なう場合、誘電体層（１）のエツジ部で
の処理が製造技術的に困難である。その理由は誘電体素
子の寸法ばらつきや焼結時の１’、ｕが・・ある１こめ
である。エツジ部で配線電極（３）の下部に必らず低誘
電率層（６）が介在してｂなければいけないのであるが
、端部４面にわたって処理することは工数、歩留まシの
点で問題がある。
本発明方法はこれらの問題点を解決するために為された
もので、分布容量を電気回路として実用できる領域まで
下げ、８次元的に電気回路を構成できるようにした積層
回路部品を提供するものである。こ“の目的を達成する
ために本発明はニッケル、銅の内生なくとも１種の金属
を積層型磁器コンデンサーの表面に、無電解メッキし、
その後大気中成いは酸化雰囲気中にて熱処理し、斯かる
後磁器コンデンサー上に電気部品を装着することを特徴
とする。
もので、分布容量を電気回路として実用できる領域まで
下げ、８次元的に電気回路を構成できるようにした積層
回路部品を提供するものである。こ“の目的を達成する
ために本発明はニッケル、銅の内生なくとも１種の金属
を積層型磁器コンデンサーの表面に、無電解メッキし、
その後大気中成いは酸化雰囲気中にて熱処理し、斯かる
後磁器コンデンサー上に電気部品を装着することを特徴
とする。
以下本発明の一実施例について第２図、第８図に基づき
詳述する６図において０ｐは誘電体層、Ｑ埠は内部電極
、０葎は配線電極、ｌｌＩ◆は厚膜抵抗、（ト）は半導
体素子、αＱはワイヤ、Ｑηは拡散層を示す。
詳述する６図において０ｐは誘電体層、Ｑ埠は内部電極
、０葎は配線電極、ｌｌＩ◆は厚膜抵抗、（ト）は半導
体素子、αＱはワイヤ、Ｑηは拡散層を示す。
ところで仁のような積層回路部品の製造方法について説
明すると、内部電極（ロ）と強誘電体層（ロ）とを一層
以上積層して少なくとも１個以上のコンデンサーを有し
た積層型コンデンサーを構成する。
明すると、内部電極（ロ）と強誘電体層（ロ）とを一層
以上積層して少なくとも１個以上のコンデンサーを有し
た積層型コンデンサーを構成する。
通常その焼結温度は１０００〜１４００℃で行なわれる
。
。
その後、この強誘電体基板の表面（チップ状のときでは
大面）に一定厚みの強８ｍ体を構成する以外の異種イオ
ンを拡散させ、表層部のみ低ＷｓＷＩＬ率似しようとす
るもので、これが拡散層ａηである。
大面）に一定厚みの強８ｍ体を構成する以外の異種イオ
ンを拡散させ、表層部のみ低ＷｓＷＩＬ率似しようとす
るもので、これが拡散層ａηである。
拡散層（ロ）の厚みを内部電極韓層まで至らないように
するためには、グリーンシートの１［を行なうときに予
じめ厚く積層すると良い、これは焼結のときのへす、或
いは基板としての強度を十分に確保する点でも有効であ
る。−例として基板厚みは１ＩｎＩ前後が最適である。
するためには、グリーンシートの１［を行なうときに予
じめ厚く積層すると良い、これは焼結のときのへす、或
いは基板としての強度を十分に確保する点でも有効であ
る。−例として基板厚みは１ＩｎＩ前後が最適である。
断面方向で内部！Ｉｔｔ！１１１ａａが中心部に１／８
の厚みで構成され、上面に１／８、下面に１／８のｌＥ
ｔＭＪ−を持たない強誘電体層（容鰍値に関与しない部
分）を構成することが考えられる。
の厚みで構成され、上面に１／８、下面に１／８のｌＥ
ｔＭＪ−を持たない強誘電体層（容鰍値に関与しない部
分）を構成することが考えられる。
この積層チップ状強誘電体基板の表面に一定厚みの元素
を表面から拡散させる。その元素としては熱拡散が起シ
易いことと低誘電率化することに効果の大きいことが要
求される。又−ロ記拡散は金属イオンを無電解メッキし
、誘電体の表面に析出さ □せ、斯かる後金属イオン
として或いは金属酸化物として積層誘電体基板へ拡散す
る温度で熱処理を行なう、これらは上記条件に最適な金
属としてニッケル、銅が有効であることが分っｔコ、熱
処理温度としてはｓｏトｔａｏａ°Ｃが最適である。こ
れは８００°Ｃ以下では熱拡散が起シにくいことと、金
属が金属酸化物とならずにそのまま残シ、絶縁抵抗を下
げるｔこめであｊ５．１８００°Ｃ以上では誘電体層の
特性を劣化させるためである。熱処理するときの雰囲気
としては大気中、或いは酸化雰囲気中にて行なうことが
好ましい、このように本発明方法で番よ熱拡散という技
術を用いることによって表層部１こ均一に、素子の寸法
ばらつき、列に関係なく低誘電体層を構成できるｔこめ
に、分布容態を実用範囲内に下げて８次元的に回路構成
できる素子の製造が可能になった。この基板を用いて一
方に導体、抵抗パターンを厚膜技術、薄膜技術等によ多
構成し、片面には半導体素子を装着して機能回路が得ら
れ、Ｑ にＣＲジュール、ＬＣモジュールとしてモ実現
可能で用途は電子回路全搬に考えることができる。
を表面から拡散させる。その元素としては熱拡散が起シ
易いことと低誘電率化することに効果の大きいことが要
求される。又−ロ記拡散は金属イオンを無電解メッキし
、誘電体の表面に析出さ □せ、斯かる後金属イオン
として或いは金属酸化物として積層誘電体基板へ拡散す
る温度で熱処理を行なう、これらは上記条件に最適な金
属としてニッケル、銅が有効であることが分っｔコ、熱
処理温度としてはｓｏトｔａｏａ°Ｃが最適である。こ
れは８００°Ｃ以下では熱拡散が起シにくいことと、金
属が金属酸化物とならずにそのまま残シ、絶縁抵抗を下
げるｔこめであｊ５．１８００°Ｃ以上では誘電体層の
特性を劣化させるためである。熱処理するときの雰囲気
としては大気中、或いは酸化雰囲気中にて行なうことが
好ましい、このように本発明方法で番よ熱拡散という技
術を用いることによって表層部１こ均一に、素子の寸法
ばらつき、列に関係なく低誘電体層を構成できるｔこめ
に、分布容態を実用範囲内に下げて８次元的に回路構成
できる素子の製造が可能になった。この基板を用いて一
方に導体、抵抗パターンを厚膜技術、薄膜技術等によ多
構成し、片面には半導体素子を装着して機能回路が得ら
れ、Ｑ にＣＲジュール、ＬＣモジュールとしてモ実現
可能で用途は電子回路全搬に考えることができる。
この機能回路は小型、高密度実装に有効であシ、機能回
路ブロックとして作るｔこめに設計の標準化。
路ブロックとして作るｔこめに設計の標準化。
星産化に対しても効果的である。
以下具体例について説明する。
〔具体例１〕
誘電率４６００ の特性を有するチタ酸ノ（リウムク
゛リーンシートと内部電極材としてのＩ（ラジウムを交
互に積層し、１２Ｘ１２ｍ、厚み１．２ｆｌのチップ状
に打ち抜く、このようにして積層した誘電体チップを焼
成温度１８５０℃、焼成時間２時間の焼成条件にて焼結
した。一体焼結された積層コンデンサーは９×９闘、厚
み０．９順となった。内部電極層は厚み方向に８等分し
た中央部に介在し、複数個のコンデンサーを構成する電
極パターンとなっている。
゛リーンシートと内部電極材としてのＩ（ラジウムを交
互に積層し、１２Ｘ１２ｍ、厚み１．２ｆｌのチップ状
に打ち抜く、このようにして積層した誘電体チップを焼
成温度１８５０℃、焼成時間２時間の焼成条件にて焼結
した。一体焼結された積層コンデンサーは９×９闘、厚
み０．９順となった。内部電極層は厚み方向に８等分し
た中央部に介在し、複数個のコンデンサーを構成する電
極パターンとなっている。
又、コンデンサー用内部電極の引出線は焼結されｔこ積
層体の周辺部に設けである。このようにして得られｔこ
積層コンデンサーに第１表に示すところの金属を無電解
メッキし、第１表に示す熱処理温度、雰囲気で熱拡散を
行なう。このようにして処理されｔこ積層コンデンサー
の拡散面にＡｇ／４′ｄ導体ペーストを用いてＷ７Ｌ極
幅０．５ＭＭ 、長さ４朋、電極間隔０．４ｍの電極パ
ターンを印刷し、８５０ ’Ｃ−１０分で焼付を行なう
、このようにして拡散面上に構成した電極間の容量をキ
ャパシタンスブリッジを用いて測定しｔこ結果も第１表
に示す、この結果より拡散層が低誘電率化していること
が分る。又拡散層の厚みはＸ線マイクロアナライザーに
て０．１〜０．２１５１〕範囲で起っていることを確認
し１こ。尚、端子電極を設けている縁端部は６０μｍ程
度研摩することにぼって新しいパラジウム内部電極が露
出してくる。このように本発明方法にて高誘電率の表層
部に８次元的に均一な低誘電率層を構成でき、コンデン
サーを基板としｔコ高密度回路部品が得られ１こ。
層体の周辺部に設けである。このようにして得られｔこ
積層コンデンサーに第１表に示すところの金属を無電解
メッキし、第１表に示す熱処理温度、雰囲気で熱拡散を
行なう。このようにして処理されｔこ積層コンデンサー
の拡散面にＡｇ／４′ｄ導体ペーストを用いてＷ７Ｌ極
幅０．５ＭＭ 、長さ４朋、電極間隔０．４ｍの電極パ
ターンを印刷し、８５０ ’Ｃ−１０分で焼付を行なう
、このようにして拡散面上に構成した電極間の容量をキ
ャパシタンスブリッジを用いて測定しｔこ結果も第１表
に示す、この結果より拡散層が低誘電率化していること
が分る。又拡散層の厚みはＸ線マイクロアナライザーに
て０．１〜０．２１５１〕範囲で起っていることを確認
し１こ。尚、端子電極を設けている縁端部は６０μｍ程
度研摩することにぼって新しいパラジウム内部電極が露
出してくる。このように本発明方法にて高誘電率の表層
部に８次元的に均一な低誘電率層を構成でき、コンデン
サーを基板としｔコ高密度回路部品が得られ１こ。
第１表
〔具体例２〕
誘−１率１００の特性を有する酸化チタンを用いてグリ
ーンシートを作成し、内部電極として白金−パラジウム
を交互に積層し、 １ｌｘｌｌｆｆｌ、 厚み１１１
１のチップ状に切断する。このようにして切断されｒコ
誘電体チップを焼成温度１４００°Ｃ１焼成時間２時間
の焼成条件にて焼成した。一体焼結されｔコ積層コンデ
ンサーは９×９Ｍ１Ｋ、厚み０．９朋となつｔこ。
ーンシートを作成し、内部電極として白金−パラジウム
を交互に積層し、 １ｌｘｌｌｆｆｌ、 厚み１１１
１のチップ状に切断する。このようにして切断されｒコ
誘電体チップを焼成温度１４００°Ｃ１焼成時間２時間
の焼成条件にて焼成した。一体焼結されｔコ積層コンデ
ンサーは９×９Ｍ１Ｋ、厚み０．９朋となつｔこ。
内部電極は厚み方向に８等分した中央部に介在し、複数
個のコンデンサーを構成している。又コンデンサー用内
部Ｗｌｔ極の引出は具体例１と同じである。
個のコンデンサーを構成している。又コンデンサー用内
部Ｗｌｔ極の引出は具体例１と同じである。
このようにして得られた酸化チタンｆｉｌｌｉｌコンデ
ンサーに第２表に示すところの金属を用いて無電解メッ
キ法によシ表層部に析出させｔこ後、＠２表に示す条件
で熱処理を行なった。このようにして処理された酸化チ
タン積層コンデンサーの拡散面に具体例１で用いｒ、：
ｇ極パター′ンを構成し、ｔｔ極間容量を測定しｔコ
。そのときの結果を第２表に示す。
ンサーに第２表に示すところの金属を用いて無電解メッ
キ法によシ表層部に析出させｔこ後、＠２表に示す条件
で熱処理を行なった。このようにして処理された酸化チ
タン積層コンデンサーの拡散面に具体例１で用いｒ、：
ｇ極パター′ンを構成し、ｔｔ極間容量を測定しｔコ
。そのときの結果を第２表に示す。
又拡散層の確認はＸ線マイクロアナライザーによって行
ない、内部電極層まで達していないことを確認し１こ、
このようにして酸化チタン積層コンデンサーの表層部を
低誘電率化し、電極、抵抗を厚膜構成し、半導体素子を
実装する高密度回路部品が実現できた。
ない、内部電極層まで達していないことを確認し１こ、
このようにして酸化チタン積層コンデンサーの表層部を
低誘電率化し、電極、抵抗を厚膜構成し、半導体素子を
実装する高密度回路部品が実現できた。
本発明は以上述べたように実施し得るものであシＪ酸化
チタン、チタン酸バリウム系積層コンデンサーの表層部
を熱拡散によって低誘電率化し、第２表 その上面に電極、抵抗を構成し、半導体素子を実装でき
る高密度回路部品が実現できた。
チタン、チタン酸バリウム系積層コンデンサーの表層部
を熱拡散によって低誘電率化し、第２表 その上面に電極、抵抗を構成し、半導体素子を実装でき
る高密度回路部品が実現できた。
ｌｌＳｘ図は従来例を示す断面図、＃Ｉ２図は本発明の
一実施例を示す断面図、第８図は同平面図である。 ０１・・・ａｌｌ：体層、斡・・・内部電極、（至）・
・・配線電極、Ｑ、１１゛・・・厚膜抵抗、帽・・半導
体域子、ＤＩ−・ワイヤ、Ｑη・・・拡散層 代理人 森本ｉ弘 第１図 勺 ２
一実施例を示す断面図、第８図は同平面図である。 ０１・・・ａｌｌ：体層、斡・・・内部電極、（至）・
・・配線電極、Ｑ、１１゛・・・厚膜抵抗、帽・・半導
体域子、ＤＩ−・ワイヤ、Ｑη・・・拡散層 代理人 森本ｉ弘 第１図 勺 ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ニッケル、＃！の内生なくとも１種の金塊を積層耐
磁−コンデンサーの表面に無電解メッキし、その後大気
中成いは酸化雰囲気中にて熱処理し、斯かる後磁気コン
デンサー上に電気部品を装着する積層回路部品の製造方
法。 ２、 磁器コンデンサーを酸化チタン及びチタン酸バリ
ウム系磁気コンデンサーとした特許請求の範囲第１項記
載の積層回路部品の製造方法。 ８、熱処理温度を８００〜１８００°Ｃとした特許請求
の範囲第１項記載の積層回路部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57110524A JPS59915A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 積層回路部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57110524A JPS59915A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 積層回路部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59915A true JPS59915A (ja) | 1984-01-06 |
| JPH038573B2 JPH038573B2 (ja) | 1991-02-06 |
Family
ID=14537980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57110524A Granted JPS59915A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 積層回路部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59915A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013171970A (ja) * | 2012-02-21 | 2013-09-02 | Soshin Electric Co Ltd | コンデンサモジュール |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP57110524A patent/JPS59915A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013171970A (ja) * | 2012-02-21 | 2013-09-02 | Soshin Electric Co Ltd | コンデンサモジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH038573B2 (ja) | 1991-02-06 |
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