JPS59922A - マスクｒｏｍ合成ずれ検出方法 - Google Patents

マスクｒｏｍ合成ずれ検出方法

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Publication number
JPS59922A
JPS59922A JP57109520A JP10952082A JPS59922A JP S59922 A JPS59922 A JP S59922A JP 57109520 A JP57109520 A JP 57109520A JP 10952082 A JP10952082 A JP 10952082A JP S59922 A JPS59922 A JP S59922A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
rom
deviation
synthesis
check mark
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57109520A
Other languages
English (en)
Inventor
Takuya Sawano
沢野　拓也
Kazuyuki Uchida
内田　和幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS59922A publication Critical patent/JPS59922A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明はＲＯＭ内データとＲＯＭ外データによりマス
クＲＯＭデータを合成する方法において、その合成ずれ
をチェックするマスクＲＯＭ合成ずれ検出方法に関する
。
〔発明の技術的背景〕
従来、ＲＯＭ内データとＲＯＭ外データによりマスクＲ
ＯＭデータを合成する方法においては合成されたマスク
ｌ（ＯＭの精良チェックは実行されていなかった。ここ
で、ＲＯＭ外データとはマスクＲＯＭを合成する場合の
固定データで、ＲＯＭ内データとはマスクＲＯＭを合成
する場合の可変データでユーザ固有のデータである。そ
して、従歩は第１図に示すよプにレティクル１１に形成
されるＲＯＭ外のパターンＡと、レティクル１２に形成
される）４０Ｍ内のパターンＢとが合成されてレティク
ル１３上にＲＯＭ外のパターンＡとＲＯＭ内のパターン
Ｂとの合成されたパターンが形成される。このように合
成されたパターンがずれていないかということはパター
ンそのものを見るしかなかった・〔背景技術の問題点〕 このように、従来のようなマスクＲＯＭ合成方法におい
ては合成精度はいいかげんで、特に精度を有するマスク
ＲＯＭではその精度が問題となっていた◎つまり、少し
でも合成したデータがずれるとＲＯＭ部のデータがずれ
℃誤動作の原因となっていた。
〔発明の目的〕
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的
はＲ，ＯＭ内データとＲＯＭ外データによりマスクＲＯ
Ｍデータを合成する方法において、ＲＯＭ内データと１
（０Ｍ外データに合成ずれチェックマークを設けて、そ
の合成精度を上げるようにしたマスクＲＯＭ合成ずれ検
出方法を提供することにある。
〔発明の概要〕
ＲＯＭ内データとＲＯＭ外データによりマスク）ＬＯＭ
データを合成する方法において、　）１０Ｍ内データ及
び８０Ｍ外データのそれぞれに合成ずれチェックマーク
を設けてマスクＲＯＭの合成精度を上げＲＯＭ部のデー
タずれをなくすようにしたマスクＲＯＭ合成ずれ検出方
法である。
〔発明の実施例〕
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第２図に示すよ５に、ＲＯＭ外データはレティクル１４
上に形成された場合、第１の合成ずれチェックマークＣ
はレティクル１４の下方に示した如く左斜め方向に配置
された２つの正方形のマークにより構成される◎また。
ＲＯＭ内データがレティクル１５上に形成された場合、
第２の合成ずれチェックマークＤはレティクル１６の下
方に示した如く右斜め方向に配置された２つの正方形の
マークにより構成さ　・れる。そして、ＲＯＭ外データ
とＲＯＭ内データとが合成されてレティクル１６上に形
成された場合、上記第１の合成ずれチェックマークＣと
上記第２の合成ずれチェックマークＤが合成されて、合
成ずれチェックマー・りＥとなる。上記合成ずれチェッ
クマークＥはレティクル１６の下方に示した如く、４つ
の正方形により構成される。そして、合成後の間隔ｘ、
ｙの値を決めておけば、その値以内にｘ、ｙの値が入っ
ていれば、マスクＲＯＭの合成の合否が正確にできる。
〔発明の効果〕
以上詳述したようにこの発明によれば、合成ずれチェッ
クマークをＲＯＭ外データと）ＬＯＭ内データの上部及
び下部に配置して合成後のマスクＩ（、ＯＭデータの合
成ずれをチェックするようにしたので、マスク１（ｌＯ
Ｍデータの合成精度を上げてＲＯＭ部のデータずれをな
くすよ５にしたマスクｉｔ　ＯＭ合成ずれ検出方法を提
供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のマスクＲＯＭ合成方法を示す図、［４２
図はこの発明の一実施例な示すマスクＲＯＭ合成ずれ検
出方法を示す図である。 １１〜１６・・・レティクル。 出願人代理人　弁理士　　鈴　江　武　彦第１図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ＢＯＭ内データとＲＯＭ外データによりマスクＲＯＭデ
    ータを合成する方法において、　［３Ｍ外データに設け
    た第１の合成ずれチェックマークとＲＯＭ内データに設
    けた第２の合成ずれチェックマークとによりマスクＲＯ
    Ｍデータのずれを検出するよ５Ｋしたことを特徴とする
    マスクＲＯＭ合成ずれ検出方法。
JP57109520A 1982-06-25 1982-06-25 マスクｒｏｍ合成ずれ検出方法 Pending JPS59922A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61502155A (ja) * 1984-05-09 1986-09-25 ケセナ−，ヘルマン，ポウルス，マリア 美的に壮観な液体のディスプレーの形成方法及び装置
JPH034958A (ja) * 1989-05-23 1991-01-10 Wet Enterprises Inc 噴水装置
JPH08103708A (ja) * 1991-06-19 1996-04-23 Kawamura Funsui Kk 水中噴水防護装置
CN110842375A (zh) * 2019-11-15 2020-02-28 Tcl华星光电技术有限公司 一种打码装置、制作方法及显示装置

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