JPS5995242A - 含トリフルオロメチルエステル誘導体 - Google Patents
含トリフルオロメチルエステル誘導体Info
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- JPS5995242A JPS5995242A JP20589082A JP20589082A JPS5995242A JP S5995242 A JPS5995242 A JP S5995242A JP 20589082 A JP20589082 A JP 20589082A JP 20589082 A JP20589082 A JP 20589082A JP S5995242 A JPS5995242 A JP S5995242A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
正の誘電異方性を有する新規液晶物質及びそれを含有す
る液晶組成物に関する。
る液晶組成物に関する。
液晶を使用した表示素子は時計、電卓などに広く使用さ
れる様になって米だ。この液晶表示素子は液晶物質の光
学異方性及び＝Ｘ異方性という性質を利用したものであ
るが、液晶相にはネマチック液晶相、スメクチック液晶
相、コレステリック液晶相があり、そのうちネマチック
液晶を利用したものが最も広く実用化されている。即ち
それらにはＴＮ（ねじれネマチッ４）型、ＤＳ型（動的
散乱型）、ゲスト・ホスト型、ＤＡＰ型などがあシ、そ
れぞれに使用される液晶物質に要求される性質は異る。
れる様になって米だ。この液晶表示素子は液晶物質の光
学異方性及び＝Ｘ異方性という性質を利用したものであ
るが、液晶相にはネマチック液晶相、スメクチック液晶
相、コレステリック液晶相があり、そのうちネマチック
液晶を利用したものが最も広く実用化されている。即ち
それらにはＴＮ（ねじれネマチッ４）型、ＤＳ型（動的
散乱型）、ゲスト・ホスト型、ＤＡＰ型などがあシ、そ
れぞれに使用される液晶物質に要求される性質は異る。
しかし、いずれにしても、これら表示系子に使用される
液晶物質は自然界のなるべく広い範囲で液晶相を示すも
のが望ましいが、現在のところ単一物質でその様な条件
をみたす様な物質はなく、数種の液晶物質又は非液晶物
質を混合して一応実用に耐える様な物を得ているのが現
状である。又、これらの物質は水分、光、熱、空気等に
対しても安定でなければならないのは勿論であｐ１更に
表示系子を駆動させるに必要なしきい電圧、飽和電圧が
なるべく低いこと、又応答速度を早くするためには粘度
が出来るだけ低いことが望ましい。ところで液晶温度範
囲を高温の方に広くするためには高融点の液晶物質を成
分として使用する必要があるが、一般に高融点の液晶物
質は粘度が高く、従ってそれを含む液晶組成物も粘度が
高くなるので、高温、例えば８０℃位まで使用出来る様
な液晶表示菓子の応答速度、特に低温でのそれは著るし
くおそくなる傾向にあった。しかるに本発明者らは広い
温度範囲で液晶相を示し、かつ筒い透明点をもちながら
低粘度の液晶物質を見つけ本発明に到った。
液晶物質は自然界のなるべく広い範囲で液晶相を示すも
のが望ましいが、現在のところ単一物質でその様な条件
をみたす様な物質はなく、数種の液晶物質又は非液晶物
質を混合して一応実用に耐える様な物を得ているのが現
状である。又、これらの物質は水分、光、熱、空気等に
対しても安定でなければならないのは勿論であｐ１更に
表示系子を駆動させるに必要なしきい電圧、飽和電圧が
なるべく低いこと、又応答速度を早くするためには粘度
が出来るだけ低いことが望ましい。ところで液晶温度範
囲を高温の方に広くするためには高融点の液晶物質を成
分として使用する必要があるが、一般に高融点の液晶物
質は粘度が高く、従ってそれを含む液晶組成物も粘度が
高くなるので、高温、例えば８０℃位まで使用出来る様
な液晶表示菓子の応答速度、特に低温でのそれは著るし
くおそくなる傾向にあった。しかるに本発明者らは広い
温度範囲で液晶相を示し、かつ筒い透明点をもちながら
低粘度の液晶物質を見つけ本発明に到った。
即ち本発明は一般式
（上式中Ｒは水素又は炭素数１〜１０のアルキル基を示
す） で表わされるトランス−４−アルキル−トラン：ｙ、−
４″−（３−） １）フルオロメチルベンゾイルオキン
）−オクタデカヒドロ−トランス−ｐ−テルフェニル及
びそれを含有する液晶組成物である。
す） で表わされるトランス−４−アルキル−トラン：ｙ、−
４″−（３−） １）フルオロメチルベンゾイルオキン
）−オクタデカヒドロ−トランス−ｐ−テルフェニル及
びそれを含有する液晶組成物である。
本発明の化合物は高い透明点を有し、例えば本発明の化
合物の一つであるトランス−４−プロピル−トランス−
４“−（３−）！Ｊフルオロメチルベンゾイルオキシ）
−オクタデカヒドロ−トランス−ｐ−テルフェニルのＣ
−８点ｕ１１２℃、Ｓ−Ｎ点は２２５℃、Ｎ−Ｉ点は２
３０℃と広い温度範囲で液晶相を示し、これを組成物の
成分として加える事によりその液晶組成物の粘度を高く
せず、透明点を上げることが出来る。
合物の一つであるトランス−４−プロピル−トランス−
４“−（３−）！Ｊフルオロメチルベンゾイルオキシ）
−オクタデカヒドロ−トランス−ｐ−テルフェニルのＣ
−８点ｕ１１２℃、Ｓ−Ｎ点は２２５℃、Ｎ−Ｉ点は２
３０℃と広い温度範囲で液晶相を示し、これを組成物の
成分として加える事によりその液晶組成物の粘度を高く
せず、透明点を上げることが出来る。
又本発明の化合物の誘電異方性値は＋０．５程度である
が、組成物のしきい値電圧、飽和電圧をそれ程変化させ
ない。又水分、熱、光等に対する安定性も良好である。
が、組成物のしきい値電圧、飽和電圧をそれ程変化させ
ない。又水分、熱、光等に対する安定性も良好である。
つぎに本発明の化合物の製造法を示すと、トランス−４
−アルキル−トランス−４″−ヒドロキシ−トランス−
オクタデカヒドロ−ｐ−テルフェニルをピリジン存在下
３−トリフルオロメチル安息香酸クロリドと反応して目
的のトランス−４−アルキル−トランス−４” −（３
−）リフルオロメテルベンゾイルオキン）−オクタデカ
ヒドロ−トランス−ｐ−テルフェニルを製造した。以上
を化学式で示すと、 （Ｒは前記に同じ） 以下、実施例により本発明の化合物の製造法及び使用例
について更に詳細に説明する。
−アルキル−トランス−４″−ヒドロキシ−トランス−
オクタデカヒドロ−ｐ−テルフェニルをピリジン存在下
３−トリフルオロメチル安息香酸クロリドと反応して目
的のトランス−４−アルキル−トランス−４” −（３
−）リフルオロメテルベンゾイルオキン）−オクタデカ
ヒドロ−トランス−ｐ−テルフェニルを製造した。以上
を化学式で示すと、 （Ｒは前記に同じ） 以下、実施例により本発明の化合物の製造法及び使用例
について更に詳細に説明する。
実施例１
〔トランス−４−プロピル−トランス−４“−（３−ト
リフルオσメテルベンゾイルオキン）−オクタデカヒド
ロ−トランス−ｐ−テルフェニルの製造〕 トランス−４−プロピル−トランス−４“−ヒドロキン
−オクタデカヒドロ−トランス−ｐ −テルフェニル１
，５ｔ２ピリジン５０−に溶かした溶液に、３−トリフ
ルオロメチル安息香酸クロリド１２を加え、−晩装置す
る。トルエン２００−を加え、分液漏斗でそのトルエン
層を、まず６Ｎ塩酸で、ついで２Ｎ苛性ソーダ溶液で、
最後に水で中性になるまで洗浄する。それを無水硫酸ナ
トリウムで乾繰後、トルエン層を減圧で留去する。析出
した結晶をアセトンで再結晶すると目的のトランス−４
−プロピル−トランス−４“−（３−トジフルオロメチ
ルペンゾイルオキシ）−オクタデカヒドロ−トランス−
ｐ −テルフェニルを得だ。収量０．７Ｆ、収率２９係
。
リフルオσメテルベンゾイルオキン）−オクタデカヒド
ロ−トランス−ｐ−テルフェニルの製造〕 トランス−４−プロピル−トランス−４“−ヒドロキン
−オクタデカヒドロ−トランス−ｐ −テルフェニル１
，５ｔ２ピリジン５０−に溶かした溶液に、３−トリフ
ルオロメチル安息香酸クロリド１２を加え、−晩装置す
る。トルエン２００−を加え、分液漏斗でそのトルエン
層を、まず６Ｎ塩酸で、ついで２Ｎ苛性ソーダ溶液で、
最後に水で中性になるまで洗浄する。それを無水硫酸ナ
トリウムで乾繰後、トルエン層を減圧で留去する。析出
した結晶をアセトンで再結晶すると目的のトランス−４
−プロピル−トランス−４“−（３−トジフルオロメチ
ルペンゾイルオキシ）−オクタデカヒドロ−トランス−
ｐ −テルフェニルを得だ。収量０．７Ｆ、収率２９係
。
このもののＣ−Ｓ点は１１２℃、Ｓ−Ｎ点は２２５℃、
Ｎ−Ｉ点は２３０℃であった。
Ｎ−Ｉ点は２３０℃であった。
実施例２．３
実施例１に於けるトランス−４−プロピル−トランス−
４″−ヒドロキン−オクタデカヒドロ−トランス−ｐ−
テルフェニルの代りに他のアルギル基を有するトランス
−４−アルキル−トランス−４“−ヒドロキシ−オクタ
デカヒドロ−トランス−ｐ−テルフェニルを使って実施
例１と全く同様にして第１表の実施例２．３に示す化合
物を製造した。それらの物性値を実施例１の結果と共に
第１表に示す。
４″−ヒドロキン−オクタデカヒドロ−トランス−ｐ−
テルフェニルの代りに他のアルギル基を有するトランス
−４−アルキル−トランス−４“−ヒドロキシ−オクタ
デカヒドロ−トランス−ｐ−テルフェニルを使って実施
例１と全く同様にして第１表の実施例２．３に示す化合
物を製造した。それらの物性値を実施例１の結果と共に
第１表に示す。
第１表
実施例４（使用例）
トランス−４−プロピル−（４′−ンアノフェニル）ン
クロヘキサン ２８％ トランス−４−ペンチル−（４′−ンアノフェ・ニル）
ンクロへキチン ４２チ トランス−４−ヘプチル−（４′−ンアノフェニル）ン
クロヘキサン ３０俸 なる組成の液晶組成物のＮ−Ｉ点は５２℃である。この
液晶組成物をセル厚１０μｍのＴＮセル（ねじれネマチ
ックセル）Ｋ封入したものの動作しきい電圧は１，５３
Ｖ 、を０和電圧は２．１２ Ｖであった。又粘度は
２０℃で２３Ｃｐであった。
クロヘキサン ２８％ トランス−４−ペンチル−（４′−ンアノフェ・ニル）
ンクロへキチン ４２チ トランス−４−ヘプチル−（４′−ンアノフェニル）ン
クロヘキサン ３０俸 なる組成の液晶組成物のＮ−Ｉ点は５２℃である。この
液晶組成物をセル厚１０μｍのＴＮセル（ねじれネマチ
ックセル）Ｋ封入したものの動作しきい電圧は１，５３
Ｖ 、を０和電圧は２．１２ Ｖであった。又粘度は
２０℃で２３Ｃｐであった。
この液晶組成物９７部に実施例１で製造したトランス−
４−プロピル−トランス−４“−（３−トリフルオロメ
チルベンゾイルオキン）−オクタデカヒドロ−トランス
−ｐ−テルフェニル３部を加えた液晶組成物のＮ−Ｉ点
は５６℃に上り、これを前記と同様のＴＮセルにしたと
きのしきい値電圧は１．６０ Ｖ、飽和電圧は２．３０
■であった。又粘度は２０℃で２８Ｃｐであった。
４−プロピル−トランス−４“−（３−トリフルオロメ
チルベンゾイルオキン）−オクタデカヒドロ−トランス
−ｐ−テルフェニル３部を加えた液晶組成物のＮ−Ｉ点
は５６℃に上り、これを前記と同様のＴＮセルにしたと
きのしきい値電圧は１．６０ Ｖ、飽和電圧は２．３０
■であった。又粘度は２０℃で２８Ｃｐであった。
２５３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１一般式 （上式中１１は水素又は炭素数１〜１０のアルキル基を
示す） で表わされるトランス−４−アルキル−トランス−４”
−（３−）リフルオロメチルベンゾイルオキシ）−オク
タデカヒドロ−トランス−ｐ−テルフェニル。 （２）一般式 〔上式中Ｒは水素又は炭素数１〜１０のアルギル基を示
す〕 で表わされるトランス−４−アルキル−トランス−４“
−（３−トリフルオロメチルベンゾイルオキン）−オク
タデカヒドロ−トランス−ｐ−テルフェニルを少くとも
一種含有することを特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20589082A JPS5995242A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 含トリフルオロメチルエステル誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20589082A JPS5995242A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 含トリフルオロメチルエステル誘導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5995242A true JPS5995242A (ja) | 1984-06-01 |
Family
ID=16514423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20589082A Pending JPS5995242A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 含トリフルオロメチルエステル誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5995242A (ja) |
-
1982
- 1982-11-24 JP JP20589082A patent/JPS5995242A/ja active Pending
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