JPS5996729A - ホトマスク等の位置精度測定方法 - Google Patents
ホトマスク等の位置精度測定方法Info
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- JPS5996729A JPS5996729A JP57206161A JP20616182A JPS5996729A JP S5996729 A JPS5996729 A JP S5996729A JP 57206161 A JP57206161 A JP 57206161A JP 20616182 A JP20616182 A JP 20616182A JP S5996729 A JPS5996729 A JP S5996729A
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- JP
- Japan
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- pellet
- photomask
- patterns
- pattern
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はホトマスクまたはウエノ・等の位置精度測定方
法、特に、マスクまたはウエノ・内のペレットパターン
等の位置精度の測定を容易に行なうことのできるホトマ
スク等の位置精度測定方法に関する。
法、特に、マスクまたはウエノ・内のペレットパターン
等の位置精度の測定を容易に行なうことのできるホトマ
スク等の位置精度測定方法に関する。
一般に、ステップアンドリピータ−、ウエノｈ用ステン
バー、電子線露光装置等で露光されるホトマスク（また
はウエノ・）内におけるペレットの位置精度すなわちペ
レット相互間の位置すれとしては、第１図（ａ’ｌ〜（
ｃ）に示すように、たとえば同図（ａ）におけるホトマ
スク１内のペレット２の長寸法のずれΔＸ、Δｙ、同図
（ｂ）におけるペレット２０回転ずれ△Ｒ１同図（ｃ）
におけるペレット２のピッチずれ△Ｘ、Δｙが挙げられ
る。
バー、電子線露光装置等で露光されるホトマスク（また
はウエノ・）内におけるペレットの位置精度すなわちペ
レット相互間の位置すれとしては、第１図（ａ’ｌ〜（
ｃ）に示すように、たとえば同図（ａ）におけるホトマ
スク１内のペレット２の長寸法のずれΔＸ、Δｙ、同図
（ｂ）におけるペレット２０回転ずれ△Ｒ１同図（ｃ）
におけるペレット２のピッチずれ△Ｘ、Δｙが挙げられ
る。
このような位置精度を測定するため、従来、第２図に示
すように、標準マスク１ａを設定し、そめ標準マスク１
ａを基準として被検査マスク１ｂを目視で比較検査して
いる。第２図において、符号３は光源、４．５はミラー
％ ６，７はレンズである。
すように、標準マスク１ａを設定し、そめ標準マスク１
ａを基準として被検査マスク１ｂを目視で比較検査して
いる。第２図において、符号３は光源、４．５はミラー
％ ６，７はレンズである。
しかしながら、前記従来技術では、マスク精度のばらつ
きが大きいとき、マスク作成期間が短かいときのように
、標準マスクの設定が困難な場合には、マスクどうしの
比較検査を行なうことができないので、ペレットの位置
精度の測定は不可能となってしまう。
きが大きいとき、マスク作成期間が短かいときのように
、標準マスクの設定が困難な場合には、マスクどうしの
比較検査を行なうことができないので、ペレットの位置
精度の測定は不可能となってしまう。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を解消し、標準マ
スクの設定を行なうことなく、ホトマスクまたはウェハ
内のペレットの位置精度を正確に測定することのできる
ホトマスク等の位置精度測定方法を提供することにある
。
スクの設定を行なうことなく、ホトマスクまたはウェハ
内のペレットの位置精度を正確に測定することのできる
ホトマスク等の位置精度測定方法を提供することにある
。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって詳細に説
明する。
明する。
第３図は本発明によるホトマスク等の位置精度測定方法
の一実施例を示すレチクルの斜視図、第４図はその縮小
投影露光によるステップアンドリピート後のホトマスク
の拡大部分斜視図である。
の一実施例を示すレチクルの斜視図、第４図はその縮小
投影露光によるステップアンドリピート後のホトマスク
の拡大部分斜視図である。
この実施例では、レチクル（マスク原版）１０において
デバイスパターンを形成するペレット１１の外側のスク
ライプの中心１２（破線で示す）の上には、ペレット１
１の位置ずれ測定用の矩形ノ（ターン、たとえばＸ方向
に長い矩形パターンａ。
デバイスパターンを形成するペレット１１の外側のスク
ライプの中心１２（破線で示す）の上には、ペレット１
１の位置ずれ測定用の矩形ノ（ターン、たとえばＸ方向
に長い矩形パターンａ。
ａ′およびＹ方向に長い矩形パターンｂ 、 ｂ’が設
けられている。これらの矩形パターンのサイズは、矩形
パターンａ ｌ ａ’はＹ方向の長さが、またす。
けられている。これらの矩形パターンのサイズは、矩形
パターンａ ｌ ａ’はＹ方向の長さが、またす。
ｂ′はＸ方向の長さが同一でなければならない。
これらの位置ずれ測定用の矩形パターンａ ｌ ＆’。
ｂ 、 ｂ’はリピート露光後、第５図および第６図に
拡大して示すように、スクライプの中心１２上で重なり
合う部分Ａ、Ｂと、重なり合わない部分Ｃ９Ｄ、Ｅ、Ｆ
とが存在するようレチクル上に配置されている。第５図
および第６図は第３図および第４図に示すホトマスクの
スクライプの中心１２上に形成された矩形パターンａ
、 ａ’およびｂ 、 ｂ’がリピート後にスクライプ
上で一部分重なシ合ったパターンｅ、ｆを拡大したもの
である。第４図において、符号１３はレチクル１０を用
いて作成したホトマスク、１４は該ホトマスク１３上の
ペレットパターンである。また、第５図と第６図で、ｗ
ｌは矩形パターンａまたはａ′の巾、ｗ２はａとａ′と
の重なった部分（斜線部）の寸法、Ｗ３は矩形パターン
ｂまたはｂ′の巾、ｗ４はｂとｂ′との重なった部分１
１線部）の寸法である。
拡大して示すように、スクライプの中心１２上で重なり
合う部分Ａ、Ｂと、重なり合わない部分Ｃ９Ｄ、Ｅ、Ｆ
とが存在するようレチクル上に配置されている。第５図
および第６図は第３図および第４図に示すホトマスクの
スクライプの中心１２上に形成された矩形パターンａ
、 ａ’およびｂ 、 ｂ’がリピート後にスクライプ
上で一部分重なシ合ったパターンｅ、ｆを拡大したもの
である。第４図において、符号１３はレチクル１０を用
いて作成したホトマスク、１４は該ホトマスク１３上の
ペレットパターンである。また、第５図と第６図で、ｗ
ｌは矩形パターンａまたはａ′の巾、ｗ２はａとａ′と
の重なった部分（斜線部）の寸法、Ｗ３は矩形パターン
ｂまたはｂ′の巾、ｗ４はｂとｂ′との重なった部分１
１線部）の寸法である。
本実施例において、ペレット回転精度ΔＲの測定を行な
う場合、第５図の巾Ｗ、とＷ２とを寸法測定し、その差
を２で割ることによって次式（１）の如くにして求める
ことができる。
う場合、第５図の巾Ｗ、とＷ２とを寸法測定し、その差
を２で割ることによって次式（１）の如くにして求める
ことができる。
また、Ｘ方向の長寸法精度△Ｌｘの測定は次式（２）の
ように、第６図の巾Ｗ、とＷ４を寸法測定し、その差を
２で割ることによって求めることができる。
ように、第６図の巾Ｗ、とＷ４を寸法測定し、その差を
２で割ることによって求めることができる。
さらに、本実施例においては、Ｘ方向のピッチ精度の測
定等も簡単かつ正確に行なうことができる。又、ペレッ
トの上下にも本ノ（ターンが入る様にすれば、Ｘ方向の
測定も可能である。
定等も簡単かつ正確に行なうことができる。又、ペレッ
トの上下にも本ノ（ターンが入る様にすれば、Ｘ方向の
測定も可能である。
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、
たとえばステップアンドリピート方式で露光して作られ
るマスクおよびウエノ・等のペレット回転精度、長寸法
精度、ピッチ精度等の寸法検査に適用できる。
たとえばステップアンドリピート方式で露光して作られ
るマスクおよびウエノ・等のペレット回転精度、長寸法
精度、ピッチ精度等の寸法検査に適用できる。
以上説明したように、本発明によれば、ホトマスクまた
はウエノ・等のペレット回転精度、長寸法精度、ピッチ
精度等を簡単かつ正確に測定できる。
はウエノ・等のペレット回転精度、長寸法精度、ピッチ
精度等を簡単かつ正確に測定できる。
第１図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）はマスク内にお
けるペレットの位置ずれを示す部分的説明図、 第２図は従来の位置ずれ検査方法を示す説明図、第３図
は本発明によるホトマスク等の位置精度測定方法の一実
施例を示す斜視図、 第４図はリピート後のマスクの一部の拡大部分斜視図、 第５図と第６図は位置ずれ測定用の矩形ノくターンの拡
大図である。 １０・・・レチクル、１１・・・ペレット、１２゛°゛
スクライプの中心、１３・・・ホトマスク、１４・・・
ホトマスク上のペレットパターン、ａ ＋ ａＺ ｂ’
ｌ ｂ／・パ位置ずれ測定用の矩形パターン。 第 １ 図 （′−ン （ｂ〕
（Ｃ）第２図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ □照 ？ 第 ６ 図 ノ
けるペレットの位置ずれを示す部分的説明図、 第２図は従来の位置ずれ検査方法を示す説明図、第３図
は本発明によるホトマスク等の位置精度測定方法の一実
施例を示す斜視図、 第４図はリピート後のマスクの一部の拡大部分斜視図、 第５図と第６図は位置ずれ測定用の矩形ノくターンの拡
大図である。 １０・・・レチクル、１１・・・ペレット、１２゛°゛
スクライプの中心、１３・・・ホトマスク、１４・・・
ホトマスク上のペレットパターン、ａ ＋ ａＺ ｂ’
ｌ ｂ／・パ位置ずれ測定用の矩形パターン。 第 １ 図 （′−ン （ｂ〕
（Ｃ）第２図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ □照 ？ 第 ６ 図 ノ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、デバイスパターンを形成するペレットの外側のスク
ライプの中心に、リピート露光時に相互に重なるよう位
置ずれ測定用のパターンを配置し。 このパターンを用いてホトマスクまたはウェア１等。 の位置精度測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57206161A JPS5996729A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | ホトマスク等の位置精度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57206161A JPS5996729A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | ホトマスク等の位置精度測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5996729A true JPS5996729A (ja) | 1984-06-04 |
Family
ID=16518807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57206161A Pending JPS5996729A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | ホトマスク等の位置精度測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5996729A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63281439A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Fujitsu Ltd | 焼き付けずれチェック方法 |
| JPH0339864U (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-17 | ||
| US5252414A (en) * | 1990-08-20 | 1993-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Evaluation method of resist coating |
-
1982
- 1982-11-26 JP JP57206161A patent/JPS5996729A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63281439A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Fujitsu Ltd | 焼き付けずれチェック方法 |
| JPH0339864U (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-17 | ||
| US5252414A (en) * | 1990-08-20 | 1993-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Evaluation method of resist coating |
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