JPS6344220B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6344220B2 JPS6344220B2 JP57217177A JP21717782A JPS6344220B2 JP S6344220 B2 JPS6344220 B2 JP S6344220B2 JP 57217177 A JP57217177 A JP 57217177A JP 21717782 A JP21717782 A JP 21717782A JP S6344220 B2 JPS6344220 B2 JP S6344220B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- monitor
- electron beam
- photomask
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、フオトマスクにパターンを形成す
る電子ビーム露光方法に係り、特に電子ビーム露
光におけるパターン精度の確認方法に関するもの
である。
る電子ビーム露光方法に係り、特に電子ビーム露
光におけるパターン精度の確認方法に関するもの
である。
集積回路などの半導体装置を製造する場合、一
般にフオトリソグラフイ技術によりパターン形成
が行なわれる。
般にフオトリソグラフイ技術によりパターン形成
が行なわれる。
近年この種の装置の集積度が高くなる一方、パ
ターン精度、重ね合せ精度等、増々フオトマスク
の品質精度が向上し、製造工程も煩雑化してい
る。このため、微細加工が容易で高精度、高速マ
スクメーキングが可能な電子ビーム露光装置によ
り作成されはじめている。電子ビーム露光装置
（EB露光装置）は、EBデーターに従い所定のス
キヤン幅で各チツプを連続的に露光することによ
り、フオトマスクを作成している。
ターン精度、重ね合せ精度等、増々フオトマスク
の品質精度が向上し、製造工程も煩雑化してい
る。このため、微細加工が容易で高精度、高速マ
スクメーキングが可能な電子ビーム露光装置によ
り作成されはじめている。電子ビーム露光装置
（EB露光装置）は、EBデーターに従い所定のス
キヤン幅で各チツプを連続的に露光することによ
り、フオトマスクを作成している。
以下、従来のフオトマスクの製造および検査方
法について説明する。第１図にその一例を示す。
ラスタースキヤンタイプのEB露光装置は図に示
すように所定のスキヤン幅で、ラスター３をスキ
ヤンしつつ、フオトマスク１全面を露光しパター
ン２を形成している。従つて、１チツプのデータ
ーは、何ストライプにも分割され露光されるの
で、必ずチツプ内は、ストライプの継ぎ部分が問
題となつてくる。また従来の光方法によるフオト
マスク作成方法とは異り、毎回EBデーターに従
い作成するのでパターンの保障が問題となつてい
る。このような方法でフオトマスクを作成してい
るため、パターンの継ぎ部の検査は毎回不可欠で
あり、全ストライプについてそれが保障さえなけ
ればならなかつた。さらに、従来の方法ではスキ
ヤン幅を正確に測る方法がなく、測定が不可能で
あつた。
法について説明する。第１図にその一例を示す。
ラスタースキヤンタイプのEB露光装置は図に示
すように所定のスキヤン幅で、ラスター３をスキ
ヤンしつつ、フオトマスク１全面を露光しパター
ン２を形成している。従つて、１チツプのデータ
ーは、何ストライプにも分割され露光されるの
で、必ずチツプ内は、ストライプの継ぎ部分が問
題となつてくる。また従来の光方法によるフオト
マスク作成方法とは異り、毎回EBデーターに従
い作成するのでパターンの保障が問題となつてい
る。このような方法でフオトマスクを作成してい
るため、パターンの継ぎ部の検査は毎回不可欠で
あり、全ストライプについてそれが保障さえなけ
ればならなかつた。さらに、従来の方法ではスキ
ヤン幅を正確に測る方法がなく、測定が不可能で
あつた。
以上のように従来のフオトマスク作成方法で
は、正確な継ぎ部分の測定および、スキヤン幅の
測定が各マスクについて行なうことができず、精
度のよいフオトマスクを作成することができない
という欠点があつた。
は、正確な継ぎ部分の測定および、スキヤン幅の
測定が各マスクについて行なうことができず、精
度のよいフオトマスクを作成することができない
という欠点があつた。
この発明は以上のような欠点を除去するために
なされたもので、正規パターン以外の正規配列外
にモニターパターンを配列させ、特にこのモニタ
ーパターンを正規パターンの露光の前後に描画す
ることによつて、電子ビーム露光の精度の確認検
査をおこなうことができるフオトマスクを形成す
るための電子ビーム露光方法を提供することを目
的としている。
なされたもので、正規パターン以外の正規配列外
にモニターパターンを配列させ、特にこのモニタ
ーパターンを正規パターンの露光の前後に描画す
ることによつて、電子ビーム露光の精度の確認検
査をおこなうことができるフオトマスクを形成す
るための電子ビーム露光方法を提供することを目
的としている。
以下実施例について説明する。第２図はこの発
明によるフオトマスク作成方法の一実施例を示す
図である。まず、EBデーターに従いモニターパ
ターン４−１，４−２，４−３，４−４を描画す
るが、各モニターパターン４−１，４−２，４−
３，４−４は第２図右下に示すように４つ４Ａ，
４A′，４Ｂ，４B′に分割されて構成されており、
マスク１の４角に設けられている。
明によるフオトマスク作成方法の一実施例を示す
図である。まず、EBデーターに従いモニターパ
ターン４−１，４−２，４−３，４−４を描画す
るが、各モニターパターン４−１，４−２，４−
３，４−４は第２図右下に示すように４つ４Ａ，
４A′，４Ｂ，４B′に分割されて構成されており、
マスク１の４角に設けられている。
まず、マスク１の左下のモニターパターン４−
１の左下部分４Ａをスキヤン幅５で露光し、同様
に順次右下のモニターパターン４−２の左下部分
４Ａ、右上のモニターパターン４−３の左下部分
４Ａ、左上のモニターパターン４−４の左下部４
Ａと露光する。次いでマスク１の左下のモニター
パターン４−１の左上部分４A′を、上記と同じ
スキヤン幅で露光する。スキヤン幅は上記と同じ
幅であるが露光させる部分は図示しているように
下端の４分の１の幅の部分だけである。同様に右
下、右上、左上のモニターパターン４−２，４−
３，４−４の左上部分４A′をスキヤニングして
露光する。
１の左下部分４Ａをスキヤン幅５で露光し、同様
に順次右下のモニターパターン４−２の左下部分
４Ａ、右上のモニターパターン４−３の左下部分
４Ａ、左上のモニターパターン４−４の左下部４
Ａと露光する。次いでマスク１の左下のモニター
パターン４−１の左上部分４A′を、上記と同じ
スキヤン幅で露光する。スキヤン幅は上記と同じ
幅であるが露光させる部分は図示しているように
下端の４分の１の幅の部分だけである。同様に右
下、右上、左上のモニターパターン４−２，４−
３，４−４の左上部分４A′をスキヤニングして
露光する。
このようにして４個所のモニターパターン４−
１，４−２，４−３，４−４の各左側部分の露光
が完了後、本パターン２をマスク１全面に渡り順
次露光していく。EBデータに従つて本パターン
２を全部露光完了後再びモニターパターン４−
１，４−２，４−３，４−４を露光する。
１，４−２，４−３，４−４の各左側部分の露光
が完了後、本パターン２をマスク１全面に渡り順
次露光していく。EBデータに従つて本パターン
２を全部露光完了後再びモニターパターン４−
１，４−２，４−３，４−４を露光する。
つまり、４個所の内の左下のモニターパターン
４−１における右下部分４Ｂをスキヤンして露光
し、右下４−２、右上４−３、左上４−４と同じ
部分を順次スキヤンして露光する。最後にモニタ
ーパターンの右上部分４B′を、４つのモニター
パターンの内の左下４−１から順次右下４−２、
右上４−３、左上４−４と露光する。
４−１における右下部分４Ｂをスキヤンして露光
し、右下４−２、右上４−３、左上４−４と同じ
部分を順次スキヤンして露光する。最後にモニタ
ーパターンの右上部分４B′を、４つのモニター
パターンの内の左下４−１から順次右下４−２、
右上４−３、左上４−４と露光する。
このような方法をとれば、ストライプの継ぎ部
を必ずチエツクすることができ、また、ストライ
プ内のおよび、ストライプ界面の精度のチエツク
が可能である。モニターパターン４−１，４−
２，４−３，４−４は露光の最初と最後に露光さ
れるので４Ａ，４A′，４Ｂ，４B′の位置ずれか
らマスクパターンの長時間ドリフト量が解る。
を必ずチエツクすることができ、また、ストライ
プ内のおよび、ストライプ界面の精度のチエツク
が可能である。モニターパターン４−１，４−
２，４−３，４−４は露光の最初と最後に露光さ
れるので４Ａ，４A′，４Ｂ，４B′の位置ずれか
らマスクパターンの長時間ドリフト量が解る。
なお、上記実施例では、モニターパターンをマ
スク内の４個所に配置したが、これ以外の配置で
もよく、同様の効果を奏する。
スク内の４個所に配置したが、これ以外の配置で
もよく、同様の効果を奏する。
また、モニターパターンは４Ａ，４A′，４Ｂ，
４B′の２分割、２ストライプによる方法につい
て述べたが、これ以外でもよく同様の効果を奏す
る。さらにモニターパターン内のパターン形状に
ついて図に示すようなパターンについて述べた
が、これ以外でもよく同様の効果を奏する。
４B′の２分割、２ストライプによる方法につい
て述べたが、これ以外でもよく同様の効果を奏す
る。さらにモニターパターン内のパターン形状に
ついて図に示すようなパターンについて述べた
が、これ以外でもよく同様の効果を奏する。
本発明によれば、EB露光装置により作成され
た電子ビーム露光の精度を正確に定量的に把握で
きるため高製度なフオトマスクの作成が容易とな
つた。特に、EB露光装置で問題となるマスクパ
ターンの長時間ドリフト量をモニターパターンの
位置ずれをチエツクすることにより、正確に把握
でき、装置の精度をチエツクする上で非常に有効
な手段である。モニターパターンを実際に作図露
光するのに要する時間は極めて短く、本パターン
を作図露光するのに何ら支障を期たさない。
た電子ビーム露光の精度を正確に定量的に把握で
きるため高製度なフオトマスクの作成が容易とな
つた。特に、EB露光装置で問題となるマスクパ
ターンの長時間ドリフト量をモニターパターンの
位置ずれをチエツクすることにより、正確に把握
でき、装置の精度をチエツクする上で非常に有効
な手段である。モニターパターンを実際に作図露
光するのに要する時間は極めて短く、本パターン
を作図露光するのに何ら支障を期たさない。
第１図は従来のEB露光装置によるEBフオトマ
スクの作成方法およびフオトマスクを示す説明
図、第２図は本発明によるEB露光装置の描画方
法および、フオトマスクを示す説明図である。 図において１はフオトマスク、２は正規パター
ン、３はラスター、４−１，４−２，４−３，４
−４はモニターパターン、４Ａ，４A′，４Ｂ，
４B′はモニターパターン内のチエツクパターン、
５はストライプである。なお図中同一符号は、同
一または相当部分を示す。
スクの作成方法およびフオトマスクを示す説明
図、第２図は本発明によるEB露光装置の描画方
法および、フオトマスクを示す説明図である。 図において１はフオトマスク、２は正規パター
ン、３はラスター、４−１，４−２，４−３，４
−４はモニターパターン、４Ａ，４A′，４Ｂ，
４B′はモニターパターン内のチエツクパターン、
５はストライプである。なお図中同一符号は、同
一または相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 電子ビーム露光の精度を確認するためのモニ
タパターンを、正規パターン以外に露光形成する
電子ビーム露光法において、電子ビームを所定ス
トライプ数スキヤンニングして正規パターンを形
成する際、その正規パターンを形成するストライ
プのスキヤンニングにおける、正規パターンを形
成する前後に、モニタパターンを形成するための
スキヤンニングを行つて２つのモニタパターンを
形成し、かつこの２つのモニタパターンは隣接ま
たは近傍に位置して形成されるようにして成る電
子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57217177A JPS59105647A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 電子ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57217177A JPS59105647A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 電子ビーム露光方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63082326A Division JPS63288018A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 電子ビーム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59105647A JPS59105647A (ja) | 1984-06-19 |
| JPS6344220B2 true JPS6344220B2 (ja) | 1988-09-02 |
Family
ID=16700065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57217177A Granted JPS59105647A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 電子ビーム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59105647A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124129A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-18 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
| JPS63288018A (ja) * | 1988-04-05 | 1988-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム露光方法 |
| US5296917A (en) * | 1992-01-21 | 1994-03-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of monitoring accuracy with which patterns are written |
| JP2011034120A (ja) * | 2010-11-17 | 2011-02-17 | Renesas Electronics Corp | フォトマスクペア |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5846054B2 (ja) * | 1977-02-03 | 1983-10-14 | 三菱電機株式会社 | フオトマスク |
| JPS5819551Y2 (ja) * | 1978-10-04 | 1983-04-22 | 富士通株式会社 | フオトマスク |
-
1982
- 1982-12-09 JP JP57217177A patent/JPS59105647A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59105647A (ja) | 1984-06-19 |
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