JPS599729A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は入力される命令によって内部動作を制御する
コントロール部と、これによって制御され互いに独立に
動作する戸数の機部ブロックとが集積された半導体装置
に関するものである。

第１図はこの種の半導体装置の従来例の構成を示すブロ
ック図で、（ユａ）はこの従来例であるプロセッサ、（
２）は電源パッドおよび電源ライン、（３）はこのプロ
セッサ（１ａ）へ外部から命令を入力する命苗バス、（
４）はこの加令を抑１読するｊコーダ、（５）はテコー
ダ（４）によって解読されたｆｌに応じてそれぞれ後述
の機能ブロックへ制御信号を送出するコントロール部、
（６）は互いに独立に動作する機能ブロックである。

次に動作について説明する。プロセッサ（ｌａ）は１１
．味バッドおよび霜、源フィン（２）に知１力の供給こ
・受け、所定のりセラｌ−侶号を受け、クロック（Ｌ号
が入力した状態で、（ｐ　４バス（３１から命令か入力
される。この命令はテコーダ（４ＶＣ九ｌ　ｌＳ＋＋１
゛、もれ、′ξの内容にＩ＋ｌ’、、にてコントロール
部（５）から’＆機能ブロック（６）に所咬の制御Ｇｊ
号が送出されてノ′ローじツザとし、°（の機能が発揮
される。

ところか、従米のグロセツーｖ番ｊ：　、以上のように
、１ん成されでいるので、独立に動作する多数の機能ブ
ロックの中には、不使用にもかかわらす゛心力を消費す
る機能ブロックがあるので、集積回路化されたプロセッ
サの発熱消費電力の増大、集イも回路自身の信頼性低下
を招く欠点があった。

この発明は、上ｉ「１のような従来のものの欠点を除去
ずＺ）ためになされたものて、プロセッサがすし理する
６６令に、互いに独立に動作する楊・能ブロックをブロ
ック単位に供給電力を；ｄ：／・オフする命令を追加す
ることにより、集軸回路の発熱、及び消費電力を最小限
にする機能をもたせ、消費重力の低下により一鳩１６和
住の商い牛橢体装Ｗ４゛を１；コ供することを目的とし
ている０ 第２図はこの発明σノー実ｈ＋１８例の構成を示すブｊ
−１ツク図°ＣＳ第１図の１メ「米例と同等部分は同一
符号で示し、その説明忙省４する。図において、（ｌｂ
）はこの実施例のプロセラと１、ｌ’／ｌ　４Ｊプロセ
ツサの　−電源ノ・ｆノ（２）とる９能ブロック（６１
θ）　１４１リネライン（８）どの接続を２１−ノ・オ
フできるノシソー　・カット・ブロックでりる。第３図
はパワー・カット・ブロック（７）の−具体例を示すブ
ロック回路図で、（９）は当該パワー・カット・フ゛１
コック（７）Ｑこおけるノくソーのオン・オフ状態を記
憶保持する・（ソー・ステータス・ラッチ、（１１１１
は電源投入時に〕くソー・ステータス・ラッチ（９）を
所定の初期状態にリセットするパワー・ステー　ト・リ
セット信号、（１１）はパワー・ステータス・ラッチ（
９）の状態を変更するために、第２図のコントロール部
（５）から出力されろパワー・ステート・チ゛Ｌンジ信
号、（１？）は昇圧回路、（１３）はエンノ・ンスメン
ト形ＭＯ８構造のパワー奉カット・トランジスタである
。

プロセッサ（１ｂ）においては、電源バット及び電１厚
ライン（２）に電力を人力１７、各々のプロセッサ（１
ｂ）に所定のリセット信号、クロック信号を入力ずろと
、各機能ブロック（６１毎σ〕ハｒ７−・カット・ブロ
ック（７）は、パワー・ステート・リセット信号（１０
）によってパワー・ステート・ラッチ（９）を特定状態
に設定する。上記特定状態の内容が、パワー・カット・
トランジスタ（１３）を導通状態に設定する場合には、
昇圧回路（１２）は、電源ライン（２）の乳用にトラン
ジスタ（：３）のしきい値電圧をｉｎ　！、　した電圧
以上に昇圧した信号をトランジスタ（１３）のゲートに
入力し、電源ライン（２；と（８）との′…圧を等しく
する０〔但し、電源ライン＋２１　、　（８＋の間を流
れる霜、流による′電圧降下分を無視できるほどトラン
ジスタ（１３）のオン抵抗を小さく設計した場合〕。ま
た上記特定状態の内容が、トランジスタ（１３）を非導
通状態に設定する鳴合には、昇圧回路（１２）は、トラ
ンジスタ０３）のしきい値α、圧より以］の電圧の信号
をトランジスタ（１３）のゲートに入力し、電源ライン
（２１、（８１間を弁溝・「エロ、−才る。次に、命令
バス（３）から入力した命令をテコーダ（４）で解読し
、その内容がある機能ブロック（６）におけるパワーの
オン・オフを変更する命令の場合１．内部コントロール
部（５）からパワー書ステート・チェンジ信号（１１）
をハソー・ステータス・ラッチ（９）へ出力し、上記と
同様の動作で、指定された機能ブロック（６）のハソー
をオンまたはメツにする。

また、上記実施例では、パワーカット・ブロック（７）
の中に昇圧回路（１２）を使用する場合について説明し
たが、昇圧回路を用いずにｒ９ｒ要の制御筆圧が得られ
るならば、これを設けなくてもよい。上記実施例では、
命令を外部より入力するとしているが、プロセッサを構
成している集積回路上に命令を記憶しているワンチップ
マイコンにおいても上記実施例と同様の効果を奏する。

捷だ、上記実施例では、スイッチ素子としてエンハンス
メント形ＭＯＳトランジスタを用いたが、バイポーラ形
等の他のスイッチ累２ｆを用いても同様の効果か得られ
る。

以上のように、この鈍明Ｇ、ｍ　Ｊ、れＱ２１、半４体
４・２置において、互いに独立に動作Ｖる軸数の機能プ
ローツクのパワーをオン・オフできる・命令を設け、こ
　　゛の命令が与えられるとＱｉＱの後止ノ゛ロックへ
の供給型カンオン・オフするように溝成し、だので、消
費′重力、デツプ黄熱を九小１瓜に押え、信頼性を高く
できる。

【図面の簡単な説明】

釦、１図はこの（・：ぜの半ｄ５一体＋、Ｗ１のＶ来例
の構成を示１フロック図、ｈ２図はこの発す」〕の−実
加・例の−ＭＧ　Ｉｉ；−を示すブｒ１ツク図、第Ｓｌ
ｊは±のパワー・カット・ソロツクの一具体例苓示ずフ
ロック回路図゛【ｒある。 図におい−（、（１′ｌ））はフローセソヅ（乎・Ｊｌ
ｌ一本涛演（）、（２）は山林ハツトおよび霜源ライン
、（３）は命令バス、（ｉ）＆；Ｌデコーダ、（５）は
コントロール部、（６）は機能ブロック、（７）はパワ
ー・カット・ブロック（スイッチ回１′各）である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す０ 代＋！１！入　　　葛　野　イヨ　−（外１名）第７３
図 手続補正１Ｍ、（自発） １、・１１件の表示　　゛　特願昭５’／−１１９３６
５号２、発明の名称　　　半導体装置 、′３　ン山市を４°る台 事件との関係　　　持許出１９（ｉ人 任　所　　　　　東Ｓ：〔都ｒ−ｒ（１１１区丸０内’
、　Ｉ　ｌ　１２ｚ３＞；名　称（６０１）　　　ユ菱
電機株式会社代表り片１］１仁八部 へ１　　　代　　１１１１　　　人 任　所　　　　　東京都丁’ｆｕｌｌ１区丸の内：　ｒ
＋　１２爵３シ）５補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）入力される命令に応じて内部動作を制御するコン
   トロール部と、このコントロール部によって制御され互
   いに独立に動作する複数個の轡能ブロックとが！！積さ
   れた半導体装置において、上記命令群の中に上記複数個
   の機能ブロックの中の所定の機能ブロックへの電力供給
   をオン・オフする命令を設けるとともに当該命令に応じ
   て上記所定の機能プロ“ツクへの電力供給をオン・オフ
   するスイッチ回路を備えたことを特徴とする半導体装置
   。