JPS5998548A - プラスチツクパツケ−ジ半導体装置 - Google Patents
プラスチツクパツケ−ジ半導体装置Info
- Publication number
- JPS5998548A JPS5998548A JP57206999A JP20699982A JPS5998548A JP S5998548 A JPS5998548 A JP S5998548A JP 57206999 A JP57206999 A JP 57206999A JP 20699982 A JP20699982 A JP 20699982A JP S5998548 A JPS5998548 A JP S5998548A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- aluminum
- lead frame
- plastic package
- silver
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/456—Materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は改良された半導体装置用プラスチックパッケー
ジのリードフレームの材質に関するものである。
ジのリードフレームの材質に関するものである。
種々の半導体装置用パッケージの中でプラスチックパッ
ケージはその量産性の良さや低価格のため広く使用され
ている。
ケージはその量産性の良さや低価格のため広く使用され
ている。
従来のプラスチックパッケージにおけるリードフレーム
は例えば、４２合金、鉄等の全域薄板を写真蝕刻法ある
いはプＶス加工により外枠、半導体素子を固着する素子
塔載部外部リード、タイバー等が一体的に形成されてい
る。
は例えば、４２合金、鉄等の全域薄板を写真蝕刻法ある
いはプＶス加工により外枠、半導体素子を固着する素子
塔載部外部リード、タイバー等が一体的に形成されてい
る。
このリードフレームは金や銀メッキが施こされ、半導体
素子のリードフレームへの固着性の向上、低熱抵抗化及
びリードフレーム材の高温時における酸化防止等が計ら
れている。特に金は高価な為実際に金メッキが施こされ
ることは希であるが、銀も高価な材料であシ、最近は、
半導体素子塔載部及び、外部リードのホンディングワイ
ヤーが接着される部分等必要な部分に限定して銀メッキ
が施こされているが、金や銀をメッキしたリードフレー
ムは高価であシ牛導体装置の原価を押上げる要因の一つ
である。また、銀は空気中の硫黄分と反応し易く、硫化
銀とな）、ボンディング性の低下等の問題を有している
。
素子のリードフレームへの固着性の向上、低熱抵抗化及
びリードフレーム材の高温時における酸化防止等が計ら
れている。特に金は高価な為実際に金メッキが施こされ
ることは希であるが、銀も高価な材料であシ、最近は、
半導体素子塔載部及び、外部リードのホンディングワイ
ヤーが接着される部分等必要な部分に限定して銀メッキ
が施こされているが、金や銀をメッキしたリードフレー
ムは高価であシ牛導体装置の原価を押上げる要因の一つ
である。また、銀は空気中の硫黄分と反応し易く、硫化
銀とな）、ボンディング性の低下等の問題を有している
。
本発明は、これらの問題を解決する材料としてアルミニ
ウムを使用したリードフレームを提供するものである。
ウムを使用したリードフレームを提供するものである。
即ち、アルミニウムの融点は６５８．８℃と十分に高く
半導体装置の組立工程の熱処理に充分に耐え、また酸化
し難い材料である。更に熱伝導率は２．３８Ｊ／ｃｍ−
ｓｅｃ 、ｄｅｇ、比抵抗は２．７５ Ｘ １０−’Ω
ｃｍ で、鉄の０．４８Ｊ／ｃｍ−ｓｅｅ、ｄｅｇ、
９Ｂ Ｘ １０−ｓΩｃｍ尋よシはるかに勝れてお
シ、金や銀のメッキを施こす必要がない。
半導体装置の組立工程の熱処理に充分に耐え、また酸化
し難い材料である。更に熱伝導率は２．３８Ｊ／ｃｍ−
ｓｅｃ 、ｄｅｇ、比抵抗は２．７５ Ｘ １０−’Ω
ｃｍ で、鉄の０．４８Ｊ／ｃｍ−ｓｅｅ、ｄｅｇ、
９Ｂ Ｘ １０−ｓΩｃｍ尋よシはるかに勝れてお
シ、金や銀のメッキを施こす必要がない。
又、半導体素子と素子塔載部の間には銀ペーストで固定
するか若しくは、金片或は金−シリコン片等をはさむこ
とによってロウ接できる。更に、アルミニウム細線でワ
イヤーホンディングする際は、リードフレーム自体がア
ルミニウムであ如、素子の電極とボンティングワイヤー
間、ボンディングワイヤーとリードフレーム間の結合が
全てアルミニウムとアルミニウムの結合になシ、金とア
ルミニウムの結合に見られるパープルブレイブのような
金属間化合物生成による脆化がなく、安定した信頼性の
高いワイヤーボンディングが得られる。
するか若しくは、金片或は金−シリコン片等をはさむこ
とによってロウ接できる。更に、アルミニウム細線でワ
イヤーホンディングする際は、リードフレーム自体がア
ルミニウムであ如、素子の電極とボンティングワイヤー
間、ボンディングワイヤーとリードフレーム間の結合が
全てアルミニウムとアルミニウムの結合になシ、金とア
ルミニウムの結合に見られるパープルブレイブのような
金属間化合物生成による脆化がなく、安定した信頼性の
高いワイヤーボンディングが得られる。
又、本発明によるリードフレームにアルミニウムを使用
した半導体装置に直接半田付することは不可能であるが
、プラスチック封止した後のアルミニウムのリードフレ
ーム部に、−担、銅メッキ等を施こし更に該銅メツキ上
に半田メッキを施こすことによシ、容易に半田付をする
ことができ、従来の４２合金や鉄材のリードフレームに
半田メッキを施こす費用と大差なく処理できる。
した半導体装置に直接半田付することは不可能であるが
、プラスチック封止した後のアルミニウムのリードフレ
ーム部に、−担、銅メッキ等を施こし更に該銅メツキ上
に半田メッキを施こすことによシ、容易に半田付をする
ことができ、従来の４２合金や鉄材のリードフレームに
半田メッキを施こす費用と大差なく処理できる。
上述のごとく、リードフレームの材料にアルミニウムを
使用することで、よシ安価で量産性のあるプラスチック
パッケージの半導体装置が生産できる。
使用することで、よシ安価で量産性のあるプラスチック
パッケージの半導体装置が生産できる。
Claims (1)
- プラスチック封入された半導体装置パッケージのリード
フレームの材質がアルミニウムで形成されていることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57206999A JPS5998548A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | プラスチツクパツケ−ジ半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57206999A JPS5998548A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | プラスチツクパツケ−ジ半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5998548A true JPS5998548A (ja) | 1984-06-06 |
Family
ID=16532510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57206999A Pending JPS5998548A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | プラスチツクパツケ−ジ半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5998548A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61190966A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1982
- 1982-11-26 JP JP57206999A patent/JPS5998548A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61190966A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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