JPS59144160A - プラスチツク封止型ｉｃ - Google Patents
プラスチツク封止型ｉｃInfo
- Publication number
- JPS59144160A JPS59144160A JP58019428A JP1942883A JPS59144160A JP S59144160 A JPS59144160 A JP S59144160A JP 58019428 A JP58019428 A JP 58019428A JP 1942883 A JP1942883 A JP 1942883A JP S59144160 A JPS59144160 A JP S59144160A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- alloy
- layer
- lead frame
- sealing mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/456—Materials
- H10W70/457—Materials of metallic layers on leadframes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07331—Connecting techniques
- H10W72/07336—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は熱放散性が良好で、且つアウターリード部へ
の半田付性が良好なプラスチック封止型工Ｃに関するも
のである。
の半田付性が良好なプラスチック封止型工Ｃに関するも
のである。
従来フラスチック封止型工Ｃにおいて、その熱放散性を
高めるだめには、Ｃｕ合金をリードフレームの素材とし
て用い、Ｓ１チツプとリードフレームのチップポンディ
ング部との間は熱抵抗の小さいＡｕ−３ｉ共共晶台を行
なう必要があるが、この工程においては４００℃以上の
温度に加熱されることからＣｕ合金のアウターリード部
が過酸化状態になシ、通常のフラックス処理による半田
付けが困難になるばかシか、Ｓｎ電気メッキに際しても
前処理が難しくなるという欠陥があった。
高めるだめには、Ｃｕ合金をリードフレームの素材とし
て用い、Ｓ１チツプとリードフレームのチップポンディ
ング部との間は熱抵抗の小さいＡｕ−３ｉ共共晶台を行
なう必要があるが、この工程においては４００℃以上の
温度に加熱されることからＣｕ合金のアウターリード部
が過酸化状態になシ、通常のフラックス処理による半田
付けが困難になるばかシか、Ｓｎ電気メッキに際しても
前処理が難しくなるという欠陥があった。
また低温でＳｊ−チップをリードフレームのチップポン
ディング部に塔載し接合する場合には使用するＡｇペー
ストが熱抵抗が大きく、真に熱放散を要求される工Ｃに
おいてはこの方法は使用しにくいという欠点があった。
ディング部に塔載し接合する場合には使用するＡｇペー
ストが熱抵抗が大きく、真に熱放散を要求される工Ｃに
おいてはこの方法は使用しにくいという欠点があった。
本発明者らは上記の点に鑑みて、熱放散性がよくて、し
かもアウターリード部への半田付は性が良好なプラヌチ
ック封止型工Ｃを得るべく検討した結果この発明に至っ
たものである。
かもアウターリード部への半田付は性が良好なプラヌチ
ック封止型工Ｃを得るべく検討した結果この発明に至っ
たものである。
次にこの発明を図面を参照しつつ説明する。即ちこの発
明は、図において１のリードフレームとして熱伝導をよ
くするためにＳｎ４るいはＦｅを含有するＣｕ合金また
はＣｕ−４２アロイ−Ｃｕ。
明は、図において１のリードフレームとして熱伝導をよ
くするためにＳｎ４るいはＦｅを含有するＣｕ合金また
はＣｕ−４２アロイ−Ｃｕ。
Ｃｕ−ステンレス−〇 ｕなどのクラッドテープ２をペ
ースメタルとしてこれをリードフレームの形状に打抜い
たのち、その全面おるいは少くともアウターリード部に
Ｆｅ−Ｎｉ、合金メッキ層８を形成したものを用い、か
つチップポンディング部５上のＳｉチップ４で発熱する
熱をリードフレーム１に伝えるだめに、Ｓ１チツプ４と
チップポンディング部５との接合をＡｕ−７Ｓｊ−共晶
合金層６を介して行ったことを特徴とするものであり、
これによって高熱放散性にすぐれたプラスチック封止型
工Ｃを得んとするものである。なお１０は封止樹脂層で
ある。
ースメタルとしてこれをリードフレームの形状に打抜い
たのち、その全面おるいは少くともアウターリード部に
Ｆｅ−Ｎｉ、合金メッキ層８を形成したものを用い、か
つチップポンディング部５上のＳｉチップ４で発熱する
熱をリードフレーム１に伝えるだめに、Ｓ１チツプ４と
チップポンディング部５との接合をＡｕ−７Ｓｊ−共晶
合金層６を介して行ったことを特徴とするものであり、
これによって高熱放散性にすぐれたプラスチック封止型
工Ｃを得んとするものである。なお１０は封止樹脂層で
ある。
ここにおいて、ポンディングワイヤー７としては、Ａｕ
線またはＡｚ線を用いることができ、リードフレーム１
のインナーリード部８のワイヤーボンディング部のコー
ティング層９としてはＡｕ。
線またはＡｚ線を用いることができ、リードフレーム１
のインナーリード部８のワイヤーボンディング部のコー
ティング層９としてはＡｕ。
Ａｇ、Ａｌなどを夫々要求されるコストと信頼性により
適宜選択して用いる。
適宜選択して用いる。
まだＡｕ−３ｉ共晶合金層６は予めリードフレーム１を
構成するクラッドテープ２表面のＦｅ−Ｎ１合金メッキ
層３上にＡｇ、Ａｕ、などのメッキを施したのち、Ａｕ
−８ｉ箔を用いてもよいし、Ａｕメッキ層に直接Ｓｉを
接着させる方法を採用してもよい。またこのＡｕ−５ｉ
共晶合金層に代えてＡｕ−Ｇｅ共晶合金層でも同一の効
果が得られる。
構成するクラッドテープ２表面のＦｅ−Ｎ１合金メッキ
層３上にＡｇ、Ａｕ、などのメッキを施したのち、Ａｕ
−８ｉ箔を用いてもよいし、Ａｕメッキ層に直接Ｓｉを
接着させる方法を採用してもよい。またこのＡｕ−５ｉ
共晶合金層に代えてＡｕ−Ｇｅ共晶合金層でも同一の効
果が得られる。
この発明において１．リードフレームベースメタｐの平
面方向の熱伝導率を０．２ｃｏ’ｌ／ａｍ、 ｓｅｃ
６以上とするのは、それ以下では熱抵抗減少の効果が少
ないためである。またリードフレームを構成するクラッ
ドテープの全面まだは少くともアウターリード部にＦｅ
−Ｎｉ合金メッキ層を施こす場合のＦｅ−Ｎ１合金中の
Ｎｊ−の重量比は市販のフラックスで容易に除去可能な
Ｆｅの選択酸化が生じるＮ１の組成範囲であって３０〜
６０％が望ましい。
面方向の熱伝導率を０．２ｃｏ’ｌ／ａｍ、 ｓｅｃ
６以上とするのは、それ以下では熱抵抗減少の効果が少
ないためである。またリードフレームを構成するクラッ
ドテープの全面まだは少くともアウターリード部にＦｅ
−Ｎｉ合金メッキ層を施こす場合のＦｅ−Ｎ１合金中の
Ｎｊ−の重量比は市販のフラックスで容易に除去可能な
Ｆｅの選択酸化が生じるＮ１の組成範囲であって３０〜
６０％が望ましい。
さらにＦｅ−Ｎ１合金メッキ層の厚みを０．５〜５、Ｑ
Ｐｍとするのは、Ｃｕの酸化を防止し、且つ熱抵抗層と
しての効果が無視できる厚さとしたものである。
Ｐｍとするのは、Ｃｕの酸化を防止し、且つ熱抵抗層と
しての効果が無視できる厚さとしたものである。
−以上のような構成からなるこの発明のプラスチック封
止型工Ｃは、 （１）熱伝導率のよいＣｕ合金あるいはＣｕを使用した
クラッドテープをベースメタルとして使用したリードフ
レームを用いること、およびＳｉチップと該リードフレ
ームのチップポンディング部との接合をＡｕ−３ｉ、共
晶合金層を介して行うこと、から良好な熱放散性のプラ
スチック封止型工Ｃを安価に得ることができ、生産性に
すぐれていること。
止型工Ｃは、 （１）熱伝導率のよいＣｕ合金あるいはＣｕを使用した
クラッドテープをベースメタルとして使用したリードフ
レームを用いること、およびＳｉチップと該リードフレ
ームのチップポンディング部との接合をＡｕ−３ｉ、共
晶合金層を介して行うこと、から良好な熱放散性のプラ
スチック封止型工Ｃを安価に得ることができ、生産性に
すぐれていること。
（２） アウターリード部に設けたＦｅ−Ｎｉ合金メ
ッキ層はＣｕの酸化を防止し、酸化物が安定でフラック
スで容易に除去できるＦｅの酸化物からなる酸化物層を
形成するから容易に半田付けやＳｎｔ［気メッキが可能
で工Ｃ組立後の工程が容易となる。
ッキ層はＣｕの酸化を防止し、酸化物が安定でフラック
スで容易に除去できるＦｅの酸化物からなる酸化物層を
形成するから容易に半田付けやＳｎｔ［気メッキが可能
で工Ｃ組立後の工程が容易となる。
などの利点を有するのである。
このようなプラスチック封止型工Ｃは高出力の工Ｃとし
て特に今後ますます高速が予想される論理工Ｃを中心に
その使用が期待されるのである。
て特に今後ますます高速が予想される論理工Ｃを中心に
その使用が期待されるのである。
以下この発明を実施例により詳細に説明する。
実施例
０．１２５−ｔのＣＤＡ１９４、Ｆｅ入シｃｕ合金ヲフ
レスで打抜き、リードフレーム状にしたのち、このリー
ドフレームの全面に４０％Ｎｉ−Ｆｅ合金メッキ層を厚
さ２．０μｍに形成した。
レスで打抜き、リードフレーム状にしたのち、このリー
ドフレームの全面に４０％Ｎｉ−Ｆｅ合金メッキ層を厚
さ２．０μｍに形成した。
次いでこのメッキ層を被覆しだリードフレームのワイヤ
ーボンディング部およびチップボンディング部にスポッ
ト状にＡｕメッキ層を厚さ１μｍに形成して複合リード
フレームとした。
ーボンディング部およびチップボンディング部にスポッ
ト状にＡｕメッキ層を厚さ１μｍに形成して複合リード
フレームとした。
この複合リードフレームのチップポンディン、グ部にＳ
１チツプをＡｕ−３ｉ共晶法により、４１０℃に加熱し
て接合した。
１チツプをＡｕ−３ｉ共晶法により、４１０℃に加熱し
て接合した。
この後Ａｕ細線によるワイヤーボンディングを行ったの
ち、プラスチック封止を実施してこの発明のプラスチッ
ク封止型工Ｃを製造した。
ち、プラスチック封止を実施してこの発明のプラスチッ
ク封止型工Ｃを製造した。
上記で得た工Ｃを市販のフラックスを用い、６０％５ｎ
−４０％ｐｂの溶融半田（２３０℃）中に５分間浸漬す
る直接半田付けの可否、および発熱限界について、従来
のＣｕ合合金リードフレーム用用、Ａｇペースト接合し
た工Ｃ１および従来のＣｕ合金リードフレームを用い、
Ａｕ−５ｊ−共晶接合をしだ工Ｃとの比較テストをした
ところ第１表の結果を得、この発明の工Ｃが均一良好な
半田付性を有し、発熱量については、２、ＯＷまでのも
のが工Ｃの特性劣化を生じるととなく連続使用可能なこ
とが認められた。
−４０％ｐｂの溶融半田（２３０℃）中に５分間浸漬す
る直接半田付けの可否、および発熱限界について、従来
のＣｕ合合金リードフレーム用用、Ａｇペースト接合し
た工Ｃ１および従来のＣｕ合金リードフレームを用い、
Ａｕ−５ｊ−共晶接合をしだ工Ｃとの比較テストをした
ところ第１表の結果を得、この発明の工Ｃが均一良好な
半田付性を有し、発熱量については、２、ＯＷまでのも
のが工Ｃの特性劣化を生じるととなく連続使用可能なこ
とが認められた。
図面はこの発明にかかるプラスチック封止型工Ｃの断面
図である。 １・・・リードフレーム ２・９・クラッドメタμ
３・・・ｐｅ−Ｎｉ合金メッキ層 ４・・・Ｓ１チツプ ５・・・チップボンディング
部６・・・Ａｕ−５ｒ苺晶合金層 ７・・−ボンディングワイヤー ８・・・インナーリード部 ９・・・コーティング部 １０・・・封止樹脂特許出
願人 住友電気工業株式会社代理人
弁理士和１）唱
図である。 １・・・リードフレーム ２・９・クラッドメタμ
３・・・ｐｅ−Ｎｉ合金メッキ層 ４・・・Ｓ１チツプ ５・・・チップボンディング
部６・・・Ａｕ−５ｒ苺晶合金層 ７・・−ボンディングワイヤー ８・・・インナーリード部 ９・・・コーティング部 １０・・・封止樹脂特許出
願人 住友電気工業株式会社代理人
弁理士和１）唱
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） ’！Ｊ−ドフレームのベースメタルとして良
熱伝導体を表層に有するクラッドテープを用い、該クラ
ッドテープよシなるリードフレームの少なくともアウタ
ーリード部に０．５〜５．０μｍ厚さのＦｅ−Ｎ：Ｌ合
金メッキ層を設けるとともに、チップポンディング部上
へのＳｊ−チップの塔載をＡｕ−８ｊ−あるいはＡｕ−
Ｇｅの共晶接合にて行ったことを特徴とするプラスチッ
ク封止型工Ｃ０ （２） 良熱伝導体を表層に有するクラッドテープが
ＳｎあるいはＦ１９を含有するＣｕ合金よυなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラスチック封
止型工Ｃ０ （８） 良熱伝導体を表層に有するクラッドテープが
Ｃｕ−４２７０イーＣｕあるいはＣｕ−：ｙ。 テンレス−Ｃｕよシなることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のプラスチック封止型工Ｃ３ （４） ベースメタμの平面方向の熱伝導率が０．２
ｅｄ／ａ、 ＳｅＯ”Ｑ以上であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のプラヌチック封止型工Ｃ０ （５） Ｆ ｅ −Ｎ ｉ合金層におけるＮ１の重量
比が３０〜６０％であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のプラスチック封止型工Ｃ０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58019428A JPS59144160A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | プラスチツク封止型ｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58019428A JPS59144160A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | プラスチツク封止型ｉｃ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59144160A true JPS59144160A (ja) | 1984-08-18 |
Family
ID=11999001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58019428A Pending JPS59144160A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | プラスチツク封止型ｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59144160A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6186948U (ja) * | 1984-11-14 | 1986-06-07 | ||
| KR20210057816A (ko) | 2018-10-04 | 2021-05-21 | 가부시키가이샤 자판엔진코포레숀 | 스프링 장치 |
-
1983
- 1983-02-07 JP JP58019428A patent/JPS59144160A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6186948U (ja) * | 1984-11-14 | 1986-06-07 | ||
| KR20210057816A (ko) | 2018-10-04 | 2021-05-21 | 가부시키가이샤 자판엔진코포레숀 | 스프링 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04115558A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| US4767049A (en) | Special surfaces for wire bonding | |
| US5338704A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPS584955A (ja) | 金めつきされた電子部品パツケ−ジ | |
| JPS59144160A (ja) | プラスチツク封止型ｉｃ | |
| JPH01257356A (ja) | 半導体用リードフレーム | |
| JPS61140160A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム | |
| JPH05109947A (ja) | 熱伝導材料とその製造方法 | |
| JP2000068396A (ja) | ハーメチックシール用カバー | |
| JPS6218744A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH03284869A (ja) | リードフレーム用クラッド材料 | |
| JPH1140722A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JPH04137552A (ja) | リードフレーム | |
| JPS6369241A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0216761A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPS59144159A (ja) | プラスチツク封止型ｉｃ | |
| JPS60144943A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60225450A (ja) | 半導体装置の製造法 | |
| JPS601853A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム | |
| JPS6148953A (ja) | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
| JPS5978551A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS5998548A (ja) | プラスチツクパツケ−ジ半導体装置 | |
| JPH02145755A (ja) | 樹脂との接合性が良好なリードフレーム材の製造方法 | |
| JPS60225456A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム | |
| JPS6378560A (ja) | リ−ドフレ−ム |