JPS5999322A - 絶対温度比例回路 - Google Patents
絶対温度比例回路Info
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- JPS5999322A JPS5999322A JP21162582A JP21162582A JPS5999322A JP S5999322 A JPS5999322 A JP S5999322A JP 21162582 A JP21162582 A JP 21162582A JP 21162582 A JP21162582 A JP 21162582A JP S5999322 A JPS5999322 A JP S5999322A
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- transistor
- collector
- emitter
- output
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、絶対温度１こ高精度に比例した出力を得る
ための絶対温度比例回１ｆｉｉに関するものである。
ための絶対温度比例回１ｆｉｉに関するものである。
従来、物理量として広いダイナミックレンジのものを電
気信号に変換する際、対数圧縮して用いる場合が多い。
気信号に変換する際、対数圧縮して用いる場合が多い。
この場合、トランジスタのベース・エミッタ特性を応用
することが一般的で、絶対温度に比例する信号量となり
、これらを補正するためにも絶対温度比例回路は重要で
ある。
することが一般的で、絶対温度に比例する信号量となり
、これらを補正するためにも絶対温度比例回路は重要で
ある。
第１図は従来の絶対温度比例回路の一例を示すものであ
り、ＣＭ！、 Ｃｈ４ｚは定電流供給源、Ｒ，はバイア
ス電圧設定抵抗器、ＱＩＩＱ２は第１．第２の入力トラ
ンジスタ、ＲＨは信号電圧−電流変換用抵抗器、Ｑｐｌ
ｔ Ｑｐｇ ＋ Ｑｐｓは第５．第６．第７のトランジ
スタでＰＮＰ型の第２のカレントミラーを構成し、Ｑ”
ｓ Ｑ’は第３．第４のトランジスタでＮＰＮ５の第
１のカレントミラーを構成している。Ｑｐ４は出力用Ｐ
ＮＰ ）ランジスタ、Ｒｕは出力抵抗器、ｖＢは電源、
ＤＩ、ＤＩはダイオード、Ｔｏは出力端子である。
り、ＣＭ！、 Ｃｈ４ｚは定電流供給源、Ｒ，はバイア
ス電圧設定抵抗器、ＱＩＩＱ２は第１．第２の入力トラ
ンジスタ、ＲＨは信号電圧−電流変換用抵抗器、Ｑｐｌ
ｔ Ｑｐｇ ＋ Ｑｐｓは第５．第６．第７のトランジ
スタでＰＮＰ型の第２のカレントミラーを構成し、Ｑ”
ｓ Ｑ’は第３．第４のトランジスタでＮＰＮ５の第
１のカレントミラーを構成している。Ｑｐ４は出力用Ｐ
ＮＰ ）ランジスタ、Ｒｕは出力抵抗器、ｖＢは電源、
ＤＩ、ＤＩはダイオード、Ｔｏは出力端子である。
次に動作について説明する。第１図において、定電流供
給源ＣＭ１． ＣＭ２より電流Ｉｔ 、 １２が供給さ
れ、各々ダイオードＤｉ 、 Ｄ２を介してバイアス電
圧設定抵抗器ＲＯに流れ込み、各ダイオードＤＩ。
給源ＣＭ１． ＣＭ２より電流Ｉｔ 、 １２が供給さ
れ、各々ダイオードＤｉ 、 Ｄ２を介してバイアス電
圧設定抵抗器ＲＯに流れ込み、各ダイオードＤＩ。
Ｄ２のアノードの電位ｖ、 、 Ｖｇは、Ｖ１＝ ＶＢ
Ｉｌ＋ ＋ Ｒｏ （Ｉｔ ＋ Ｉ２） …−−
（１１Ｖｚ ＝ ＶＢＥｔ ＋ Ｒｏ （Ｉｔ ＋ Ｉ
ｇ ） −−−（２まただし、ＶＢＥＩ 、 Ｖ
ＢＥｇはダイオードＤｔ 、 Ｄａの順方向の降下重圧
である。
Ｉｌ＋ ＋ Ｒｏ （Ｉｔ ＋ Ｉ２） …−−
（１１Ｖｚ ＝ ＶＢＥｔ ＋ Ｒｏ （Ｉｔ ＋ Ｉ
ｇ ） −−−（２まただし、ＶＢＥＩ 、 Ｖ
ＢＥｇはダイオードＤｔ 、 Ｄａの順方向の降下重圧
である。
電位Ｖｌ 、 Ｖｚを介して信号電圧−電流変換用抵抗
器Ｒ１１の両端１間の電圧ΔＶ１は、 ΔＶｓ ＝ （Ｖｔ −ＶＢＥｎｌ） −（Ｖｇ −Ｖ
ＢＥｎｇ ）＝ （Ｖｎｘｔ −ｖＢｌｌｎ ） ＋
（ＶｎＥｎｔ −ＶＢＥｎｇ ）第（３）７式において
、Ａｔ 、 Ａｔ 、 Ｉ２． ＥｔはダイオードＤＩ
。
器Ｒ１１の両端１間の電圧ΔＶ１は、 ΔＶｓ ＝ （Ｖｔ −ＶＢＥｎｌ） −（Ｖｇ −Ｖ
ＢＥｎｇ ）＝ （Ｖｎｘｔ −ｖＢｌｌｎ ） ＋
（ＶｎＥｎｔ −ＶＢＥｎｇ ）第（３）７式において
、Ａｔ 、 Ａｔ 、 Ｉ２． ＥｔはダイオードＤＩ
。
ＤＩ、および入力トランジスタＱｔ 、 Ｑ２のエミツ
タ面積比、ＶＢＥＩＢ 、 ＶＢＥｎｘ は入力トラ
ンジスタＱｔ＋Ｑｚのベース・エミッタ間鴫圧であり、
Ｉｔ、Ｉ２は定電流供給源ＣＭｌ、 ＣＭ＊を抵抗比（
または面積比）で設定可能となり、Ｋｌ 、 Ｋｇ 、
Ｉ４は上記第（４）式で表わされ、温度に依存しない
。
タ面積比、ＶＢＥＩＢ 、 ＶＢＥｎｘ は入力トラ
ンジスタＱｔ＋Ｑｚのベース・エミッタ間鴫圧であり、
Ｉｔ、Ｉ２は定電流供給源ＣＭｌ、 ＣＭ＊を抵抗比（
または面積比）で設定可能となり、Ｋｌ 、 Ｋｇ 、
Ｉ４は上記第（４）式で表わされ、温度に依存しない
。
２
に１ ＝ □
Ｉ
２
に４ ＝ □
１
第＋３１ 、 （４１式より、
ΔＶｌ！に、Ｔ ・・・・・・・
・・（５）ただし、Ｋ６＝ −−Ｊｎ ＫＩＫ８ Ｉ４
となる。
・・（５）ただし、Ｋ６＝ −−Ｊｎ ＫＩＫ８ Ｉ４
となる。
前記第＋３１’式の第２項が成立するためには、後に述
べるように、入力トランジスタＱ１． Ｑ２のコレクタ
電流は等しくなるように設定しである。
べるように、入力トランジスタＱ１． Ｑ２のコレクタ
電流は等しくなるように設定しである。
次に、第（５）式より信号電圧−電流変換用抵抗器Ｒ１
１に流れる電流１ｔｏは、 １ｔ 流ＩＩ ＯはＰ Ｎ Ｉ）カレントミラーを構成
するトランジスタＱｐ１のコレクタ電流として流れ、ト
ランジスタＱｐ２のコレクタ側にはトランジスタＱＰＩ
ＩＱｐ２のコレクタ面積比に比例した電流１１ｔが流
れ、ただし、Ａ ＝ ＣＦ２ ／ ＣＰＩ ； Ｃｐｓ
、 ＣｐｓはトランジスタＱＰＩ Ｉ ＱＰ２のコレ
クタ面積である。
１に流れる電流１ｔｏは、 １ｔ 流ＩＩ ＯはＰ Ｎ Ｉ）カレントミラーを構成
するトランジスタＱｐ１のコレクタ電流として流れ、ト
ランジスタＱｐ２のコレクタ側にはトランジスタＱＰＩ
ＩＱｐ２のコレクタ面積比に比例した電流１１ｔが流
れ、ただし、Ａ ＝ ＣＦ２ ／ ＣＰＩ ； Ｃｐｓ
、 ＣｐｓはトランジスタＱＰＩ Ｉ ＱＰ２のコレ
クタ面積である。
電流１． ｔ ｔはＮＰＮカレントミラーを構成するト
ランジスタＱ４のコレクタ電流として流れ、トランジス
タｑ８のコレクタ側に流れる′螺流Ｉｇｏは、Ｉａａ
＝ Ｂ １１ｔ Ａ、Ｂ ＝ ２ ・・・・
・・・・・（９）ただし、Ｂ ＝ Ｅｓ ／Ｅ４ ；
Ｅａ 、 Ｉ４はトランジスタＱｓ 、 Ｑ４のエミッ
タ面積である。
ランジスタＱ４のコレクタ電流として流れ、トランジス
タｑ８のコレクタ側に流れる′螺流Ｉｇｏは、Ｉａａ
＝ Ｂ １１ｔ Ａ、Ｂ ＝ ２ ・・・・
・・・・・（９）ただし、Ｂ ＝ Ｅｓ ／Ｅ４ ；
Ｅａ 、 Ｉ４はトランジスタＱｓ 、 Ｑ４のエミッ
タ面積である。
そこで、第（９）式に設定すると、第ｔｅ＋ 、 ｔｓ
ｔ式より、Ｉｓｏ ＝ ２１ｓｏ
−書・−―・・−・αω第（６１、＋１ＣＩ式よりト
ランジスタＱ！に流れるコレクタ電流■！Ｏは、 第＋６１ 、 ＋１１式より、入力トランジスタＱ１．
Ｑ２のエミッタ電流は等しく、前記第（３）′式カダ
成立することになる。
ｔ式より、Ｉｓｏ ＝ ２１ｓｏ
−書・−―・・−・αω第（６１、＋１ＣＩ式よりト
ランジスタＱ！に流れるコレクタ電流■！Ｏは、 第＋６１ 、 ＋１１式より、入力トランジスタＱ１．
Ｑ２のエミッタ電流は等しく、前記第（３）′式カダ
成立することになる。
次に、出力用ＰＮＰ ）ランジスタＱＰ４とトランジス
タＱｐ２のコレクタ面積を等しクシ、出力抵抗器Ｒｕか
ら出力端子ＴＯを介して出力Ｖ（１を取り出すと、第ｆ
５） 、 ＋７１式より Ｖｏ ＝ Ｉｔｓ Ｒｌｇ Δ■１ ＝Ａ□・ Ｒｔｉ １ ＝ ＡＫｓ ’ｆ ＝ Ｋ６ Ｔ ・
・・・・・・・・０７Ｊ上記ｆｊＳａ’ａ式より、定電
流供給源ＣＭ＋ 、 ＣＭ２の電流比、ダイオードＤｓ
、 Ｄｔ 、入力トランジスタＱｔｅｑ２のエミツタ
面積比を設定することにより、任意の定数１（６を伴っ
た絶対温度に比例する出力電圧が得られる。
タＱｐ２のコレクタ面積を等しクシ、出力抵抗器Ｒｕか
ら出力端子ＴＯを介して出力Ｖ（１を取り出すと、第ｆ
５） 、 ＋７１式より Ｖｏ ＝ Ｉｔｓ Ｒｌｇ Δ■１ ＝Ａ□・ Ｒｔｉ １ ＝ ＡＫｓ ’ｆ ＝ Ｋ６ Ｔ ・
・・・・・・・・０７Ｊ上記ｆｊＳａ’ａ式より、定電
流供給源ＣＭ＋ 、 ＣＭ２の電流比、ダイオードＤｓ
、 Ｄｔ 、入力トランジスタＱｔｅｑ２のエミツタ
面積比を設定することにより、任意の定数１（６を伴っ
た絶対温度に比例する出力電圧が得られる。
しかしながら第１図に示す従来の回路では、定電流回路
ＣＭ＋ 、 ＣＭ！および、ダイオードＤ、 、 Ｄ２
がトランジスタＱ１．Ｑｔと並列になっており、１１゜
１２の電流比とＩｘｏ、Ｉｚｏの電流比は各々独立して
おり、その電流比のバラツキも加算されることになるた
め、出力電圧の精度低下の原因となる。
ＣＭ＋ 、 ＣＭ！および、ダイオードＤ、 、 Ｄ２
がトランジスタＱ１．Ｑｔと並列になっており、１１゜
１２の電流比とＩｘｏ、Ｉｚｏの電流比は各々独立して
おり、その電流比のバラツキも加算されることになるた
め、出力電圧の精度低下の原因となる。
本発明はこのような従来のものの問題点に鑑みてなされ
たもので、ｍ １ ｍ ＮＮ ２の入力トランジスタの
各々のエミッタに’ｌｆｚ １ 、 Ｓｊ％ ２のダイ
オードのアノードを接わ６し、該第１．第２のダイオー
ドのカソード間に電流設定用抵抗を接続し、上記第２の
ダイオードのカソードに第１のカレントミラーの一方の
トランジスタのコレクタを接続し、上記第１．第２の入
力トランジスタのコレクタに、第１のカレントミラーと
送導′也型の第２のカレントミラーの一方のトランジス
タのコレクタ、エミッタを接続することにより、ｈ４成
が１■単で出力電圧の精度を大きく同上できる絶対温度
比例回路を提供することを目的としている。
たもので、ｍ １ ｍ ＮＮ ２の入力トランジスタの
各々のエミッタに’ｌｆｚ １ 、 Ｓｊ％ ２のダイ
オードのアノードを接わ６し、該第１．第２のダイオー
ドのカソード間に電流設定用抵抗を接続し、上記第２の
ダイオードのカソードに第１のカレントミラーの一方の
トランジスタのコレクタを接続し、上記第１．第２の入
力トランジスタのコレクタに、第１のカレントミラーと
送導′也型の第２のカレントミラーの一方のトランジス
タのコレクタ、エミッタを接続することにより、ｈ４成
が１■単で出力電圧の精度を大きく同上できる絶対温度
比例回路を提供することを目的としている。
以下本発明の実施例を図について説明する。
第２図は本発明による絶対温度比例回路の一実施例を示
し、図において第１図と同一符号は同−又は相当部分を
示す。■４は第１．第２の入力トランジスタＱ＝、Ｑ２
への定電圧バイアス酸分であり、該第１．第２の入力ト
ランジスタのエミツタ面積比はＸ：Ｉ（Ｘ＞１）であり
、またＤＢ、Ｄ４はΔ■ＢＥ発生用の第１ 、 ％ｇ
２のダイオードで、これらのエミツタ面積比はＸ：ｌで
ある。
し、図において第１図と同一符号は同−又は相当部分を
示す。■４は第１．第２の入力トランジスタＱ＝、Ｑ２
への定電圧バイアス酸分であり、該第１．第２の入力ト
ランジスタのエミツタ面積比はＸ：Ｉ（Ｘ＞１）であり
、またＤＢ、Ｄ４はΔ■ＢＥ発生用の第１ 、 ％ｇ
２のダイオードで、これらのエミツタ面積比はＸ：ｌで
ある。
次に動作の説明をする。バイアス電圧ｖ４を介して、信
号電圧−電流変換用抵抗器Ｒａｔの両端間の電圧Δｖ２
は、（稀式となる。
号電圧−電流変換用抵抗器Ｒａｔの両端間の電圧Δｖ２
は、（稀式となる。
ΔＶｇ ＝ （Ｖｇ−ＶＢｇＩ−ｖ、、ａ）−（Ｖ２−
Ｖｎｉｚ−ＶＤ４）＝ ＶＢＥ２− ＶＢｇＩ ＋
ＶＤ４− ＶＤｓＴ ＝ −Ｉｎ Ｋｌｔ ・Ｋｔｇ −Ｋｎ
・−・・・−、、、（１３第＋１３１’式において、Ｅ
ｓ 、 Ｋ４はダイオードＤ８ 。
Ｖｎｉｚ−ＶＤ４）＝ ＶＢＥ２− ＶＢｇＩ ＋
ＶＤ４− ＶＤｓＴ ＝ −Ｉｎ Ｋｌｔ ・Ｋｔｇ −Ｋｎ
・−・・・−、、、（１３第＋１３１’式において、Ｅ
ｓ 、 Ｋ４はダイオードＤ８ 。
Ｄ４めエミツタ面積比である。また、前記ｉ６１〜（１
１１式〕説明ノ如く、Ｉ＋ｏ ＝ Ｉｔｏとなり、Ｋｔ
ａ ＝ １となるので、上記電圧Δｖ２は圓式となる。
１１式〕説明ノ如く、Ｉ＋ｏ ＝ Ｉｔｏとなり、Ｋｔ
ａ ＝ １となるので、上記電圧Δｖ２は圓式となる。
Ｔ
ΔＶｚ ＝ −Ｉｎ Ｋ１１− Ｋｔ２
・・・・・・・・・（１４） ９ また同様に、前記（１２１式の説明に沿って、出力抵抗
Ｒ１２から出力端子−ｒｏを介して出力ＶＯを取り出す
と、 Ｖｏ ＝ １１１・Ｒ２ ＝に１４・Ｔ ・・・・
・・・・・（１５）上記ｈ５１．（１５３式より、トラ
ンジスタＱ！、Ｑ２およびダイオードＤＩｌ、Ｄ４の面
積比を設定することにより、任意の定数に１４を伴った
、絶対値に比例する出力が得られる。
・・・・・・・・・（１４） ９ また同様に、前記（１２１式の説明に沿って、出力抵抗
Ｒ１２から出力端子−ｒｏを介して出力ＶＯを取り出す
と、 Ｖｏ ＝ １１１・Ｒ２ ＝に１４・Ｔ ・・・・
・・・・・（１５）上記ｈ５１．（１５３式より、トラ
ンジスタＱ！、Ｑ２およびダイオードＤＩｌ、Ｄ４の面
積比を設定することにより、任意の定数に１４を伴った
、絶対値に比例する出力が得られる。
本実施例による絶対温度比例回路では１．Ｉ６）式から
明らかｌｊ材に、Ｋｘｚ 、 ＫｔａにはＩ＋ｏ 、
Ｉｔ＋の電流比のバラツキのみしか含まれないので、出
力゛４圧の精度が向上することは明らかである。
明らかｌｊ材に、Ｋｘｚ 、 ＫｔａにはＩ＋ｏ 、
Ｉｔ＋の電流比のバラツキのみしか含まれないので、出
力゛４圧の精度が向上することは明らかである。
また、本実施例による絶対温度比例回路は、トランジス
タ、ダイオードおよび抵抗で椛成できるため、簡潔でし
かも高精度の出力を得ることができる。したがって産業
用および民生用？業回路に応用できる。
タ、ダイオードおよび抵抗で椛成できるため、簡潔でし
かも高精度の出力を得ることができる。したがって産業
用および民生用？業回路に応用できる。
なお上記実施例ではカレントミラーの面積比に関してＡ
−Ｂ＝２の場合について説明したが、これはＡ −Ｂ
） ２であっても良い。
−Ｂ＝２の場合について説明したが、これはＡ −Ｂ
） ２であっても良い。
以上のように本発明に係る絶対温度比例回路によれば、
エミツタ面積比がｘ：ｉ（ｘ＞１）の第１、第２の入力
トランジスタの各々のエミッタに、エミツタ面積比がＸ
：１の第１．第２のダイオードの各々のアノードを接続
し、該ｆｉｌ−ｔｆｆｉ２のダイオードのカソード間に
電流設定用抵抗を接続し、エミツタ面積比が１３＝１の
第１のカレントミラーの一方のトランジスタのコレクタ
を上記第２のダイオードのカンードｌｃ接続し、上記ｍ
ｌのカレントミラーと逆心電型でコレクタ曲積比が１
：Ａ（Ａ−Ｂ≧２）の第２のカレントミラーの一方のト
ランジスタのコレクタ、エミッタを各々上記％ １゜第
２の入力トランジスタのコレクタに接続し、出力トラン
ジスタのエミッタ、ベースを各々４源。
エミツタ面積比がｘ：ｉ（ｘ＞１）の第１、第２の入力
トランジスタの各々のエミッタに、エミツタ面積比がＸ
：１の第１．第２のダイオードの各々のアノードを接続
し、該ｆｉｌ−ｔｆｆｉ２のダイオードのカソード間に
電流設定用抵抗を接続し、エミツタ面積比が１３＝１の
第１のカレントミラーの一方のトランジスタのコレクタ
を上記第２のダイオードのカンードｌｃ接続し、上記ｍ
ｌのカレントミラーと逆心電型でコレクタ曲積比が１
：Ａ（Ａ−Ｂ≧２）の第２のカレントミラーの一方のト
ランジスタのコレクタ、エミッタを各々上記％ １゜第
２の入力トランジスタのコレクタに接続し、出力トラン
ジスタのエミッタ、ベースを各々４源。
上記第２のカレントミラーの共通ベースに接続し、さら
に出力抵抗、出力端子を上記出力トランジスタのコレク
タ、アース間、出力トランジスタのコレクタに接続した
ので、非常に簡単な構成で出力電圧の精度を太き（向上
できる効果がある。
に出力抵抗、出力端子を上記出力トランジスタのコレク
タ、アース間、出力トランジスタのコレクタに接続した
ので、非常に簡単な構成で出力電圧の精度を太き（向上
できる効果がある。
第１図は従来の絶対温度比例回路の一例を示す回路図、
第２図はこの発明の一実〃＠例による絶対温度比例回路
を示す回路図である。 Ｒ１，・・・直流設定用抵抗（信号鴫圧−−流変換用抵
抗器）、ａ１２・・・出力抵抗、Ｑｌ、Ｑ２・・・第１
．第２の入力トランジスタ、Ｑｐｔ 、 Ｑｐ２・・・
第５．第６のトランジスタ、ＱＢ、Ｑ４・・・％３．ｚ
（’：４のトランジスタ、Ｑｌ・４・・・出力トランジ
スタ、ＶＢ・・・１は源、ｖ４・・・定電圧バイアス源
、Ｄｌｌ、Ｄ４・・・第１．第２のダイオード、 Ｔ
（＋・−・出力端子。 なお、図中同−符吋は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −
第２図はこの発明の一実〃＠例による絶対温度比例回路
を示す回路図である。 Ｒ１，・・・直流設定用抵抗（信号鴫圧−−流変換用抵
抗器）、ａ１２・・・出力抵抗、Ｑｌ、Ｑ２・・・第１
．第２の入力トランジスタ、Ｑｐｔ 、 Ｑｐ２・・・
第５．第６のトランジスタ、ＱＢ、Ｑ４・・・％３．ｚ
（’：４のトランジスタ、Ｑｌ・４・・・出力トランジ
スタ、ＶＢ・・・１は源、ｖ４・・・定電圧バイアス源
、Ｄｌｌ、Ｄ４・・・第１．第２のダイオード、 Ｔ
（＋・−・出力端子。 なお、図中同−符吋は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −
Claims (1)
- （１） エミツタ面積比がＸ：１（Ｘ＞１）で各々の
ベースが同じ定電圧バイアス源に接続された第１、第２
の入力トランジスタと、エミツタ面積比がＸ：１で上記
第１．第２の入力トランジスタのエミッタに各々のアノ
ードが接続された第ｌ、第２のダイオードと、該第１．
第２のダイオードのカソード間に接続された電流設定用
抵抗と、エミツタ面積比がＢ：１の第３．第４のトラン
ジスタからなり第３のトランジスタのコレクタが上記第
２のダイオードのカンードに接続された第１のカレント
ミラーと、該第１のカレントミラーと逆の導電型を有す
るコレクタ面積比が１ ：Ａ（Ａ−Ｂ≧２）の第５．第
６のトランジスタがらなり第５のトランジスタのエミッ
タが上記第２の入力トランジスタのコレクタとともに電
源にｖ２続されそのコし２９が上記第１の入力トランジ
スタのコレクタに接続された第２のカレントミラーと、
そのエミッタ、ベースがそれぞれ電源、上記第２のカレ
ントミラーの共通ベースに接続された出力トランジスタ
と、該出力トランジスタのコレクタとアースとの間に接
続された出力抵抗と、上記出力トランジスタのコレクタ
に接続された出力端子とを備えたことを特徴とする絶対
温度比例回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21162582A JPS5999322A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 絶対温度比例回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21162582A JPS5999322A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 絶対温度比例回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5999322A true JPS5999322A (ja) | 1984-06-08 |
| JPS6360330B2 JPS6360330B2 (ja) | 1988-11-24 |
Family
ID=16608864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21162582A Granted JPS5999322A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 絶対温度比例回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5999322A (ja) |
-
1982
- 1982-11-30 JP JP21162582A patent/JPS5999322A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6360330B2 (ja) | 1988-11-24 |
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