JPS599986A - 薄膜磁電変換素子 - Google Patents
薄膜磁電変換素子Info
- Publication number
- JPS599986A JPS599986A JP57119441A JP11944182A JPS599986A JP S599986 A JPS599986 A JP S599986A JP 57119441 A JP57119441 A JP 57119441A JP 11944182 A JP11944182 A JP 11944182A JP S599986 A JPS599986 A JP S599986A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- thin film
- magnetoelectric transducer
- ratio
- space
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- Pending
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- Magnetic Heads (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁電変換素子に
かかり、外部からの漏洩磁界の影響によるノイズ成分を
軽減した薄膜磁電変換素子を提供するものである。
かかり、外部からの漏洩磁界の影響によるノイズ成分を
軽減した薄膜磁電変換素子を提供するものである。
＜；Ｉ−来の薄膜磁電変換素子においては、第１図に示
シ“ように、磁気抵抗効果を有する薄膜素子（以−７：
’ Ｍ Ｒ素ｒと略す）１の両端に電流を供給する端子
・、す体層２，３Ｃよ後部接続端４，５に延びており、
そこから外部ＩＧ］１路へワイヤボンディング、リフロ
ソルダリング等の方法で接続されている。このような場
合、端子導体層２，３とＭＲ素子１とで構成される部分
は、１ターンを等制約に形成していることとなシ、この
部分に鎖交する磁束の時間微分した成分をノイズとして
検出してしまい、Ｓ／／Ｎ比を劣化させていた。
シ“ように、磁気抵抗効果を有する薄膜素子（以−７：
’ Ｍ Ｒ素ｒと略す）１の両端に電流を供給する端子
・、す体層２，３Ｃよ後部接続端４，５に延びており、
そこから外部ＩＧ］１路へワイヤボンディング、リフロ
ソルダリング等の方法で接続されている。このような場
合、端子導体層２，３とＭＲ素子１とで構成される部分
は、１ターンを等制約に形成していることとなシ、この
部分に鎖交する磁束の時間微分した成分をノイズとして
検出してしまい、Ｓ／／Ｎ比を劣化させていた。
本発明は、上述のような従来品にあった欠点を除去し、
Ｓハ比を向上させた薄膜磁電変換素子を提供することを
目的とし、磁気抵抗効果素子の端子導体層が外部回路と
接続されるまでの間で１回以上交差させることによって
、前記目的を達成したものである。
Ｓハ比を向上させた薄膜磁電変換素子を提供することを
目的とし、磁気抵抗効果素子の端子導体層が外部回路と
接続されるまでの間で１回以上交差させることによって
、前記目的を達成したものである。
捷ず、その一実施例について、第２図を用いて説明する
。図に示すように、磁気抵抗効果を有するＭＲ素子６の
両端に端子導体層７．８が接続されており、その端子導
体層７，８は延在して後部接続端９，１ｏとなっている
。その後部接続端９゜１０に至る範囲において、端子導
体層７，８がＩＩいに交差し、空間１１，１２ｆｒ形成
する。空間１２は、後部接続端９，１０以降の接続法に
よっても異なるが、平行なフレキシブルワイヤーを接続
する場合には、きわめて長い平行線のため、その間の容
量がかなり大きく、高周波的には後部接続端９，１０間
が短絡状態に近いものとなる。このような場合、空間１
１．空間１２に鎖交する磁束量が等しければ、それぞれ
の１ターンカツプリングにより発生する誘起電圧は逆位
相、同振幅となり、打ち消される。したがって、磁電変
換素子としてのＳ／Ｎ比はいちじるしく向上する。
。図に示すように、磁気抵抗効果を有するＭＲ素子６の
両端に端子導体層７．８が接続されており、その端子導
体層７，８は延在して後部接続端９，１ｏとなっている
。その後部接続端９゜１０に至る範囲において、端子導
体層７，８がＩＩいに交差し、空間１１，１２ｆｒ形成
する。空間１２は、後部接続端９，１０以降の接続法に
よっても異なるが、平行なフレキシブルワイヤーを接続
する場合には、きわめて長い平行線のため、その間の容
量がかなり大きく、高周波的には後部接続端９，１０間
が短絡状態に近いものとなる。このような場合、空間１
１．空間１２に鎖交する磁束量が等しければ、それぞれ
の１ターンカツプリングにより発生する誘起電圧は逆位
相、同振幅となり、打ち消される。したがって、磁電変
換素子としてのＳ／Ｎ比はいちじるしく向上する。
第２図では３素子が並置された例へ示しているが、単一
素子であってもよく、寸た４素子以上であってもよい。
素子であってもよく、寸た４素子以上であってもよい。
このような構成の場合、通常、ガラスあるいはフェライ
ト等のセラミック基板上にＭＲ素子ならびに端子導体層
が積層される。ＭＲ素子としてはＮｉ −Ｆｅ 合金
薄膜が真空蒸着法等で得られる。
ト等のセラミック基板上にＭＲ素子ならびに端子導体層
が積層される。ＭＲ素子としてはＮｉ −Ｆｅ 合金
薄膜が真空蒸着法等で得られる。
端子導体層としてはＡｕ／ Ｃｒ 、 Ｃｕ 、 Ａｌ
、 Ｍｏ 膜などが適宜選択される。磁気ヘッドとし
て記録媒体と摺接するものにする場合には、第３図に示
すように、セラミック基板１３上に形成された薄膜層が
保護板１４で覆われ、ユニットベース１５に貼りつけら
れた後、フレキシブルワイヤー１６が貼ら′れて、後部
接続端部分でワイヤボンディングされる。
、 Ｍｏ 膜などが適宜選択される。磁気ヘッドとし
て記録媒体と摺接するものにする場合には、第３図に示
すように、セラミック基板１３上に形成された薄膜層が
保護板１４で覆われ、ユニットベース１５に貼りつけら
れた後、フレキシブルワイヤー１６が貼ら′れて、後部
接続端部分でワイヤボンディングされる。
第２図に示すように２本発明においては、空間１１、空
間１２に鎖交する磁束量が等しくなるように端子半導体
層７，８を交差させているのであるが、その最適状態は
実験的に求められる。たとえば、第４図に示すように記
録ヘッド部１７が隣り合わせに存在する場合、再生ヘッ
ド部１８となる本発明の磁電変換素子部ではそのＭＲ素
子１９の磁気記録媒体２０に摺動する側に近い部分でよ
り多くの記録磁界に対応した漏洩磁束が存在する。
間１２に鎖交する磁束量が等しくなるように端子半導体
層７，８を交差させているのであるが、その最適状態は
実験的に求められる。たとえば、第４図に示すように記
録ヘッド部１７が隣り合わせに存在する場合、再生ヘッ
ド部１８となる本発明の磁電変換素子部ではそのＭＲ素
子１９の磁気記録媒体２０に摺動する側に近い部分でよ
り多くの記録磁界に対応した漏洩磁束が存在する。
したがって、第２図に示す空間１１は空間１２に比べて
小さくても、実質的に等しい磁束を鎖交させることにな
る。
小さくても、実質的に等しい磁束を鎖交させることにな
る。
第２図に示すように、交差回数１回でも効果があるが、
多数回交差することは、より効果的にノイズを相殺する
ことができる。しかし、交差回数を多くすることは、接
続法など製造上のむずかしさを増し、かつ、信頼性の点
でも好捷しくない。
多数回交差することは、より効果的にノイズを相殺する
ことができる。しかし、交差回数を多くすることは、接
続法など製造上のむずかしさを増し、かつ、信頼性の点
でも好捷しくない。
し／こがって、適当な交差回数が選択される。
第５図（／（示すような中点端子２１を有する差動形の
磁電変換素子においては、第６図に示すような実施例と
して解決されうる。すなわち、中点端子２１を二分割し
、ＭＲ素子２２の両端に接続している端子接続端２３．
２４とそれぞれ交差するように配置する。これにより第
２図に示しだイ施例と同様、ノイズ分を相殺することが
可能となる。
磁電変換素子においては、第６図に示すような実施例と
して解決されうる。すなわち、中点端子２１を二分割し
、ＭＲ素子２２の両端に接続している端子接続端２３．
２４とそれぞれ交差するように配置する。これにより第
２図に示しだイ施例と同様、ノイズ分を相殺することが
可能となる。
この上うな差動形の場合、ＭＲ素子２２０部分での同相
のノイズ成分は第５図のような場合でも相殺されること
になるだめ、第６図のような構成をとることにより一層
Ｓ／Ｎ比の改善が図れるＯ以−にのように、本発明の、
ＭＲ素子を用いた薄膜磁電変換素子において、端子導体
層を少なくとも１回交差させているので、１ターンカｙ
プリングによるノイズ成分が相殺され、Ｓ／Ｎ比かいち
じるしく改善される。
のノイズ成分は第５図のような場合でも相殺されること
になるだめ、第６図のような構成をとることにより一層
Ｓ／Ｎ比の改善が図れるＯ以−にのように、本発明の、
ＭＲ素子を用いた薄膜磁電変換素子において、端子導体
層を少なくとも１回交差させているので、１ターンカｙ
プリングによるノイズ成分が相殺され、Ｓ／Ｎ比かいち
じるしく改善される。
第１図は従来の磁電変換素子の一例を示す要部平面図、
第２図は本発明にがかる磁電変換素子の一実施例を示す
要部平面図、第３図は第２図の素子を用いた具体例とし
ての薄膜磁気ヘッドを示す斜視図、第４図は同じく他の
具体例としての記録。 再生一体型薄膜磁気ヘッド、第５図は従来の磁電変換素
子の他の例を示す要部平面図、第６図は第５図に示した
素子の欠点を除去した本発明の実施例の要部平面図であ
る。 ６．２２・・・・・・磁気抵抗効果素子、７，８，２１
゜２２．２４・・・・・・端子導体層、９，１ｏ・・・
・・・後部接続端。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第５図 第３図 第４図
第２図は本発明にがかる磁電変換素子の一実施例を示す
要部平面図、第３図は第２図の素子を用いた具体例とし
ての薄膜磁気ヘッドを示す斜視図、第４図は同じく他の
具体例としての記録。 再生一体型薄膜磁気ヘッド、第５図は従来の磁電変換素
子の他の例を示す要部平面図、第６図は第５図に示した
素子の欠点を除去した本発明の実施例の要部平面図であ
る。 ６．２２・・・・・・磁気抵抗効果素子、７，８，２１
゜２２．２４・・・・・・端子導体層、９，１ｏ・・・
・・・後部接続端。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第５図 第３図 第４図
Claims (1)
- 少なくとも一つの磁気抵抗効果素子に電流を供給する複
数本の端子導体層を有し、前記磁気抵抗効果素子より離
れて後部に延在し、外部回路と接続する後部接続端部に
至る範囲において、前記端子導体層が少なくとも１回交
差してなることを特徴とする薄膜磁電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119441A JPS599986A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 薄膜磁電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119441A JPS599986A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 薄膜磁電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599986A true JPS599986A (ja) | 1984-01-19 |
Family
ID=14761484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57119441A Pending JPS599986A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 薄膜磁電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599986A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5768065A (en) * | 1992-01-28 | 1998-06-16 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head |
-
1982
- 1982-07-08 JP JP57119441A patent/JPS599986A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5768065A (en) * | 1992-01-28 | 1998-06-16 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head |
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