JPH06119620A - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
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- JPH06119620A JPH06119620A JP26489392A JP26489392A JPH06119620A JP H06119620 A JPH06119620 A JP H06119620A JP 26489392 A JP26489392 A JP 26489392A JP 26489392 A JP26489392 A JP 26489392A JP H06119620 A JPH06119620 A JP H06119620A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】磁気抵抗効果ヘッドに関し、非磁性体層を介し
て磁気抵抗効果層の受動領域と近接した軟磁性体層との
異極同士間で磁気結合を起こし難くして、磁気抵抗効果
層の能動領域に磁気バイアスがかかり易くすると共にバ
ルクハウゼンノイズを抑制するに充分な磁界が発生する
ようにする。 【構成】非磁性体層１ｂを挟んで磁気抵抗効果層１ａと
軟磁性体層１ｃが積層され、磁気抵抗効果層１ａが磁気
記憶媒体からの信号磁界を受けて抵抗変化を得、その信
号磁界と抵抗変化の関係が線形応答範囲で動作するよう
に、磁気抵抗効果層１ａに流れるセンス電流Ｉｓによっ
て軟磁性体層１ｃに磁化された磁界を磁気抵抗効果層１
ａのバイアス磁界の印加手段として用いる磁気抵抗効果
ヘッド１において、非磁性体層１ｂの膜厚が磁気抵抗効
果層１ａの能動領域１ａ1 との対向部分では薄く、受動
領域１ａ2 との対向部分では厚くした磁気抵抗効果ヘッ
ド。
て磁気抵抗効果層の受動領域と近接した軟磁性体層との
異極同士間で磁気結合を起こし難くして、磁気抵抗効果
層の能動領域に磁気バイアスがかかり易くすると共にバ
ルクハウゼンノイズを抑制するに充分な磁界が発生する
ようにする。 【構成】非磁性体層１ｂを挟んで磁気抵抗効果層１ａと
軟磁性体層１ｃが積層され、磁気抵抗効果層１ａが磁気
記憶媒体からの信号磁界を受けて抵抗変化を得、その信
号磁界と抵抗変化の関係が線形応答範囲で動作するよう
に、磁気抵抗効果層１ａに流れるセンス電流Ｉｓによっ
て軟磁性体層１ｃに磁化された磁界を磁気抵抗効果層１
ａのバイアス磁界の印加手段として用いる磁気抵抗効果
ヘッド１において、非磁性体層１ｂの膜厚が磁気抵抗効
果層１ａの能動領域１ａ1 との対向部分では薄く、受動
領域１ａ2 との対向部分では厚くした磁気抵抗効果ヘッ
ド。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気ディスク装置あ
るいは磁気テープ装置などに用いられる、情報の読取用
の磁気抵抗効果ヘッドに関するものである。
るいは磁気テープ装置などに用いられる、情報の読取用
の磁気抵抗効果ヘッドに関するものである。
【０００２】近年、磁気ディスク装置の小型化、大容量
化に伴い、高性能な磁気ヘッドが要求されている。この
要求を満足するものとして、磁気ディスクとの相対移動
速度が小さい場合にも大きな再生出力が得られる情報の
読取用の磁気抵抗効果ヘッドが注目されている。
化に伴い、高性能な磁気ヘッドが要求されている。この
要求を満足するものとして、磁気ディスクとの相対移動
速度が小さい場合にも大きな再生出力が得られる情報の
読取用の磁気抵抗効果ヘッドが注目されている。
【０００３】
【従来の技術】図２は基本的な磁気抵抗効果ヘッド１の
概略の構成を示す斜視図である。この磁気抵抗効果ヘッ
ド１は、磁気抵抗効果層１ａの抵抗値が、磁気記録媒体
２による信号磁界に応じて変化する磁化の向きＭｍと、
磁気抵抗効果層１ａを流れるセンス電流Ｉｓの向きＭｉ
との相対角度θに依存することを利用した磁気ヘッドで
あり、薄膜技術を用いて製造される。
概略の構成を示す斜視図である。この磁気抵抗効果ヘッ
ド１は、磁気抵抗効果層１ａの抵抗値が、磁気記録媒体
２による信号磁界に応じて変化する磁化の向きＭｍと、
磁気抵抗効果層１ａを流れるセンス電流Ｉｓの向きＭｉ
との相対角度θに依存することを利用した磁気ヘッドで
あり、薄膜技術を用いて製造される。
【０００４】一般に磁気抵抗効果層１ａは、数百Å程度
の厚さの均一なニッケル鉄（NiFe）などの強磁性体膜か
らなり、センス電流Ｉｓの通電のために磁気抵抗効果層
１ａの両端部に接続して成膜したリード導体１ｄは、金
（Au）などの導体薄膜からなる。
の厚さの均一なニッケル鉄（NiFe）などの強磁性体膜か
らなり、センス電流Ｉｓの通電のために磁気抵抗効果層
１ａの両端部に接続して成膜したリード導体１ｄは、金
（Au）などの導体薄膜からなる。
【０００５】磁気抵抗効果層１ａの大きさは、記録密度
に応じて適宜選定されるが、たとえば磁気記録媒体２の
記録トラック幅ｗ方向の長さは、リード導体１ｄの接続
部も含めて１００μｍ程度で、磁気記録媒体２面と直交
する方向の長さ（高さ）は２〜５μｍ程度であり、つま
り磁気抵抗効果層１ａの実際の形状は極めて小さく薄い
帯状である。
に応じて適宜選定されるが、たとえば磁気記録媒体２の
記録トラック幅ｗ方向の長さは、リード導体１ｄの接続
部も含めて１００μｍ程度で、磁気記録媒体２面と直交
する方向の長さ（高さ）は２〜５μｍ程度であり、つま
り磁気抵抗効果層１ａの実際の形状は極めて小さく薄い
帯状である。
【０００６】この磁気抵抗効果層１ａにおいては、入出
力特性（磁界方向とその検出方向との関係）が２乗特性
となることから、この磁気抵抗効果層１ａを使用する際
には、線形応答範囲で動作するように、前記磁気記録媒
体２による信号磁界に応じて変化する磁化の向きＭｍ
と、磁気抵抗効果層１ａを流れるセンス電流Ｉｓの向き
Ｍｉとの相対角度θを所定の値（たとえば４５度）にす
る、いわゆる磁気バイアス手段が施される。
力特性（磁界方向とその検出方向との関係）が２乗特性
となることから、この磁気抵抗効果層１ａを使用する際
には、線形応答範囲で動作するように、前記磁気記録媒
体２による信号磁界に応じて変化する磁化の向きＭｍ
と、磁気抵抗効果層１ａを流れるセンス電流Ｉｓの向き
Ｍｉとの相対角度θを所定の値（たとえば４５度）にす
る、いわゆる磁気バイアス手段が施される。
【０００７】図２に示す磁気バイアス手段は、磁気抵抗
効果層１ａに、チタン (Ti) やタンタル (Ta) などから
なる非磁性体層１ｂを介して、Cr添加量を７％程度とし
たNiFeCr磁性合金からなる磁気バイアスのための軟磁性
体層１ｃが積層されている。
効果層１ａに、チタン (Ti) やタンタル (Ta) などから
なる非磁性体層１ｂを介して、Cr添加量を７％程度とし
たNiFeCr磁性合金からなる磁気バイアスのための軟磁性
体層１ｃが積層されている。
【０００８】磁気抵抗効果層１ａに印加される磁気バイ
アスは、磁気抵抗効果層１ａに流したセンス電流Ｉｓに
よって生じる磁界により、軟磁性体層１ｃ内の磁化の向
きが一定方向に、たとえば図において上端がＮ極となる
ように揃い、それによって生じた磁界（バイアス磁界）
により、磁気抵抗効果層１ａが磁気バイアス状態とな
る。このように、磁気抵抗効果層１ａに非磁性体層１ｂ
を介して軟磁性体層１ｃを近接させることによって、磁
気抵抗効果層１ａに磁気バイアスを印加する方法は非常
に効率の良い手法として知られている。
アスは、磁気抵抗効果層１ａに流したセンス電流Ｉｓに
よって生じる磁界により、軟磁性体層１ｃ内の磁化の向
きが一定方向に、たとえば図において上端がＮ極となる
ように揃い、それによって生じた磁界（バイアス磁界）
により、磁気抵抗効果層１ａが磁気バイアス状態とな
る。このように、磁気抵抗効果層１ａに非磁性体層１ｂ
を介して軟磁性体層１ｃを近接させることによって、磁
気抵抗効果層１ａに磁気バイアスを印加する方法は非常
に効率の良い手法として知られている。
【０００９】前記磁気バイアス手段として用いる軟磁性
体層１ｃの材質および形状は、たとえば１０〜２０ｍＡ
程度のセンス電流Ｉｓによって、適当なバイアス磁界が
生じて最適の磁気バイアス状態が得られるように選択さ
れる。
体層１ｃの材質および形状は、たとえば１０〜２０ｍＡ
程度のセンス電流Ｉｓによって、適当なバイアス磁界が
生じて最適の磁気バイアス状態が得られるように選択さ
れる。
【００１０】前記磁気抵抗効果層１ａと非磁性体層１ｂ
と軟磁性体層１ｃとが積層されたものが、図示しない絶
縁層を介して、ニッケル鉄（NiFe）などの強磁性体から
なる磁気シールド層１ｅ，１ｅの間に配置され、これに
より高密度記録の再生信号の分解能が高い磁気抵抗効果
ヘッド１が構成されている。
と軟磁性体層１ｃとが積層されたものが、図示しない絶
縁層を介して、ニッケル鉄（NiFe）などの強磁性体から
なる磁気シールド層１ｅ，１ｅの間に配置され、これに
より高密度記録の再生信号の分解能が高い磁気抵抗効果
ヘッド１が構成されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図３は従来の磁気抵抗
効果ヘッドの主要部の構成を示したもので、磁気抵抗効
果層１ａは、中央部の能動領域１ａ1 とその両側の受動
領域１ａ2 に分けて考えることができる。受動領域１ａ
2 は、磁気抵抗効果層１ａにセンス電流Ｉｓを流すため
のリード導体１ｄ（図２参照）を接続するためと、磁気
抵抗効果層１ａを単磁区化してバルクハウゼンノイズを
抑制するのに必要な部分である。
効果ヘッドの主要部の構成を示したもので、磁気抵抗効
果層１ａは、中央部の能動領域１ａ1 とその両側の受動
領域１ａ2 に分けて考えることができる。受動領域１ａ
2 は、磁気抵抗効果層１ａにセンス電流Ｉｓを流すため
のリード導体１ｄ（図２参照）を接続するためと、磁気
抵抗効果層１ａを単磁区化してバルクハウゼンノイズを
抑制するのに必要な部分である。
【００１２】このような構造の磁気抵抗効果層１ａにバ
イアス磁界が印加された場合を考えてみる。センス電流
Ｉｓによって軟磁性体層１ｃの、磁気抵抗効果層１ａの
能動領域１ａ1 に対向する部分１ｃ1 の磁化の向きは、
図示する方向すなわち上端がＮ極に揃い、この磁化によ
る磁界が磁気抵抗効果層１ａの能動領域１ａ1 に印加し
て、その能動領域１ａ1 の磁化方向は、図に示すように
ほぼ４５度下方向に傾く。すなわち、磁気バイアスされ
る。この磁気バイアスが磁気抵抗効果１ａの能動領域１
ａ1 に印加され易くするため、前記非磁性体層１ｂの膜
厚は１００Å程度に非常に薄く成膜されている。
イアス磁界が印加された場合を考えてみる。センス電流
Ｉｓによって軟磁性体層１ｃの、磁気抵抗効果層１ａの
能動領域１ａ1 に対向する部分１ｃ1 の磁化の向きは、
図示する方向すなわち上端がＮ極に揃い、この磁化によ
る磁界が磁気抵抗効果層１ａの能動領域１ａ1 に印加し
て、その能動領域１ａ1 の磁化方向は、図に示すように
ほぼ４５度下方向に傾く。すなわち、磁気バイアスされ
る。この磁気バイアスが磁気抵抗効果１ａの能動領域１
ａ1 に印加され易くするため、前記非磁性体層１ｂの膜
厚は１００Å程度に非常に薄く成膜されている。
【００１３】従って、磁気抵抗効果層１ａの能動領域１
ａ1 の上下両端、および磁気抵抗効果層１ａの能動領域
１ａ1 とその両側の受動領域１ａ2 との境界に図に示す
極性のような磁気的なチャージが発生する。磁気抵抗効
果層１ａの能動領域１ａ1 の上下端に生じる磁気的なチ
ャージは、磁気抵抗効果層１ａの磁気バイアスに寄与す
る。
ａ1 の上下両端、および磁気抵抗効果層１ａの能動領域
１ａ1 とその両側の受動領域１ａ2 との境界に図に示す
極性のような磁気的なチャージが発生する。磁気抵抗効
果層１ａの能動領域１ａ1 の上下端に生じる磁気的なチ
ャージは、磁気抵抗効果層１ａの磁気バイアスに寄与す
る。
【００１４】磁気抵抗効果層１ａの受動領域１ａ2 と能
動領域１ａ1 の境界に生じる図に示す極性のような磁気
的なチャージは、磁気抵抗効果層１ａの能動領域１ａ1
を単磁区化してバルクハウゼンノイズを抑制するのに重
要な働きをする。すなわち、この部分に生じる磁気的な
チャージは、図に示すように、磁気抵抗効果層１ａの能
動領域１ａ1 を単磁区化するような磁界を発生する。
動領域１ａ1 の境界に生じる図に示す極性のような磁気
的なチャージは、磁気抵抗効果層１ａの能動領域１ａ1
を単磁区化してバルクハウゼンノイズを抑制するのに重
要な働きをする。すなわち、この部分に生じる磁気的な
チャージは、図に示すように、磁気抵抗効果層１ａの能
動領域１ａ1 を単磁区化するような磁界を発生する。
【００１５】ところが、図３に例示したように、軟磁性
体層１ｃを非磁性体層１ｂを介して磁気抵抗効果層１ａ
に近接させる磁気バイアス方式を採用した場合には、磁
気抵抗効果層１ａの能動領域１ａ1 とその両側の受動領
域１ａ2 の境界に生じる磁気的なチャージの一部分は、
非磁性体層１ｂの膜厚が非常に薄いため、磁気抵抗効果
層１ａと近接させた軟磁性体層１ｃの異極同士との間で
磁界Ｈ1 ，Ｈ2 で示すように磁気結合を起こし、磁気抵
抗効果層１ａの能動領域１ａ1 に磁気バイアスおよびバ
ルクハウゼンノイズを抑制するのに充分な磁界が発生し
なくなる、と言った課題がある。
体層１ｃを非磁性体層１ｂを介して磁気抵抗効果層１ａ
に近接させる磁気バイアス方式を採用した場合には、磁
気抵抗効果層１ａの能動領域１ａ1 とその両側の受動領
域１ａ2 の境界に生じる磁気的なチャージの一部分は、
非磁性体層１ｂの膜厚が非常に薄いため、磁気抵抗効果
層１ａと近接させた軟磁性体層１ｃの異極同士との間で
磁界Ｈ1 ，Ｈ2 で示すように磁気結合を起こし、磁気抵
抗効果層１ａの能動領域１ａ1 に磁気バイアスおよびバ
ルクハウゼンノイズを抑制するのに充分な磁界が発生し
なくなる、と言った課題がある。
【００１６】この発明は、前記のような課題に鑑み、非
磁性体層１ｂの膜厚が、磁気抵抗効果層１ａの能動領域
１ａ1 との対向部分１ｂ1 では薄く、受動領域１ａ2 と
の対向部分１ｂ2 では厚くすることにより、磁気抵抗効
果層１ａの受動領域１ａ2 とこれに対向した軟磁性体層
１ｃの部分との磁気的なチャージの異極同士との間で磁
気結合が起こり難くなり、このことにより、磁気抵抗効
果層１ａの能動領域１ａ1 に磁気バイアスがかかり易く
なり、かつ、バルクハウゼンノイズを抑制することを目
的としている。
磁性体層１ｂの膜厚が、磁気抵抗効果層１ａの能動領域
１ａ1 との対向部分１ｂ1 では薄く、受動領域１ａ2 と
の対向部分１ｂ2 では厚くすることにより、磁気抵抗効
果層１ａの受動領域１ａ2 とこれに対向した軟磁性体層
１ｃの部分との磁気的なチャージの異極同士との間で磁
気結合が起こり難くなり、このことにより、磁気抵抗効
果層１ａの能動領域１ａ1 に磁気バイアスがかかり易く
なり、かつ、バルクハウゼンノイズを抑制することを目
的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】この発明は、前記のよう
な課題を解決するため、非磁性体層１ｂを挟んで磁気抵
抗効果層１ａと軟磁性体層１ｃが積層され、この磁気抵
抗効果層１ａが磁気記憶媒体からの信号磁界を受けて抵
抗変化を得、その信号磁界と抵抗変化の関係が線形応答
範囲で動作するように、磁気抵抗効果層１ａに流れるセ
ンス電流Ｉｓによって前記軟磁性体層１ｃに磁化された
磁界を磁気抵抗効果層１ａのバイアス磁界の印加手段と
して用いる磁気抵抗効果ヘッド１において、前記非磁性
体層１ｂの膜厚が、磁気抵抗効果層１ａの能動領域１ａ
1 との対向部分１ｂ1 では薄く、受動領域１ａ2 との対
向部分１ｂ2 では厚くした磁気抵抗効果ヘッドとしたも
のである。
な課題を解決するため、非磁性体層１ｂを挟んで磁気抵
抗効果層１ａと軟磁性体層１ｃが積層され、この磁気抵
抗効果層１ａが磁気記憶媒体からの信号磁界を受けて抵
抗変化を得、その信号磁界と抵抗変化の関係が線形応答
範囲で動作するように、磁気抵抗効果層１ａに流れるセ
ンス電流Ｉｓによって前記軟磁性体層１ｃに磁化された
磁界を磁気抵抗効果層１ａのバイアス磁界の印加手段と
して用いる磁気抵抗効果ヘッド１において、前記非磁性
体層１ｂの膜厚が、磁気抵抗効果層１ａの能動領域１ａ
1 との対向部分１ｂ1 では薄く、受動領域１ａ2 との対
向部分１ｂ2 では厚くした磁気抵抗効果ヘッドとしたも
のである。
【００１８】
【作用】この発明のように、前記非磁性体層１ｂの膜厚
が、磁気抵抗効果層１ａの能動領域１ａ1 との対向部分
１ｂ1 では薄く、受動領域１ａ2 との対向部分１ｂ2 で
は厚くなっているので、磁気抵抗効果層１ａの受動領域
１ａ2 とこれに対向した軟磁性体層１ｃの部分との磁気
的なチャージの異極同士との間で磁気結合が起こり難く
なり、このことにより、磁気抵抗効果層１ａの能動領域
１ａ1 に磁気バイアスがかかり易くなり、かつ、バルク
ハウゼンノイズのない磁気抵抗効果ヘッドが得られる。
が、磁気抵抗効果層１ａの能動領域１ａ1 との対向部分
１ｂ1 では薄く、受動領域１ａ2 との対向部分１ｂ2 で
は厚くなっているので、磁気抵抗効果層１ａの受動領域
１ａ2 とこれに対向した軟磁性体層１ｃの部分との磁気
的なチャージの異極同士との間で磁気結合が起こり難く
なり、このことにより、磁気抵抗効果層１ａの能動領域
１ａ1 に磁気バイアスがかかり易くなり、かつ、バルク
ハウゼンノイズのない磁気抵抗効果ヘッドが得られる。
【００１９】
【実施例】以下、この発明の磁気抵抗効果ヘッドの実施
例を、図面に従って詳細に説明する。図１はこの発明の
実施例に係る磁気抵抗効果ヘッドの要部の構成を拡大し
て示す平面図である。この図１において、図２および図
３と同一機能を有する構成要素には同一符号を付して説
明する。
例を、図面に従って詳細に説明する。図１はこの発明の
実施例に係る磁気抵抗効果ヘッドの要部の構成を拡大し
て示す平面図である。この図１において、図２および図
３と同一機能を有する構成要素には同一符号を付して説
明する。
【００２０】この発明の磁気抵抗効果ヘッドは、磁気抵
抗効果層１ａと非磁性体層１ｂと軟磁性体層１ｃとを順
次積層して構成している点は従来例と同じであり、従来
例と相違する点を以下に説明する。
抗効果層１ａと非磁性体層１ｂと軟磁性体層１ｃとを順
次積層して構成している点は従来例と同じであり、従来
例と相違する点を以下に説明する。
【００２１】この発明の磁気抵抗効果ヘッド１は、前記
非磁性体層１ｂの膜厚が、磁気抵抗効果層１ａの能動領
域１ａ1 との対向部分１ｂ1 では薄く、受動領域１ａ2
との対向部分１ｂ2 では厚くしたものである。
非磁性体層１ｂの膜厚が、磁気抵抗効果層１ａの能動領
域１ａ1 との対向部分１ｂ1 では薄く、受動領域１ａ2
との対向部分１ｂ2 では厚くしたものである。
【００２２】すなわち、具体的には、非磁性体層１ｂの
膜厚が、磁気抵抗効果層１ａの能動領域１ａ1 との対向
部分１ｂ1 では３０〜１００Åとし、受動領域１ａ2 と
の対向部分１ｂ2 では１２０〜５００Åとしたものであ
る。
膜厚が、磁気抵抗効果層１ａの能動領域１ａ1 との対向
部分１ｂ1 では３０〜１００Åとし、受動領域１ａ2 と
の対向部分１ｂ2 では１２０〜５００Åとしたものであ
る。
【００２３】また、前記磁気抵抗効果層１ａとしてNiFe
膜を膜厚３００Åに、また、非磁性体層１ｂとしてTa膜
を膜厚４００Åにそれぞれ高周波スパッタ法によって形
成し、その後、磁気抵抗効果層１ａの能動領域１ａ1 と
対向する非磁性体層１ｂの部分１ｂ1 を１００Åまでイ
オンミリングによってエッチングし、その後、軟磁性体
層１ｃとしてNiFeCr膜を膜厚３００Åにそれぞれ高周波
スパッタ法によって形成した。
膜を膜厚３００Åに、また、非磁性体層１ｂとしてTa膜
を膜厚４００Åにそれぞれ高周波スパッタ法によって形
成し、その後、磁気抵抗効果層１ａの能動領域１ａ1 と
対向する非磁性体層１ｂの部分１ｂ1 を１００Åまでイ
オンミリングによってエッチングし、その後、軟磁性体
層１ｃとしてNiFeCr膜を膜厚３００Åにそれぞれ高周波
スパッタ法によって形成した。
【００２４】この発明のように、前記非磁性体層１ｂの
膜厚が、磁気抵抗効果層１ａの能動領域１ａ1 との対向
部分１ｂ1 では薄く、受動領域１ａ2 との対向部分１ｂ
2 では厚くなっているので、磁気抵抗効果層１ａの受動
領域１ａ2 とこれに対向した軟磁性体層１ｃの部分との
磁気的なチャージの異極同士との間で磁気結合が起こり
難くなり、このことにより、磁気抵抗効果層１ａの能動
領域１ａ1 に磁気バイアスがかかり易くなり、かつ、バ
ルクハウゼンノイズのない磁気抵抗効果ヘッドが得られ
た。
膜厚が、磁気抵抗効果層１ａの能動領域１ａ1 との対向
部分１ｂ1 では薄く、受動領域１ａ2 との対向部分１ｂ
2 では厚くなっているので、磁気抵抗効果層１ａの受動
領域１ａ2 とこれに対向した軟磁性体層１ｃの部分との
磁気的なチャージの異極同士との間で磁気結合が起こり
難くなり、このことにより、磁気抵抗効果層１ａの能動
領域１ａ1 に磁気バイアスがかかり易くなり、かつ、バ
ルクハウゼンノイズのない磁気抵抗効果ヘッドが得られ
た。
【００２５】すなわち、この発明のように製作した磁気
抵抗効果ヘッドのρ−Ｈ特性（ρ；抵抗率、Ｈ；磁界の
強さ）を測定した結果、良好な磁気バイアス特性とバル
クハウゼンノイズのない安定した動作が確認された。
抵抗効果ヘッドのρ−Ｈ特性（ρ；抵抗率、Ｈ；磁界の
強さ）を測定した結果、良好な磁気バイアス特性とバル
クハウゼンノイズのない安定した動作が確認された。
【００２６】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように、非磁
性体層を挟んで磁気抵抗効果層と軟磁性体層が積層さ
れ、この磁気抵抗効果層が磁気記憶媒体からの信号磁界
を受けて抵抗変化を得、その信号磁界と抵抗変化の関係
が線形応答範囲で動作するように、磁気抵抗効果層に流
れるセンス電流によって前記軟磁性体層に磁化された磁
界を磁気抵抗効果層のバイアス磁界の印加手段として用
いる磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記非磁性体層の膜
厚が、磁気抵抗効果層の能動領域との対向部分では薄
く、受動領域との対向部分では厚くなっているので、磁
気抵抗効果層の受動領域とこれに対向した軟磁性体層の
部分との磁気的なチャージの異極同士との間で磁気結合
が起こり難くなり、このことにより、磁気抵抗効果層の
能動領域に磁気バイアスがかかり易くなり、かつ、バル
クハウゼンノイズのない磁気抵抗効果ヘッドが得られ
た。
性体層を挟んで磁気抵抗効果層と軟磁性体層が積層さ
れ、この磁気抵抗効果層が磁気記憶媒体からの信号磁界
を受けて抵抗変化を得、その信号磁界と抵抗変化の関係
が線形応答範囲で動作するように、磁気抵抗効果層に流
れるセンス電流によって前記軟磁性体層に磁化された磁
界を磁気抵抗効果層のバイアス磁界の印加手段として用
いる磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記非磁性体層の膜
厚が、磁気抵抗効果層の能動領域との対向部分では薄
く、受動領域との対向部分では厚くなっているので、磁
気抵抗効果層の受動領域とこれに対向した軟磁性体層の
部分との磁気的なチャージの異極同士との間で磁気結合
が起こり難くなり、このことにより、磁気抵抗効果層の
能動領域に磁気バイアスがかかり易くなり、かつ、バル
クハウゼンノイズのない磁気抵抗効果ヘッドが得られ
た。
【図１】この発明の実施例に係る磁気抵抗効果ヘッドの
要部の構成を示す拡大平面図である。
要部の構成を示す拡大平面図である。
【図２】基本的な磁気抵抗効果ヘッドの概略の構成を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図３】従来の磁気抵抗効果ヘッドの要部の斜視図であ
る。
る。
１ 磁気抵抗効果ヘッド １ａ 磁気抵抗効果層 １ａ1 能動領域 １ａ2 受動領域 １ｂ 非磁性体層 １ｂ1 能動領域１ａ1 との対向部分 １ｂ2 受動領域１ａ2 との対向部分 １ｃ 軟磁性体層 １ｄ リード導体 １ｅ 磁気シールド層 Ｈ1 磁界 Ｈ2 磁界 Ｉｓ センス電流 ２ 磁気記録媒体
Claims (2)
- 【請求項１】 非磁性体層（１ｂ）を挟んで磁気抵抗効
果層（１ａ）と軟磁性体層（１ｃ）が積層され、この磁
気抵抗効果層（１ａ）が磁気記憶媒体からの信号磁界を
受けて抵抗変化を得、その信号磁界と抵抗変化の関係が
線形応答範囲で動作するように、磁気抵抗効果層（１
ａ）に流れるセンス電流（Ｉｓ）によって前記軟磁性体
層（１ｃ）に磁化された磁界を磁気抵抗効果層（１ａ）
のバイアス磁界の印加手段として用いる磁気抵抗効果ヘ
ッド（１）において、 非磁性体層（１ｂ）の膜厚が、磁気抵抗効果層（１ａ）
の能動領域（１ａ1 ）との対向部分（１ｂ1 ）では薄
く、受動領域（１ａ2 ）との対向部分（１ｂ2 ）では厚
くなっていることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項２】 前記非磁性体層（１ｂ）の膜厚が、磁気
抵抗効果層（１ａ）の能動領域（１ａ1 ）との対向部分
（１ｂ1 ）では３０〜１００Åであり、受動領域（１ａ
2 ）との対向部分（１ｂ2 ）では１２０〜５００Åであ
ることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26489392A JPH06119620A (ja) | 1992-10-02 | 1992-10-02 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26489392A JPH06119620A (ja) | 1992-10-02 | 1992-10-02 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06119620A true JPH06119620A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17409693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26489392A Withdrawn JPH06119620A (ja) | 1992-10-02 | 1992-10-02 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06119620A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102329589A (zh) * | 2011-09-06 | 2012-01-25 | 蚌埠市立群电子有限公司 | 一种防熔融金属胶粘剂及其制备方法 |
-
1992
- 1992-10-02 JP JP26489392A patent/JPH06119620A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102329589A (zh) * | 2011-09-06 | 2012-01-25 | 蚌埠市立群电子有限公司 | 一种防熔融金属胶粘剂及其制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |