JPH01251412A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気記録媒体に記録された磁気記録信号を再
生する磁気抵抗効果型磁気ヘッド（いわゆるＭＲ型磁気
ヘッド。）に関し、特に高記録密度化に対応した構造の
ＭＲ型磁気ヘッドに関する。

〔発明の）既要〕

本発明は、磁気記録媒体に記録された磁気記録信号を再
生する磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、感磁部にセ
ンス電流を印加する前方電極層と後方電極層を上記感磁
部を介して該感磁部にバイアス磁界を印加するバイアス
磁界発生用導体と反対側に位置させることにより、磁気
ギャップ長の短縮を図り、これにより周波数特性の向上
を達成しようとするものである。

（従来の技術〕 一般に、磁気記録媒体に記録されている磁気記録信号を
読み出すものとして、例えば再生機能しか有しないが、
高出力が得られる磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、Ｍ
Ｒ型磁気ヘッドと言う。）が知られている。

上記ＭＲ型磁気ヘッドは、遷移金属に見られる磁化の向
きとその内部を流れる電流の向きのなす角によって、電
気抵抗値が変化する磁気抵抗効果現象を利用した再生へ
ノドである。

すなわち、磁気記録媒体からの漏洩磁束をＭＲ磁性薄膜
が受けると、その磁束により上記ＭＲＩ性薄膜薄膜化の
向きが回転し当該ＭＲ磁性薄膜内部を流れる電流の向き
とは磁束量に応じた角度をもつ。それ故にＭＲ磁性薄膜
の電気抵抗値は変化し、この変化量に応じた電圧変化が
電流を流しているＭＲ磁性薄膜の両端の電極に現れるの
で電圧信号として磁気記録信号を読み出せることになる
。

一般に、上記ＭＲ磁性薄・膜には単層の薄膜が用いられ
、これが感磁部を構成する。ところが、この単層のＭＲ
１ｆｆ性薄膜よりなるＭＲ型磁気ヘッドにおいては、バ
ルクハウゼンノイズ、すなわち磁壁の移動に基づくノイ
ズの発生が問題となる。すなわち、このＭＲ磁性薄膜は
磁気異方性エネルギー、形状異方性等に起因する静磁エ
ネルギー等の和が層全体として最小限となるような状態
を保持するべく磁区構成をとるために、この層に外部磁
界が与えられると磁壁が移動しバルクハウゼンノイズが
発生する。

そこで、本願出願人は上記バルクハウゼンノイズの回避
を図るために、先に特願昭６０−１７９１３号明細書及
び特願昭６２−０１１９３２号明細書に開示するように
、非磁性中間層を介して対の軟磁性薄膜を積層した積層
型の感磁部を用いたＭＲ型磁気ヘッドを提案している。

そのＭＲ型磁気ヘッドは、例えば第１４図に示すような
構成とされている。

すなわち、上記ＭＲ型磁気ヘッドは、第１４図に示すよ
うに、感磁部（１）の−主面上に該感磁部（１）にセン
ス電流を印加するための電極層（２）　、　（３）が形
成され、その上に絶縁層（４ｂ）を介して上記感磁部（
１）にバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界発生
用導体（５）が積層され、これらを絶縁層（４ａ）　、
　（４ｃ）を介して下部磁性体（６）と上部磁性体（７
）により挟み込んだいわゆるシールド型構造となってい
る。そして、上記感磁部（１）は少なくとも一方が磁気
抵抗効果を有する対の軟磁性薄膜（ｌａ）　、　（ｌｂ
）が非磁性中間層（１ｃ）を介して積層された構造とさ
れている。

このように、感磁部（１）を積層構造とすることにより
、上記対の軟磁性薄膜（ｌａ）　、　（ｌｂ）の磁化容
易軸が同一方向となり、しかも磁化の向きが互いに逆向
きとなるので、該感磁部（１）は同一面内に複数の磁区
をとることがなくなる。このため、バルクハウゼンノイ
ズの発生の少ない磁気ヘッドが実現される。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、上記ＭＲ型磁気ヘッドでは、電極層（２）　
、　（３）及びバイアス磁界発生用導体（５）がいずれ
も感磁部（１）の−主面上に積層された構成となってい
る。このため、電極層（２）　、　（３）とバイアス磁
界発生用導体（５）間、バイアス磁界発生用導体（５）
と上部磁性体（７）間にはそれぞれ絶縁をとるための絶
縁層（４ｂ）　、　（４ｃ）が必要となるため、前記感
磁部（１）と上部磁性体（７）間のシールドギヤツブ長
し、はこれら絶縁層（４ｂ）　、　（４ｃ）により制約
を受けている。実際、前述の構造をとった場合、そのシ
ールドギャップ長り、はおよそ０．８βｍ程度とするの
が限度である。

他方、上記感磁部（１）と下部磁性体（６）間の絶縁層
（４ａ）は、本来は上記感磁部（１）と下部磁性体（６
）間には何も積層されるものがないためその絶縁膜（４
ａ）の膜厚は少なくとも絶縁がとれる程度の膜厚であれ
ばよい。ところが、上記感磁部（１）と下部磁性体（６
）間のシールドギャップ長Ｌｘが前記感磁部（１）と上
部磁性体（７）間のシールドギャップ長Ｌ１と同じ長さ
でないと出力波形が非対称となるために、上記絶縁層（
４ａ）の膜厚は先のシールドギャップ長し、にあわせて
等しくされている。

したがって、上記絶縁層（４ａ）は余分な膜厚を有する
ので、当該磁気ヘッドの磁気ギャップ長しは１．６μｍ
となる。これは、感磁部（１）の膜厚を含まない値であ
る。

このように、磁気ギャップ長しの大きなＭＲ型磁気ヘッ
ドでは、その再生出力値が１／２になる記録密度り、。

値は、２２〜２３ＫＰＣＩとなっており、このり、。値
をさらに向上させ、裔記録密度化に対応させようとする
には、前記磁気ギャップ長りを短くする必要がある。し
かし、上述の構造では導体薄膜および絶縁膜の膜厚とも
限界近く薄くしであるため、これ以上狭ギャップ化を図
ることは構造を変えない限り不可能となっている。

そこで、本発明は、上記の課題を解消するべく提案され
たものであって、磁気ギャップ長が短くでき、周波数特
性の向上が図れ、しかも生産性の向上も図れる磁気抵抗
効果型磁気ヘッドを提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、上記の目的を達成するために、７１Ｈ上に少
なくとも一方が磁気抵抗効果を有する対の軟磁性薄膜が
非磁性中間層を介して積層された感磁部と、該感磁部の
前方端部と後方端部に各々被着される前方電極層及び後
方電極層と、該感磁部を絶縁層を介して横切るように延
在するバイアス磁界発生用導体とが設けられ、前記前方
電極層及び後方電極層は前記感磁部を介して前記バイア
ス磁界発生用導体と反対側に配設されたことを特徴とす
るものである。

〔作用〕

本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドでは、感磁部が磁気
抵抗効果を有する対の軟磁性薄膜間に非磁性中間層を介
在させて積層したかたちとなっており、これら対の軟磁
性薄膜は静磁的結合状態となりクーロンの法則に従う相
互作用による結合が充分強い状態となる。このため、対
向する軟磁性薄膜の磁化容易軸の向きを同一方向とすれ
ば、その磁化の向きは互いに逆向きとなるので、感磁部
は同一面内に複数の磁区をとることがない。したがって
、バルクハウゼンノイズの発生が有効に防止される。

そして、前方電極層及び後方電極層が感磁部を介してバ
イアス磁界発生用導体と反対側の位置に配設されている
ので、上記感磁部と上部磁性体間にはバイアス磁界発生
用導体のみが形成されることになり、感磁部の同一面上
に電極層及びバイアス磁界発生用導体の両方を積層する
構造のもと比べてその間の膜厚は薄くなる。

他方、上記感磁部と下部磁性体間においても同様、電極
層のみが積層されるだけなのでやはりその間の膜厚は薄
くなる。

したがって、磁気ヘッドの磁気ギャップ長は短くなり、
周波数特性の一層の向上が図れる。

〔実施例〕

以下、本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一
実施例を図面を参照しながら説明する。

本実施例のＭＲ型磁気ヘッドは、第１図及び第２図に示
すように、感磁部（８）、前方電極層（９）、後方電極
層（１０）、バイアス磁界発生用導体（１１）を絶縁Ｒ
（１２ａ）　、　（１２ｂ）　、　（１２ｃ）　、　（
１２ｄ）を介して上部磁性体（１３）と下部磁性体（１
４）とで挟み込んだいわゆるシールド型構造とされてい
る。

これら上部磁性体（１３）と下部磁性体（１４）間に形
成される感磁部（８）、前方電極層（９）、後方電極層
（１０）。

バイアス磁界発生用導体（１１）は、上記下部磁性体（
１４）上に絶縁層（１２ｄ）を介して前方電極層（９）
及び後方電極！（１０）がそれぞれ形成され、その上に
感磁部（８）が形成され、さらにその上に絶縁層（１２
ｂ）を介してバイアス磁界発生用導体（１１）が積層さ
れた積層構造となっている。

ここで、上記感磁部（８）は、少なくとも一方が磁気抵
抗効果を有する対の軟磁性薄膜（８ａ）　、　（８ｂ）
が非磁性中間層（８ｃ）を介して積層された構成となっ
ている。そして上記両軟磁性薄膜（８ａ）　、　（８ｂ
）は、その飽和磁束密度及び厚み等の選定によって当該
両軟磁性薄膜（８ａ）　、　（８ｂ）の磁束量が一致す
るようにして磁束がその両軟磁性薄膜（８ａ）、　（８
ｂ）に関して全体的に閉じるようにされている。

この結果、上記感磁部（８）は非磁性中間層（８ｃ）の
介在により静磁的結合状態となり、対向する軟磁性薄Ｗ
Ｘ　（８ａ）　、　（８ｂ）の磁化容易軸の向きが同一
方向となり、その磁化の向きは互いに逆向きとなるので
、感磁部（８）は同一面内に複数の磁区をとることかな
い。このため、磁壁の移動に基づくバルクハウゼンノイ
ズの発生が有効に防止される。

上記軟磁性薄膜（８ａ）　、　（８ｂ）の材料としては
、例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ等の単体もしくはこれら２
つ以上の合金、例えばＮｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ。

Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ等が挙げられる。

また上記非磁性中間層（８ｃ）の材料には、例えばＡｌ
□０．や５ｉｆｔ等の絶縁物あるいはＭｏ。

Ｔｉ、Ａｇ等の非磁性金属等が使用される。

なお、上記非磁性中間層（８ｃ）の膜厚は、上記両転磁
性薄膜（８ａ）　、　（８ｂ）間に交換相互作用に比し
静磁的相互作用が支配的に作用するような膜厚、例えば
５人〜１００００人のうち特に、その作用がより良好に
発揮される５人〜５００人範囲の膜厚とすることが好ま
しい。

なお、上記感磁部（８）をいずれも磁気抵抗効果を有す
る軟磁性薄膜（８ａ）　、　（８ｂ）で構成するときに
は、上記両転磁性薄膜（８ａ）　、　（８ｂ）は同−材
料及び同一寸法にすることが望ましい。これに対し、感
磁部（８）を片方のみが磁気抵抗効果を有する軟磁性薄
膜（８ａ）で構成するときには、他方の軟磁性薄膜（８
ｂ）は上記磁気抵抗効果のある軟磁性薄膜（８ａ）に比
し充分大なる電気抵抗を有するようにその材料及び厚み
等の選定を行う。その際、この場合にも両転磁性薄膜（
８ａ）　、　（８ｂ）の磁束量が一致するような条件を
満足する必要がある。

そして、このように積石構造とされた感磁部（８）の下
部磁性体（１４）側の軟磁性薄膜（８ｂ）には、上記感
磁部（８）にセンス電流を印加する前方電極層（９）及
び後方電ｉＪ！（１０）が被着形成されている。

上記前方電極層（９）は感磁部（８）の前方端部に、後
方電極層（１０）はその後方端部に各々前記感磁部（８
）の延在方向と略直交するように延在されている。そし
てさらに、これら前方電極層（９）　、後方電極Ｊ！　
（１０）は上部磁性体（１３）から離れた位置でそれぞ
れ前方電極７１（９）　、後方電極Ｎ（１０）の両端か
ら先の感磁部（８）の延在方向に延在し端子導出部（９
ａ）。

（１０ａ）をそれぞれ形成している。そして、その両端
子導出部（９ａ）　、　（１０ａ）の一部がセンス電流
を流すための端子Ｌ＋、Ｌｚとなっている。

したがって、この両端子ｊ、、ｔ、間にセンス電流ｉを
流せば、前方電極層（９）、感磁部（８）、後方電極層
（ｌＯ）の順に該センス電流ｉが流れる。なお、上記セ
ンス′ｇｉ流ｉの向きは、バルクハウゼンノイズの発生
を防止する上からも磁気記録媒体からの信号磁界と同一
方向とすることが好ましい。また、上記前方電極層（９
）及び後方電極層（１０）には、通常の金属導体が使用
できるが、本実施例ではＴｉ／　Ｃｕ　／　Ｔ　ｉの順
に積層された積層型の金属導体を用いた。

また、上記前方電極層（９）と後方電極層（１０）間に
は絶縁層（１２ａ）が形成されている。この絶縁層（１
２ａ）は、上記前方電極Ｎ（９）と後方電極層（１０）
間を埋める如くスパッタリングされた後、ポリッシング
されてその表面が平坦化され、上記画電極層（９）、（
１０）の膜厚と同じ膜厚とされたものである。

そして、これら前方電極層（９）及び後方電極層（１０
）が被着形成された感磁部（８）は、磁気記録媒体（図
示は省略する。）との対接面（１５）と略直交するよう
に延在して絶縁Ｎ　（１２ｄ）を介して基板すなわち下
部磁性体（１４）上に配設されている。

なお、上記感磁部（８）の前方端面とその前方端に配設
された前方電極層（９）の前方端面ば、上記対接面（１
５）に臨んで配設されている。

上記下部磁性体（１５）の材料としては、例えばＮｉ−
Ｚｎ系フェライトやＭｎ−Ｚｎ系フェライト等が用いら
れる。また、上記絶縁層（１２ｄ）の材料としては、通
常の絶縁膜として使用されるＡ　ｌ　ｚ　Ｏ３やＳｉＯ
□等が使用される。

また、上記感磁部（８）を介して前記した前方電極層（
９）及び後方？ｆｌｊ極層（１０）とは反対側の感磁部
（８）上には、絶縁層（１２ｂ）を介して咳！！！磁部
（８）にバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界発
生用導体（１１）が形成されている。

すなわち、上記バイアス磁界発生用導体（１１）は、上
記前方電極Ｎ（９）と後方電極Ｎ（１０）間の略中間部
に相当する位置の感磁部（８）〔上部もｆ！磁性体１３
）側の軟磁性薄膜（８ａ））上に形成されるとともに、
上記感磁部（８）を横切るように延在して形成されてい
る。

そして、上記バイアス磁界発生用導体（１１）は、その
両端からさらに、上記感磁部（８）の延在方向に延在さ
れバイアス用端子導出部（ｌｌａ）　、　（Ｉｌｂ）を
形成している。そのバイアス用端子導出部（ｌｌａ）　
。

（ｌｌｂ）の一部に端子Ｔ、、Ｔ、が設けられ、この両
端子Ｔ、、Ｔｔ間にバイアス磁界発生用の電流が通電さ
れるようになっている。なお、その電流により発生する
バイアス磁界の向きは、前記感磁部（８）の軟磁性薄膜
（８ａ）　、　（８ｂ）の磁化の向きがセンス電流の方
向に対して所要の角度、例えば約４５°となるような向
きに設定することが好ましい。

そして、上記バイアス磁界発生用導体（１１）上に絶縁
層（１２ｃ）が介され、その上に金属磁性材料からなる
上部磁性体（１３）が形成されている。

上部磁性体（１３）の材料には、前記した下部磁性体（
１４）と同様、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトやＭｎ−Ｚｎ系
フェライト等が用いられる。

なお、上述のように構成されたＭＲ型磁気ヘッドに対し
、磁気記録媒体からの信号磁界と感磁部（８）に通ずる
センス電流ｉとを同方向に選定すればバルクハウゼンノ
イズの低減が図れるＭＲ型磁気ヘンドが実現される。

このように構成されたＭＲ型磁気ヘッドでは、前方電極
Ｎ（９）及び後方電極層（１０）が感磁部（８）を介し
て前記バイアス磁界発生用導体（１１）と反対側に形成
されているため、その磁気ギャップ長Ｔの短縮が図れる
。

すなわち、上記感磁部（８）上に形成されるのはバイア
ス磁界発生用導体（１１）のみであるため、従来のＭＲ
型磁気ヘッドのように感磁部（８）の同一面上に電極層
（９）　、　（１０）及びバイアス磁界発生用導体（１
１）の両方を積層していたものと比べ、その電極層（９
）　、　（１０）が積層されない分だけ上記感磁部（８
）と上部磁性体（１３）間の膜厚は薄くなる。したがっ
て、上記感磁部（８）と上部磁性体（１３）間のシール
ドギャップ長Ｔ、は短縮される。

他方、上記感磁部（８）と下部磁性体（１４）間におい
ても同様、前方電極Ｉｌ！　（９）　、後方電極１’！
　（１０）が積層されるだけなので、やはりその間の膜
厚も薄くなる。しかも、この間の膜厚を先のシールドギ
ャップ長Ｔ１と同じ膜厚とし再生出力波形が非対称とな
らないようにした場合であっても、この薄い膜で充分絶
縁性が確保される。このため、上記感磁部（８）と下部
磁性体（１４）間のシールドギャップ長Ｔ２も同様短縮
される。

したがって、上記ＭＲ型磁気ヘッドの磁気ギャップ長Ｔ
は、従来のものと比べて極めて短いものとなる。例えば
、その磁気ギャップ長Ｔは従来では１．６μｍであった
が本例では１．０μｍとすることが可能となった。この
磁気ヘッドをシュミレーションした結果、磁気ギャップ
長Ｔが１．６μｍのときは当該磁気ヘッドの再生出力値
が１／２になる記録密度り、。値は２６．４ＫＦ（ｌで
あるが、磁気ギャップ長Ｔが１．０μｍの場合は３３．
７ＫＦＣＩとなる。つまり、０．６ｇｍの磁気ギャップ
長の短縮で２８％程度り、。値が延びることになる。こ
のため、周波数特性の向上が図れより高記録密度に適し
たＭＲ型磁気ヘッドが実現される。また、さらに高ＢＰ
Ｉ（最大ビット密度）化及び裔ＴＰＩ（）ラック密度）
化にも対応可能となる。

ここで、上述の構造を有する磁気ヘッドの動作を第３図
ないし第５図を参照しながら説明する。

上記第３図ないし第５図は前記感磁部（８）の両軟磁性
薄膜（８ａ）　、　（８ｂ）のみを模式的に示したもの
で、これら軟磁性薄膜（８ａ）　、　（８ｂ）は、第３
図中ａで示す方向に初期状態で磁化容易軸を有する。す
なわち、両端子１．．１．間にセンス電流ｉを通電する
場合、それと直交する方向に磁化容易軸ａを有する。そ
して、これら軟磁性薄膜（８ａ）　、　（８ｂ）にセン
ス電流ｉを通電することによって非磁性中間層（図示は
省略する。）を挟んで対向する両軟磁性薄膜（８ａ）　
、　（８ｂ）にはセンス電］と直交する互いに逆向きの
磁界が発生し、これによって両軟磁性薄膜（８ａ）　、
　（８ｂ）は同図に実線矢印Ｍ１及び破線矢印Ｍ２で示
すように磁化される。

一方、この感磁部（８）にはセンス電流ｉに沿う方向に
、第４図に示すように外部からバイアス磁界Ｈｍが与え
られると、このバイアス磁界Ｈ１ｌによって軟磁性薄膜
（８ａ）　、　（８ｂ）の磁化の向きは第４図に矢印Ｍ
１及びＭ、で示すように、所要の角度だけ回転される。

このバイアス磁界Ｈ８によって与えられる磁化の方向は
センスＴＬ流ｉの方向に対して略４５゛となるようにそ
のバイアス磁界Ｈ１の大きさが選ばれる。なお上記バイ
アス磁界Ｈ８は、前記したバイアス磁界発生用導体（１
１）によって得られる。

このようにバイアス磁界ｌｌｌ１によってセンス電流ｌ
に対して略４５°の磁化を与えるようにすることは、磁
界−抵抗特性曲線が高い悪魔と直進性を示す部分におい
て動作させるためになされるものであって、通常のＭＲ
型磁気ヘッドに行われていると同様である。

この状態で第５図に示すように信号磁界Ｈ８がセンス電
流ｉに沿う方向、すなわち磁化困難軸方向に与えられる
と磁化が回転し、それぞれの磁化の方向が矢印ＭＳｌ及
びＭＨ２に示すように反時計方向及び時計方向に角度θ
１及び−〇５回転する。

これによって、各軟磁性薄膜（８ａ）　、　（８ｂ）が
例えば共にこのＭＲ磁性薄膜である場合には、それぞれ
抵抗変化が生じることになるが、このＭＲ磁性薄膜の抵
抗の変化は角度の変化をθとするときｃｏｓ”θに比例
するので、第４図における両軟磁性薄膜（８ａ）　、　
（８ｂ）の磁化Ｍ、及びＭｏが互いに９０゛ずれている
とすると、角度θ１及び−θ１の変化で両軟磁性薄膜（
８ａ）　、　（８ｂ）に関して抵抗の変化の増減が一致
する。

つまり、一方の軟磁性薄膜（８ａ）の抵抗が増加すれば
他方の軟磁性薄膜（８ｂ）もその抵抗は増加する方向に
変化する。そして、これら軟磁性薄膜（８ａ）　。

（８ｂ）の抵抗変化、すなわち感磁部（８）の両側の端
子１．及び１２間に抵抗変化が生じ、この抵抗変化を両
端子ｔＩ、ｔ２間の電圧変化として検出することができ
ることになる。

次に、上記ＭＲ型磁気ヘッドの構成をより理解し易くす
るために、上記磁気ヘッドの製造方法を図面を参照しな
がら説明する。

先ず、第６図に示すように、磁性フェライト等の金属磁
性材料あるいは基板よりなる下部磁性体（１４）上に絶
縁性を有するＡｊｌ！２０３を通常のスパッタリングに
より被着し、そのＮｆｆが例えば３５００人（ポリッシ
ングした後の厚み）となるように絶縁層（１２ｄ）を形
成する。

次に、第７図に示すように、上記絶縁層（１２ｄ）上に
Ｔ　ｉ　／　Ｃｕ　／　Ｔ　ｉの順に金属導体をスパッ
タリングにより被着し、これをフォトリソグラフィ技術
、例えばエツチングによりパターン化して前方電極Ｎ（
９）及び後方電極層＜１０＞を形成する。

この結果、上記前方電極層（９）及び後方電極層（１０
）は、後工程で形成される感磁部の延在方向と略直交す
る方向に形成されるとともに、上記感磁部の前方端部に
前方電８ｉ層（９）が後方端部に後方電極層（１０）が
それぞれ形成されることになる。

また、上記前方電極層（９）及び後方電極層（１０）形
成と同時に上記後方電極層（１０）の両端から端子導出
部（図示は省略する。）を延在するように形成する。

なお、本実施例では上記金属導体の膜厚は、最初２００
０人程度被着した後、ポリッシングしてその表面を平坦
化しその膜厚が１５００人となるようにした。

次に、第８図に示すように、上記前方電極層（９）と後
方電極層（１０）上にＡ　１．　ｔ　Ｏｓをやはりスパ
ッタリングにより被着する。その際、上記前方電極Ｎ（
９）及び後方電極層（１０）がＡ　ｌ　ｚ　Ｏｓにより
完全に埋まるように、本実施例では上記Ａｌ□Ｏ３の膜
厚を２０００人とした。

続いて、第９図に示すように、先の前方電極層（９）と
後方電極層（１０）の表面が露出するように上記絶縁Ｎ
　（１２ａ）をポリッシングする。

この結果、上記絶縁Ｎ（１２ａ）の膜厚は先の前方電極
層（９）及び後方電極層（１０）の膜厚と同じになり、
これら電極層（９）　、　（１０）及び絶縁層（１２ａ
）の表面は平坦化され面一となる。したがって、この上
に形成される導体薄膜は短絡するようなこｋがなく信幀
性が確保される。

次に、第１０図に示すように、上記平坦化された表面の
前方電極層（９）、後方電極層（１０）、絶Ｉｉ層（１
２ａ）上に磁気抵抗効果を有する磁性金属、例えばＮｉ
−Ｆｅを蒸着した後、この上にＡＩ！、□０よをスパッ
タリングし、さらにＮｉ−Ｆｅを蒸着する。

その後、これらをエツチングしてパターン化すると、両
軟磁性Ｆｉｔ！　（８ａ）　、　（８ｂ）が非磁性中間
層（８ｃ）を介して積層された感磁部（８）が形成され
る。その際、上記感磁部（８）は、磁気記録媒体との摺
接面と略直交する向きに延在するように形成される。

なお、本実施例ではＮｉ−Ｆｅの膜厚を各々３００人、
ＡｌｚＯ３の膜厚を４０人とした。

次に、第１１図に示すように、上記感磁部（８）上に５
ｉｓＮａをスパッタリングにより被着し、エンチングを
施して絶縁Ｎ　（１２ｂ）を形成する。

上記５ｉｚＮｓは感磁部（８）の酸化を防止する作用を
するものであるから、当該感磁部（８）の機能が損なわ
れることがなく信転性を向上させることができる。なお
、本実施例では上記Ｓｔ＋Ｎａの膜厚を３０００人とし
た。

次に、第１２図に示すように、上記絶縁Ｎ　（１２ｂ）
上に通常のＣｕ等の金属導体をスパッタリングにより被
着する。続いて、上記金属導体に対してエンチングを施
し、先の感磁部（８）の延在方向と直交方向に当該感磁
部（８）を検切るように延在するバイアス磁界発生用導
体（１１）を形成する。

なお、上記バイアス磁界発生用導体（１１）形成と同時
に、その両端からバイアス用端子導出部（図示は省略す
る。）を延在形成する。また、本実施例では上記金属導
体の膜厚を２５００人とした。

次に、第１３図に示すように、上記バイアス磁界発生用
導体（１１）上に後工程で形成される上部磁性体（１３
）との絶縁を図るためにＳｉｎ、をスパッタリングによ
り被着して絶縁Ｊｉｉ　（１２ｃ）を形成する。

なお、本実施例では上記５ｉＯｚの膜厚を４０００人と
した。

そして、上記絶縁層（１２ｃ）上に例えば磁性フェライ
ト等の金属材料あるいは基板よりなる上部磁性体（１３
）を形成する。そして、その上部磁性体（１３）にメツ
キ下地膜をスパッタリングした後、メツキを施す。その
後、上部磁性体（１３）から下部磁性体（１４）に亘っ
てその前方端面を研磨して磁気記録媒体との対接面（１
５）を形成し、上記感磁部（８）の各前方端部とこれら
を電気的に結合する前方電ｌ！ｊＮ（９）の前方端面を
上記対接面（１５）に臨ませて、第１図に示すＭＲ型磁
気ヘッドを完成する。

以上の工程によれば、感磁部の同一面上に各電極層とバ
イアス磁界発生用導体とを積層してなるＭＲ型磁気ヘッ
ドの製造工程に比べて僅かながらもその工程及び作業工
程時間を減らすことができるため製造コストの低下が図
れる。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明の磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいては、電極層が感磁部を介してバ
イアス磁界発生用導体と反対側に形成されているので、
上記感磁部と上部磁性体間。

該感磁部と下部磁性体間にはそれぞれ電極層、バイアス
磁界発生用導体のみが積層されることになり、これによ
り上記感磁部と上部磁性体間の膜厚を薄くすることがで
き、同様に感磁部と下部磁性体間の膜厚も薄くすること
ができる。したがって、磁気ギャップ長の短縮が図れる
。

これにより、周波数特性の向上が図れ、より高記録密度
に適したＭＲ型磁気ヘッドが実現される。

また、本発明のＭＲ型磁気ヘッドは、感磁部が非磁性中
間層を介して対の軟磁性薄膜により積層された構造とな
っているので、効果的にバルクハウゼンノイズの発生が
回避される。

さらに、本発明のＭＲ型磁気ヘッドは、電極層を感磁部
を介してバイアス磁界発生用導体と反対側に設けた構造
の磁気ヘッドとしているので、その製造工程の簡略化が
図れ、製造コストの低減を図ることもできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
一例を示す要部拡大断面図であり、第２図はその要部拡
大平面図である。 第３図ないし第５図は本発明を適用した磁気ヘッドの動
作を示すもので、第３図は初期状態の軟磁性ｙｉ膜の磁
化の向きを示す模式図、第４図はバイアス磁界を印加し
た際の軟磁性薄膜の磁化の向きを示す模式図、第５１ｇ
Ｊは信号磁界を印加した際の軟磁性薄膜の磁化の向きを
示す模式図である。 第６図ないし第１３図はその磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法の一例を工程順に示すもので、第６図は絶縁
層形成工程を示す要部拡大断面図、第７図は電橿層形成
工程を示す要部拡大断面図、第８図は絶縁層形成工程を
示す要部拡大断面図、第９図はポリッシング加工工程を
示す要部拡大断面図、第１０図は感磁部形成工程を示す
要部拡大断面図、第１１図は絶縁層形成工程を示す要部
拡大断面図、第１２図はバイアス磁界発生用導体形成工
程を示す要部拡大断面図、第１３図は絶縁層形成工程を
示す要部拡大断面図である。 第１４図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一例を示
す要部拡大断面図である。 ８・・・感磁部 ９・・・前方電極層 １０・・・後方電極層 １１・・・バイアス磁界発生用導体 １３・・・上部磁性体 １４・・・下部磁性体 特許出願人　　　ソニー株式会社 代理人　弁理士　小　池　　　晃 同　　田村榮− 同　　佐胚　勝 第１図 第５図 第６図 第７図 第８図 第９図 第１４図 ω　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０フの　　
　　　　　　　　　　　の 手続釘１１正占（自発） 昭和６３年６月３０日 特許庁長官　吉　１）文　毅　殿 １、事件の表示 昭和６３年　特許層　第８０１２９号 ２、発明の名称 磁気抵抗効果型磁気ヘッド ３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 住所　東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２１
８）ソニー株式会社 代表者　大　賀　典　雄 ４、代理人 住所　〒１０５東京都港区虎ノ門二丁目６番４号第１１
森ヒル１１階　ｋ　（５０８）　８２６６　（？ｔ５６
、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ７、補正の内容 （１）明細書第１４頁第６行目に’Ｍｎ−Ｚｎ系フェラ
イト」とある記載の後に「及び金属磁性薄膜」を挿入す
る。 （２）同書第１５頁第１６行目から第１７行目に亘りｒ
Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト」とある記載の後に「及び金属
磁性薄膜」を挿入する。 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板上に少なくとも一方が磁気抵抗効果を有する対の軟
   磁性薄膜が非磁性中間層を介して積層された感磁部と、 該感磁部の前方端部と後方端部に各々被着される前方電
   極層及び後方電極層と、 該感磁部を絶縁層を介して横切るように延在するバイア
   ス磁界発生用導体とが設けられ、前記前方電極層及び後
   方電極層は前記感磁部を介して前記バイアス磁界発生用
   導体と反対側に配置されたことを特徴とする磁気抵抗効
   果型磁気ヘッド。