JPS60100143A - 光パタ−ン化しうる誘電性組成物とその製造及び使用方法 - Google Patents

光パタ−ン化しうる誘電性組成物とその製造及び使用方法

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JPS60100143A JP59175264A JP17526484A JPS60100143A JP S60100143 A JPS60100143 A JP S60100143A JP 59175264 A JP59175264 A JP 59175264A JP 17526484 A JP17526484 A JP 17526484A JP S60100143 A JPS60100143 A JP S60100143A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、誘電体パターンへ変換しつるフォトレジスト
として有用々感光性シリコーンー芳香族ポリアミド酸に
関する。　より詳しくは本発明は、アクリルオルガノイ
ソシアネートとシリコーン−ポリアミド酸の間で反応を
行なわせることによって導入される核に結合したアクリ
レートアミド基でシリコーン−芳香族ポリアミド酸を変
性させるだめの方法に関する。
本発明前、几ｕｂｎｅｒらのＰｒｏｄｕｃｔｉｏ＋ｉ　
ｏｒ　ＩｌｉｇｈｌｙＦＴｅａｔ−ｆ％ｅｓｉｓｔａｎ
ｔ　ＦＨｍ　Ｐａｔｔｅｒｎｓ　ｆｒｏｍＰｈｏｔｏｒ
ｅａｃｔｉｖｅ　Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ　Ｐｒｅｃｕｒｓ
ｏｒｓ　、第１部、一般原理（／９７乙年７月）、及び
Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｏ（Ｈｉｇｈｌｙ　ｌ１ｅａｔ
−Ｒｅｓｉｓｔａ＋ｔｔ　Ｆｉｌｍ　Ｐａ１１ｃｒｎｓ
　ｆｒｏｍＰｈｏｔｏｒｃａｃｔｉｖｃ　Ｐｏｌｙｍｃ
ｒｉｃ　Ｐｒｅｃｕｒｓｏｒｓ、　＠一部ポリイミドフ
ィルムパターン（／９７＆年３月）、Ｓｉｅｍｅｎｓ　
Ｆｏｒｓｃｈ、−ｕ、Ｅｎｔｗｉｃｋｌ、−１３ｃｒ、
１３ｄ、３（／９７乙）　１５．．２　（ＳｐｒＩｎｇ
ｅｒ　−Ｖｅｒｌａｇ　）　Ｉｃ示されるように、光反
応性前駆体を主体とするフォトレジスト様材料が記載さ
れている。　光反応性ポリアミドは５まず芳香族二無水
物（例えばピロメリト酸二無水物）及びアリルアルコー
ル間で反応を行なうことにより製造される。　得られる
芳香族ジカルボン酸ジエステルを次に塩化チオニルとの
反応によって相消する芳香族二酸塩化物に変え、これを
さらに芳香族ジアミンと反応させ光反応性芳香族ポリア
ミドエステルとする。　前述の光反応性ポリイミド前駆
体を次に、スピンコーティングにより基体上に塗布し、
マスクの助けにより露光させ、次いで処理表面を有機溶
剤で現像し、ネガフォトレジストを製造する。　ネガパ
ターンの芳香族ポリアミドエステルを次に加熱してポリ
イミドパターンに変える。
前述の光反応性芳香族ポリアミドエステルで有益な結果
が得られるが、芳香族ジアミンとの重合反応の前に芳香
族ジカルボン酸を相当する酸塩化物に変えるための塩化
チオニルのような塩素化試薬の使用は、残存する塩化物
による汚染をおこす結果となり、これは生成芳香族ポリ
イミドの誘電体としての有用性を妨げることがあること
が当分野の技術者に知られている。
本発明は、フォトレジストとして有用であり。
塩化物汚染の々い絶縁層パターンへ変換しつる感光性ポ
リアミド酸は、甘ず式 〔式中１もは から選ばれるグ価Ｃ（ｔ−ｓ。）芳香族基であり、Ｒ１
は２価Ｃ（２−１５）有機基であり、　ｌ（，２は２価
Ｃ（’２−８　）有機基、几５は”（＋−＋ｓ）　７価
炭化水素基及び置換Ｃ（＋−１５）’側脚化水素基から
選ばれ、Ｑは式を有する２価の基、Ｒ４及びＲ５は”（
２−１８）有機基から選ばれ、１１は／〜λθの整数で
ある〕の単位の化学的結合から実質的に成るシリコーン
−芳香族ポリアミド酸を製造することによって製造でき
るという本発明者の発見に基づいている。
上記シリコーン−芳香族ポリアミド酸は、インシアナト
オルガノアクリレートと反応して、チッ素−核結合炭素
の結合によってシリコーン−芳香族ポリアミド酸主鎖に
結合している化学的結合アクリレートアミド基を有する
変性シリコーン芳香族ポリアミド酸となる。　その後、
増感剤を変性シリコーン−芳香族ポリアミド酸に加え、
フォトレジストを得る。
発明の記載 本発明によって１重量基準で （Ａ）２夕チまでの不活性有機溶剤、 ＣＢ）式 の単位の化学的結合から実質的に成る変性シリコーン−
芳香族ポリアミド酸少くともトＬ及び（Ｃ）　有効量の
増感剤 から成るフォトレジストが示される。　但し、Ｑはカル
ボキシ及び式 のアクリレートアミド基から選択された７価の基であり
、シリコーン−芳香族ポリアミド中のカルボキシ基及び
式（５）の基の合計モル数に基づいて式（５）の基は少
くとも７０モルパーセント存在し、Ｒ１Ｉｔ’　、　Ｒ
２，Ｒ’　及びｎは前の定義通りであり、几６及びＲ７
は水素及びＣ（＋−ａ）アルキル基から選択され、几は
Ｃ（＋−＋ｘ）の認価有機基である。
また、本発明によって （１）変性シリコーン−芳香族ポリアミド酸中のカルボ
キシ基及び核に結合したアクリレートアミド基の合計モ
ル数に基づいて少くとも７０モルパーセントの式（５）
の核に結合したアクリレートアミド基を有する式（３）
及び（４）の単位の化学的結合から実質的に成る変性シ
リコーン−芳香族ポリアミド酸の有機溶剤溶液から成る
フォトレジストを、はとんど光のない条件下で基体上に
スピンコーティングする工程。
（２）スピンコードされた（１）のフォトレジストを乾
燥させる工程。
（３）変性シリコーン−ポリアミド酸の核に結合したア
クリレートアミド基を架橋させるのに十分な時間、マス
クしながら、処理された基体を露光する工程、 （４）得られる架橋した変性シリコーン−芳香族ポリア
ミド酸処理基体を現像する工程、及び（５）現像した変
性シリコーン−芳香族ポリアミド酸処理基体を、芳香族
ポリアミド酸を芳香族ポリイミドに変えるのに十分な温
度で加熱する工程、から成る絶縁シリコーン−芳香族ポ
リイミド層のパターンを基体上につくる方法が示される
。
式（１）のＲ’　に含まれる基は１例えばジメチレン、
トリメチレン、テトラメチレンのような”（２−８）ア
ルキレン基、フェニレン、キシリレン。
トリレンのよりなＣ（６−＋ｓ）アリーレン基及びベン
ジリデン、フェニルエチレンのようなアルアルキレン基
及び置換例えば八日置換Ｃ（２−８）アルキレン−Ｃ（
６−１５）アリーレン及びアルアルキレン基がある。　
Ｒ２に含まれる基は例えばＣ（２−８）アルキレン基及
びＩも１と同じアリーレン基である。　Ｒ５に含まれる
基は、メチル、エチル、プロピルなど−のＣ（＋−ａ）
アルキル基、フェニル、トリル、キシリルなどのＣ（６
１５）アリール基のよりなＣ（＋−＋５）の７価炭化水
素基及びクロロフェニルのような上記Ｒ５基のハロゲン
化誘導体から選ばれる。Ｒ４に含まれる基は例えばＲ１
と同じアルキレン基及びアリーレン基である。
几５　に含まれる基のいくつかは、例えばである。
几６及びＲ’に含まれる基には１例えば水素及びメチル
、エチル、プロピル、ブチルのようなＣ（＋−ａ）アル
キル基がある。■ｔ８に含捷れる基ニは、上の几で定義
されたアルキレン及びアリーレン基がある。
本発明実施で用いられる。シリコーン−ポリアミド酸を
変性するためのイソシアナトオルガノアクリレートは次
式の範囲に含まれるものである。
（式中Ｒ６、ａ７及びＲ８は前記定義の通り〕より詳し
くは、イソシアナトエチルメタクリレート、イソシアナ
トプロピルメタクリレート、イソシアナトエチルアクリ
レート、イソシアナトエチルクロトネートがある。
感光性変性シリコーン−ポリアミド酸を製造するために
本発明の実施で用いられる、式（１）及び（２）の単位
の化学的結合から実質的に成るシリコーン−ポリアミド
酸は、まず芳香族二無水物を、芳香族ジアミン及びアミ
ンオルガノ末端停止ポリジオルカッシロキサンの混合物
と周囲条件下、適宜の有機溶媒中で１反応させることに
より製造できる。　使用しうる適宜な芳香族二無水物に
は例えばピロメリト酸二無水物、ペンゾフェノンニ無水
物、トリメリド酸無水物と有機ジアミン又は有機グリコ
ールから誘導される無水物、及び芳香族ビス（エーテル
無水物）、例えば認、２−ビス〔クー（，２，３−ジカ
ルボキシフェノキシ）フェニル〕プロパンニ無水物及び
コ、２−ビスＣ￥−（３，￥−ジカルボキシフェノキシ
）フェニル〕プロパンニ無水物がある。　シリコーン−
ポリアミド酸の合成に使用できる芳香族ジアミン類のう
ちのいくつかは１例えばｍ−フェニレンジアミン、ｐ−
フェニレンジアミン、ｇ、ｇ’−ジアミノジフェニルプ
ロパン、グ、り′−ジアミノジフェニルメタン、ベンジ
ジン、ｇ、ｇ’−ジアミノジフェニルスルフィド、’ｌ
、￥’−ジアミノジフェニルスルホン、９！、￥’−ジ
アミノジフェニルエーテルである。
前述の芳香族二無水物及び芳香族ジアミンと共に用いる
アミンオルガノ末端停止ポリジオルガノシロキサンのい
くつかは１次の式の範囲内に含まれる。
（式中１も２、Ｒ５及びｎは前の定義通り）シリコーン
−ポリアミド酸の製造において。
芳香族二無水物と芳香族ジアミン及びアミン末端停止ポ
リジオルガノシロキサンを含むジアミン成分はほぼ等し
いモル数で用いればよい。　シリコーン−ポリアミド酸
全量に対し約ｊ−￥０重量％のジオルガノシロキサン単
位を有するシリコーン−ポリアミド酸を得るためには、
芳香族二無水物及び芳香族ジアミンと共に十分なアミン
末端停止ポリジオルガノシロキサンを用いる。
シリコーン−ポリアミド酸の変性は、シリコーン−ポリ
アミド酸及びイソシアナトオルガノアクリレートの混合
物を光の実質的不在下に適宜の有機溶剤の存在下でかく
拌することにより成される。　好ましくはシリコーン−
ポリアミド酸は双極性非プロトン性溶媒の約オ〜５０％
固形分溶液として用いられる。　適当な双極性非プロト
ン性溶媒には例えばＮ−メチルピロリドン、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド等がある。
反応混合物は認〜、：２グ時間室温でかく拌する。
直ちに二酸化炭素が発生し、溶液の初期の粘度を下げる
にはトルエンのような非極性有機溶剤を加えるのが都合
よい場合もあることが見出された。
シリコーン−ポリアミド酸のカルボキシ１モルにつきイ
ンシアナトオルガノアクリレート約θ認モル〜／２モル
の割合が有効な結果な与えることがわかった。　イソシ
アナトオルガノアクリレートによるシリコーン−ポリア
ミド酸の変性後、得られる変性重合体は適宜光開始剤で
感光性を伺与できる。　アクリレートオルガノアミド変
性シリコーン−ポリアミド酸の重量に基づいて約／〜／
θ重量係の光開始剤を使用できる。　光開始剤の適宜増
感剤には例えば、いずれもＮ−メチルジェタノールアミ
ンと共に用いるミヒラーのケトン、ベンゾフェノン、ク
ロロチオキサントン、認、２−ジメトキシ−認−フェニ
ルアセトフェノンがある。
感光性を付与されたシリコーン変性ポリアミド酸溶液は
、光の不在下約１０Ｃ以下の温度で、フォトレジスト溶
液中にほとんど変化を起こさずにｇケ月又はそれ以上の
ような長い保存期間貯蔵しうる。
シリコーン−ポリイミド絶縁層のパターンを基体上につ
くる典型的操作は、シリコンウェーハのような基体表面
を清掃し１次いで基体表面に感光性付与シリコーン変性
ポリアミド酸をスピンコードする。　処理された基体は
、次いで７００Ｃで約７時間乾燥させ、その後マスクし
て通常の方法で露光させる。　典型的な時間は１例えば
ＰＰＧ紫外線プロセッサーで３０秒、ＲＳサンランプ下
で５分である。　未露光部分を次に０３ＮＮａＯＪ−１
を用いて現像する。　残存するシリコーン変性ポリアミ
ド酸パターンを次に約θオ〜３時間／２０Ｃ〜￥００　
ｔ：’の温度で加熱すると、約／時間少くとも３００Ｃ
の温度でシリコーン−ポリイミド絶縁層に変わる。
さらに、インシアナトオルカッアクリレートとシリコー
ンポリアミド酸の間の反応は、トリエチルアミン、／、
クージアソビシクロ（６２，，２，，２）オクタンのよ
うなアミン又はジブチルススジラウレート、ジブチルス
スジアセテートのようなスズ化合物を用いると容易にな
ることが見出され、これはインシアナトオルガノアクリ
レート使用量ＩＣ対し約θ／〜、２１重量多用いること
ができる。
当分野の技術者にとって本発明の実施を容易にするため
次に実施例を例示のためあげるが、限定のためではない
。　部はすべて重量基準である。
実施例　／ 乾ｉＮ−メチルピロリドン２３０ＣＣに溶かしり３．３
’、　’ｌ、　ｌｌ’−ベンツフェノンテトラカルポン
酸二無水物３１１００ｇ　（９７２モル）の溶液にメチ
レンジアニリン、２３２１ｇ（θ／、２モル〕を加え５
次いでビスー／、３−カンマーアミノフ０ロピルテトラ
メチルジシロキサン／、、２．乙ｇ（０θｊモル）を加
える。
添加はチッ素雰囲気下で行なわれる。　得られる溶液を
室温において、２グ時間かく拌する。　製造方法に基づ
き、シリコーン−ポリアミド酸の全重量に対し約／、ｌ
ｌ！＞重量係の化学的に結合したジメチルシロキサンを
有するシリコーン−ポリアミド酸が製造される。
チッ素雰囲気下及び光の不在下約２グ時間室温で、前記
シリコーン−ポリアミド酸の、２とチ固形分を有するＮ
−メチルピロリドン溶液３６９及びインシアナトエチル
メタクリレートよｌｙをかく拌する。　直ちに二酸化炭
素が発生する。　スピンコーティング特性を改善するた
めに混合物にトルエン／！ｇを加える。　さらに、ミヒ
ラーのケトング部及びＮ−メチルジエタノールアミンク
部の混合物を加える。　得られる溶液を次に、グＣで光
の不在下貯蔵する。　製造法に基づいて、変性シリコー
ン−ポリアミド酸中、核に結合したメタクリレートエチ
ルアミド基及びカルボキシの合計モル数に対して約７０
θモルパーセントの核に結合したメタクリレートエチル
アミド基を有スる感光性シリコーン−ポリアミド酸が得
られる。
実施例　！ 酸洗浄したシリコンウェーハを実施例／の感光性シリコ
ーン−ポリアミド酸でスピンコードし、得られる処理ウ
ェーハ’ａ：１０ＯＣで７時間乾燥させる。　次にウェ
ーハをマスクし、Ｉ）ＰＧ紫外線プロセッサーで３θ秒
間又はＲＳサンランプで！分間露光する。　次にウェー
ハをθｊ　Ｎ　Ｎａ　ＯＨ水溶液を用いて現像する。　
表面にシリコーン−ポリアミド酸絶縁層のパターンを有
するシリコンウェーハが得られる。　次にウェーハを、
、２００Ｃ／時間加熱し、次いで７時間３００Ｃで加熱
する。　その表面に、変性シリコーン−ポリイミド絶縁
層のパターンを有するシリコーンウェー八が得られる。
実施例　３ 得られる感光性シリコーンポリアミド酸において最適の
光架橋特性に必要とされるインシアナトエチルメタクリ
レート対カルボキシの比を決定するために、シリコーン
−ポリアミド酸のカルボキシ／当量につきイソシアナト
エヂルメタクリレートθ〜／ｊ当量用いて実施例／に従
って、一連の感光性メタクリレートエチルアミド１ｈ換
シリコーン−ポリアミド酸を製造する。　２ｙ時間の保
存期間後はゲルのない溶液であり、十分な架橋な行なう
ことができる。　さらに架橋したフィルムはθｊ　Ｎ　
Ｎａ　ＯＨ水溶液で７分間現像しても、薄くならない。
　次の結果が得られ、以下にあって、１１１ＶＩはイソ
シアナトエチルメタクリレートである。
表１ ＩＥＭ対カルボン酸の最適比の決定 θ　ゲルなし　パターンなし、フィルム溶解θ氾　ゲル
なし　パターン、フィルム薄くなるθｊ　ゲルなし　パ
ターン、いくらか薄くなるＺｏ　ゲルなし　パターン、
薄化最少 ／２　ゲルなし　パターン、薄化最少 ／オ　ゲル　−ｍ− ａ　反応はシリコーンポリアミド酸のり０％Ｎ−メチル
ピロリドン溶液を用いて室温で行なう。
ｂ　３０秒露光（ＰＩ’ＧＵＶプロセッサー）及び７分
間現像（θｊＮＮａＯＨ）前、Ｚざμフイノしム（６０
Ｃ／２θ分乾燥） 上記結果は、イソシアナトエチルメタクリレート対カル
ボキシの比が／二／である場合最適の架橋特性を有する
ことを示している。
実施例　グ メタクリレートエチルアミド基で変性された実施例／の
シリコーン−ポリアミド酸、即ち゛変性シリコーンーポ
リアミド酸″を感光性状態に変えるための種々の増感剤
な評価する。　増感剤σ〕有効性は露光及び現像後の変
性シリコーンポリアミド酸の厚さを決定することにエリ
測定される。
以下の表Ｈに示されるように、ミヒラーのケトンは最も
有効な増感剤であることが見出され、以下において１゛
重合体″及びＰＳｉＰｌはイソシアナトエチルメタクリ
レート変性シリコーン−ポリアミド酸である。
表■ ＰＳｉＰＩ硬化における増感剤の効果 なし　−　θ／　θ アセトフェノン　３　θオ　３．２ ペンツフエノン　３　／ｌ　、２グ ミヒラ−のケトン　３　／夕　とθ ａ　等しいパーセントのＮ−メチルジェタノールアミン
を各試料に加える ｂ　ＯｊＮ　Ｎａ０Ｈ Ｃ現像時間は、パターンがあられれるのに必要な時間で
測定される ｄ　２−クロロチオキサントンフィルム（１００’Ｃ／
、２ｈｒ）を除き１００Ｃ／／　ｈｒ　乾燥Ｌ　７ｈ最
初ノフイルム ｅ　グ個のＲ，Ｓサンランプの下７０インチにおいて！
分間露光 上記結果は、変性シリコーン−ポリアミド酸の硬化を行
なうのにミヒラーのケトンが最も有効な増感剤であるこ
とを示している。
ＲＳサンランプ下オ分の露光、次いでθ５ＮＮａＯＩ−
１溶液中で現像した後、最初のフィルム厚さの最適パー
セントを維持するための、ミヒラーのケトン最適濃度を
決定するためにさらに研究がなされた。
表■ フィルム厚さへの増感剤濃度の影響 、２　．２　乙３ グ　、！？！ ご　６２　２／ と　３　９２ ／θ　３　２２ ａ　衣用と同じ ｂ　表■と同じ Ｃ表■と同じ ｄ　／θＯ２Ｚ”／／ｈｒ乾燥された最初のフィルム上
記結果は、架橋シリコーン−ポリアミド酸の厚さの維持
に関してミヒラーのケトンの最適濃度が変性シリコーン
−ポリアミド酸の約ｙ〜乙重量％であることを示してい
る。　さらにミヒラーのケトン／Ｎ−メチルジェタノー
ルアミン増感剤系を＆％のレベルで使用して製造された
フィルムは、空気又はチッ素中で露光すると同じ現像の
性質を示す。　ＲＳサンランプの下で同じ露光時間の後
、−ミクロンのフィルムはθｊＮ　Ｎａ０１−Ｉ中に分
間現像するともとの厚さの２７％を維持する。
さらに３０秒程度の短時間の硬化はＰＰＧ紫外線プロセ
ッサーのような特定の装置な用いて得られることが見出
された。　しかし特別の状況によっては熱と光の両者が
必要とされるかもしれない。
実施例　５ ６２．２〜ビス〔￥−＜３．４１−ジカルボキシフェノ
キシ）フェニル〕プロパンニ無水物の３０％溶液１モル
、ビスー／、３−γ−アミノプロピルテトラメチルジシ
ロキサン０３モル及びメチレンジアニリン６７モルのＮ
−メチルピロリドン中の混合物を周囲条件下でかく拌す
る。　かく拌認時間後、シリコーン−ポリアミド酸が得
られる。
上記シリコーン−ポリアミド酸のＮ−メチルピロリドン
３０チ溶液３．３ｆｊ、インシアナトエチルメタクリレ
ートＯＭ９　及びトリエチルアミン５滴の混合物を１周
囲条件下７９時間かく拌する。
製造法及びＩＲデータに基づき、核に結合したメタクリ
レートエチルアミド基を有するシリコーンポリアミド酸
が得られる。
上記変性シリコーン−ポリアミド酸は銅張つ積層体上の
光パターン化しつる絶縁組成物として有用である。
上記実施例は１本発明の実施に使用できる非常に多数の
変形のうちの少数に係るにすぎないが、本発明が非常に
広範な種類のシリコーン−ポリアミド酸及びインシアナ
トアル主ルアクリレート。
増感剤、感光性シリコーン−ポリアミド酸の製造方法、
及び種々の基体上にシリコーン−ポリイミド絶縁層のパ
ターンをつくる方法に係ることが理解されるべきである
。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ／　重量基準で （Ａ）　９６　％までの不活性有機溶剤（Ｂ）式 の単位の化学的結合から実質的に成る変性シリコーン−
    芳香族ポリアミド酸少くとも！チ、及び（Ｃ）有効量の
    増感剤 〔但し、Ｑはカルボキシ及び式 のアクリレートアミド基から選択された７価の基であり
    、シリコーン−芳香族ポリアミド中のカルボキシ及び式
    （５）の基の合計に基づいて式（５）の基は少くとも７
    ０モルパーセント存在し、Ｒはから選ばれたグ価の”（
    ６−ｓｏ）芳香族基であり　Ｒ，１は２価のＣ（２−１
    ５）有機基であり、ｉｔ２は２価のＣ（２−ａ）　７Ｊ
    Ｌ＊Ｉ、、ン基テｔｒｒ’）、Ｒ’ハＣ（、−＋ｓ）　
    ７価炭化水素基及び置換Ｃ（＋−４ｓ）’価炭化水素基
    から選択され、Ｑは式 ％式％ を有する２価の基であり、Ｚは一〇−及び−Ｎｌ−１−
    カラ選ハレ、Ｒ’及ヒＲ”　ハＣ（２−，３）（ｒ）有
    機基から選ばれ、几６及びｉｔ７は水素及びＣ（＋−ａ
    ）アルキル基から選ばれ、Ｒ８はＣ（＋−＋ｓ）　’価
    有機基であり、ｎは／〜２ｏの整数〕 から成る感光性シリコーン−ポリアミド酸。 認、核に結合したアクリレートアルキルアミドがメタク
    リレートエチルアミド基である特許請求の範囲第１項に
    記載の感光性シリコーン−ポリアミド酸組成物。 ３　有機溶剤がＮ−メチルピロリドン又はＮ−メチルピ
    ロリドンとトルエンの混合物である特許請求の範囲第１
    項に記載の感光性シリコーン−ポリアミド酸組成物。 グ　増感剤がミヒラーのケトン又はミヒラーのケトンと
    Ｎ−メチルジェタノールアミンの混合物である特許請求
    の範囲第１項に記載の感光性シリコーン−ポリアミド酸
    組成物。 ｊ　（１１式 の単位の化学的結合から実質的に成る変性シリコーン−
    芳香族ポリアミド酸において、カルボキシ基及び核に結
    合したアクリレートアミド基の総モル数に対して少くと
    も７０モルパーセントの核に結合したアクリレートアミ
    ド基を有する変性シリコーン−芳香族ポリアミド酸の有
    機溶剤溶液から成るフォトレジスト組成物を、はとんど
    光のない条件下で基体にスピンコーティングする工程、
    ｆ２）　（１）のスピンコードされた感光性シリコーン
    −ポリアミド酸を乾燥させる工程。 （３）変性シリコーン−ポリアミド酸の核に結合したア
    クリレートアミド基を架橋させるのに十分な時間、マス
    クしながら、処理基体を露光させる工程。 （４）得られる変性シリコーン−芳香族ポリアミド酸処
    理基体を現像する工程、及び（５）現像した変性シリコ
    ーン−芳香族ポリアミド酸処理体を、芳香族ポリアミド
    酸な芳香族ポリイミドに変えるのに十分な温度に加熱す
    る工程、 から成る。基体上に絶縁シリコーン−ポリイミド層のパ
    ターンを形成する方法。 （但し、ｉｔは から選ばれたり価のＣ（６−５０）芳香族基であり、１
    モ１は２価のＣ（２−１５）有機基、凡２は氾価Ｃ（２
    −８）アルキレン基、Ｒ５はＣ（＋−５ｓ）　７価炭化
    水素基及び置換Ｃ（、−１５）７価炭化水素基から選ば
    れ、Ｑは式Ｚ　Ｒ’Ｚ− を有する２価の基、Ｚは一〇−及び−Ｎｌｌ−から選択
    され、１（４及びＲ５はＣ（２−＋ｇ）の有機基から選
    ばれ、ｌ（’及びＲ７は水素及びＣ（＋−ｓ）アルキル
    基から選ばれ、■ｔ８はＣ（＋−＋ｓ）　、２価有機基
    、１１は７〜氾θの整数である） 乙　（１）光のない条件下及び不活性雰囲気下でシリコ
    ーン−ポリアミド酸、イソシアナトオルガノアクリレー
    ト及び不活性有機溶剤の混合物をかく拌する工程、 （２）　（Ｌｌで生成する二酸化炭素を混合物から分離
    させる工程、及び （３）得られる混合物に有効量の増感剤を加える工程、 から成る感光性シリコーン−ポリアミド酸を製造する方
    法。
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