JPS60101954A - Ｉｃなどのパツケ−ジおよびその製法 - Google Patents
Ｉｃなどのパツケ−ジおよびその製法Info
- Publication number
- JPS60101954A JPS60101954A JP58209292A JP20929283A JPS60101954A JP S60101954 A JPS60101954 A JP S60101954A JP 58209292 A JP58209292 A JP 58209292A JP 20929283 A JP20929283 A JP 20929283A JP S60101954 A JPS60101954 A JP S60101954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- lead
- chip
- frame
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
- H10W70/435—Shapes or dispositions of insulating layers on leadframes, e.g. bridging members
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ｉｍ、Ｊ： Ｉ Ｏなどのパッケージおよびその
製法に関するものＣある。
製法に関するものＣある。
従来、Ｄ工ｐ ＱＵ、やフラットパッケージ型のＩＣパ
ッケージは、リードフレーム’ｋＵめ込み、トランスフ
ァモールド成形全行なう成型用の金型が必要であり、コ
ストアップの原因となっていた、本発明げ成形用の金型
全必要とせず、コストダウンを達成できるＩＣなどのパ
ッケージおよびその製法を提供すゐこと全目的とする。
ッケージは、リードフレーム’ｋＵめ込み、トランスフ
ァモールド成形全行なう成型用の金型が必要であり、コ
ストアップの原因となっていた、本発明げ成形用の金型
全必要とせず、コストダウンを達成できるＩＣなどのパ
ッケージおよびその製法を提供すゐこと全目的とする。
以下本発明の一実施例をその製造工程に従って説明する
。第１図において、１はリードフレームであり、０．２
鴫程度の厚さのリン育鋼板や４２−アロイなどから形成
され、外筒枠部１ａ、リード部１ｂ・・・・・・、チッ
プ取付部１０などが設けである、リードフレーム１ｒＪ
プレスやエツチングなどにてこの状態ではリード部１ｂ
・・・・・・は先端０Ｉ１１が軽く湾曲可能である。つ
ぎに第２図に示すように、り一ドフンーム１の下面に樹
１１旨１ｍ ２ ｋ密着して設ける。
。第１図において、１はリードフレームであり、０．２
鴫程度の厚さのリン育鋼板や４２−アロイなどから形成
され、外筒枠部１ａ、リード部１ｂ・・・・・・、チッ
プ取付部１０などが設けである、リードフレーム１ｒＪ
プレスやエツチングなどにてこの状態ではリード部１ｂ
・・・・・・は先端０Ｉ１１が軽く湾曲可能である。つ
ぎに第２図に示すように、り一ドフンーム１の下面に樹
１１旨１ｍ ２ ｋ密着して設ける。
この樹脂層２はエポキシ樹脂外ど會ａ２〜０．４咽程度
の厚さに形成したものである一本実施例でげガラスなど
の平滑な合板上に離型剤？塗布し、その而に多数個取り
のリードフレームの中心に合わせて印刷により樹脂層全
多数個形成し、こルらの樹脂層に合わせてリードフレー
ムを置き、加熱して樹脂層を半キュアーあるいは完全キ
ュアーの状態とし、リードフレームに樹脂層を密着して
いる。
の厚さに形成したものである一本実施例でげガラスなど
の平滑な合板上に離型剤？塗布し、その而に多数個取り
のリードフレームの中心に合わせて印刷により樹脂層全
多数個形成し、こルらの樹脂層に合わせてリードフレー
ムを置き、加熱して樹脂層を半キュアーあるいは完全キ
ュアーの状態とし、リードフレームに樹脂層を密着して
いる。
冷却すると樹Ｉｔ！ ）＠は離型剤により合板から容易
に分離できるのである、このようにして第２図示のよう
にリードフレーム１０丁面に樹脂層２葡密着して設けた
あと、第３図示のようにチップ取付部１Ｃ上に工（！Ｘ
ＬＳＩなどのチップ３金固廚し、各リード部とワイヤ
ボンディングにより＃、続さｎる。このワイヤボンディ
ングのとき、各リード部１′ｂ・・・・・・の先端に樹
脂層２により固定されているのでリード部の押え板がな
くてもリード部が持上がることがなく樹１１旨層２ヶ真
空チャックするだけで効惠よくワイヤボンティングでき
る、またり−トフレーム１が多数個取りの場合、ワイヤ
ボンディングの前に１つづつ分割し第２図示の状別にし
ておくと、アルミ線のワイヤボンティングできる。
に分離できるのである、このようにして第２図示のよう
にリードフレーム１０丁面に樹脂層２葡密着して設けた
あと、第３図示のようにチップ取付部１Ｃ上に工（！Ｘ
ＬＳＩなどのチップ３金固廚し、各リード部とワイヤ
ボンディングにより＃、続さｎる。このワイヤボンディ
ングのとき、各リード部１′ｂ・・・・・・の先端に樹
脂層２により固定されているのでリード部の押え板がな
くてもリード部が持上がることがなく樹１１旨層２ヶ真
空チャックするだけで効惠よくワイヤボンティングでき
る、またり−トフレーム１が多数個取りの場合、ワイヤ
ボンディングの前に１つづつ分割し第２図示の状別にし
ておくと、アルミ線のワイヤボンティングできる。
このあと第４図示のように、リードフレーム１の上面に
モールド拐４を密着し、ＩＣなどのチップ３を封止する
、本実施例ではモールド材４もエポキシ樹１１旨から喰
成され、樹脂層２と各リード部の間隙より密着してチッ
プ３金気密状聾に封止する、モールド材４に樹脂Ｊｆ１
２より小形に形成され、樹脂層２の外周に広がらないよ
うに形成される、このあと第５図示のようＶこリードフ
レーム１の外枠部１ａが切断され、リード部１１）’ｚ
折曲けて先端を樹脂層２より下方に位置させ、ＩＣパッ
ケージ互が完成する、 このようにして形成されたＩＣパッケージ５はリードフ
レーム１の下方の樹脂層２と、リードフレーム１の上方
のモールド材４とによりチップ３を封止してい；ｂＰそ
してチップ３全封止する樹脂層２およびモールド材４は
成型用金型々してリードフレーム１０丁面することがで
きる、このため製造が容易で安価なＩＣパッケージが可
能となる。
モールド拐４を密着し、ＩＣなどのチップ３を封止する
、本実施例ではモールド材４もエポキシ樹１１旨から喰
成され、樹脂層２と各リード部の間隙より密着してチッ
プ３金気密状聾に封止する、モールド材４に樹脂Ｊｆ１
２より小形に形成され、樹脂層２の外周に広がらないよ
うに形成される、このあと第５図示のようＶこリードフ
レーム１の外枠部１ａが切断され、リード部１１）’ｚ
折曲けて先端を樹脂層２より下方に位置させ、ＩＣパッ
ケージ互が完成する、 このようにして形成されたＩＣパッケージ５はリードフ
レーム１の下方の樹脂層２と、リードフレーム１の上方
のモールド材４とによりチップ３を封止してい；ｂＰそ
してチップ３全封止する樹脂層２およびモールド材４は
成型用金型々してリードフレーム１０丁面することがで
きる、このため製造が容易で安価なＩＣパッケージが可
能となる。
なお本実施例では樹脂層２とモールド４′Ａ４は同じエ
ポキシ樹Ｉｌｌ用いたが、別のもの音用いてもよい。
ポキシ樹Ｉｌｌ用いたが、別のもの音用いてもよい。
つぎにリードフレーム１の下部に密着さｎる樹ｌ旨層２
の他の製法について説明する。まずリードフレーム１全
表裏反対にして加熱されたホットプレート上に載置する
、ホットプレートの温度は樹脂層２にエポキシ樹脂を用
いる場合、この樹脂のキュア一温度（約１５０度Ｃ）以
下でこの樹脂の軟化温度（約６０１現Ｃ）以上に保たれ
、本例でに約７０度Ｃに設定されている、そしてリード
フレーム１のチップ取付部ＩＣＥ対応させてペレット状
の正方形状のｖＡｌ旨１１！ ２ ’に載置し、上方よ
り加圧してリードフレーム１に樹脂層２を仮止めする。
の他の製法について説明する。まずリードフレーム１全
表裏反対にして加熱されたホットプレート上に載置する
、ホットプレートの温度は樹脂層２にエポキシ樹脂を用
いる場合、この樹脂のキュア一温度（約１５０度Ｃ）以
下でこの樹脂の軟化温度（約６０１現Ｃ）以上に保たれ
、本例でに約７０度Ｃに設定されている、そしてリード
フレーム１のチップ取付部ＩＣＥ対応させてペレット状
の正方形状のｖＡｌ旨１１！ ２ ’に載置し、上方よ
り加圧してリードフレーム１に樹脂層２を仮止めする。
このあと樹脂層２が落込むような穴會設けた支持板上に
リードフレームを反転させてｇ置し、加熱して樹脂）ａ
２ ’に半キュアーあるいは完全キュアーの状態にし
てリードフレーム１に樹）１８層２を密シ１９させゐ、
この状７１１４では各リード部１ｂ・・・・・・の間の
部分に樹１１ｍ１１２の樹）芦が入り込んで確実に固定
される。この後の工程は前記実施例と同様に行えばよい
、この場片側ｉ前層の厚さに０．５〜１咽が適当である
。また樹脂層はガラス繊維を混入したものでもよい。
リードフレームを反転させてｇ置し、加熱して樹脂）ａ
２ ’に半キュアーあるいは完全キュアーの状態にし
てリードフレーム１に樹）１８層２を密シ１９させゐ、
この状７１１４では各リード部１ｂ・・・・・・の間の
部分に樹１１ｍ１１２の樹）芦が入り込んで確実に固定
される。この後の工程は前記実施例と同様に行えばよい
、この場片側ｉ前層の厚さに０．５〜１咽が適当である
。また樹脂層はガラス繊維を混入したものでもよい。
以上述べたように本発明によれば、ＩＣなどのパッケー
ジが成型用金型なしで形成できるためコストダウンでき
、特に少量多品種の場合最適である、またワイヤボンド
などが容易に行なえ、製造が極めて容品であ／）。
ジが成型用金型なしで形成できるためコストダウンでき
、特に少量多品種の場合最適である、またワイヤボンド
などが容易に行なえ、製造が極めて容品であ／）。
図面は不発明の一実施例の＃造工８全示し、第１Ａ図は
リードフレームの正面図、第１Ｂ図はその中央縦断面図
、第２Ａ図は樹脂層全役けたリードフレームの正面図、
第２Ｂ図にその右側面図、第３Ａ図にチップを固腐し接
続したリードフレームの正面図、第３Ｂ図にその右側面
図、ＭｊＡ図はモールド材を設けたリードフレームの正
面図、第４Ｂ図はその右側面図、第５Ａ図ｉＩＣパッケ
ージの正面図、第５Ｂ図はその右＋ｔＵ＋面図である。 １・・・リードフレーム ２・・・樹＋１旨層 ３・・・チップ ４・・・モールド材 ５・・・ＩＣパッケージ、 以 上 特許出願人 株式会社 梢工舎
リードフレームの正面図、第１Ｂ図はその中央縦断面図
、第２Ａ図は樹脂層全役けたリードフレームの正面図、
第２Ｂ図にその右側面図、第３Ａ図にチップを固腐し接
続したリードフレームの正面図、第３Ｂ図にその右側面
図、ＭｊＡ図はモールド材を設けたリードフレームの正
面図、第４Ｂ図はその右側面図、第５Ａ図ｉＩＣパッケ
ージの正面図、第５Ｂ図はその右＋ｔＵ＋面図である。 １・・・リードフレーム ２・・・樹＋１旨層 ３・・・チップ ４・・・モールド材 ５・・・ＩＣパッケージ、 以 上 特許出願人 株式会社 梢工舎
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （］）リードフレームの下面に密着して設けた樹脂層と
、上記リードフレームの上面に固着され各リード部と接
続されたＩＣなどのチップと、上記リードフレームの上
面に密着され上記チップを被覆し上記樹１１旨層と上記
リードフレームの間隙より密着されるモールド材とを設
けたＩＣなどのパッケージ。 （２）リードフレームの下面に樹脂層を密着形成し、上
記リードフレームの上面にＩＣなどのチップ全同着し、
上記チップと上記リードフレームの各リードとを接続し
たあと、上記リードフレームの上面において上記チップ
葡モールド材にて被覆し、上記樹ｉ旨層と上記モールド
材と金上記リードることを特徴とする工Ｃチップなどの
パッケージの製法−
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58209292A JPS60101954A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | Ｉｃなどのパツケ−ジおよびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58209292A JPS60101954A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | Ｉｃなどのパツケ−ジおよびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60101954A true JPS60101954A (ja) | 1985-06-06 |
Family
ID=16570524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58209292A Pending JPS60101954A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | Ｉｃなどのパツケ−ジおよびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60101954A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5487181A (en) * | 1977-12-23 | 1979-07-11 | Hitachi Ltd | Resin sealing method for semiconductor element |
-
1983
- 1983-11-08 JP JP58209292A patent/JPS60101954A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5487181A (en) * | 1977-12-23 | 1979-07-11 | Hitachi Ltd | Resin sealing method for semiconductor element |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5270262A (en) | O-ring package | |
| US5492866A (en) | Process for correcting warped surface of plastic encapsulated semiconductor device | |
| US6372551B1 (en) | Method of manufacturing an image-sensor integrated circuit package without resin flash on lead frame and with increased wire bondability | |
| US7060530B2 (en) | Semiconductor package having a resin cap member | |
| US20080023806A1 (en) | Stress-free lead frame | |
| US6607940B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices made according to the method | |
| US6645792B2 (en) | Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device | |
| JP3129660B2 (ja) | Ｓｏｎパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置 | |
| US6867483B2 (en) | Stress-free lead frame | |
| JPH0263142A (ja) | モールド・パッケージおよびその製造方法 | |
| JP3061121B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH04276414A (ja) | Ｉｃカード用基板及びその樹脂封止用金型 | |
| JPH06244312A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0250624B2 (ja) | ||
| JP4033969B2 (ja) | 半導体パッケージ、その製造方法及びウェハキャリア | |
| JPS60111432A (ja) | 半導体装置用樹脂封止金型 | |
| JPH0314245A (ja) | 半導体装置の樹脂封止方法 | |
| JPH1022314A (ja) | 半導体樹脂封止用金型 | |
| KR0183768B1 (ko) | 반도체 팩키지의 리드 프레임 제조 방법 | |
| KR100369391B1 (ko) | 반도체패키지제조용와이어본딩장치및그반도체패키지의제조방법 | |
| KR200292790Y1 (ko) | 반도체 패키지용 리드프레임의 탑재판 구조 | |
| JPH04290237A (ja) | プラスチックｉｃパッケージの成形方法 | |
| JPH08181270A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リードフレームとそれを用いた半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS62241344A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び成型金型 | |
| JP2006147686A (ja) | 樹脂封止体及び電子部品の製造方法 |