JPH0250624B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0250624B2
JPH0250624B2 JP57143715A JP14371582A JPH0250624B2 JP H0250624 B2 JPH0250624 B2 JP H0250624B2 JP 57143715 A JP57143715 A JP 57143715A JP 14371582 A JP14371582 A JP 14371582A JP H0250624 B2 JPH0250624 B2 JP H0250624B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bed
resin
plate
inner leads
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP57143715A
Other languages
English (en)
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JPS5933852A (ja
Inventor
Seiichi Hirata
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication of JPS5933852A publication Critical patent/JPS5933852A/ja
Publication of JPH0250624B2 publication Critical patent/JPH0250624B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
    • H10W74/121—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed by multiple encapsulations, e.g. by a thin protective coating and a thick encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/421—Shapes or dispositions
    • H10W70/435—Shapes or dispositions of insulating layers on leadframes, e.g. bridging members
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は組立工程の短縮化を計ることができ
る半導体装置の製造方法に関する。
〔発明の技術的背景〕
一般に半導体装置の組立て方法には大別して次
の２種類の方法がある。まず、第１の方法として
はセラミツクパツケージを使用する方法があげら
れる。この方法においては、半導体ペレツトをセ
ラミツクパツケージのベツド部に固定してから
AuまたはAl線によりボンデイングを行なつた後
金属キヤツプをウエルドリングに溶接あるいはろ
う接等により取り付けて半導体ペレツトを封入し
ている。次に、第２の方法としてはプラスチツク
パツケージを使用する方法があげられる。この方
法においては半導体ペレツトをベツドに固定して
からAuまたはAl線等でボンデイングを行なう。
次にモールド樹脂封止をした後外部リードに外装
メツキをほどこしている。
〔背景技術の問題点〕 上記した第１の方法においては、製造工程が容
易であり工程期間が短縮されるがセラミツクパツ
ケージの単価が半導体素子に比べて高いという欠
点があつた。さらに、セラミツクパツケージが単
体として扱われる為、半導体装置の組立の自動化
が困難であるという欠点があつた。また上記した
第２の方法によると半導体装置の組立工程の自動
化が容易で、プラスチツクパツケージの単価は安
価であるが、製造工程が長く、短期間での製品納
入が困難であるという欠点があつた。
〔発明の目的〕
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、
その目的は半導体装置の組立て能率の向上及び価
格低減を計りうる半導体装置の製造方法を提供す
ることにある。
〔発明の概要〕
リードフレームのベツド部及びインナーリード
を耐熱性ゴム平板で覆つた後、上記耐熱性部材の
周囲を樹脂封止し、上記耐熱性ゴム平板を除去し
て上記ベツド部及びインナーリードを露出させる
開口部を設けるようにしている。
〔発明の実施例〕
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説
明する。第１図は同実施例を示す半導体装置の製
造方法を示す図である。まず、同図Ａに示すよう
にリードフレーム１１のベツド部（図示せず）及
びインナーリード（図示せず）を耐熱性ゴム平板
１２（例えばSi系ゴム平板）で覆う。次に、上記
耐熱性ゴム平板１２の周囲を樹脂１４でモールド
し、上記耐熱性ゴム平板１２を加熱又は機械的手
段により除去して第１図Ｂに示すような形状とす
る。つまり、同図Ｂにおいて、１５は上記耐熱性
ゴム平板１２の除去によつて得られた開口部であ
り、この開口部１５内にはベツド部１６及びイン
ナーリード１７が露出されている。次に、同図Ｃ
に示すように、上記ベツド部１６にペレツトを１
８をマウントしてワイヤボンデイングを行なう。
さらに、上記開口部１５に溶液状、固形又は粉末
状のモールド樹脂１９に入れて加熱して重合し同
図Ｄに示すように樹脂封止している。その後、単
体に切り離して製品としている。
なお、上記実施例においてはリードフレーム１
１上に第１図Ｂに示すような半導体装置を複数個
作成しているが、第２図に示すように単体に切り
離して以下のペレツトマウント工程を行なうよう
にしても良いことは勿論である。
〔発明の効果〕
以上詳述したようにこの発明によれば、セラミ
ツクパツケージより低価格で半導体装置の組立て
能率を向上させることができる。さらに、リード
フレームのままでアセンブリ工程を行なうことが
できるので量産にも有利である。
【図面の簡単な説明】
第１図Ａ〜Ｄはこの発明の一実施例における半
導体装置の製造方法を示す図、第２図は応用例を
示す図である。 １１……リードフレーム、１２……耐熱性ゴム
平板、１５……開口部、１６……ベツド部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ リードフレームのベツド部及びインナーリー
    ドを耐熱性部材で覆う工程と、上記耐熱性部材の
    周囲を樹脂封止する工程と、上記耐熱性部材を除
    去し上記ベツド部及びインナーリードを露出させ
    る開口部を設ける工程とを具備したことを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
JP57143715A 1982-08-19 1982-08-19 半導体装置の製造方法 Granted JPS5933852A (ja)

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JP57143715A JPS5933852A (ja) 1982-08-19 1982-08-19 半導体装置の製造方法

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JP57143715A JPS5933852A (ja) 1982-08-19 1982-08-19 半導体装置の製造方法

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Publication Number Publication Date
JPS5933852A JPS5933852A (ja) 1984-02-23
JPH0250624B2 true JPH0250624B2 (ja) 1990-11-02

Family

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JP57143715A Granted JPS5933852A (ja) 1982-08-19 1982-08-19 半導体装置の製造方法

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2503029B2 (ja) * 1987-10-06 1996-06-05 沖電気工業株式会社 薄型構造の半導体装置の製造方法
JPH0180952U (ja) * 1987-11-19 1989-05-30
JP3631770B2 (ja) * 1993-01-22 2005-03-23 本田技研工業株式会社 内燃機関の吸気装置
JP3494284B2 (ja) 1999-09-03 2004-02-09 本田技研工業株式会社 ４ストロークサイクル内燃機関の吸気ポート構造

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JPS5933852A (ja) 1984-02-23

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