JPS60104203A - 半導体位置検出素子の信号処理回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光半導体装置検出素子の信号処理回路に関する
、特に半導体装置検出器（ＰＳＤ）を用いたカメラの測
距装置に関する。

従来所定の距離（基線長）を隔てた投光素子と受光素子
を設けて投光素子から放射された光の被写体による反射
光を受光素子で受けるように投光素子もしくは受光素子
のいずれかをスキャンさせて前記基線長と投光素子およ
び受光素子の角度から三角測量の原理を用いて測距を行
９測距装置は広く知られている。しかしながらこの方法
は投光素子又は受光素子をスキャンさせる機械的機構が
必要であるばかりか、カメラに前述の測距装置を応用し
た場合には撮影レンズの距離環の駆動と、前述のスキャ
ンを同期させて行うことが必要であり、シャッターレリ
ーズ動作前に前もって測距１Ｈ報を知ることが出来なか
った。そのためシャッターレリーズ動作前に前もってフ
ァインダー視野枠内の任意の被写体の測距を行ってから
構図を直して撮影を行ういわゆるブリフォーカス撮影が
難かしいという欠点があった。

この欠点に鑑−みてスキャン機構を必要としないプリフ
ォーカス可能な測距装置としてスキャン−４−る代りに
投光素子もしくは受光素子を複数連べて配置し、前述と
同様に三角測斌の原理かり測距を行う技術も知られてい
る。しかしながら投光素子もしくは受光素子を複数設け
ることはコストが大きいばかりか、それら複数の投光素
子を設けた場合には駆動させる回路が複雑となり、仮数
の受光素子を設けた場合には該素子の信号を検出する検
出回路が仮雑になるという欠点があり、小型カメラに適
用することは難かしかった。

この点に鑑みて特開昭５８−９５２１　（１号公報のよ
うに被写体に光を投光する投光素子と、該投光素子の光
の被写体による反射光の入射位置に応じた相互電流比を
有する第１および第２の゛電流出力を得る半導体装置検
出器（以下ＰＳＤと称す）を用い、前記第１、第２の電
流出力から測距を行う測距装置を組み込んだカメラも現
（（ミ知られている。

この測距装置はＰＳＤが比較的安価であり、それらの処
理回路も前述の如く受光素子を複数設ける場合に比して
簡単になる等の利点があるが以下に述べる欠点を有して
いた。

従来の方法においてはＰＳＤの出力電流が、ＰＳＤに入
射するスポット光の強さに影響され、投光素子の光の被
写体による反射光が強いときには出力電流が大きくなり
、投光素子の光の敲写体に」：る反射光が弱いときには
出力ｔｂ’Ｌは小さくなるしたがってＰＳＤの出力電流
値を例えばＰＳＤの第１、第２の電流出力の和で除舅、
して規格化することが必要でありそのために信号処理回
路が複雑になるという欠点があるばかりか、従来の方法
においてはＰＳＤの出力′電流を例えばＰＳＤの第１、
第２の出力電流の和で規格化するにせよ前述の如（ＰＳ
Ｄの出力電流は入射スポット光の強さにより大幅に変化
するため信号処理回路のダイナミックレンジは大きいこ
とが要求される。したがって、例えばディスクリートな
部品で信号処理回路を構成すればＯＰアンプ等の素子の
選定の１１〕が狭くなったり、モノシリソフな構成にし
てもダイナミックレンジを大きくするため信号圧縮回路
を設けたりしなければならず回路が更に複雑となること
があるという欠点があった。

本発明は仁の点に鑑み従来のＩ）　Ｓ　Ｄの１＋を号処
理回路の欠点を；蜂消し、簡単な構成により精度の高い
Ｐ　Ｓ　Ｊ）の信号処理回路を提供せんとするものであ
る。

以下図曲金用いて本発明を詳述する。第１図（ａ）、（
ｂ）は本発明の原理を６兄明する７こめの原理図である
、第１図（ａ）、（ｂ）において１０はＰＳＤで、Ｉ　
Ｏｉ　ｒ、Ｊ：　Ｎ型半導体層、１０２はＰ型半導体層
でＰ　ｌｑＱ半１ｇ１体は等価的に横方向に抵抗値を有
しでいる。１０３〜１１１はＰＳＤＩＵの一方の出力端
子Ｂに直列接続された抵抗で、全て同一の抵抗値をもつ
、１１２Ｉ−ｔ、ＰＳＤｌｏの他方の出力端子Ａに接続
された抵抗である。ＰＳＤのコモン入力端子には基準電
圧Ｖｃが印加されている。

ここでＰＳＤＩＯのａ点の位置に投）［素子の光の被写
体による反射光が入力していたとすると、このスポット
光により抵抗１１２を介して端子Ａから流れる電流の値
は前記スポット光によりａ点に発生した′電圧をＰＳＤ
ＩＯのａ点から端子Ａｔ。

でのＰ型半導体層の抵抗値と抵抗１１２の抵抗値の和で
除した恒に相当するから直線１２１の傾きにより表現で
きる。

同様に端子Ｂから流れ出る電流の値は端子Ｂからの出力
電流を抵抗１０９と１１０の接続点からとり出すとする
と、３の値は直線１２３の傾きにより表現される。ここ
で第１図に示す直線１２１の１頃きは図から３　／　８
．７５となる。また直＋ｗ１２３の傾＠は図から３７８
．２５であるから電流Ｉｎの値はＩＡの値より大である
。次に出力電流ＩＢを抵抗１１０と１１１の接続点から
取り出すと、その値は直線１２０の傾きすなわち３　／
　９．２５に対応することになり、′電流ＩＢの値はＩ
ＡＯ値よりも小さくなる。つまり、出力端子Ｂに接続す
る抵抗の値により、電流ＩＢを電流ＩＡに対して大きく
も小さくもできるものである。このことは逆に一―えば
、出力端子Ｂに徐々に抵抗を接続していき、出力電流Ｉ
ＡとＩＢが一致したときあるいは抵抗を接続したことに
より出力電流ＩＡとＩＢとの大小関係が反転したときの
抵抗の値によりａ点の位置がｓ’＋＋出できるというこ
とヲ扁味している。

例えば第１図（ｂｌにボすようにＰ　Ｓ　Ｉ）　１．　
ＩＪのｂ点上に投光話子の被写体による反射光が人！、
ｒＪ　ｔ、ているとすると前述の方法と同様に抵抗１（
）４と１０５との接続点から電流１１３をとり出ずと、
ｆＢの屯１Ｊ１シ値はＩＡの電流値よりも大きくなる。

仄に抵抗１０５と１０６との接続点から電流１１３をと
り出せば、反対にＩＢの゛電流値はＩＡの′電流１直よ
りも小さくなる。

反射光の入射位置により出力電流ＩＡ、’−ＩＢの大小
関係が反転する出力端子Ｂに接続する抵抗値がわ 変れるので、該抵抗値から反射光の入射位１ｆＬｋＲす
ることができる。史に正確に反射光の入射光を算出する
にはＩＡとＩＢの電ηＬ値が完全に等しくなるように前
記抵抗の抵抗値を変化させ、その抵抗値から算出すれば
よい。またこの方法によれは信号処理回路のダイナミッ
クレンジは従来のＰＳＤの信号処理回路のように大きな
ダイナミックレンジをもつ必要はない。なぜならばこの
方法では出力電流ＩＡとＩＢの大小関係を比較し、出力
電流ＩＡとＩＢの値が等しくなったか、あるいはほぼ等
しくなったことを検出したときの抵抗値から反射光の入
射位置を算出しているためｙＸ理的には信号処理回路と
して出力電流ＩＡとよりに相応する大小関係を判別する
のみで充分であり、上述の如く抵抗を切り換える場合で
も信号の両者の差が小さくなったときのみ正確な情報を
出力すれはよいからでるる。

第２図は本発明を応用したカメラの一実施例の回路図で
ある。第２図において、１０は前記ＰＳＤで、共通電極
には後述する基準電圧ＶＣが印加されていると共に、出
力端子Ａには各々４Ｒ１２Ｒ。

Ｒの抵抗値を有する抵抗１１．１２及び１３が並列に接
続されており、その各々の抵抗にアナログスイッチ１４
．１５及び１６が接続され各々のアナログスイッチのゲ
ートには後述のカウンター７４のＱｌＯ＋　Ｑｏ　１　
Ｑｔｚ出力が接続されている。

この構成により本実施例には第１図の原理図とは異なり
、出力端子Ａに並列接続する抵抗の数を変えて、等測的
に出力端子Ａに接続された抵抗の抵抗値を変化させてい
る。

１７は前記ＰＳＤＩ　Ｏの出力端子Ｂに接続された調漿
用ボＩＪ、−ム、１８はＯＰアンプで、周波数ネットワ
ークを形成する抵抗１９．２０．２２、コンデンサ２１
とともにノ）イバスフィルターを構成する。３０は直流
分カット用のコンデンサー、３３は後述する基準′１（
を圧・ＫＶＣに接続された抵抗、３２はバッファを構成
するＯＰアンプである。

２７はＯＰアンプ１８と同様に周波数ネットワークを形
成する抵抗２３．２４．２６とコンデンサー２５と共に
）・イバスフィルターｋ　４？９成する。３４は抵抗３
５．３６．３７．３８と共に減算器を構成−４゜るＯＰ
アンプである。３９，４０はＯＰアンプ３４の出口に接
続されたアナログスイッチで、それぞれ後述の投光素子
９５の点灯、非点灯に同期して父互にオンオフされる。

コンデンサ４２．４４はそれぞれアナログスイッチ３９
．４０の出力をホールドするためにそハそれ抵抗４１．
４３　と共にサンプルアンドホールド回路を構成してい
る。

４５．４６はそれぞれバッファを構成する。Ｐアンプ、
４７は抵抗４８．４９と共に反転増巾器を構成する。ｐ
アンプ、５０は抵抗５１．５２．５３と共にｏｐアンプ
４５．４７の出力を加のする加算器を構成するＯＰアン
プである。５４は後述の基準圧ＫＶＣと前記ＯＰアンプ
５ｏの出力とを比ＰすＯ 較するためのコンパレータ、５５は後述のｌ；信号でリ
セットされ、コンパレータ５４の出力によりセットされ
るＲＳフリップ（以下Ｒ８−ＦＦと称す）で、出力Ｑか
らはオートフＡ−カスが終了することを示すＡ　Ｆ　Ｅ
　Ｎ　Ｄ信号、出力４がらは反転信号ＡＦＥＮＤ信号が
出力される。６０ｉ；［源？ｔＭ、６１はカメラのシャ
ッターボタンの第１ストローフで閉成Ｊる８ｗ１スイツ
チ、６２は基準電圧ＶＣの発生回路、６３はＶｃ分圧用
のポリニーム、６４はバッファを構成するＯＰアンプで
前記ポリニームによりＶＣが分圧された基準電圧ＫＶｃ
を出力する。抵抗６５、コンデンサ６６及びインは発振
回路でコンデンサ６９、可変Ｊ１（抗７０は発振周波数
を決める回路である。７１は分周器で、投光素子９５を
駆動するｔ　Ｒ’ＯＮ　（ｒｉ号ヲ発生スル。

７２はインバータで、１ＲＯＮ信号を反転させ１ＲＯＮ
信号を出力する。７３は７’Ｒ’ｊ）鉤イｒｉ”ｉジと
前記Ｒ８−ＦＦ５５のＡＰ・Ｅ　Ｎ　Ｄ信号とのアンド
を出力するアンドゲート、７４はカウンターでアン１ゲ
ート７３の出力するパルス数すなわち１則距光了ｉ１１
に投光素子９５が何回点（戊したかｆ：Ｍｉ数する。

７５Ｑ１不図示のレンズ鏡筒の移動に伴っ゛Ｃバルスコ を発生するための外−ド板、７Ｇはチャタリング吸収回
路、７７はカウンター、７８し１一致回路で、前記カウ
ンター７４と７７のｈ１数値が一致したとき出力がＨレ
ベルからＬレベルに反転する。

７９は一致回路７８の出口により駆＊Ｉｆｆ＋されるト
ランジスタで、コレクタにはレンズ鏡筒制御用のマグネ
シト８０が接続し、該マグネットの通＋ｌｌｔ開始でレ
ンズ鏡筒は移動を開始し、辿電１ｖ「除でレンズ鏡筒の
移！１１］は停止するように構成されている１、す ９０は前記投光素子９５に常に定電圧が加灯るように投
光素子９５と並列に接続されている抵抗９６の分圧点が
反転入力端子に、基準電圧ＫＶＣが非反転入力端子に接
続されているｏｐアンプ、９４は前記ＯＰアンプ９０の
出力により駆動され投光素子９５に流れる′電流を制御
するトランジスタである。

９１は前記で「πδＲ信号とＡＦＥＮＤの信号のオアを
出力するオアゲートで、その出力ｔ；ｔ　＃Ａ抗を介し
てトランジスタ９３のペースに接続されている。

又、トランジスタ９３のコレクタけｏＰアンプ９０の出
力に接続されているためトランジスタ９３がオンするこ
とによりトランジスタ９４はオフするように構成されで
いる。

尚＝ｉＪ記ＰＵｃ信号は分周回路７１、カウンター７４
．７７、一致回路７８及びＲ８−ＦＦ５５のリセット端
子に入力している。

以上の如く構成された本発明の実施例の動作について説
明する。

まずカメラのシャッターボタンの第１ストロークにより
ＳＷ１スイッチ６１が閉成すると、各回路に電源が供給
され、基準電圧ＶＣ及びＫ　Ｖ　Ｃが発生する。又、コ
ンデンサー６６のチャージｍが所定値に達するまで反転
回路６７の出力ｒｊ　Ｉ！４　ＩＩレベルになりＰＵＣ
信号が発生する。該Ｐ　Ｕ　Ｃイｎ号により分周回路７
１、カウンター７４．７７、一致回路７８及びＲＳフリ
ップフロッグ５５は初期状態にセットされる。発振器６
８の動作が１ｊｉｉ始すると、分周回路７１はそのパル
スを分周していく。

Ｒ８−ＦＦ５５は初期リセットされているので、出力可
はＨレベルになっておりＡＦＥＮＩ）イ占号は発生して
ない。よってＡＮＤゲート７３からはその分周出力が出
力され、それがカウンター７４でカウントされていく、
そのカウント動作が進行するとＱＩＯ出力がＨレベルに
反転し、Ｊ９　）’（：　Ｘ子９５アナログスイッチ１
４がオンし、抵抗１１を通しての被写体による反射光の
ためにＰＳＤＩ　Ｏから生じる光電流がＯＰアンプ１８
のフィードバノクルーグに流れ込んでいく。

一方、分周回路７１の１ＲＯＮ信号Ｑ、［側アゲート９
１を介してトランジスタ９３をオン、オフし、それと同
期してドライブ用のトランジスタ９４もオン、オフし投
光素子９５は点滅動作を行っている。

カウンタ−７４０カウント動作が更に進行するとＱＩＱ
出力はＨレベルからＬレベルに反転し、Ｑｌｌ出力はＬ
レベルからＨレベルに反転するためアナログスイッチ１
５がオンする。尚、更にカウンター７４のカウント動作
が進行するとＱＩＯ及びＱｌｌの出力がＨレベルになり
、アナログスイッチ１４，１５がオンする。更にカウン
ト動作が進行するとＱ１２出力のみが１ルベルＶＣなり
、アナログスイッチ１Ｇがオンするように構成されてお
り、抵抗１１〜１３が２進数的に順次ｏｐアンプ１８の
反転入力端子に並列接続されることになる。したがって
前述の原理と同様に時間が経過するにつれてＯＰアンプ
１８に流れ込むＰＳＤｌｏからの電流の割合が徐々に大
きくなり、反対にＯＰアンプ２７に流れ込むＰＳＤＩＯ
からの電流の割合は徐々へ小さくなる。

ＯＰアンプ１８の出力はｉμ流カット用のコンテンサ３
０を介してバッファ回路３２に入力し、その出力は一キ
ｔ＃；ネ唯坤＝享＃零４−ぞ一＝瑚：４二を一肴ｔｔ差
動増巾器３４の反転入力端子に入力し、ＯＰアング２７
の出力は直流カット用コンテンザ３１を介して等動増巾
器３４の非反転入力端子に入力する。したがってＯＰア
ンプ３４Ｎ両大入力差すなわちＰＳＤＩＯの２つの端子
から出力される電流の差を出力する。

アナログスイッチ３９．４０により投光素子９５が点灯
している期間のＯＰアンプ３４の信号はコンデンサ４４
にサンプルホールドされ、投光素子９５が消灯している
期間のＯＰアンプ３４の信号はコンデンサ４２にサンプ
ルホールドされる。

コンデンサ４２．４４にホールドされた信号はバッファ
アンプ４５及び４６を介して出力され、ＯＰアンプ４６
の出力１ｌＳｔｏｐアンプ４７で反転された後にＯＰア
ンプ５０で加算される。したがってＯＰアンプ５０の出
力信号はＯＰアンプ３４の出力を投光素子９５の点滅に
同期して検波されることになる。すなわち投光素子９５
０点灯時および非点灯時のＰＳＤＩＱの出力の差がｏｐ
アンプ５０かち出力され、交流的な外光成分も除去され
る。

一方前述の如く時間が経過するにつれてＰＳＤｌｏの端
子Ａから出力される１１１．流が増加していき、ＰＳＤ
ＩＯの端子Ｂから出力される電流は減少していくため、
ＰＳＤの端子Ａ及び端子Ｂに出力される１流の差を出力
する。ｐアンプ３４の出力は減少していく。したがって
ＯＰアンプ５０の出力が基準レベルＫＶＣにまで減少し
たときにコンノくレータ５４はＬレベルからＨレベルに
反転する。

そのためＲ８−ＦＦ５５はセットされ出力Ｑｔ−ｔＬレ
ベルからＨレベルに反転してＡＦｇＮＤ（ｇ号が発生す
る。反対に大、ｖｍｈｖ信号はｌ（レベルからＬレベル
に反転するためアンドゲート７３は閉じ分周器７１の出
力パルスはカウンター７４に入力されなくなる。したが
ってＬ）　Ｓ　Ｄ　１０の両出力端子の出力′電流が等
しくなったときのアナログスイッチ１４〜１６の状態が
カウンター７４に保持されることになる。

ＡＦＥＮＩ）信号が発生すると同時にオアゲート９１の
出力はＨレベルになり、トランジスタ９１まオンしつづ
けるためトランジスタ９４はオフし、投光素子９５は消
灯する。

次に不図示の機構によりレリーズ動作を行うとマグネッ
ト８０に通電が行われ不図示の撮影レンズが移動を開始
する。その移動動作に連動してコード板７５からパルス
列が発生し、該パルス列はチャタリング吸収回路７６を
介してカウンター７７に入力する。カウンター７７のカ
ウント数と、カウンター７４に保持されたカウント数が
一致したときに一致回路７８の出力がＨレベルからＬレ
ベルに反転し、トランジスタ７９　ｒＪ’オフし、マグ
ネット８００通電が停止され不図示の撮影レンズの移動
が終了する。

以上の如く本実施例に依れば、Ｐ　Ｓ　Ｄ　１０の端子
Ｂに接続する抵抗をアナログスイッチ・で切り換えるた
めに分周器７１の出力パルスを分周するカウンター７４
を設けていることにより従来のＰＳＤの処理回路が、測
距情報をアナログ情報として取り出していたのに対して
、測距情報をデジタル情報として直接得ることができ、
本実施例の如く撮影レンズの移動量をデジタル情報とし
て検知し、撮影レンズの移動量を制御するいわゆるゾー
ンフォーカス式のオートフォーカスカメラに適用する場
−合には効果が大なるものである。

次にＰＳＤの端子に接続する抵抗を切り換える代わりに
ＦＥＴを設けて該ＦＥＴのゲート′電圧を制御すること
によりＦＥＴのソースドレイン間の抵抗をアナログ的に
変化させることによりＰＳＤｌｏの端子Ａ、Ｂから出力
される電流の値をバランスさせて投光素子の光の被写体
による反射光がＰＳＤのどの部分に入射しているかを算
出して測距を行う本発明の第２の実施例の装置を第３図
を用いて説明する。第３図において第２図と同じ機能を
有する素子については同じ番号を付し、説明を省略する
。第３図において１００はＰチャンネルのＭＯＳＦＥＴ
でソースはＯＰアンプ１８の反転入力端子に、ドレイン
はＰＳＤＩＯの端子Ａに接続している。１０１は定電流
回路、１０２及び１０３、はカレントミラーを構成する
ＮＰＮトランジスタ、１０４Ｈコンデンサー、１０５ｉ
、ｔスイッチングトランジスタでそのベースにヒ１．↓
ｌｔ抗１０６を介して後述のＰＵＣ信号が入力している
。コンデンサー１０４ｔ；ｊ基準電圧ＫＶＣとＦＥＴ１
００のゲート間に接続されている。

１０７はＦＥＴｌ０（１）ゲートを入力とするＡ／Ｄ変
換器、１０８はラッチ回路で、ランチ入力には前記Ａ　
Ｆ　Ｅ　Ｎ　Ｄ　１＠号が入力している。１０９　＋；
ｌ：インバータでＰＩＪＣ信号を反転した１ｖτ信月を
出力する。

次に上述の如く構成された本発明の実施例の動作を説明
する。不図示のシャッターボタンの第１ストロークを押
し込むことによりスイッチＳＷ１がオンし、コンデンサ
ー１０４の初期リセットが行われる。シτ７信号により
コンデンサ−１０４のりセットが行われた後には、定’
ｒｌＶ流回路１０１の出力によりトランジスタ１０２及
び１０３を介して充電されていき、ＦＥＴのゲー）　′
＋ｉＬ圧は基準電圧ＫＶＣより徐々に低下していく。そ
の為ＦＥＴ１００のソースドレイン間の抵抗値も徐々に
減少し、第２図の実施例と同じくｏＰアンプ５ｏの出力
は徐々に上昇し、コンパレータ５４の出方はＬレベルか
らＨレベルに反転し、ＲＳ　−ＦＦ　５５はセットされ
、出力ＱからＡ　Ｉｉ’　Ｆ、Ｎ　Ｄ信号が発生する。

一方前記ＦＥＴのゲート巾：圧はＡ／Ｄ変換器１０７に
於て遂次Ａ／Ｄ変堕され、ＡＦＥＮＤ信号が発生すると
、その時点でＡ／Ｄ変換器１０７の出力がランチ回路１
０８にラッチされる。シｋがってこのラノチイｎ報が測
距情報となり、レンズ鏡筒の制御は第２の実施例と同じ
であるので説明を省略する。

本実施例においてはＦＥＴをインピーダンス手段として
用いているため抵抗を切り換える方法に比して構造が簡
単になるという効果があるばかりか、ＰＥＴのゲートの
電圧を制御することにより実質的に抵抗を切り換えてい
るため、ＦＥＴのゲートの電圧を精密に制御することに
より無段階に抵抗値を変え、きわめて精密に反射光の入
射位置を検出することができる。

第４図は本発明の第３の実施例の回路図である。

第４図の回路においては第１の実施例の回路において抵
抗１１．１２．１３を切り換える代わりにＦＥＴを設け
てＲＥＴＩ　００のゲートに印加する電圧をカウンター
７４の出力ＩＤ／Ａ変換するｌ）／　Ａ変換器１１０を
設けて該Ｄ／Ａ変換器】１０の出力により得るように構
成している。

動作は第１、第２の実施例と同じであるから説明全省略
する。

本発明の以上の実施例においてはＰＳＤの出力端子に設
けられたインピーダンス手段として第１の実施例では抵
抗、第２、第３の実施例においてはＦＥＴのソースドレ
イン間の抵抗としたが抵抗値を制御できる素子であれば
適用できるのは勿論である。又、ＰＳＤの出力電流を検
出する検出手段として、ＯＰアンプ３４とした。インピ
ーダンス手段のインピーダンスを変化させＰＳＤの出力
電流がバランスしたときの前記検出手段の出力から入射
スポットの位置を検出する手段として、本実施例におい
てはＯＰアンプ５４．Ｔ’５−Ｆｌ”５５およびＲ８−
ＦＦ５５の出力によりカウントが停止するカウンタ７４
とした。またインピーダンス手段のインピーダンスを変
化させるため第１の実施例においては抵抗を切り換える
アナログスイッチ、第２の実施−例では定電流源１０１
トランジスタ１０２．１０３、及びコンデンサー１０４
から成る回路とし、第３の実施例においてはカウンター
７４の出力をＤ／Ａ変換するＤ／Ａ変換器とした。

また本実施例においては１次元のＰＳＤの信号処理回路
を示したが、２次元のＰＳＤに応用するためには本実施
例に示した４８号処理回路を２組設ければよい。

以上説明した如く本発明に依れば、入射スポットの位置
に応じて連続的に出力が変化するＰＳＤの入射スポット
光の位置を検出する信号処理回路において、１次元のＰ
ＳＤ素子の場合には２本１対の出力端子、２次元、の・
Ｐ’ＳＤの場合には４本２対の出力端子のそれぞれ対に
なった少なくとも一方の端子に設けられたインピーダン
ス手段と、該インピーダンス手段のインピーダンスを変
化させる変化手段と、前記出力端子の出力電流を検出す
る検出手段とを設け、前記インピーダンス手段のインピ
ーダンスを前記変化手段により変化させ前記検出手段に
より検出された前記対の出力端子の出力がバランスした
ときの前記インピーダンス手段のインピーダンスに応じ
て入射スポット光の位１１？′を検出する手段とを具備
したので従来のＰＳＤの信号処理回路の如く規格化のた
めの回路も必要なく簡単な構成で入射スポットの位置を
高精度で検出でき更に信号処理回路のダイナミックレン
ジを小さくできるために回路構成を簡単にすることがで
き極めて効果大なるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図ｆａ）、（ｂ）は本発明の原理を示す原理＋ｇ＋
、第２図は本発明を応用したカメラの第一の実施例の回
路図、 第３図は本発明の第２の実施例の回路１・に１、第４図
は本発明の第３の実施例の回路図である。 １０・・・・・・半導体装置検出器 １１．１２．１３・・・・・・抵抗 １８．２７．３４．５０・・・・・・オペアンプ７４・
・・・・・カウンタ １００・・・・・・ＦＥＴ 出願人　キャノン株式会社 、官Ｌ１λｉ４！４

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 入射スポットの位置に応じて連続的に出力が変化する半
   導体装置検出素子の入射スポット光の位置を検出する信
   号処理回路において、１次元の半導体装置検出素子の場
   合には２本１対の出力端子、２次元の半導体装置検出素
   子の場合には４本２対の出力端子のそれぞれ対になった
   少なくとも一方の端子に設けられたインビニダンス手段
   と、該インピーダンス手段のインピーダンスを変化させ
   る変化手段と、前記出力端子の出力′電流を検出する検
   出手段とを設け、前記インピーダンス手段のインピーダ
   ンスを前記変化手段により変化させ前記検出手段によシ
   検出された前記対の出力端子の出力が略バランスしたと
   きの前記インピーダンスのインピーダンスに応じて入射
   スポット光の位置を検出する手段とを具備したことを特
   徴とする半導体装置検出素子の信号処理回路。