JPS6010639A - ウエ−ハ着脱装置 - Google Patents
ウエ−ハ着脱装置Info
- Publication number
- JPS6010639A JPS6010639A JP58117948A JP11794883A JPS6010639A JP S6010639 A JPS6010639 A JP S6010639A JP 58117948 A JP58117948 A JP 58117948A JP 11794883 A JP11794883 A JP 11794883A JP S6010639 A JPS6010639 A JP S6010639A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- holes
- detachment
- attachment
- grooves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0428—Apparatus for mechanical treatment or grinding or cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/50—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for positioning, orientation or alignment
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はウェーハを着脱するウェーハ着脱装置に係り、
特に半導体装置のダイシング工程で用いられるウェーハ
着脱装置に関する。
特に半導体装置のダイシング工程で用いられるウェーハ
着脱装置に関する。
半導体装置の製造工程のひとつであるダイシング工程と
は、第１図に示すように、完成したウェーハ１をウェー
ハ着脱装置のウェーハ着脱板２上に載せ、回転するダイ
ヤモンドブレード４により、ウェーハ１上のダイシング
ライン３に沿ってダイシングする工程であり、半導体チ
ップ５毎に分離し易くするための工程である。ウェーハ
を載せるウェーハ着脱板２は、第２図、第３図に示すよ
うに、その表面に同心円状の溝１１と十字型の直線状の
溝１２が刻まれている。そして同心円状の溝１１と直線
状の溝１２との交点と中心に貫通孔１３ 、１４が形成
されている。ウェーハ着脱板２の裏面には、貫通孔１３
、１４をおおうようにして形成された吸引装置１５が
設けられている。
は、第１図に示すように、完成したウェーハ１をウェー
ハ着脱装置のウェーハ着脱板２上に載せ、回転するダイ
ヤモンドブレード４により、ウェーハ１上のダイシング
ライン３に沿ってダイシングする工程であり、半導体チ
ップ５毎に分離し易くするための工程である。ウェーハ
を載せるウェーハ着脱板２は、第２図、第３図に示すよ
うに、その表面に同心円状の溝１１と十字型の直線状の
溝１２が刻まれている。そして同心円状の溝１１と直線
状の溝１２との交点と中心に貫通孔１３ 、１４が形成
されている。ウェーハ着脱板２の裏面には、貫通孔１３
、１４をおおうようにして形成された吸引装置１５が
設けられている。
ウェーハ１をウェーハ着脱板２に載せると、吸引装置１
５により貫通孔１３ 、１４を介して真空吸引する。真
空吸引されるとウェーハ１はウェーハ着脱板２に吸着さ
れて固定される。ウェーハ１のダイシングが終了すると
、吸引装置１５に図示しない外部圧縮空気形成系より圧
縮空気を送りダイシング終了後のウェーハ１を離脱させ
る。
５により貫通孔１３ 、１４を介して真空吸引する。真
空吸引されるとウェーハ１はウェーハ着脱板２に吸着さ
れて固定される。ウェーハ１のダイシングが終了すると
、吸引装置１５に図示しない外部圧縮空気形成系より圧
縮空気を送りダイシング終了後のウェーハ１を離脱させ
る。
このような従来のウェーハ着脱装置では、ウェーハ１の
ダイシングライン３と直線状の溝１２とが一致しており
、また貫通孔１３ 、１４がダイシングライン３に沿っ
て並んでいる。このためダイシング後のウェーハ１と、
貫通孔１３ 、１４からの圧縮空気により離脱させる場
合には、ダイシングにより薄くなった部分に応力の集中
が生じ、ウェーッ・１がダイシングラインにそって、破
壊されるおそれがある。
ダイシングライン３と直線状の溝１２とが一致しており
、また貫通孔１３ 、１４がダイシングライン３に沿っ
て並んでいる。このためダイシング後のウェーハ１と、
貫通孔１３ 、１４からの圧縮空気により離脱させる場
合には、ダイシングにより薄くなった部分に応力の集中
が生じ、ウェーッ・１がダイシングラインにそって、破
壊されるおそれがある。
本発明は上記事情を考慮してなされたものでウェーハが
、ダイシングラインにそって破壊されるおそれのないウ
ェーハ着脱装置を提供することを目的とする。
、ダイシングラインにそって破壊されるおそれのないウ
ェーハ着脱装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明によるウェーハ着脱装
置は、ウェーハ着脱板表面に形成する溝を、ウェーハ着
脱板表面の中心から外側に向かつて曲線状に形成し、ウ
ェーハ着脱板を貫通する貫通孔を、ウェーハ着脱板表面
に載せられるウェーハにおける直交するダイシングライ
ンの方向にひとつだけ存在するようにして設けたことを
特徴とする。
置は、ウェーハ着脱板表面に形成する溝を、ウェーハ着
脱板表面の中心から外側に向かつて曲線状に形成し、ウ
ェーハ着脱板を貫通する貫通孔を、ウェーハ着脱板表面
に載せられるウェーハにおける直交するダイシングライ
ンの方向にひとつだけ存在するようにして設けたことを
特徴とする。
本発明の一実施例によるウェーハ着脱装置を第４図、第
５図に示す。このウェーハ着脱装置は、 １ウ工−八着
脱板２の中心から外側に向かってらせん状の溝が形成さ
れている。このらせん状の溝は４本ずつ３ｇ類の長さが
ある。これは、ウェーハ着脱板２に着脱されるウェーハ
の有効径に対応させたものである。すなわちウェーハ外
径が小さいウェーハＩに対しては、そのウェーハ外径内
におさまるようにらせん状の溝２］、２２，２３．２４
が形成され、それぞれの溝２１ 、２２ 、３ 、２４
に対して貫通孔２．５ 、２６ 、２７ 、２８が設け
られている。同様に、ウェーハ外径が中位のウェーハ３
０に対しては、らせん状の溝３１ 、３２ 、３３ 、
３４と貫通孔３５ 、３６ 、３７ 、３８が設けられ
、ウェーハ外径が大きいウェーハ４０に対しては、らせ
ん状の溝４１ 、４２ 、４３ 、４４が設けられてい
る。このとき、貫通孔はダイシングラインの方向には絶
対に２つ以上並ばないように形成する。ダイシングライ
ンは通常ウェーハのオリエンテーションフラットの方向
およびそれに直角な方向である。したがって第４図に示
すようにその方向には２つ以上並ばないようにし、斜め
の方向に並ぶよりＫする。
５図に示す。このウェーハ着脱装置は、 １ウ工−八着
脱板２の中心から外側に向かってらせん状の溝が形成さ
れている。このらせん状の溝は４本ずつ３ｇ類の長さが
ある。これは、ウェーハ着脱板２に着脱されるウェーハ
の有効径に対応させたものである。すなわちウェーハ外
径が小さいウェーハＩに対しては、そのウェーハ外径内
におさまるようにらせん状の溝２］、２２，２３．２４
が形成され、それぞれの溝２１ 、２２ 、３ 、２４
に対して貫通孔２．５ 、２６ 、２７ 、２８が設け
られている。同様に、ウェーハ外径が中位のウェーハ３
０に対しては、らせん状の溝３１ 、３２ 、３３ 、
３４と貫通孔３５ 、３６ 、３７ 、３８が設けられ
、ウェーハ外径が大きいウェーハ４０に対しては、らせ
ん状の溝４１ 、４２ 、４３ 、４４が設けられてい
る。このとき、貫通孔はダイシングラインの方向には絶
対に２つ以上並ばないように形成する。ダイシングライ
ンは通常ウェーハのオリエンテーションフラットの方向
およびそれに直角な方向である。したがって第４図に示
すようにその方向には２つ以上並ばないようにし、斜め
の方向に並ぶよりＫする。
貫通孔を介して真空吸引したり圧縮空気を送ったりする
吸引装置も３系統設けられている。すなわち、貫通孔２
５ 、２ｆ’ｉ 、 ２７ 、２８に対しては吸引装置
２９が、貫通孔３５ 、３６ 、３７ 、３８に対して
は吸引装置３９が、貫通孔４５ 、４６ 、４７ 、４
８に対しては吸引装置４９が設けられている。
吸引装置も３系統設けられている。すなわち、貫通孔２
５ 、２ｆ’ｉ 、 ２７ 、２８に対しては吸引装置
２９が、貫通孔３５ 、３６ 、３７ 、３８に対して
は吸引装置３９が、貫通孔４５ 、４６ 、４７ 、４
８に対しては吸引装置４９が設けられている。
ウェーハ外径が小さいウェーハかの場合に□は、吸引装
置２９により、貫通孔２５ 、２６ 、２７ 、２８を
介して真空吸着する。吸着後、ダイシング等の加工をお
こなう際、加工中佐ずる切子を除去するため通常ジェッ
ト水流を用いる。このためダイシング加工終了後、吸引
を中止しても水の粘着力によりウェーハ加はウェーハ着
脱板２にくっついたままである。したがってウェーハ頷
をウェーハ着脱板２より離脱させるために、吸引装置穴
より逆に圧縮空気を噴出させ、ウェーハ２０をウェーッ
１着脱板２よりホバーアップさせる。ウェーッー外径が
中位のウェーハ（ト）の場合には、吸引装置穴とともに
吸引装置３９を用いる。吸引装置２９ 、３９により貫
通孔５゜２６ 、２７ 、２８．３５．３６ 、３７
、３８を介して真空吸着する。ウェーハ外径が大きいウ
ェーッＳ４０の場合には、吸引装置２９ 、３９ととも
に吸引装置４９を用いる。吸別装置２９ 、３９ 、４
９によりすべての貫通孔２５ 、２６ 。
置２９により、貫通孔２５ 、２６ 、２７ 、２８を
介して真空吸着する。吸着後、ダイシング等の加工をお
こなう際、加工中佐ずる切子を除去するため通常ジェッ
ト水流を用いる。このためダイシング加工終了後、吸引
を中止しても水の粘着力によりウェーハ加はウェーハ着
脱板２にくっついたままである。したがってウェーハ頷
をウェーハ着脱板２より離脱させるために、吸引装置穴
より逆に圧縮空気を噴出させ、ウェーハ２０をウェーッ
１着脱板２よりホバーアップさせる。ウェーッー外径が
中位のウェーハ（ト）の場合には、吸引装置穴とともに
吸引装置３９を用いる。吸引装置２９ 、３９により貫
通孔５゜２６ 、２７ 、２８．３５．３６ 、３７
、３８を介して真空吸着する。ウェーハ外径が大きいウ
ェーッＳ４０の場合には、吸引装置２９ 、３９ととも
に吸引装置４９を用いる。吸別装置２９ 、３９ 、４
９によりすべての貫通孔２５ 、２６ 。
２７ 、２８ 、３５ 、３６ 、３７ 、３８ 、４
５ 、４６ 、４７ 、４８を介して真空吸着する。
５ 、４６ 、４７ 、４８を介して真空吸着する。
このように本実施例によれば、ダイシングラインにそっ
て貫通孔が２つ以上並ぶことがないため、ダイシング後
のウェーハがダイシングラインにそって破壊することは
ない。また、溝もらせん状でありダイシングラインとは
交差しており溝が、ダイシングラインに対し、平行に一
致することがないためウェーハは、ダイシングラインに
そって破壊することがない。溝をらせん状にすることに
より吸着有効面精を広くすることができ、吸着力が強く
なる。さらに吸引装置を複数系設けることにより、外径
が異なる複数種類のウェーハを吸着離脱させることがで
きる。
て貫通孔が２つ以上並ぶことがないため、ダイシング後
のウェーハがダイシングラインにそって破壊することは
ない。また、溝もらせん状でありダイシングラインとは
交差しており溝が、ダイシングラインに対し、平行に一
致することがないためウェーハは、ダイシングラインに
そって破壊することがない。溝をらせん状にすることに
より吸着有効面精を広くすることができ、吸着力が強く
なる。さらに吸引装置を複数系設けることにより、外径
が異なる複数種類のウェーハを吸着離脱させることがで
きる。
なお先の実施例では、ウェーハ着脱板上に４本ずつ３系
統の吸着溝を股げたが、４本と限らず何本ずつでもよい
。また吸着系も、ウェーハ着脱板に着脱するウェーハの
有効径に応じて、１系統、２系統あるいは、４系統以上
の複数系であってもよい。また溝の形状は、らせん形状
に限らず曲線状であればよい。
統の吸着溝を股げたが、４本と限らず何本ずつでもよい
。また吸着系も、ウェーハ着脱板に着脱するウェーハの
有効径に応じて、１系統、２系統あるいは、４系統以上
の複数系であってもよい。また溝の形状は、らせん形状
に限らず曲線状であればよい。
以上の通り本発明によれば、ウェーハ吸着板に形成する
溝の形状と貫通孔の配置を変えるだけで、ウェーハがダ
イシングラインにそって破壊される現象を防止すること
ができる。
溝の形状と貫通孔の配置を変えるだけで、ウェーハがダ
イシングラインにそって破壊される現象を防止すること
ができる。
第１図は半導体装置のダイシング工程を示す図、第２図
は従来のウェーハ着脱装置の平面図、第３図は同装置の
Ａ−Ａ’断面図、第４図は本発明の一実施例によるウェ
ーハ着脱装置の千拘図、第５図は同装置のＢ−Ｂ’断面
図である。 １・・・ウェーハ、２・・・ウェーハ着脱装置、３・・
・ダイシングライン、４・・・ダイヤモンドブレード、
５・・・半導体チップ、１１．１２・・・溝、１３ 、
１４・・・貫通孔、１５−・・吸引装置、２０．３０．
４０・・・ウェーハ、２１，２２，３． ’冴、 ３１
、３２ 、３３ 、３４． 、４１ 、４２ 、４３
、４４・・・溝、２５，２６．２７゜２８ 、３５
、３６ 、３７ 、３８ 、４５ 、４６ 、４７ 、
４８・・・貫通孔、２９ 、３９ 。 ４つ・・・吸引装置。 出願人代理人 猪 股 清 第３図
は従来のウェーハ着脱装置の平面図、第３図は同装置の
Ａ−Ａ’断面図、第４図は本発明の一実施例によるウェ
ーハ着脱装置の千拘図、第５図は同装置のＢ−Ｂ’断面
図である。 １・・・ウェーハ、２・・・ウェーハ着脱装置、３・・
・ダイシングライン、４・・・ダイヤモンドブレード、
５・・・半導体チップ、１１．１２・・・溝、１３ 、
１４・・・貫通孔、１５−・・吸引装置、２０．３０．
４０・・・ウェーハ、２１，２２，３． ’冴、 ３１
、３２ 、３３ 、３４． 、４１ 、４２ 、４３
、４４・・・溝、２５，２６．２７゜２８ 、３５
、３６ 、３７ 、３８ 、４５ 、４６ 、４７ 、
４８・・・貫通孔、２９ 、３９ 。 ４つ・・・吸引装置。 出願人代理人 猪 股 清 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 、１．ウェーハを載せるウェーハ着脱板表面において、
ウェーハ着脱板表面に対し垂直方向に貫通する複数の貫
通孔を設け、前記ウェーハ着脱板表面に、前記複数の貫
通孔にそれぞれ連なる複数の溝を形成し、前記複数の貫
通孔および前記複数の溝を介して、ウェーハを真空によ
り吸着させ、圧縮空気により離脱させるウェーハ着脱装
置において、 前記複数の溝は、前記ウェーハ着脱板表面の中心から外
側に向かって曲線状に形成され、前記複数の貫通孔は、
前記ウェーハ着脱板表面に載せられるウェーハの直交す
るダイシングラインの方向にひとつだけ存在するように
設けられていることを特徴とするウェーハ着脱装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の装置において、前記複
数の溝の曲線の最外端と前記ウェーハ着脱板表面の中心
との直線距離を、ウェーハの外径の種類に応じて、複数
種類設けたことを特徴とするウェーハ着脱装置。 、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58117948A JPS6010639A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | ウエ−ハ着脱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58117948A JPS6010639A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | ウエ−ハ着脱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010639A true JPS6010639A (ja) | 1985-01-19 |
Family
ID=14724191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58117948A Pending JPS6010639A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | ウエ−ハ着脱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010639A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1193738A3 (en) * | 2000-09-22 | 2005-08-24 | Ishii Tool & Engineering Corporation | Method and apparatus for manufacturing chips |
| JP2013219201A (ja) * | 2012-04-09 | 2013-10-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| JPWO2013100149A1 (ja) * | 2011-12-28 | 2015-05-11 | 古河電気工業株式会社 | 基板切断用治具、加工装置および基板切断方法 |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP58117948A patent/JPS6010639A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1193738A3 (en) * | 2000-09-22 | 2005-08-24 | Ishii Tool & Engineering Corporation | Method and apparatus for manufacturing chips |
| JPWO2013100149A1 (ja) * | 2011-12-28 | 2015-05-11 | 古河電気工業株式会社 | 基板切断用治具、加工装置および基板切断方法 |
| JP2013219201A (ja) * | 2012-04-09 | 2013-10-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
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