JPS5848914A - ウエハピンセツト - Google Patents
ウエハピンセツトInfo
- Publication number
- JPS5848914A JPS5848914A JP56147211A JP14721181A JPS5848914A JP S5848914 A JPS5848914 A JP S5848914A JP 56147211 A JP56147211 A JP 56147211A JP 14721181 A JP14721181 A JP 14721181A JP S5848914 A JPS5848914 A JP S5848914A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- skirt
- sea
- tweezers
- absorbed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、空気吸引力によって吸着させる部分にウニ
八を固定する手段を備えたウェハピンセットに関する。
八を固定する手段を備えたウェハピンセットに関する。
一般に半導体装置を製造するには、まずシリコン等から
なるウニ八に半導体装置の特性に応じた各種処理、すな
わち酸化膜の形成、不純物の熱拡散等の処理が行なわれ
る。この処理工程を経ることによって、ウニりに複数の
チップが同時に形成され、さらにグイシング工程によっ
てウニ八は各チップに分割される。この各チップがパッ
ケージング後、半導体装置として使用されることになる
。このような半導体製造工程において、ウニ八を安定に
効率よく取り上げるウェハピンセットが必要である。こ
のウェハピンセットには、従来第１図に示すような中空
体１１の吸気孔にウニ八１２を空気吸引力Ｐによって吸
着させる原理が利用されている。具体的なウェハピンセ
ットの構成は、第２図（Ａ）に示すように１例えば板状
の中空体１１に１個あるいは複数個の吸気孔２ノを備え
、この吸気孔２１から０３）図に示すように空気を吸引
するための空気吸引力Ｐを発生する真空ボ、ンプ等の手
段を設けて円部の空気が吸引される。
なるウニ八に半導体装置の特性に応じた各種処理、すな
わち酸化膜の形成、不純物の熱拡散等の処理が行なわれ
る。この処理工程を経ることによって、ウニりに複数の
チップが同時に形成され、さらにグイシング工程によっ
てウニ八は各チップに分割される。この各チップがパッ
ケージング後、半導体装置として使用されることになる
。このような半導体製造工程において、ウニ八を安定に
効率よく取り上げるウェハピンセットが必要である。こ
のウェハピンセットには、従来第１図に示すような中空
体１１の吸気孔にウニ八１２を空気吸引力Ｐによって吸
着させる原理が利用されている。具体的なウェハピンセ
ットの構成は、第２図（Ａ）に示すように１例えば板状
の中空体１１に１個あるいは複数個の吸気孔２ノを備え
、この吸気孔２１から０３）図に示すように空気を吸引
するための空気吸引力Ｐを発生する真空ボ、ンプ等の手
段を設けて円部の空気が吸引される。
このようなウェハピンセットによって、ウニ八を取り上
げる場合、第３図（６）に示すように吸気孔２１から空
気を吸引して、その吸引力Ｐによってウニ八１２を中空
体１ノの本体に吸着させる。このようなウェハピンセッ
トによって。
げる場合、第３図（６）に示すように吸気孔２１から空
気を吸引して、その吸引力Ｐによってウニ八１２を中空
体１ノの本体に吸着させる。このようなウェハピンセッ
トによって。
ウニ八１２を取り上げ例えば各処理工程間に移動できる
が、ウニ八１２をウェハピンセットによって吸着させる
場合、ウニ八１２はウェハピンセットの吸気孔２ノを有
する中空体１ノの本体（以下吸着部と称する）と接触す
ることになる。このとき、第３図（４）に示すようにこ
の吸着部と接触する部分がウニ八１２の裏面、すなわち
チップが形成されない面の場合には問題はない。しかし
ながら、中）図に示すように吸着部と接触する部分がウ
ニ八ｌｊｊの上面、すなわちチップが形成される面の場
合には、ウニへ１２表面に傷を発生させ、そのためにウ
ニ八１２に形成されるチップに悪影響を及ぼすことにな
る。
が、ウニ八１２をウェハピンセットによって吸着させる
場合、ウニ八１２はウェハピンセットの吸気孔２ノを有
する中空体１ノの本体（以下吸着部と称する）と接触す
ることになる。このとき、第３図（４）に示すようにこ
の吸着部と接触する部分がウニ八１２の裏面、すなわち
チップが形成されない面の場合には問題はない。しかし
ながら、中）図に示すように吸着部と接触する部分がウ
ニ八ｌｊｊの上面、すなわちチップが形成される面の場
合には、ウニへ１２表面に傷を発生させ、そのためにウ
ニ八１２に形成されるチップに悪影響を及ぼすことにな
る。
このように従来のウェハピンセットでは、半導体装置の
製造工程においてウェハ１２に悪影響を及ぼして、半導
体装置の製造歩留りを大きく低下させる欠点がある。
製造工程においてウェハ１２に悪影響を及ぼして、半導
体装置の製造歩留りを大きく低下させる欠点がある。
この発明は上記の事情を鑑みてなされたもので、半導体
装置の製造工程においてウニ八を移動させる際、ウニ八
表面と無接触に吸着させることによって、ウニ八表面の
傷の発生等の悪影響を防止でき、半導体装置の製造歩留
りを高めることができるウェハピンセットを提供するこ
とを目的とする。
装置の製造工程においてウニ八を移動させる際、ウニ八
表面と無接触に吸着させることによって、ウニ八表面の
傷の発生等の悪影響を防止でき、半導体装置の製造歩留
りを高めることができるウェハピンセットを提供するこ
とを目的とする。
以下図面を参照してこの発明の一実施例について説明す
る。第４図はその実施例に係る基本的構成を示すもので
、吸気孔を有する中空体１１が設けられ、この中空体１
１の吸気孔を含む吸着部に中空構造のスカート４１が設
けられ＝壜鳴叫このスカート４１は吸気孔を設けた吸着
部に設けられた円錐台構造であり、その中空体１１側の
直径はウニ八１２より小さく、開放端ではウニへの直径
より大きく作られている。
る。第４図はその実施例に係る基本的構成を示すもので
、吸気孔を有する中空体１１が設けられ、この中空体１
１の吸気孔を含む吸着部に中空構造のスカート４１が設
けられ＝壜鳴叫このスカート４１は吸気孔を設けた吸着
部に設けられた円錐台構造であり、その中空体１１側の
直径はウニ八１２より小さく、開放端ではウニへの直径
より大きく作られている。
このような基本的構成のウェハピンセットは。
具体的には第５図（４）に示すように１個の吸引孔を形
成する円柱形の吸着部５１を備えた中空体１１が設けら
れ、この吸着部５１に上記円錐台構造のスカート４ノが
設けられる。
成する円柱形の吸着部５１を備えた中空体１１が設けら
れ、この吸着部５１に上記円錐台構造のスカート４ノが
設けられる。
このようなウニへピンセットにおいて、真空ポンプ等の
空気吸引力Ｐを発生させる手段によって、吸着部５１の
吸引孔から空気を吸引し。
空気吸引力Ｐを発生させる手段によって、吸着部５１の
吸引孔から空気を吸引し。
そのときの吸引力Ｐによってウニ八１２をスカート４１
内に吸引する。このウニ八１２はスカート４１内のウニ
八１１より小さい底面の内壁でその周辺部が吸着、固定
される。このとき。
内に吸引する。このウニ八１２はスカート４１内のウニ
八１１より小さい底面の内壁でその周辺部が吸着、固定
される。このとき。
第５図（Ｉｌｌに示すようにスカート４１内に例えばス
カート４）の内壁の突起物からなるストッパー５２を備
えることによって、吸引されたウニ八１２の傾きをなく
シ、安定にウニ八１２を吸着、固定できる。したがって
、このスカート４１によってウニ八１２はチップが形成
される表面と無接触の状態で吸着され、しかも表面上に
付着したゴミ等を空気吸引力によって収り除くこともで
きる。なお、スカート４１の内壁またはストッパー５２
と接触するウニ八１２の周辺部は１通常良品のチップは
形成されないため問題はない。また、スカート４ノはス
トッパー５２を備えることによって１円錐台構造に限ら
ず円柱構造でもよい。さらに第５図０に示すように、上
記吸着部５ノの吸引孔５３−１．５３−２は複数でもよ
い。
カート４）の内壁の突起物からなるストッパー５２を備
えることによって、吸引されたウニ八１２の傾きをなく
シ、安定にウニ八１２を吸着、固定できる。したがって
、このスカート４１によってウニ八１２はチップが形成
される表面と無接触の状態で吸着され、しかも表面上に
付着したゴミ等を空気吸引力によって収り除くこともで
きる。なお、スカート４１の内壁またはストッパー５２
と接触するウニ八１２の周辺部は１通常良品のチップは
形成されないため問題はない。また、スカート４ノはス
トッパー５２を備えることによって１円錐台構造に限ら
ず円柱構造でもよい。さらに第５図０に示すように、上
記吸着部５ノの吸引孔５３−１．５３−２は複数でもよ
い。
第６図（Ａ）、（６）は上記第５図（〜、（Ｂ）に示す
ウェハピンセットの円錐台構造のスカート４１の代りに
連数の小板からなるスカート６１を備えたウェハピンセ
ットの構造を示す。すなわち、このスカート６ノは、吸
引孔を有する吸着部５１に第６図（均に示すように、吸
引されるウニ八１２を安定に固定できる複数の周辺部の
箇所の位置のそれぞれに小板６２を備え、この小板６２
は吸着部５１に対して所定の角度をもって設けられ、吸
着部５１と無接触に吸引されるつ成 エバ１２を固定する。なお、他のｗ鐘、動作、および効
果は上記第５図（６）、（Ｂ１に示したウェハピンセッ
トと同様であるため同一符号を付して説明は省略する。
ウェハピンセットの円錐台構造のスカート４１の代りに
連数の小板からなるスカート６１を備えたウェハピンセ
ットの構造を示す。すなわち、このスカート６ノは、吸
引孔を有する吸着部５１に第６図（均に示すように、吸
引されるウニ八１２を安定に固定できる複数の周辺部の
箇所の位置のそれぞれに小板６２を備え、この小板６２
は吸着部５１に対して所定の角度をもって設けられ、吸
着部５１と無接触に吸引されるつ成 エバ１２を固定する。なお、他のｗ鐘、動作、および効
果は上記第５図（６）、（Ｂ１に示したウェハピンセッ
トと同様であるため同一符号を付して説明は省略する。
ただし、この場合のウニ八ビンセットには、ウニへ１２
とウニへビンセットの位置関係が上記第５図（Ａ） 、
ＣＢ）に示すウニへビンセットに比較して容易に認識
できる効果がある。
とウニへビンセットの位置関係が上記第５図（Ａ） 、
ＣＢ）に示すウニへビンセットに比較して容易に認識
できる効果がある。
以上詳述したようにこの発明によれば、半導体装置の製
造工程においてウニへを移動させる際、ウニへを確実に
吸引固定し、しかもウニへ表面と無接触に吸着させるこ
とによって、ウニへ表面の傷の発生等の悪影響を防止で
き、半導体装置の製造歩留りを高めることができるウニ
へピンセットを提供でキル。
造工程においてウニへを移動させる際、ウニへを確実に
吸引固定し、しかもウニへ表面と無接触に吸着させるこ
とによって、ウニへ表面の傷の発生等の悪影響を防止で
き、半導体装置の製造歩留りを高めることができるウニ
へピンセットを提供でキル。
第１図は従来のウニ八ピンセットの原理を説明する基本
的構成図、第２図（４）、（Ｂ）はそのウニへピンセッ
トの具体的構成図で、（Ａ）図は斜視図、（ロ）図はそ
の８−ａ′の断面図、第３図（４）、（同も同じ〈従来
のウニ八ピンセットの構成図、第４図はその発明の一実
施例に係るウニ八ピンセットの原理を説明する基本的構
成因、第５図（〜。 （均はそのウニ八ピンセットの具体的構成図で。 （６）図は斜視図、ＣＢ）図はそのｂ−ｂ’の断面図。 第６図（Ａ） 、 （Ｂ）はこの発明の他の実施例に係
るウニ八ピンセットの構成図で、（Ｎ図は斜視図、渚は
側面図である。 １１・・・中空体、１２・・・ウニ八、２）・・・吸引
孔４１．６１川スカート、５ノ・・−吸着部、５２−１
１−ストッパー、６２・・−小板。 出願人代理人 弁理士 鈴 圧式 彦 ｉＪ１図 ρ 第２図 第３図 （Ａ）ＣＢ） ｍ ４ 図 第５図
的構成図、第２図（４）、（Ｂ）はそのウニへピンセッ
トの具体的構成図で、（Ａ）図は斜視図、（ロ）図はそ
の８−ａ′の断面図、第３図（４）、（同も同じ〈従来
のウニ八ピンセットの構成図、第４図はその発明の一実
施例に係るウニ八ピンセットの原理を説明する基本的構
成因、第５図（〜。 （均はそのウニ八ピンセットの具体的構成図で。 （６）図は斜視図、ＣＢ）図はそのｂ−ｂ’の断面図。 第６図（Ａ） 、 （Ｂ）はこの発明の他の実施例に係
るウニ八ピンセットの構成図で、（Ｎ図は斜視図、渚は
側面図である。 １１・・・中空体、１２・・・ウニ八、２）・・・吸引
孔４１．６１川スカート、５ノ・・−吸着部、５２−１
１−ストッパー、６２・・−小板。 出願人代理人 弁理士 鈴 圧式 彦 ｉＪ１図 ρ 第２図 第３図 （Ａ）ＣＢ） ｍ ４ 図 第５図
Claims (1)
- 半導体ウニ八を空気吸引力を使用して吸着するウェハピ
ンセットにおいて、少なくとも１個の吸気孔を有して、
この吸気孔から空気を吸引する手段によって上記ウニ八
を吸着させる中ｌ構造の装置と、この装置の上記ウニノ
ーを吸着する部分に設けられた上記ウニへの周辺部で吸
着されたウニ八を支持するスカートとから構成されるこ
とを特徴とするウェハピンセット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56147211A JPS5848914A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | ウエハピンセツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56147211A JPS5848914A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | ウエハピンセツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848914A true JPS5848914A (ja) | 1983-03-23 |
Family
ID=15425075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56147211A Pending JPS5848914A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | ウエハピンセツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848914A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60242996A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-02 | 松下電器産業株式会社 | 無塵把持装置 |
| JPS62186293A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-14 | ヤマハ株式会社 | 電子楽器 |
| ITCO20150008A1 (it) * | 2015-04-20 | 2016-10-20 | L P E S P A | Utensile per manipolare substrati e reattore epitassiale |
-
1981
- 1981-09-18 JP JP56147211A patent/JPS5848914A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60242996A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-02 | 松下電器産業株式会社 | 無塵把持装置 |
| JPS62186293A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-14 | ヤマハ株式会社 | 電子楽器 |
| ITCO20150008A1 (it) * | 2015-04-20 | 2016-10-20 | L P E S P A | Utensile per manipolare substrati e reattore epitassiale |
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