JPS61145839A - 半導体ウエ−ハの接着方法および接着治具 - Google Patents
半導体ウエ−ハの接着方法および接着治具Info
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- JPS61145839A JPS61145839A JP59268813A JP26881384A JPS61145839A JP S61145839 A JPS61145839 A JP S61145839A JP 59268813 A JP59268813 A JP 59268813A JP 26881384 A JP26881384 A JP 26881384A JP S61145839 A JPS61145839 A JP S61145839A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0428—Apparatus for mechanical treatment or grinding or cutting
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- H10P72/50—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for positioning, orientation or alignment
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、シリコンなどの半導体ウェーハ同士を直接接
着させる方法およびその方法に使用する冶具に関する。
着させる方法およびその方法に使用する冶具に関する。
鏡面研磨されたシリコンなどの二枚の半導体ウェーハを
、その研磨面同士を清浄な条件下で接触させると強固な
接合体ウェーハが得られる。この方法は、ウェーハ間に
接着材等の異種物質を介在させる必要がないため、その
後の高ｍ処理や各種化学処理が自由にでき、またｐｎ接
合や誘電体埋め込みも簡便にできる、といった利点を有
する。
、その研磨面同士を清浄な条件下で接触させると強固な
接合体ウェーハが得られる。この方法は、ウェーハ間に
接着材等の異種物質を介在させる必要がないため、その
後の高ｍ処理や各種化学処理が自由にでき、またｐｎ接
合や誘電体埋め込みも簡便にできる、といった利点を有
する。
ところでこの方法で半導体ウェーハを接着させる場合、
ウェーハの反り等のため周辺部が先に接着し、接合部に
気泡が取り残されることがしばしばある。この対策とし
て、真空中で接着することが考えられる。しかしこれで
は、装置が大掛りなものとなる。
ウェーハの反り等のため周辺部が先に接着し、接合部に
気泡が取り残されることがしばしばある。この対策とし
て、真空中で接着することが考えられる。しかしこれで
は、装置が大掛りなものとなる。
本発明は、半導体ウェーハ同士を内部に気泡を残すこと
なく簡便に接着する方法およびその方法に使用する治具
を提供することを目的とする。
なく簡便に接着する方法およびその方法に使用する治具
を提供することを目的とする。
本発明の方法は、鏡面研磨された二枚の半導体ウェーハ
の研磨面同士を接着させるに当たって、少なくとも一方
の半導体ウェー八をその研磨南中央部が凸型となるよう
にたわませた状態でその凸型面を他方の半導体ウェーハ
に接触させて、両ウェーハの接着を行なうことを特徴と
する。
の研磨面同士を接着させるに当たって、少なくとも一方
の半導体ウェー八をその研磨南中央部が凸型となるよう
にたわませた状態でその凸型面を他方の半導体ウェーハ
に接触させて、両ウェーハの接着を行なうことを特徴と
する。
本発明の冶具は、上記のように一方に半導体研摩面中央
部を凸型にたわませて保持するためのものであり、表面
中央部が凸型となるようにテーパ面または曲面成型され
その表面に開口する排気孔を有する基台と、この基台に
重ねられ、半導体ウェー八が載置される面の外周部に溝
が形成されかつその溝に沿って前記基台の排気孔と連通
する複数個の排気孔が形成された弾性体からなるチャッ
クを備える。そしてチャック上に載せられた半導体ウェ
ー八を、チャックの排気孔および基台の排気孔を介して
真空吸引することにより、チャックと共に半導体ウェー
八を基台の表面形状を反映して中央部が凸型となる状態
で保持するようにしたものである。
部を凸型にたわませて保持するためのものであり、表面
中央部が凸型となるようにテーパ面または曲面成型され
その表面に開口する排気孔を有する基台と、この基台に
重ねられ、半導体ウェー八が載置される面の外周部に溝
が形成されかつその溝に沿って前記基台の排気孔と連通
する複数個の排気孔が形成された弾性体からなるチャッ
クを備える。そしてチャック上に載せられた半導体ウェ
ー八を、チャックの排気孔および基台の排気孔を介して
真空吸引することにより、チャックと共に半導体ウェー
八を基台の表面形状を反映して中央部が凸型となる状態
で保持するようにしたものである。
本発明の方法および冶具を用いれば、二枚の半導体ウェ
ー八同士を内部に気泡が残らないように接着して強固な
接合体ウェーハを得ることができる。しかも真空中での
接着と異なり、大掛りな装置を要せず、極めて簡便に接
着を行なうことができる。
ー八同士を内部に気泡が残らないように接着して強固な
接合体ウェーハを得ることができる。しかも真空中での
接着と異なり、大掛りな装置を要せず、極めて簡便に接
着を行なうことができる。
以下本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は−実施例の方法を説明するため
の図である。これらの図において、１１゜１２は接着す
べき二枚の半導体ウェーハであり、それぞれの接着すべ
き面は鏡面研磨されている。
の図である。これらの図において、１１゜１２は接着す
べき二枚の半導体ウェーハであり、それぞれの接着すべ
き面は鏡面研磨されている。
１３は一方の半導体ウェーハ１１を保持する冶具であり
、１４は他方の半導体ウェーハ１２を平坦に支持する支
持台である。第１図（ａ）に示すように、治具１３はそ
の表面が中央部が凸型となるように曲面加工されており
、半導体ウェーハ１１はこの治具１３により研磨面が中
央部凸型となるように保持される。このように保持され
た半導体ウェーハ１１を、第１図（ｂ）に示すように他
方の半導体ウェーハ１２に凸型の中央部から接触させ、
治具１３による半導体ウェーハ１１の保持を解除するこ
とにより、第１図（Ｃ）に示すように、半導体ウェーハ
１１．１２を接着させる。
、１４は他方の半導体ウェーハ１２を平坦に支持する支
持台である。第１図（ａ）に示すように、治具１３はそ
の表面が中央部が凸型となるように曲面加工されており
、半導体ウェーハ１１はこの治具１３により研磨面が中
央部凸型となるように保持される。このように保持され
た半導体ウェーハ１１を、第１図（ｂ）に示すように他
方の半導体ウェーハ１２に凸型の中央部から接触させ、
治具１３による半導体ウェーハ１１の保持を解除するこ
とにより、第１図（Ｃ）に示すように、半導体ウェーハ
１１．１２を接着させる。
この方法によれば、二枚の半導体ウェーハ１１゜１２を
残留ガスなしに全面確実に接着させて、強固な接合体ウ
ェー八を得ることができる。
残留ガスなしに全面確実に接着させて、強固な接合体ウ
ェー八を得ることができる。
第２図（ａ）（ｂ）は、第１因で示したウェーハ保持治
具１３の具体的な構成例を示す。（ａ）は平面図であり
、（ｂ）はそのＡ−Ａ−断面図である。２４は金属等で
つくった基台であり、表面中央部が凸型となるように曲
面加工されており、表面に開口する排気孔２５が形成さ
れている。
具１３の具体的な構成例を示す。（ａ）は平面図であり
、（ｂ）はそのＡ−Ａ−断面図である。２４は金属等で
つくった基台であり、表面中央部が凸型となるように曲
面加工されており、表面に開口する排気孔２５が形成さ
れている。
２１は基台２４上に被せられる。半導体ウェー八を載置
するためのラバー・チャックである。このラバー・チャ
ック２１の表面にはその外周部に半導体ウェー八を保持
するための溝２２が形成され、この溝２２に沿って複数
の排気孔２３が形成されている。基台２４の下に排気管
２６が設けられており、この排気管２６を介してラバー
・チャック２１上に載置された半導体ウェーハを真空吸
引するようになっている。
するためのラバー・チャックである。このラバー・チャ
ック２１の表面にはその外周部に半導体ウェー八を保持
するための溝２２が形成され、この溝２２に沿って複数
の排気孔２３が形成されている。基台２４の下に排気管
２６が設けられており、この排気管２６を介してラバー
・チャック２１上に載置された半導体ウェーハを真空吸
引するようになっている。
第３図はこの冶具１３を用いて半導体ウェーハ１１を保
持した様子を示している。図示のように、排気管２６を
介して真空吸引することにより、排気孔２５．２３を介
して半導体ウェーハ１１の外周部が引張られてラバー・
チャック２１が基台２４の表面形状に従ってたわみ、こ
の結果半導体ウェーハ１１は中央部が凸型になった状態
で保持される。
持した様子を示している。図示のように、排気管２６を
介して真空吸引することにより、排気孔２５．２３を介
して半導体ウェーハ１１の外周部が引張られてラバー・
チャック２１が基台２４の表面形状に従ってたわみ、こ
の結果半導体ウェーハ１１は中央部が凸型になった状態
で保持される。
このようにして保持した半導体ウェーハ１１を、第１図
で説明したようにもう一方の半導体ウェーハ１２に接触
させ、ラバー・チャック２１内に空気等を少しずつ導入
して半導体ウェーハ１１のたわみを徐々に回復させる。
で説明したようにもう一方の半導体ウェーハ１２に接触
させ、ラバー・チャック２１内に空気等を少しずつ導入
して半導体ウェーハ１１のたわみを徐々に回復させる。
これにより、接着面は中央部から周辺部に向かって広が
り、気泡を取り込むことなくウェーハ１１．１２を接着
することができる。
り、気泡を取り込むことなくウェーハ１１．１２を接着
することができる。
本発明は上記実施例に限られない。例えば第１図の方法
では、半導体つＩ−ハ１２は平坦に支持したが、これも
半導体ウェーハ１１と同様に中央部が凸型となるように
たわませて保持してもよい。
では、半導体つＩ−ハ１２は平坦に支持したが、これも
半導体ウェーハ１１と同様に中央部が凸型となるように
たわませて保持してもよい。
また第１図において、支持台１４をゴムなどの弾性体と
し、（ｂ）の状態から治具１３を押しつける荷重を増す
ことにより両ウェーハ１１．１２の接触面積を徐々に増
していく、という方法をとってもよい。さらに本発明の
方法において、半導体ウェーハをたわませるには、例え
ばウェーハの周辺を機械的に保持し中央部を押すことに
よっても可能である。
し、（ｂ）の状態から治具１３を押しつける荷重を増す
ことにより両ウェーハ１１．１２の接触面積を徐々に増
していく、という方法をとってもよい。さらに本発明の
方法において、半導体ウェーハをたわませるには、例え
ばウェーハの周辺を機械的に保持し中央部を押すことに
よっても可能である。
また第２図のウェーハ保持治具において、ラバー・チャ
ック２１は他の弾性材料を用いて構成することができる
。また基台２４の表面は必ずしも曲面でなくてもよく、
例えば中央部が凸型となるテーパ面であってもよい。
ック２１は他の弾性材料を用いて構成することができる
。また基台２４の表面は必ずしも曲面でなくてもよく、
例えば中央部が凸型となるテーパ面であってもよい。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例の方法を説明
するための図、第２図（ａ）（ｂ）はその方法に使用し
たウェーハ保持治具を示す図、第３図はこの保持冶具に
よりウェーハを保持した様子を示す図である。 １１．１２・・・半導体ウェーハ、１３・・・ウェーハ
保持治具、１４・・・ウェーハ支持台、２１・・・ラバ
ー・チャック、２２・・・溝、２３・・・排気孔、２４
・・・基台、２５・・・排気孔、２６・・・排気管。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ｋｐ ■ 七 ミ （・ オー１１ 〆１１
するための図、第２図（ａ）（ｂ）はその方法に使用し
たウェーハ保持治具を示す図、第３図はこの保持冶具に
よりウェーハを保持した様子を示す図である。 １１．１２・・・半導体ウェーハ、１３・・・ウェーハ
保持治具、１４・・・ウェーハ支持台、２１・・・ラバ
ー・チャック、２２・・・溝、２３・・・排気孔、２４
・・・基台、２５・・・排気孔、２６・・・排気管。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ｋｐ ■ 七 ミ （・ オー１１ 〆１１
Claims (2)
- （１）鏡面研磨された二枚の半導体ウェーハの研磨面同
士を清浄な条件下で直接接着させて接合体ウェーハを得
る方法において、少なくとも一方の半導体ウェーハの研
磨面を、中央部が凸型となるようにたわませて他方の半
導体ウェーハの研磨面に接触させて接着を行なうことを
特徴とする半導体ウェーハの接着方法。 - （２）鏡面研磨された二枚の半導体ウェーハの研磨面同
士を清浄な条件下で直接接着させて接合体ウェーハを得
るための治具であって、表面中央部が凸型となるように
テーパ面または曲面成型され、その表面に開口する排気
孔を有する基台と、この基台に重ねられ、半導体ウェー
ハが載置される面の外周部に溝が形成されかつその溝に
沿って前記基台の排気孔と連通する複数個の排気孔が形
成された弾性体からなるチャックとを備え、前記チャッ
ク上に載せられた半導体ウェーハを、チャックの排気孔
および基台の排気孔を介して真空吸引してその中央部が
凸型となる状態で保持するようにしたことを特徴とする
半導体ウェーハの接着治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59268813A JPS61145839A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 半導体ウエ−ハの接着方法および接着治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59268813A JPS61145839A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 半導体ウエ−ハの接着方法および接着治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61145839A true JPS61145839A (ja) | 1986-07-03 |
| JPH0560250B2 JPH0560250B2 (ja) | 1993-09-01 |
Family
ID=17463609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59268813A Granted JPS61145839A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 半導体ウエ−ハの接着方法および接着治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61145839A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1984
- 1984-12-20 JP JP59268813A patent/JPS61145839A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0560250B2 (ja) | 1993-09-01 |
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