JPS60107802A - 電圧非直線抵抗素子 - Google Patents
電圧非直線抵抗素子Info
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- JPS60107802A JPS60107802A JP58215366A JP21536683A JPS60107802A JP S60107802 A JPS60107802 A JP S60107802A JP 58215366 A JP58215366 A JP 58215366A JP 21536683 A JP21536683 A JP 21536683A JP S60107802 A JPS60107802 A JP S60107802A
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- Japan
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- voltage
- voltage nonlinear
- resistance element
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は電圧非直線抵抗体、さらに詳しくは過電圧保護
用素子として用いられる酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分と
した電圧非直線抵抗体に関する。
用素子として用いられる酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分と
した電圧非直線抵抗体に関する。
従来、電子機器、電値機器の過電圧保護を目的としてシ
リコンカーバイド（ＳｉＣ）、セレン（ｂｅ）ｔシリコ
ン（Ｓｉ）又はＺｎＯを主成分としたバリスタが利用さ
れている。中でもＺｎＯを主成分としたバリスタは・一
般に制限電圧が低く、電圧非直線指数が大きいなどの特
徴を有している。そのため半導体素子のような過電流耐
量の小さいもので構成される機器の過電圧に対する保愚
に適しているので、ＳｊＣよりなるバリスタなど九代っ
て広く利用されるようになった。
リコンカーバイド（ＳｉＣ）、セレン（ｂｅ）ｔシリコ
ン（Ｓｉ）又はＺｎＯを主成分としたバリスタが利用さ
れている。中でもＺｎＯを主成分としたバリスタは・一
般に制限電圧が低く、電圧非直線指数が大きいなどの特
徴を有している。そのため半導体素子のような過電流耐
量の小さいもので構成される機器の過電圧に対する保愚
に適しているので、ＳｊＣよりなるバリスタなど九代っ
て広く利用されるようになった。
またＺｎＯを主成分とし、副成分として希土類元素、コ
バルト（Ｃｏ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（
Ｃａ）の中から少なくとも一ト１【、カリウム（Ｋ）、
ルビジウム（Ｒｂ ） 、セシウム（Ｃｓ） のうち少
なくとも１ ′４ｇｉならびにクロムＣＣｒ）’＋元素
又は化合物の形で添加して焼成することにより製造され
る電圧非直線抵抗体が電圧非直線性に優れていることが
知られている。しかしこの電圧非直線抵抗体は、長波尾
サージ耐量がやや低いという欠点や、課電寿命性能が低
りなどという欠点があり素子の小型化を行う上で問題が
あった。
バルト（Ｃｏ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（
Ｃａ）の中から少なくとも一ト１【、カリウム（Ｋ）、
ルビジウム（Ｒｂ ） 、セシウム（Ｃｓ） のうち少
なくとも１ ′４ｇｉならびにクロムＣＣｒ）’＋元素
又は化合物の形で添加して焼成することにより製造され
る電圧非直線抵抗体が電圧非直線性に優れていることが
知られている。しかしこの電圧非直線抵抗体は、長波尾
サージ耐量がやや低いという欠点や、課電寿命性能が低
りなどという欠点があり素子の小型化を行う上で問題が
あった。
本発明は、長波尾サージによる素子の破壊機構を究明し
、さらに破壊防止を行うことを実現し、同時に課電寿命
特性をも向上させた、小形で高長波尾サージ耐量および
課電寿命特性の優れた電圧非直線抵抗体を提供すること
を目的としている。
、さらに破壊防止を行うことを実現し、同時に課電寿命
特性をも向上させた、小形で高長波尾サージ耐量および
課電寿命特性の優れた電圧非直線抵抗体を提供すること
を目的としている。
ここに本発明者は、ＺｎＯを主成分とし、副成分どして
希土ａ７ｃ＝、Ｃ０１Ｍｇ、 Ｃａのうち少なくとも一
種、Ｋ、 Ｃｓ、 Ｒｂのうち少なくとも一種ならＣ２
にＣｒを添加してなる（ＩＥ釆技術の電圧非直線抵抗体
においては、長波尾の大型υ１ｔのサージが印加される
と、素子表面に備えられた電極の外周部において電界集
中による電流集中が発生し、力）力する電流集中が素子
の破壊をもたらす事実を見出した。
希土ａ７ｃ＝、Ｃ０１Ｍｇ、 Ｃａのうち少なくとも一
種、Ｋ、 Ｃｓ、 Ｒｂのうち少なくとも一種ならＣ２
にＣｒを添加してなる（ＩＥ釆技術の電圧非直線抵抗体
においては、長波尾の大型υ１ｔのサージが印加される
と、素子表面に備えられた電極の外周部において電界集
中による電流集中が発生し、力）力する電流集中が素子
の破壊をもたらす事実を見出した。
また抵抗体内部においては、局部的な不均質部が存在し
ている事実を確認し、直流電流逆電時にこの不均質部へ
の電流集中が発生し、７１ｄ２性劣化をもたらすことを
見出した。
ている事実を確認し、直流電流逆電時にこの不均質部へ
の電流集中が発生し、７１ｄ２性劣化をもたらすことを
見出した。
このような問題を解決すべく研究を進めたところ、副成
分として更にホウケイ酸ガラスおよびアルミニウム（Ａ
Ｉ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ ）の中か
ら少な（とも一種を添加することにより、素子外周部が
内部よりやや高抵抗化する事実、そしてこれが電極外周
部での電流集中を防止し、長波尾サージ耐量の向上を可
能にする事実を見出した。一方抵抗体内部における不均
質部も同時に消滅し、課電寿命の大幅な向上がなされた
電圧非直線抵抗体が得られることを見出し、本発明を完
成した。
分として更にホウケイ酸ガラスおよびアルミニウム（Ａ
Ｉ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ ）の中か
ら少な（とも一種を添加することにより、素子外周部が
内部よりやや高抵抗化する事実、そしてこれが電極外周
部での電流集中を防止し、長波尾サージ耐量の向上を可
能にする事実を見出した。一方抵抗体内部における不均
質部も同時に消滅し、課電寿命の大幅な向上がなされた
電圧非直線抵抗体が得られることを見出し、本発明を完
成した。
しかして本発明によれば、ＺｎＯを主成分とし、副成分
として希土類元素、ＣＯ・Ｍｇ、 Ｃａの少なくとも一
種、Ｋ、 Ｉｌｂ、 Ｃｓのうち少なくとも一種ならび
にＣｒを含む従来の・電圧非直線抵抗体に、更に副成分
としてホウケイ酸ガラスオ６よびＡｌ、Ｇａ。
として希土類元素、ＣＯ・Ｍｇ、 Ｃａの少なくとも一
種、Ｋ、 Ｉｌｂ、 Ｃｓのうち少なくとも一種ならび
にＣｒを含む従来の・電圧非直線抵抗体に、更に副成分
としてホウケイ酸ガラスオ６よびＡｌ、Ｇａ。
Ｉｎのうち少なくとも一種を添加したことを特徴とする
電圧非直線抵抗体が提供される。
電圧非直線抵抗体が提供される。
本発明に従う電圧非直線抵抗体は、一般にはＺｎＯと添
加成分の金属又は化合物の混合物を酸素含有雰囲気のも
とで高τ品で焼成し、焼結させることによって製造され
る。
加成分の金属又は化合物の混合物を酸素含有雰囲気のも
とで高τ品で焼成し、焼結させることによって製造され
る。
通常添加成分は金、；４酸化物の形で添加されるが、焼
成過程で酸化物になり得る化合物、例えば炭酸塩、水酸
化物、弗化物およびその溶液なども用いることができあ
るい―単体元素の形で用い°〔焼成過程で酸化物にする
こともできる。
成過程で酸化物になり得る化合物、例えば炭酸塩、水酸
化物、弗化物およびその溶液なども用いることができあ
るい―単体元素の形で用い°〔焼成過程で酸化物にする
こともできる。
特に好ましい方法によれば、本発明の電圧非直線抵抗体
は、ＺｎＯ粉末に添加成分金属又は化合物の粉末を十分
に混合し、焼成前に空気中で５００〜１０００℃で数時
間仮焼し、仮焼物を十分に粉砕して所定の形状に成形し
、次いで望気中で１１００’〜１４００℃程度の温度で
数時間焼成することにより製造される。１１００℃より
低い焼成温度では焼結が不十分で特性が不安定である。
は、ＺｎＯ粉末に添加成分金属又は化合物の粉末を十分
に混合し、焼成前に空気中で５００〜１０００℃で数時
間仮焼し、仮焼物を十分に粉砕して所定の形状に成形し
、次いで望気中で１１００’〜１４００℃程度の温度で
数時間焼成することにより製造される。１１００℃より
低い焼成温度では焼結が不十分で特性が不安定である。
また１４００℃より筋い温度では均質な焼結体を得るこ
とが困難となり、電圧非直線性が低下し、特性の制御な
どの再現性に難点があり、実用に供する製品を得がたい
。
とが困難となり、電圧非直線性が低下し、特性の制御な
どの再現性に難点があり、実用に供する製品を得がたい
。
ここで本発明をさらに例示するために実施例を示す。
実施例
ＺｎＯ粉末にＰｒ６Ｏ１１，ｃｏ３０４ｅ Ｍｇｏ、
Ｋ２ｃｏ３． Ｃｒ２Ｏ３゜Ａ１２０３粉末を後記の第
２表に記載の所定の原子％に相当する量で添加し、更に
第１表に示した組成のホウケイ酸ガラスＡを所定の重量
％加え十分に混合した後、５００〜１０００℃で数時間
仮焼した。
Ｋ２ｃｏ３． Ｃｒ２Ｏ３゜Ａ１２０３粉末を後記の第
２表に記載の所定の原子％に相当する量で添加し、更に
第１表に示した組成のホウケイ酸ガラスＡを所定の重量
％加え十分に混合した後、５００〜１０００℃で数時間
仮焼した。
次いで仮焼物を十分に粉砕し、バインダーを加えて直径
１７ｗＲの円板状に加圧成型し、１１００ ’Ｕ 〜１
４００℃で望気中で１時間焼成して焼結体を得た。この
様にして得られた焼結体を厚さ２項の試料に研磨し・そ
の両面に電極を焼付けて素子を作り、その’＋ｌｉ気的
特性的特性した。
１７ｗＲの円板状に加圧成型し、１１００ ’Ｕ 〜１
４００℃で望気中で１時間焼成して焼結体を得た。この
様にして得られた焼結体を厚さ２項の試料に研磨し・そ
の両面に電極を焼付けて素子を作り、その’＋ｌｉ気的
特性的特性した。
電気的特性としては、５℃におい−（素子にｌ ｔｎＡ
の電流を流した時の電極間電圧Ｖ＋ ｍＡ、 ｌ ｍＡ
〜］ＯｍＡでの非直線指数αならひに長波尾サージ社流
耐量として、２ｍ方、１００Ａの矩形成電流を加回印加
して前後のＶｌｍＡの変化をめた。また課電寿命特性と
して、直流２０ ｍＡを５分間通電し、前後でｌμＡ電
流を流した時の電極１ｇ１電圧ｖ１μＡの変化をめた。
の電流を流した時の電極間電圧Ｖ＋ ｍＡ、 ｌ ｍＡ
〜］ＯｍＡでの非直線指数αならひに長波尾サージ社流
耐量として、２ｍ方、１００Ａの矩形成電流を加回印加
して前後のＶｌｍＡの変化をめた。また課電寿命特性と
して、直流２０ ｍＡを５分間通電し、前後でｌμＡ電
流を流した時の電極１ｇ１電圧ｖ１μＡの変化をめた。
非直線指数αは、素子電流Ｉの電圧Ｖに対する変化を次
式に近似して得られる。
式に近似して得られる。
Ｉ ＝ （Ｖ／Ｃ）″
ここで、Ｃは電流密度がｉ １１７１に／４″のときの
素子の単位厚さ当りの電圧である。電圧非直線抵抗体の
配合組成を種々変えたときの電気的特性の測定結果を第
２表に記す。第２表に示した配合組成は、原料中の各成
分金属元素の原子数の総和に対する添カリ元素の原子数
の比から算出される原子％で示されている。またボウケ
イ赦ガラスは、総量に対第１表 第２表 第 ２表 （つづき） 第２表に示す試料醜１けｚ−ｙＬＯにＰｒ、Ｃｏ、Ｍｇ
＊ Ｋ。
素子の単位厚さ当りの電圧である。電圧非直線抵抗体の
配合組成を種々変えたときの電気的特性の測定結果を第
２表に記す。第２表に示した配合組成は、原料中の各成
分金属元素の原子数の総和に対する添カリ元素の原子数
の比から算出される原子％で示されている。またボウケ
イ赦ガラスは、総量に対第１表 第２表 第 ２表 （つづき） 第２表に示す試料醜１けｚ−ｙＬＯにＰｒ、Ｃｏ、Ｍｇ
＊ Ｋ。
Ｃｒのみを添加して製造した従来の焼結体に相当しその
長波尾サージ電流特性は−７，５４％、課電寿命特性は
−２０，１％、非直線指数は４１である。本発明の目的
である長波尾サージ電流耐量が良好な、即ち−７５，４
％より０％に近く、課電寿命特性が向上した、即Ｆ−）
−２０，１％より０％に近い試料は、第１表よりｍ３〜
随６． Ｎａ９〜随１２．１ｍ１５〜Ｎ１１７． ｍ２
０〜ＨＩ１２２ 、−２４〜Ｔａ ２６ 、 ｍ ２９
〜ｔｅｎ ３２ 、 Ｎ１３３〜＊ ３５である。この
うち試料ｍ ３２ 、 ｍ ３５は非直線指数αが低く
実用忙供さない。従って、Ｐｒは０８０８〜５．０原子
％、ＣＯは０．１〜１０原子％、Ｍｇは０．０１〜５．
０原子％、Ｋは０．０１〜１．０原子％、Ｃｒは０．０
１〜１．０原子％、ＡＩはｌ×１０〜５×１０ 原子％
の範囲で添加する必要がある。
長波尾サージ電流特性は−７，５４％、課電寿命特性は
−２０，１％、非直線指数は４１である。本発明の目的
である長波尾サージ電流耐量が良好な、即ち−７５，４
％より０％に近く、課電寿命特性が向上した、即Ｆ−）
−２０，１％より０％に近い試料は、第１表よりｍ３〜
随６． Ｎａ９〜随１２．１ｍ１５〜Ｎ１１７． ｍ２
０〜ＨＩ１２２ 、−２４〜Ｔａ ２６ 、 ｍ ２９
〜ｔｅｎ ３２ 、 Ｎ１３３〜＊ ３５である。この
うち試料ｍ ３２ 、 ｍ ３５は非直線指数αが低く
実用忙供さない。従って、Ｐｒは０８０８〜５．０原子
％、ＣＯは０．１〜１０原子％、Ｍｇは０．０１〜５．
０原子％、Ｋは０．０１〜１．０原子％、Ｃｒは０．０
１〜１．０原子％、ＡＩはｌ×１０〜５×１０ 原子％
の範囲で添加する必要がある。
第２表から明らかなように、副成分としてＰｒ。
Ｃｏ、Ｍｇ、Ｋを含む糸にはホウケイ酸ガラスおよびＡ
Ｉを添加することにより、長波尾サージ電流耐量と課電
寿命特性が大幅に改良される。これに、ＺｎＯニＰ ｒ
、 ＣＯ、Ｍｇ ＋ Ｋ ＋ホウケイ酸ガラス、ＡＩ
が共存して初めて達成されるものである。これらの副成
分を単独に添加すると、電圧非直線性は極めて悪く１は
ばオーミックな特性しか得られず、実用に供することが
できない。
Ｉを添加することにより、長波尾サージ電流耐量と課電
寿命特性が大幅に改良される。これに、ＺｎＯニＰ ｒ
、 ＣＯ、Ｍｇ ＋ Ｋ ＋ホウケイ酸ガラス、ＡＩ
が共存して初めて達成されるものである。これらの副成
分を単独に添加すると、電圧非直線性は極めて悪く１は
ばオーミックな特性しか得られず、実用に供することが
できない。
また第１表に示したＡ以外の組成のホウケイ酸ガラスに
ついても、Ａの場合と同様に長波尾サージ耐量および課
電寿命特性が向上した。これを第３表に示す。
ついても、Ａの場合と同様に長波尾サージ耐量および課
電寿命特性が向上した。これを第３表に示す。
第２，３表においては希土類元素としてＰｒについての
み例示したが、Ｐｒ以外の希土類元素あるいは２種類以
上の希土類元素についても、ホウケイ酸ガラスおよびＡ
Ｉの添加により、 Ｐｒ単独の場合と同様優れた非直線
性を失わずに長波尾サージ電流耐量と課電寿命特性の大
巾な改良がなされることが見出された１、これらの結果
を第４表に示す。
み例示したが、Ｐｒ以外の希土類元素あるいは２種類以
上の希土類元素についても、ホウケイ酸ガラスおよびＡ
Ｉの添加により、 Ｐｒ単独の場合と同様優れた非直線
性を失わずに長波尾サージ電流耐量と課電寿命特性の大
巾な改良がなされることが見出された１、これらの結果
を第４表に示す。
また、ＭｇＯ代わりにＣａｊ！ｉｇおよびＣａが共存し
た場合、Ｋの代わりニＲｂ、Ｃｓおよびこれらの元素が
共存した場合あるいはＡｔの代わりにＧａ、Ｉｎを用い
た場合も同様の効果が得られる。これらを第５表から第
７表に示す。
た場合、Ｋの代わりニＲｂ、Ｃｓおよびこれらの元素が
共存した場合あるいはＡｔの代わりにＧａ、Ｉｎを用い
た場合も同様の効果が得られる。これらを第５表から第
７表に示す。
なお、ホウケイ酸ガラスの添加量は実施例において示し
たように５ Ｘ １０−’ ｆｆｉ量％〜ｌＸｌ０−２
重量％の範囲であることが望ましく、この範囲を越えて
添加すると非直線指数が低下１−るため実用に供第４表 第５表 Ｍ６表 第７表 〔発明の効果〕 以上実施例により説明してきた様に、酸化亜鉛を主成分
とし、これに少なくとも一種の希土類元素を総量で０．
０８〜５．０原子％、コバルトを０．１〜１０．０ｉ子
％、マグネシウム、カルシウムのうち量で０．Ｏ１〜１
．０原子％、クロムを０．０１〜１．０原子％、アルミ
ニウム、ガリウム、インジウムのうち少な（とも一種を
総量で１ｘｌＯ〜５×１０ 原子％より成る組成にさら
にホウケイ酸ガラスを添加することにより、長波尾サー
ジ耐縫、課電寿命の浸れた電圧非直線抵抗素子が得られ
る。
たように５ Ｘ １０−’ ｆｆｉ量％〜ｌＸｌ０−２
重量％の範囲であることが望ましく、この範囲を越えて
添加すると非直線指数が低下１−るため実用に供第４表 第５表 Ｍ６表 第７表 〔発明の効果〕 以上実施例により説明してきた様に、酸化亜鉛を主成分
とし、これに少なくとも一種の希土類元素を総量で０．
０８〜５．０原子％、コバルトを０．１〜１０．０ｉ子
％、マグネシウム、カルシウムのうち量で０．Ｏ１〜１
．０原子％、クロムを０．０１〜１．０原子％、アルミ
ニウム、ガリウム、インジウムのうち少な（とも一種を
総量で１ｘｌＯ〜５×１０ 原子％より成る組成にさら
にホウケイ酸ガラスを添加することにより、長波尾サー
ジ耐縫、課電寿命の浸れた電圧非直線抵抗素子が得られ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）酸化亜鉛を主成分とし、これに副成分として少なく
とも一種の希土類元素を総量で０．０８〜５．０原子％
、コバルトを０．１〜１０．０ 原子％、マグネシウム
、カルシウムのうち少なくとも一種を０．Ｏ１〜５．０
原子％、カリウム、セシウム、ルビジウムのうち少なく
とも一種を総量で０．０１〜１．０原子％、クロムを０
．Ｏ１〜１．０原子、アルミニウム、ガリウム、インジ
ウムのうち少なくとも一種を総量で１ｘｌＯ〜５×１０
原子％の範囲で添加して成る組成に、さらにホウケイ
酸ガラスを添加し、焼成してなることを特徴とする電圧
非直線抵抗素子。 ２）特許請求範囲第１項記載の素子において、ホウケイ
酸ガラスを、ホウ素に換算して５×ｌθ 〜１ １×ｌＯ原子％添加することを特徴とする電圧非直線抵
抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58215366A JPS60107802A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 電圧非直線抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58215366A JPS60107802A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 電圧非直線抵抗素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60107802A true JPS60107802A (ja) | 1985-06-13 |
| JPH0142613B2 JPH0142613B2 (ja) | 1989-09-13 |
Family
ID=16671098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58215366A Granted JPS60107802A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 電圧非直線抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60107802A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4755716A (en) * | 1986-07-21 | 1988-07-05 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Filter for CRT screen |
| US4839736A (en) * | 1987-07-06 | 1989-06-13 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Filter for CRT screen |
| US5640136A (en) * | 1992-10-09 | 1997-06-17 | Tdk Corporation | Voltage-dependent nonlinear resistor |
| JP2012516825A (ja) * | 2009-02-03 | 2012-07-26 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | バリスタセラミック、バリスタセラミックを含む多層構成要素、バリスタセラミックの製造方法 |
| JP2013503474A (ja) * | 2009-08-27 | 2013-01-31 | アモテック・カンパニー・リミテッド | ＺｎＯ系バリスタ組成物 |
-
1983
- 1983-11-16 JP JP58215366A patent/JPS60107802A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4755716A (en) * | 1986-07-21 | 1988-07-05 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Filter for CRT screen |
| US4839736A (en) * | 1987-07-06 | 1989-06-13 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Filter for CRT screen |
| US5640136A (en) * | 1992-10-09 | 1997-06-17 | Tdk Corporation | Voltage-dependent nonlinear resistor |
| JP2012516825A (ja) * | 2009-02-03 | 2012-07-26 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | バリスタセラミック、バリスタセラミックを含む多層構成要素、バリスタセラミックの製造方法 |
| JP2013503474A (ja) * | 2009-08-27 | 2013-01-31 | アモテック・カンパニー・リミテッド | ＺｎＯ系バリスタ組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0142613B2 (ja) | 1989-09-13 |
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