JPS60109561A - β−ラクタム化合物の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はβ−ラクタム化合物の製造法、更に詳細には、
次の一般式（１）、 （式中、”１は水素原子又は水酸基の保護基を、Ｒ２は
水素原子又はイミノ基の保内基を、Ｒ３は水素原子又は
アミノ基の保護基會示す）で表わされる化合物の新規な
製造法に関する。

式（１）化合物は、抗菌作用及びβ−ラクタマーゼ阻害
作用を有する化合物を合成するための中間体として有用
である。

式（１）化合物は、例えば特開昭５８−７７８６１号及
び同５８−１２１２６９号の明細書等に記載されている
モノバクタム系抗生物質、Ｊ、Ａｍ。

Ｃｈｅｍ、８ｏｃ、９９　２３５２．２３５３（１９７
７）等に記載の２環性β−ラクタム化合物を製造するた
めの重要な中間体である。

本発明によれば、式（１）化合物は下記の反応式に従っ
て製造される。

アスノＱラギン酸 （式中％Ｒ１°は水酸基の保護基を、Ｒ２′はイミノ基
の保護基を、Ｒ４１ｄアミノ基の保護基を示し、他の記
号は前記の意味を有する） すなわち、本発明は、アス、ｅラギン酸のアミノ基を保
護し、次いで脱水してＮ−保護無水アメ）Ｑライン酸（
ｔｌ）となし、次いでこのものを還元して化合物１）と
なし、次いで水酸基を保護したのち、アミン基の保静基
を脱離して化合物（ＩＶ）となし、次いでこのものを閉
環して化合物凹となし、次いでこの化合物のイミノ基を
保蝕したのちオキシム化して化合物（Ｖｌ）となし、次
いでこのものを還元し、更に所望によジアミノ基を保護
し、次いで所望によシ保護基ｎ　ＩＩ及び／又はＲ２′
を脱離して化合物（Ｉ）を製造する方法である。

次に、本発明の前記各反応につき詳述する。

■アスノＱジギン酸→ω） アス、Ｑラギン酸のアミ７基を医謹したのち、脱水反応
に付すと化合物（ＩＩ）が得られる。アミ７基の保護基
としては、従来ペゾチド合成において常用されている公
知のものを用いることができる。これらの保設基として
は、例えばエチルオキシカルゼニル基、三級ブチルオキ
シカルボニル基、三級アミルオキシカルボニル基等のア
ルキルオキシカルボニル基ニジクロヘキシルオキシカル
ボニル基等のシクロアルキルオキシカルボニル基；ｏ−
ニトロフェノキシカルはニル基等のアリールオキシヵル
ゼニル基：ペンシルオキシヵルボニル基、ｐ−メトキシ
ペンシルオキシカルボニル基等のアルアルキルオキシカ
ルゼニル基；アセチル基、ゾロピオニル基等の低級アシ
ル基などが挙げられる。保護基の導入は通常の方法で行
うことができる。

Ｎ−保護アス、Ｑラギン酸の脱水反応は、溶媒中で脱水
ｍＪ　ｋ作用させる方法を用いることが好ましい。脱水
剤としてはアセチルクロリド、チオニルクロリド、塩化
ホスホリル、無水酢酸などを用いることができる。溶媒
としては、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジメチル
スルホキシドなどを利用できるが、前記の脱水剤を過剰
に用いて溶媒を兼ねさせることもできる。反応社室温乃
至２００℃で数分乃至数時間で終了する。

■（Ｉｔ）→０１） 化合物（ＩＩ）　ｋ　Ｆ２元すると化合物（詩が得られ
る。

還元は還元剤として水素化リチワムアルミニワム、水素
化ホワ素ナトリワム、水素化ホワ素カリワムなどの錯金
桟水素化物を用いる方法が特に好ましい。反応はエーテ
ル、テトラヒドロフラン等の溶媒中で化合物（ＩＩ）に
前記還元剤を一３０〜＋６０℃で１ｏ分〜１０時間作用
させることによシ行われる。

■　（璽）→　（ＩＶ） 化合物（１）の水酸基を保護し、アミン基の保護基な脱
離すると化合物（ｍＶ）が得られる。水酸基の保護基と
しては、例えばｔ−ブチル基、Ｎ−７タルイミドメチル
基、ベンゾイルメチル基、ナフトイルメチル基、ニトロ
ベンゾイルメチル基、ペンシル基、ニトロペンシル基、
メトキシペンシル基、トリメチルシリル基、トリエチル
シリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基などがあけられ
る。化合物（１）には水酸基の他にカルゼキシル基が存
在するタメ、−般に」二記の保口基で水酸基を保賎する
反応を行うと、該カルボキシル基も保簡される。従って
、両官能基が保簡されたのち、カルボキシル基の保簡基
のみを脱離させる必要がある。

本反応の一例を示せに以下の通りである。

（１）７ミ／基’にペンシルオキシカルボニル基（す下
２と略称する）で保賎したアスノｑラギン酸を原料とし
て前記■及び■の反応によυＲ４７５ｉ２である化合物
側）を得る。シ）化合物側）（Ｒ４＝Ｚ）にｔ−ブチル
ジメチルシリル／・ライドを作用サセ、カルボキシル基
及び水酸基をｔ−ｉチルジノチルシリル基（以下県＋と
記す）で保欣する。、（３）アミン基を２で、カルボキ
シル基及び水酸基’ｔｓ’４＋で保賎した化合物（１）
に弱酸（例えば希塩酸）又は弱塩基（例えは希水酸化ナ
トリウム水浴液）を作用させてカルボキシル基の保護基
を脱離させる。アミン基と水酸基を２及び８１＋で保磁
した化合物１）を接触還元に付し、アミノ基の保独基２
を脱離する。

■（ｉＶ）→（ｙ＞ 化合物（ｆｆ）を閉狽すると化合物（■が侍られる。反
応は、溶媒中で化合物（１ｖ）のカルボキシル基を油性
化する化合物、触媒等の存在下に行うことが好ましい。

カルボキシル基を活性化する化合物としては、酸ノ・ラ
イド、成熱水物、活性アミド、活性エステル、活性チオ
エステル等を形成する化合物の（ｎＪれも使用できるが
、ジピリジルジスルフィド等のチオエステルを形成する
化合物の使用が特に好ましい。触媒としては、トリフェ
ニルホスフィン。

トリノルマルブチルホスフィン、トリフェニルホスファ
イト等な使用できる。溶媒としてハ、ベンゼン、トルエ
ン、ｎ−ヘキサン等の炭化水素類；クロロホルム、塩化
メチレン等のハロゲン化炭化水素類；エーテル、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン等の工゛−チル類）他アセト
ニトリへ、ゾメチルホルムアミド、ジメチルスルホキサ
イドなどを単独又は組み合せて利用できる。反応は、０
〜１５０’Ｃで数分〜数十時間で進行する。

■凹〜（Ｖｌ） 化合物（Ｖ）の１位イミノ基を保香したのちオキシム化
すると化合物（ｖＩ）が得られる。イミノ基の保護基と
しては、前記の保静基、汐すえば２基等のアシル基の利
用も可能であるが、この保護基は次工程で行われる接触
還元反応に於いて脱離されるので、目的物（１）中Ｒ２
が水素原子以外のもの金望む場合には接触還元反応で脱
離しない保謂基、例えばトリアルキルシリル基の使用が
好ましい。保Ｂ基の導入は通常の方法で行われる。

化合物（ト）のオキシム化は、ＹＪｌｌえばラクタム環
の第３付合活性化（アニオンを形成）させたのち亜硝酸
化合物を作用させることによって行うことができる。第
３位の活性化け、例えば低温下にリチワムジイソグロビ
ルアミドのような有機強塩基を作用させることにより行
われる。亜硝酸化合物としては、亜硝酸の炭素数１〜６
の低級アルキルエステルなどを用いることができる。活
性化とオキ′シム化は同一反応系で行うことができ、例
えに、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で一２０
０護したもの）とリチウムジイソゾロビルアミドを数分
〜数時間反応させ、次いで例えば、亜硝酸アミルエステ
ルを加え数分〜数時間反応させることにより目的物が生
地する。この反応は溶媒中で行われ、溶媒としては前記
■の反応で例示したものを使用することができる。本反
応によると、２種の異性体（シン型及びアンチ型）が得
られるが、これらは例えはシリカゲルクロマトグラフィ
ーにより容易に分離することができる。しかしながら、
次の工程の原料とするに際しては、これらを分離せずに
混合物のまま用いても、目的物（１）の立体配位には影
響を与えない。

■（Ｖｌ）　−（１１ 化合物（ｖｌ）を接触還元すると化合物（１）が得られ
る。このとき使用される触妹としては、例えばノＱ２ゾ
ウム、酸化、Ｑラジウム、ノｑラゾウム黒、白金、酸化
白金、ニッケル、酸化ニッケル、ラネーニッケル、ロジ
ウム、ルテニウムなどが羊げられる。溶媒、！−してｔ
ｉ例えばメタノール、エタノール、プロ、Ｑノール等の
アルコール類、酢酸エチルなどを使用することができる
。反応は常圧もしくは加圧下、−３０−Ｚｏ。

℃で１〜２０時間水素添加することにょシ終了する。こ
のとき化合物（ｖｌ） の第３位オキシムに°関する異性体の割合の如何によら
ず、生成する化合物（１）の３，４位間シス−トランス
異性体の割合は約７：１であシ、これらは例えば、シリ
カゲルクロマドグ５フイーで容易に分離することができ
る。

上記反応によって（Ｒ１〜Ｈ，Ｒ１−４ＩＮ。

Ｒ，＝　ＩＩ　）である化合物（１）が得られるが、更
に所望によシ、３位アミノ基の保磁又は１位イミ７基及
び４位側鎖水酸基の脱保論を常法によって行うことがで
きる。

本発明の目的化合物（Ｄ中、下記式の（３８゜４ｓ）化
合物は生物活性を有する化合物を製造するために特に重
要な中間体であり、本発明によれば、原料化合物として
、容易に入手可能なＬ−アスノｑラギン酸を用いること
によシ、立体特異的に（４Ｂ）である化合物凹を経て、
（３ｓ、４ｓ）である化合物（Ｉ）　ｔ−工業的有利に
製造できる。

！−アス／Ｑラギ／Ｉｉ！　（Ｖ）　（４Ｂ）（式中、
各符号は前記した意味を有する）次に実施例を挙けて説
明する。

実施例１ Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−Ｌ−アスノＱ２ギン酸
の製造： Ｌ−アスノＱラギン酸２６．６ｆ及び酸化マグネシワム
２９．　Ｏｆを水３００ｄＫ懸濁させ、水冷、攪拌下に
ペンゾルオキシカルゼニルクロリド４０．９１を加えて
室温で一夜攪拌し九。

反応液よシネ溶物を炉去し、ｖ液を濃塩酸で酸性にした
のち、酢酸エチルで抽出した。抽出液を飽和食塩水で洗
浄したのち、乾燥し、溶媒を留去した。残渣をエーテル
−ヘキサンよシ結晶化すると、融点１１５〜１２０℃の
目的物５０．１Ｆ（収率９４％）が得られた。

３３４０．３４００〜２５００．１７１０〜１６９０゜
１２７５．１１９５．１０６５ 実ＭＡＭ２ Ｎ−ベンシルオキシカルボニル−Ｌ−無水アスノｑラギ
ン酸の製造； 実施例１で得られたＮ−保護アミノ酸５．８９Ｆを酢酸
エチル３５１１ｊに懸濁させ、チオニルクロリド１６１
１ｔを滴下し、１時間攪拌した。反応液より溶媒を留去
し、残渣をエーテル−石油エーテルよシ再結晶すると、
融点１０８〜１１１１：：の目的物５．１　Ｏｆ　（収
率９３−）が得られた。

比旋光度；〔α）　−４１，９°（ｃ　１．０８　、酢
酸）実施ＰＩＩ３ （３Ｂ）−３−ペンシルオキシカルボニルアミノ−４−
ヒドロキシ酪酸の製造： 水素化ホワ素ナトリヮム７５．６Ｑｔ−テトラヒドロ７
ラン０．４−に−懸濁させ、水冷下に実施Ｍ２で得られ
た酸無水物４９゜８　Ｑをテトラヒドロ７ラン１．６１
に溶解した液を滴下し、室温で１時間攪拌した。反応液
に２Ｎの塩酸を加えてｐＨｌとし、次いで飽和食塩水を
加え、酢酸エチルで抽出した。抽出液を飽和食塩水で洗
浄し、乾燥後、溶媒を留去した。残渣’ｔｔｆｌ化メチ
レンで結晶化すると融点１０９〜１１０℃の目的物２７
０叩（収率５３−）が得られた。

比旋光度：　〔α）　−１０，６°（Ｃ１，メタノール
）実施例４ （３Ｂ）−３−アミノ−４−ｔ−ブチルジメチルシリル
オキシ酪酸の製造： 実施例３で得られ九Ｎ−保薩ヒドロキシ酸５０６８Ｆ！
及びｔ−ブチルゾメチルクロルシラン７２５哩をジメチ
ルホルムアミド８１に溶解し、水冷下にイミダゾール６
８１８９を加え、室温で一夜攪拌した。反Ｆ５液を氷冷
してエーテルを加えたのち、冷ＩＮ−塩酸、氷水及び飽
和食塩水で洗浄し、乾燥後に溶媒を留去した。

残渣なテトラヒドロ７ラン１８ｍＡに溶解し、水冷下０
．５１ｉの塩酸２−を加え、２５分間攪拌した。反応液
に氷水を加え、酢酸エチルで抽出し、抽出液を水及び飽
和食塩水で洗浄したのち、乾燥して溶媒を留去した。残
渣をシリカゲルのカラムに付し、酢酸エチルで溶出して
溶媒を留去した。

残渣をメタノールｌ０ＩＩＩＡに溶解し、５ｑｂの、ｅ
ラゾワムー炭素８０＃を加え、３〜１５℃で１時間、常
温で１時間常圧下で水素添加した。以下、常法によシ分
離、精製すると、目的物４６６η（略定量的）が得られ
た。

比旋光度；〔α）Ｄ−１３，６°　（Ｃ１，メタノール
）実施ｆｌ１５ （４Ｂ）−４−（（ｔ−プテルゾ゛メチルシリル）オキ
シメチル〕−アゼチゾンー２−オンの製造： 実施例４で得られた〇−保論化合物１８７１ｇ及びゾビ
リゾルゾスルフイド２１２薦ｇをアセトニトリル３６１
に懸濁させ、８０℃に加熱してトリフェニルホスフィン
２５２■のアセトニトリル３６−溶液を滴下し、２．５
時間攪拌した。反応液よシ溶媒管留去し、残渣ｔシリカ
グルカ〉ムクロマトグラフイーによって分離精製すると
目的物ｇ　ｓ、　ｓ　ｍｙ　（収率５６％）が得られ良
。

比旋光度：〔α）、＋３１．２°（Ｃ１，クロロホルム
）実施例６ （４Ｂ）−１−（ｔ−グチルゾメテルシリル）−４−［
（ｔ−グチルゾメチルシリル）オキシメチル〕−アゼチ
ゾンー２−オンの製造：実施ガ５で得られたアゼチジン
化合物 ６６０１９及びトリエチルアミ？１０．５１２１１１ｊ
をジメチルホルムアミド５１に溶解し、水冷下に、アル
ゴン雰囲気下でｔ−グチルゾメチルク四ルシラン５５６
叩を加え、水冷下で１０分、室温で一夜攪拌した。反応
液を氷水に注加し、エーテルで抽出した。抽出液を飽和
食塩水で洗浄し、乾燥後、減圧下で濃縮した。

残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー〔溶媒：エ
ーテル−ｎ−へキサン（１：２）］で精製すると、無色
油状物として目的物１．０ｆ（収率９９％）が得られた
。

２凰、Ｓ 比旋光度：〔α）　−２９，４°（ｃ　１．１１　、り
ａａホルム） ２９５０．２８８０，１７３０．１４６５ＮＭＲ値：δ
０ＤＯｈ　ｅ　ｐｐ” ０．０７（１１＝　６Ｈ）ｔｏ、２３（ｓ、３Ｈ）０．
２４（ｓ　、３Ｈ）、０．９０（ｓ　、９Ｈ）０．９６
（Ｅｌ＃９１１）。

２．７５　（ａｄ、Ｊ＝１＆４　ｅ　２．５Ｈｚ、ＩＨ
）３．０７（ｄｄ、Ｊ＝１５．４，４．８Ｂｇ、ＩＨ）
３．５　ｏ〜ａ、ｓｏ　（ｍ　、　３Ｂ　）マススペク
トル値；ｍ／θ ３２９（Ｍ　）、３１４．２７２ 夾施９１１７ （４Ｅｌ）−１−（ｔ−プテルゾメチルシリル−４−（
（ｔ−グチルゾメチルシリル）オキシメチルツー３−ヒ
ドロキシイミノーアゼチゾン−２−オンの製造： リチワムゾインｆＯビルアミド７１．２ｍｙＱテトラヒ
ドロフラン１．４ｍｌ溶液に、実施例６で得られたゾシ
リル化合物７６．６１４９のテトラヒト０７ラン９．４
７Ｎ溶液を滴下し、−７０℃で１５分間、−５０℃で１
０分間攪拌した反応液會再び一７０℃に冷却し、亜硝酸
１ソアミルエステル０．０８９ＪＩＪ４加えチー７０ｔ
ｌ：で１時間攪拌した。反応液に酢酸０．１０６　Ｎｔ
を加えたのち、室温に戻し、反応液を酢酸エチルと飽和
食埠水の混液に圧加し、有機層を分取した。この有機層
を飽和食塩水で洗浄し、乾燥後、減圧下で濃縮した。残
渣をシリカグルゾレノＱラテイプ薄層クロマトグラフィ
ー〔溶媒：エーテル−〇−へキサン（１：１））で精製
すると、無色油状物の目的物（Ａ）　４０．３■及び（
Ｂ）　１２．１即が得られた。

に））の性状 薄層クロマトグラフィー〔シリカゲル、エーテル−Ｄ−
ヘキサン （１：１）） Ｒｆ＝０．３８ 比旋光度　；　〔α）、＋３２．９°（ｃｌ、９４．ク
ロロホルム）工Ｒ値ニジ０ＨＯｊ。

ｗａｘ　、副−１ ３３８０１２９５０，２８５０，１７５０，１４６０１
１ＭＲ値：δ０ＤＯＩｓ　＃　ＰＰｍ０．０７（ｓ、６
Ｈ）ｙＯ，３０（ｅ、６Ｈ）。

１−８８（ｓ、９Ｈ）　、１．９９（ｓ　ｅ　９Ｈ）＋
３．９２（ｄａ　−Ｊ＝１１．３．３．ＯＨ５ｇ　、Ｉ
Ｈ）４．０４（ｄｄｔＪ＝ＩＬ３ｔ３．５Ｈｍ、ＩＨ）
４．４２（（ｉｄ、Ｊ＝３．５．３．０Ｈ，ＩＨ）９．
６４（ｂｒ、ｓ、ＩＨ） マススペクトル値：　ｍ／ｅ ３４１．３０５ （Ｂ）の性状 薄層クロマトグラフィー〔シリカゲル、エーテル−ｎ−
ヘキサン（１：　１）） Ｒｆ＝０．２６ ルム） ３３９０．２９４０．２８６０．１７５０　。

４６５ ＮＭＲ値：δ０ＤＯＩｓ　、Ｉ’Ｐｍ ０．０７（８，６ＦＩ）、０．３２（８＃６Ｈ）。

１．８８（ｅ　、９Ｂ、）、１．９８（ｅ、９Ｈ）＝３
、８６　（ｄ　＝　Ｊ　＝３．５　Ｈｗ　ｅ　２　Ｈ）
４．２２　（ｔ　、　Ｊ＝３．５Ｈｚ　、　Ｉ　Ｈ）８
．８０（ｂｒ、ｓ、ｌＨ） マススペクトル値：　ｍ　／　＠ ３４１．３０５ 実施例８ （３Ｒ及びＢ、４Ｂ）−３−アミノ−１−（ｔ−グチル
ゾメチルシリル）−４−［（を−グチルゾメテルシリル
）オキシメチルツーアゼチジン−２−オンの製造： 実施例７で得られたオキシム化合物（ＡとＢの混合物）
９４１１１Ｆｌ酢酸エチル１．０１に溶解し、酸化白金
３０ＩＩｇを加え、水素雰囲気下、室温で７時間攪拌し
た。反応液をセライトで濾過し、ｐ液を減圧下で濃縮し
た。残液管シリカグルゾレノ９ラティプ薄層クロマトグ
ラフィー〔溶媒：エーテル−ｎ−ヘキサン（４：１）〕
で精製すると無色油状物として（３Ｂ）−アミノ化合物
６５．４　Ｎ及び（３Ｒ）−アミノ化合物９．０■が得
られた。

（３Ｂ）−アミノ化合物（シス体）の性状薄層り四マド
グラブイー（シリカゲル、エーテル）Ｒｆ＝０．５６ 比旋光度：〔α）Ｄ−２６，５°（（！０．９３．りａ
ロホルム） ３４２０．２９５０．２８７０，１７３５゜４７Ｏ ＮＭＲ値：δ０ＤＯＩ＠、ｐｐｍ ０．１１（日、６１１　）　＋　０．１９　（８ｅ　３
　Ｈ）　ｅｏ、２９（ｅｔ３ＥＩ）、０．９１（ＩＩ１
９Ｈ）。

０．９５（Ｂ、９Ｈ）１１．９６（８，２Ｈ）。

３゜６０〜３．７０（ｍ　、ＩＨ）、３．８８（ｒｎ　
、２Ｈ）　。

４．２３（ｄ　、、Ｔ＝５．８１１１ｇ　、ＩＨ）（３
Ｒ）−アミノ化合物（トランス体）の性状 薄層りｑ′マトグ２フィー（シリカゲル、エーテル）Ｒ
ｆ値：０．４３ 比旋光度：〔α）、＋６．５°（（！０．９９．クロａ
ホルム） ３３５０（ｂｒ、）、２９５０，２８８０，１７４０゜
４７Ｏ ＮＭＲ値：　δ０ＤＣＩｓ　−Ｐｐ” ０．０７（ｓ　−６ＪＩ）　、　０．２３（ｓ　ｅ　３
Ｈ）　。

０．２５（ｓ、３Ｈ）ＩＯ，９０（１１ｅ９Ｈ）−０，
９６（ｔｇ　＊　９１１　）　−１−９５（ｓ　−２Ｈ
）　。

３．３５（ｄｄ、Ｊ＝４．２．７Ｈ１，ＩＨル３．６７
（ｄｄ、Ｊ＝１１．３．４Ｈｇ　、１１）。

３．８２（ｄｄ、Ｊ＝１１．３．４Ｈｚ、ＩＨ）。

３．９５　（ｄ　、　Ｊ　＝２．７　Ｈｚ　、　ＩＨ）
マススペクトル値：　ｙｍ　／　ｅ ３２９．３０１，２８７ 実＃例９ （ａｓ、４ｓ）−ａ−ベンシルオキシカルにルアミツ−
１−（ｔ−ジチルジメチルシリル）−４−（（ｔ−ジチ
ルジメチルシリル）オキシメチル〕−アゼチ２シン−２
−オンの製造；実施例８て得られた（３Ｓ）−アミノ化
合物９１８９をテトラヒトｌｆｆ７ラン１．０１及び水
０．５−の混液に溶解し、水冷下、炭酸水素ナトリワム
３１１１Ｆ及び塩化ペンシルオキシカーボネート０．０
４５ｊＩｊを加え、水冷下２時間攪拌した。

反応ｇ、を酢酸エチル及び飽和食塩水の混液に汗加し、
酢酸エチル層を分取した。この有機層を飽和食塩水で洗
浄し、乾燥後、減圧下で濃縮した。残渣をシリカゲルプ
レＩＱラティプ薄層夕日マドグラフィー〔溶媒：エーテ
ル−ｎ−ヘキサン（６：５））で精製すると無色油状物
として目的物１２６ｑ（定量的〕が得られた。

比旋光度：〔α）　−１１，６°（ｃｌ、２５．クロ。

ホルム） ■Ｒ値ニジＯＨＯＩｓ ｍ＆Ｘ　、ｃｍ−” ３４５０．１７４５．１？２０，１５１５ｔ４６５ １１Ｍｆｌ値：　δＣＤ０１ｚ　、　Ｐｐ！１１Ｏ，０
８（ａ−６Ｈ）ｅＯ，２０（ｓ、３１１）。

０．３１　（ｓ　＝　３Ｈ）ｅ　Ｏ，９０（８，９Ｈ）
ｒｏ、９６（ｓｅ９Ｈ）、３．６８〜３．９５（ｍ、３
Ｂ）。

５．１２（ｓ　、２Ｈ）。

５．２２（ｄｄ　、Ｊ＝１０．５．５．５Ｈｇ　、ｌＨ
）。

５．７７　（ｄ　＝　Ｊ　＝１０．５　Ｈｚ　ｅ　Ｉ　
Ｈ）　。

７．３２（ｓ、５Ｈ） マススペクトル値：ｍ／ｅ ４７８（Ｍ　）、４６４，４２１ 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式 （式中、Ｒｌｏは水酸基の保護基を、Ｒ２′はイミノ基
   の保護基を示す）で表わされる化合物をオキシム化して
   一般式 （式中、Ｒｌｏ及びＲ２°は前記の意味を有する）で表
   わされる化合物となし、次いでこのものを還元し、更に
   所望によりアミノ基音保護し、次いで所望によ）保護基
   Ｒ，ｌ及び／又はＲ，１を脱離することを特徴とする一
   般式 （式中、Ｒ１は水素原子又は水酸基の保護基を、Ｒ２は
   水素原子父はイミノ基の保護基を、Ｒ３は水素原子又は
   アミノ基の保恐基を示す）で表わされる化合物の製法。 ２、一般式 （式中、Ｒｌｏは水酸基の保護基を、Ｒ２′はイミノ基
   の保護基を示す）で表わされる化合物よシ、一般式 （式中、Ｒ１は水素原子又は水酸基の保護基を、Ｒ３は
   水素原子又はイミノ基の保瞳基を、Ｒ３は水素原子又は
   アミノ基の保護基を示す）で表わされる化合物を製造す
   る特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、一般式 ％式％ （式中、Ｒ１′は水酸基の保護基を示す）で表わされる
   化合物を閉環して一般式 （式中、Ｒ，ｅは前記の意味を有する）で表わされる化
   合物となし、次いでこの化合物のイミノ基を保護したの
   ちオキシム化して一般式（式中、Ｒ１′はイミノ基の保
   護基を示し、ｎ１１は前記の意味を有する）で表わされ
   る化合物となし、次いでこのものを還元し、更に所望に
   よジアミノ基な保賎し、次いで所望によシ保護基Ｕ１を
   及び／又はＵ、ｔを脱離することを特徴とする一般式 （式中、Ｒ１は水素原子又は水酸基の保護基を、Ｒ３は
   水素原子又はイミノ基の保護基を、Ｒ３は水素原子又は
   アミノ基の保賎基奮示す）で表わされる化合物の製造法
   。 ４、　アスノＱラギン酸のアミノ基を保ＭＬ、次いで脱
   水してＮ−保護無水アスノＱラギン酸となし、次いでこ
   のものを還元して一般式 （式中、Ｒ４はアミノ基の保護基を示す）で表わされる
   化合物となし、次いで水酸基を保護したのち、アミノ基
   の保護基を脱離して一般式（式中、Ｒ１′は水酸基の保
   護基を示す）で表わされる化合物となし、次いでこのも
   のを閉環して一般式 （式中、ＲＳは前記の意味を有する）で表わされる化合
   物となし、次いでこの化合物のイミノ基を保画したのち
   オキシム化して一般式（式中、Ｒ１はイミノ基の保護基
   を示し、Ｒ’１社前記の意味な崩する）で表わされる化
   合物となし、次いでこのものを還元し、更に７Ｊｒ望以
   １余白 によジアミノ基を保饅し、次いで所望により保股基ｕ、
   ｌ及び／又はｎ、ｔを脱離することを特徴とする一鼾ｊ
   式 （式中、Ｒ１は水素原子又は水酸基の保護基を、Ｒ，は
   水素原子又はイミノ基の保護基を、Ｒ３は３゜ 水素原子又はアミノ基の保愚基を示す）で表わされる化
   合物の製造法。 ５、Ｌ−アス、Ｑラギン酸よシ、一般式（式中、Ｒ１’
   は水酸基の保護基を、Ｒ２′はイミノ基の保護基を示す
   ）で表わされる化合物を経由して一般式 （式中、Ｒ１は水素原子又は水酸基の保内基を、馬は水
   素原子又はイミノ基の保護基を、Ｒｓは水素原子又はア
   ミ７基の保護基を示す）で表わされる化合物を製造する
   特許請求の範囲第４項記載の方法。