JPS60114321A - ヒ化水素含有ガスの除害方法 - Google Patents
ヒ化水素含有ガスの除害方法Info
- Publication number
- JPS60114321A JPS60114321A JP58219375A JP21937583A JPS60114321A JP S60114321 A JPS60114321 A JP S60114321A JP 58219375 A JP58219375 A JP 58219375A JP 21937583 A JP21937583 A JP 21937583A JP S60114321 A JPS60114321 A JP S60114321A
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- JP
- Japan
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- hydrogen arsenide
- gas
- arsenide
- sodium hypochlorite
- tower
- Prior art date
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- Pending
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- Treating Waste Gases (AREA)
- Gas Separation By Absorption (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体電子工業の半導体及び集積回路の製
造工程においてヒ化水素、リン化水素等の金属水素化物
をドーピングガスとして用いられているが、その工程又
は他の化学工業から排出されるヒ化水素含有ガスを湿式
除害する方法に関する。
造工程においてヒ化水素、リン化水素等の金属水素化物
をドーピングガスとして用いられているが、その工程又
は他の化学工業から排出されるヒ化水素含有ガスを湿式
除害する方法に関する。
ヒ化水素（アルシン・ＡｓＨａ ）やリン化水素（ホス
フィン・ｐＨａ ）等は毒性が強く、工程からこれら有
毒ガスが無処理のまま大気中へ放散させると人体の健康
に非常に悪影響をおよぼし、最悪の場合には生命に危険
を生せしめる虞れがあるために、当然に無害化処理が必
要となる。
フィン・ｐＨａ ）等は毒性が強く、工程からこれら有
毒ガスが無処理のまま大気中へ放散させると人体の健康
に非常に悪影響をおよぼし、最悪の場合には生命に危険
を生せしめる虞れがあるために、当然に無害化処理が必
要となる。
現在、半導体電子工業あるいは他の化学工業で排出され
るヒ化水素を含有する排ガスの処理方法として採用され
ている方法を大別すると。
るヒ化水素を含有する排ガスの処理方法として採用され
ている方法を大別すると。
固体吸着法、過マンガン酸カリ酸化吸収法、燃焼分解法
が提案されている。
が提案されている。
これらの処理方法の概要は次のとおりである固体吸着法
の代表例は、特公昭５８−３４１７８号公報に見られる
ように、「塩化第二鉄を主材に水酸化第二鉄、塩化第二
銅、酸化第二銅、塩化マグネシウム及び塩化第二水銀を
助材として加え、これに水を加えた溶液剤を多孔性物質
に浸透させて成る浄化剤組成物」を使用して排ガスを浄
化する方法であり、その浄化原理は同公報の詳細な説明
中に。
の代表例は、特公昭５８−３４１７８号公報に見られる
ように、「塩化第二鉄を主材に水酸化第二鉄、塩化第二
銅、酸化第二銅、塩化マグネシウム及び塩化第二水銀を
助材として加え、これに水を加えた溶液剤を多孔性物質
に浸透させて成る浄化剤組成物」を使用して排ガスを浄
化する方法であり、その浄化原理は同公報の詳細な説明
中に。
ＡｓＨａ＋６ＦｅＣ１ａ＋３Ｈ２０−＋６ＦｅＣ１２＋
６ＨＣ１＋ＨａＡｓＯａ（１） ３ＨＣ１＋Ｆｅ（ＯＨＣ−＋ＦｅＣｌ ａ＋３Ｈ２０（
２）の吸収機構と再生機構よりなっている。この方法に
おいて、助材として塩化第二水銀を用いるとＨｇが処理
廃水、処理廃棄物中に含まれ、その処理が問題となる。
６ＨＣ１＋ＨａＡｓＯａ（１） ３ＨＣ１＋Ｆｅ（ＯＨＣ−＋ＦｅＣｌ ａ＋３Ｈ２０（
２）の吸収機構と再生機構よりなっている。この方法に
おいて、助材として塩化第二水銀を用いるとＨｇが処理
廃水、処理廃棄物中に含まれ、その処理が問題となる。
過マンガン酸力’Ｊ （ＫＭｎＯｔ）酸化吸収法は、Ｋ
ＭｎＯ４水溶液を吸収剤とし、次式の反応式に従って吸
収除去する方法である。
ＭｎＯ４水溶液を吸収剤とし、次式の反応式に従って吸
収除去する方法である。
ＡｓＨａ ＋ ２ＫＭ＋１０４−＞ Ｋ２ＨＡＳ０４
＋Ｍｎ ２０３ ＋Ｈ２０この方法においては、酸化マ
ンガンが生成されて、吸収装置内への沈積による閉塞等
に問題がある。
＋Ｍｎ ２０３ ＋Ｈ２０この方法においては、酸化マ
ンガンが生成されて、吸収装置内への沈積による閉塞等
に問題がある。
燃焼分解法は、ａｏｏｔ：’程度でＡｓＨａを酸化分解
させる方法であって、運転管理が煩雑にしてコスト高と
なる問題がある。
させる方法であって、運転管理が煩雑にしてコスト高と
なる問題がある。
上記各処理方法については、夫々一長一短があり、技術
性及び経済性は一般に正当化されない傾向がある。
性及び経済性は一般に正当化されない傾向がある。
この発明は、運転管理が容易にして入手容易な吸収剤を
使用して処理コストの低減を図り、しかも処理廃水、処
理廃棄物等に有害物質を含有せしめず二次薬害の処理等
の問題も少ないヒ化水素含有ガスの除害方法を提供する
目的をもって開発したものであり、その特徴は、濃度０
．３〜１０％、ＰＨ値８〜９の次亜塩素酸ナトリウム溶
液を吸収剤となし、ヒ化水素含有ガスと気液接触させて
ガス中のヒ化水素を酸化吸収することにある。
使用して処理コストの低減を図り、しかも処理廃水、処
理廃棄物等に有害物質を含有せしめず二次薬害の処理等
の問題も少ないヒ化水素含有ガスの除害方法を提供する
目的をもって開発したものであり、その特徴は、濃度０
．３〜１０％、ＰＨ値８〜９の次亜塩素酸ナトリウム溶
液を吸収剤となし、ヒ化水素含有ガスと気液接触させて
ガス中のヒ化水素を酸化吸収することにある。
この発明において、ヒ化水素と次亜塩素酸ナトリウム（
ＮａＣ１Ｏ）とを反応させてヒ酸（Ｈ３ＡＳＯ４）とし
て除去する思想はかならずしも新規とは言えないが、吸
収剤としての次亜塩素酸ナトリウム溶液の濃度及びＰＨ
値がヒ化水素の除害性能を大きく左右するものであって
、このような吸収剤としての濃度及びＰＨ値とヒ化水素
の除害性能との解析はほとんど例を見ない。
ＮａＣ１Ｏ）とを反応させてヒ酸（Ｈ３ＡＳＯ４）とし
て除去する思想はかならずしも新規とは言えないが、吸
収剤としての次亜塩素酸ナトリウム溶液の濃度及びＰＨ
値がヒ化水素の除害性能を大きく左右するものであって
、このような吸収剤としての濃度及びＰＨ値とヒ化水素
の除害性能との解析はほとんど例を見ない。
この発明の源泉となる上記次亜塩素酸ナトリウム溶液の
濃度及びＰＨ値を見出すために行なった実験結果の一例
を図表化して第１図に示した実験は、二個のシリンダー
をゴム栓を介して導管で連結し、各シリンダーにＮａＣ
１０： ０．１％、０．３〜１．０ ％、１０％の各溶
液を１５０ｍ１（常温）を容れ、ヒ化水素ｌｐｐｍを含
む排ガスを０−１ ｌ／１ｍ１ｎ −で流通し、出口ガ
ス濃度を測定した。
濃度及びＰＨ値を見出すために行なった実験結果の一例
を図表化して第１図に示した実験は、二個のシリンダー
をゴム栓を介して導管で連結し、各シリンダーにＮａＣ
１０： ０．１％、０．３〜１．０ ％、１０％の各溶
液を１５０ｍ１（常温）を容れ、ヒ化水素ｌｐｐｍを含
む排ガスを０−１ ｌ／１ｍ１ｎ −で流通し、出口ガ
ス濃度を測定した。
同図に見られるように、 ＮａＣ１０のＰＨ値は８〜９
が最も効果的にヒ化水素を除害（０，０５１）ｐｍ以下
）できる。ＮａＣ１０濃度は濃いほど良いが、余り濃度
が高いとＰＨ値を例えば、力性ソーダ液で８〜９にする
ことによって液中より分解発生する塩素量が多くなり、
この処理が必要となるので好ましくない。従ってＮａＣ
ｌ０濃度は０．３〜１０チ望ましくは０．３〜０．５％
が好ましい。
が最も効果的にヒ化水素を除害（０，０５１）ｐｍ以下
）できる。ＮａＣ１０濃度は濃いほど良いが、余り濃度
が高いとＰＨ値を例えば、力性ソーダ液で８〜９にする
ことによって液中より分解発生する塩素量が多くなり、
この処理が必要となるので好ましくない。従ってＮａＣ
ｌ０濃度は０．３〜１０チ望ましくは０．３〜０．５％
が好ましい。
この発明の方法に従えば、吸収剤に有害物を含まないた
めに、廃水、廃棄物処理等の問題が少なく、かつ反応に
よる固形物による吸収装置内への沈積閉塞等の問題が生
じないので運転管理が容易となり、しかも入手容易な薬
剤を使用するために処理コストの低減が図られる等の利
益をもたらす。
めに、廃水、廃棄物処理等の問題が少なく、かつ反応に
よる固形物による吸収装置内への沈積閉塞等の問題が生
じないので運転管理が容易となり、しかも入手容易な薬
剤を使用するために処理コストの低減が図られる等の利
益をもたらす。
（４）
この発明の実施に際し、吸収剤溶液とヒ化水素を含有す
る排ガスとの気・液接触させる装置は、化学工学分野に
おいて気液接触吸収反応に使用される装置が用いられる
。また、装置の型式によっては、並流、向流の方式も採
用され得る。
る排ガスとの気・液接触させる装置は、化学工学分野に
おいて気液接触吸収反応に使用される装置が用いられる
。また、装置の型式によっては、並流、向流の方式も採
用され得る。
次にこの発明の実施例を示し、効果を明確にする。
実施例
第２図に示す装置によって実施した。同図において、１
は充填塔であって、塔底の液溜部１ａに揚液ポンプ２の
サクション管が接続され、そのポンプの吐出管２ａは充
填物層の上面部に挿設されて散液器３が設けられ、吐出
管路上に流量計りが設けられる。ヒ化水素含有排ガスは
、流量計Ｇを備えた導管４によって塔底部に吹込れ、処
理ガスは塔頂部に設けた排気管５から排出される。
は充填塔であって、塔底の液溜部１ａに揚液ポンプ２の
サクション管が接続され、そのポンプの吐出管２ａは充
填物層の上面部に挿設されて散液器３が設けられ、吐出
管路上に流量計りが設けられる。ヒ化水素含有排ガスは
、流量計Ｇを備えた導管４によって塔底部に吹込れ、処
理ガスは塔頂部に設けた排気管５から排出される。
実施の仕様
塔： ５０ｉ＋ｕｚｆ Ｘ １０００闘Ｈ１透明アクリ
ル樹脂製充填物：ラシヒリング（６ｍｍ９６ ｘ １０
ｍｍＨｘ １ｍｍｔ ）、充填高さ３８０ｍｍ 吸収液＝０．３％ＮａＣ１０、ＰＨ８，５、液温２０Ｃ
表−１０こ示す条件で実施した。その結果を総括して表
−１に示した。
ル樹脂製充填物：ラシヒリング（６ｍｍ９６ ｘ １０
ｍｍＨｘ １ｍｍｔ ）、充填高さ３８０ｍｍ 吸収液＝０．３％ＮａＣ１０、ＰＨ８，５、液温２０Ｃ
表−１０こ示す条件で実施した。その結果を総括して表
−１に示した。
表−１実施結果表
上表の結果が示すように、ヒ化水素の恕限量０、Ｏ５ｐ
ｐｍを考慮すれば、その除害目的は十分に達成すること
ができる。
ｐｍを考慮すれば、その除害目的は十分に達成すること
ができる。
第１図はヒ化水素と次亜塩素酸ナトリウム溶液による吸
収除害特性を示す図表、第２図はこの発明の実施に使用
した装置の概要図である。 （７） 拍１
収除害特性を示す図表、第２図はこの発明の実施に使用
した装置の概要図である。 （７） 拍１
Claims (1)
- 濃度０．３〜ｌ０ｑｂ、ＰＨ値８〜９の次亜塩素酸ナト
リウム溶液を吸収剤となし、ヒ化水素含有ガスと気液接
触させてガス中のヒ化水素を酸化吸収することを特徴と
するヒ化水素含有ガスの除害方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58219375A JPS60114321A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | ヒ化水素含有ガスの除害方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58219375A JPS60114321A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | ヒ化水素含有ガスの除害方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60114321A true JPS60114321A (ja) | 1985-06-20 |
Family
ID=16734428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58219375A Pending JPS60114321A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | ヒ化水素含有ガスの除害方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60114321A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5095104A (ja) * | 1973-12-26 | 1975-07-29 |
-
1983
- 1983-11-24 JP JP58219375A patent/JPS60114321A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5095104A (ja) * | 1973-12-26 | 1975-07-29 |
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