JPS60115090A - イオン打込みを用いた磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
イオン打込みを用いた磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS60115090A JPS60115090A JP59233173A JP23317384A JPS60115090A JP S60115090 A JPS60115090 A JP S60115090A JP 59233173 A JP59233173 A JP 59233173A JP 23317384 A JP23317384 A JP 23317384A JP S60115090 A JPS60115090 A JP S60115090A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion implantation
- magnetic bubble
- memory element
- magnetic
- layer
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はイオン打込みを利用した磁気ノ（プルメモリ素
子の改良に関するものである。
子の改良に関するものである。
最近、イオン打込みを利用して／＜プル転送路を形成す
る研究が盛んである。第１図（ａ） ｒ （ｂ） ＬＺ
こオしらの従来のバブル素子の基本構成を示す。第１図
（ａ）に示す様に非磁性のガドリニウム・ガ１ノウム・
ガーネット単結晶基板ｌの上に磁気バブル月料層２、例
えば、（ＹＳｍＬｕＣａ）、（ＦｅＧｅ） 、３０１２
を液相エピタキシャル成長法で形成する。次に、通常の
光リソグラフイ技術を用いレジストパタン層３を形成す
る。しかる後、Ｎｅ （８０ｋｅＶ）。
る研究が盛んである。第１図（ａ） ｒ （ｂ） ＬＺ
こオしらの従来のバブル素子の基本構成を示す。第１図
（ａ）に示す様に非磁性のガドリニウム・ガ１ノウム・
ガーネット単結晶基板ｌの上に磁気バブル月料層２、例
えば、（ＹＳｍＬｕＣａ）、（ＦｅＧｅ） 、３０１２
を液相エピタキシャル成長法で形成する。次に、通常の
光リソグラフイ技術を用いレジストパタン層３を形成す
る。しかる後、Ｎｅ （８０ｋｅＶ）。
Ｎｅ （２７０ｋｅＶ）、 Ｈ２（１３０ｋｅＶ）のイ
オンを打込み第１．第２．第３のイオン打込み層４゜５
．６を形成する。形成された第１，２．第３のイオン打
込み層４，５．６の微細バタン形状は、第１図（ｂ）に
示したパターン７の如くとなっている。本メモリ素子の
動作原理などは、Ｔ、Ｊ。
オンを打込み第１．第２．第３のイオン打込み層４゜５
．６を形成する。形成された第１，２．第３のイオン打
込み層４，５．６の微細バタン形状は、第１図（ｂ）に
示したパターン７の如くとなっている。本メモリ素子の
動作原理などは、Ｔ、Ｊ。
Ｎｅ１ｓｏｎ ｅｔ ａｌ、、Ｊ Ａ Ｐ ５０． ２
２６１ （１９７９）。
２６１ （１９７９）。
Ｙ、Ｓ、Ｌｌｎ ｅｔ ａｌ、、Ｉ ＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｓ、 ＭΔＧ１５゜１６４２ （１９７９）、 Ｋ、Ｙ
、Ａｈｎ ａｎｄ Ｓ、に、Ｋａｎｅ。
ｓ、 ＭΔＧ１５゜１６４２ （１９７９）、 Ｋ、Ｙ
、Ａｈｎ ａｎｄ Ｓ、に、Ｋａｎｅ。
Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ Ｔｒａｎｓ、 ＭＡＧ１５．１．６４
８ （１９７９）に詳しいのでここでは省略する。本質
的には、イオン打込み層４，５，６で発生するチャージ
ドウオール（Ｃｈａｒｇｅｄ Ｗａ’ｌｌ）で磁気バブ
ルを駆動するのがこの磁気バブルメモリの特徴である。
８ （１９７９）に詳しいのでここでは省略する。本質
的には、イオン打込み層４，５，６で発生するチャージ
ドウオール（Ｃｈａｒｇｅｄ Ｗａ’ｌｌ）で磁気バブ
ルを駆動するのがこの磁気バブルメモリの特徴である。
上述した従来構造の磁気バブルメモリ素子の作製上の問
題点として、 （１） レジストバタン層３の膜厚の制限が厳しい（第
１図（ａ）の例では１．７μｍ以上の膜厚が必要である
）。
題点として、 （１） レジストバタン層３の膜厚の制限が厳しい（第
１図（ａ）の例では１．７μｍ以上の膜厚が必要である
）。
（２） レジストパタン層３の材料が解離し、高価なイ
オン打込み装置内部を汚染する。
オン打込み装置内部を汚染する。
（３） 高エネルギーイオンが、レジストパタン層３の
材料の変質を起す。
材料の変質を起す。
などがあり、何らかの改善が望まれている。
従って、本発明の目的は上述した問題点を解消した新規
な構造を有するイオン打込みを用いた磁気バブルメモリ
素子を提供することにある。
な構造を有するイオン打込みを用いた磁気バブルメモリ
素子を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明においては、磁気バブ
ル材料層の全面にイオン打込み層を形成し、不必要な領
域のイオン打込み層を削除することによって所定パター
ンのイオン打込み層を形成するようにイオン打込みを用
いた磁気バブルメモリ素子を構成したことを特徴として
いる。
ル材料層の全面にイオン打込み層を形成し、不必要な領
域のイオン打込み層を削除することによって所定パター
ンのイオン打込み層を形成するようにイオン打込みを用
いた磁気バブルメモリ素子を構成したことを特徴として
いる。
かかる本発明の特徴的な構成によって、イオン打込み時
にはレジストパターンが不必要となるため上述した従来
構造における磁気バブルメモリ素子の製造上の問題点を
全て解消できる。その上、磁気バブルメモリ素子の特性
上では従来のものと何ら差異が見られない。
にはレジストパターンが不必要となるため上述した従来
構造における磁気バブルメモリ素子の製造上の問題点を
全て解消できる。その上、磁気バブルメモリ素子の特性
上では従来のものと何ら差異が見られない。
以下実施例に従って本発明の詳細な説明する。
実施例１
第２図（ａ）〜（Ｃ）に実施例を示す。まず、第１段階
でイオンを磁気バブル材料層２上の全面に照射してイオ
ン打込み層４〜６をは形成する（第２図（ａ））。次に
、０．５μｍ膜厚程度のレジストバタン３を形成する（
第２図（ｂ））。本実施例では、この時、第１図（ａ）
の場合と白黒反転の関係にあるホトレジストを用いた。
でイオンを磁気バブル材料層２上の全面に照射してイオ
ン打込み層４〜６をは形成する（第２図（ａ））。次に
、０．５μｍ膜厚程度のレジストバタン３を形成する（
第２図（ｂ））。本実施例では、この時、第１図（ａ）
の場合と白黒反転の関係にあるホトレジストを用いた。
しかる後、イオンミリングによりイオン打込み層のバタ
ン形成を行なう（第２図（Ｃ））。この結果、レジスト
パタン３はイオン打込み層４〜６の形成後に、このイオ
ン打込み層の不必要部分をイオンミリングするためのマ
スクとしてのみ使用することになる。したがって、レジ
ストバタン層が高エネルギーイオンの照射を受けないの
で、膜厚の厳しい制限は必要でなくなる。さらに、レジ
ストパタンの解離や変質の心配もなくなる。
ン形成を行なう（第２図（Ｃ））。この結果、レジスト
パタン３はイオン打込み層４〜６の形成後に、このイオ
ン打込み層の不必要部分をイオンミリングするためのマ
スクとしてのみ使用することになる。したがって、レジ
ストバタン層が高エネルギーイオンの照射を受けないの
で、膜厚の厳しい制限は必要でなくなる。さらに、レジ
ストパタンの解離や変質の心配もなくなる。
第１図（ａ）と第２図（ｃ）との断面構造を比べると最
終素子断面構造に少しの違いがある。しかし、イオン打
込み層４〜６のバタン形状は全く同一であり、実際、本
発明に従って作製された磁気バブルメモリ素子の動作特
性は従来の磁気バブルメモリ素子のそれとほぼ同程度で
あった。
終素子断面構造に少しの違いがある。しかし、イオン打
込み層４〜６のバタン形状は全く同一であり、実際、本
発明に従って作製された磁気バブルメモリ素子の動作特
性は従来の磁気バブルメモリ素子のそれとほぼ同程度で
あった。
実施例２
第３図（ａ）、 （ｂ）に示した本実施例では、すなわ
ち、イオン打込みＪＷ４，５．６で形成されるパターン
１１の形状とイオン打込み［８，９，］、Ｏで形成され
るパターン１２の形状とのように微細バタン形状の異る
イオン打込み層で磁気バブルメモリ素子を形成している
。原理的には、第２図（ｃ）の工程に続いてＮｅ、 Ｎ
ｅ、 Ｈ２のイオン打込みを加えてメモリ素子を作製し
である。その結果、このメモリ素子の断面形状は第３図
（ａ）の如くになる。上方から見れば、第３図（ｂ）の
形状を示す。
ち、イオン打込みＪＷ４，５．６で形成されるパターン
１１の形状とイオン打込み［８，９，］、Ｏで形成され
るパターン１２の形状とのように微細バタン形状の異る
イオン打込み層で磁気バブルメモリ素子を形成している
。原理的には、第２図（ｃ）の工程に続いてＮｅ、 Ｎ
ｅ、 Ｈ２のイオン打込みを加えてメモリ素子を作製し
である。その結果、このメモリ素子の断面形状は第３図
（ａ）の如くになる。上方から見れば、第３図（ｂ）の
形状を示す。
斜線部１２が下側、白地部１１が上側転送路を形成する
ことになる。
ことになる。
つまり、下側転送路のパターン１２と上側転送路のパタ
ーン１１とは相補パターン形状をなしている。このよう
な構成とすることによってパターン１１．１２の両方に
チャージドウオールが形成され、しかもこの両方のチャ
ージドウオールが！ｆに強め合うようにして磁気バブル
に作用するので磁気バブルの転送が今まで以上に確実に
なる。その結果、磁気バブルの転送マージンを拡大する
ことができる。
ーン１１とは相補パターン形状をなしている。このよう
な構成とすることによってパターン１１．１２の両方に
チャージドウオールが形成され、しかもこの両方のチャ
ージドウオールが！ｆに強め合うようにして磁気バブル
に作用するので磁気バブルの転送が今まで以上に確実に
なる。その結果、磁気バブルの転送マージンを拡大する
ことができる。
以上述べた如く、本発明による構造の磁気バフルメモリ
素子はその製造上における高エネルギーイオンとレジス
トパタンとの関係を全く気にせすに製造することが可能
となり、製造工程におけるメリッ１−は多大なものとな
る。
素子はその製造上における高エネルギーイオンとレジス
トパタンとの関係を全く気にせすに製造することが可能
となり、製造工程におけるメリッ１−は多大なものとな
る。
第１図（ａ）、 （ｂ）は従来のイオン打込みを用いた
磁気バブルメモリ素子の断面構成図とＷ面図、第２図（
ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）は本発明の一実施例によるイ
オン打込みを用いた磁気バブルメモリ素子の製造工程を
説明するための断面構成図、第３図（ａ）。 （ｂ）は本発明によるイオン打込みを用いた磁気バブル
メモリ素子の他の実施例の断面構成図と平面図である。 １・・・非磁性単結晶基板、２・・磁気バブル材料層、
３・・・レジストバタン、４〜６，８〜ＩＯ・・・イオ
ン打込みｆｉ、７，１１．１２・・転送路バタン。 ￥Ｊ １ （２）
磁気バブルメモリ素子の断面構成図とＷ面図、第２図（
ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）は本発明の一実施例によるイ
オン打込みを用いた磁気バブルメモリ素子の製造工程を
説明するための断面構成図、第３図（ａ）。 （ｂ）は本発明によるイオン打込みを用いた磁気バブル
メモリ素子の他の実施例の断面構成図と平面図である。 １・・・非磁性単結晶基板、２・・磁気バブル材料層、
３・・・レジストバタン、４〜６，８〜ＩＯ・・・イオ
ン打込みｆｉ、７，１１．１２・・転送路バタン。 ￥Ｊ １ （２）
Claims (1)
- １、 非磁性単結晶基板と、上記非ｒＪ＆１生単結Ｍ１
基板上に設けた磁気バブル材料層と、上記磁気ノくプル
材料層の全面にイオン打込み層を１′／ｒ戊し、不必要
な領域の」−２イオン打込み層をｉ’ｊ！ｌ除すること
によって形成した所定ノ（ターンのイオンｔ］゛込み層
とを備えてなることを特徴とするイオンｔｆ込みをＪｌ
］ Ｌ’ ｌ’＝ 磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59233173A JPS60115090A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | イオン打込みを用いた磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59233173A JPS60115090A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | イオン打込みを用いた磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60115090A true JPS60115090A (ja) | 1985-06-21 |
Family
ID=16950869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59233173A Pending JPS60115090A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | イオン打込みを用いた磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60115090A (ja) |
-
1984
- 1984-11-07 JP JP59233173A patent/JPS60115090A/ja active Pending
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