JPH03185444A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03185444A JPH03185444A JP1323812A JP32381289A JPH03185444A JP H03185444 A JPH03185444 A JP H03185444A JP 1323812 A JP1323812 A JP 1323812A JP 32381289 A JP32381289 A JP 32381289A JP H03185444 A JPH03185444 A JP H03185444A
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- JP
- Japan
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- pattern
- window
- square
- peripheral
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- Granted
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の微小パターンを形成するマスク
パターンの形状に関する。
パターンの形状に関する。
〔発明の概要］
正方形または長方形の角部を切り落として八角形の中央
パターンとし、各４つの辺に近接して４つの長方形また
は三角形の周辺パターンを設けたマスクパターンを用い
て、半導体基板上に窓パターンを形成する半導体装置の
製造方法である。このようなマスクパターンを用いれば
、微小なコンタクトホール等の窓あけに際し、所望の方
形（正方形または長方形）の窓パターンを形成すること
ができる。
パターンとし、各４つの辺に近接して４つの長方形また
は三角形の周辺パターンを設けたマスクパターンを用い
て、半導体基板上に窓パターンを形成する半導体装置の
製造方法である。このようなマスクパターンを用いれば
、微小なコンタクトホール等の窓あけに際し、所望の方
形（正方形または長方形）の窓パターンを形成すること
ができる。
（従来の技術）
近年の超ＬＳＩのような高密度ＩＣにおいては、特にフ
ォトマスクを用いてコンタクトホールのような微小な窓
あけを行うとき、フォトレジストを含めた露光装置の解
像度の限界に近い寸法の加工を要するので、マスクパタ
ーンと転写された窓パターンの寸法および形状が異なっ
てしまう０例えば、サブ電クロンオーダーの正方形のマ
スクパターンによって転写された窓パターンは円形状に
なってしまう。
ォトマスクを用いてコンタクトホールのような微小な窓
あけを行うとき、フォトレジストを含めた露光装置の解
像度の限界に近い寸法の加工を要するので、マスクパタ
ーンと転写された窓パターンの寸法および形状が異なっ
てしまう０例えば、サブ電クロンオーダーの正方形のマ
スクパターンによって転写された窓パターンは円形状に
なってしまう。
このような形状の変化を改善するために、マスクパター
ンの形状を工夫して転写された窓パターンを方形に近い
形状に加工する試みがなされていた。例えば、マスクパ
ターンを６個の柱状からなる星形配列とし、転写された
窓パターンをほぼ方形にする方法（特開昭６２−１３０
２８）もあった。
ンの形状を工夫して転写された窓パターンを方形に近い
形状に加工する試みがなされていた。例えば、マスクパ
ターンを６個の柱状からなる星形配列とし、転写された
窓パターンをほぼ方形にする方法（特開昭６２−１３０
２８）もあった。
また、第２図ａに示すような十字形状のマスクパターン
を用いて、第２図すに示すようなほぼ方形に近い窓パタ
ーンを実現する方法（特開昭６ｌ−２７０８２３）等が
提案されていた。
を用いて、第２図すに示すようなほぼ方形に近い窓パタ
ーンを実現する方法（特開昭６ｌ−２７０８２３）等が
提案されていた。
しかしながら、十字形のマスクパターンで窓あけを行っ
た窓パターンの寸法は、マスクペタ５−ンに比して、か
なり小さい寸法になってしまう、この変化の割合は、フ
ォトプロセスに使用するすべての条件が影響するので、
目標とする寸法の転写された窓パターンを実現すること
が困難であった。
た窓パターンの寸法は、マスクペタ５−ンに比して、か
なり小さい寸法になってしまう、この変化の割合は、フ
ォトプロセスに使用するすべての条件が影響するので、
目標とする寸法の転写された窓パターンを実現すること
が困難であった。
また、変化の割合が大きいと、もとのマスクパターンの
マスク上に占める割合が大きくなるので、高密度化を妨
げる要因ともなる。
マスク上に占める割合が大きくなるので、高密度化を妨
げる要因ともなる。
本発明は、このような課題を解決するためのマスクパタ
ーンの形状を工夫して、方形に近い窓パターンを実現し
ようとするものである。
ーンの形状を工夫して、方形に近い窓パターンを実現し
ようとするものである。
本発明は、中央部に八角形状の中央パターンと、その４
つの辺に近接して長方形または三角形の周辺パターンを
設けることによって、周辺パターンを角部とするほぼ方
形の窓パターンを実現することができる。
つの辺に近接して長方形または三角形の周辺パターンを
設けることによって、周辺パターンを角部とするほぼ方
形の窓パターンを実現することができる。
八角形の中央パターンの４つの辺に、フォトレジストを
含めて露光装置の解像度の限界以下に近接して、長方形
または三角形の周辺パターンを設けることによって、周
辺パターンを角部とした１個の方形の窓パターンが形成
される。所望の寸法の窓パターンを形成するには、周辺
パターンの近接距離を調節すればよい。
含めて露光装置の解像度の限界以下に近接して、長方形
または三角形の周辺パターンを設けることによって、周
辺パターンを角部とした１個の方形の窓パターンが形成
される。所望の寸法の窓パターンを形成するには、周辺
パターンの近接距離を調節すればよい。
本発明の実施例を、第１図を用いて説明する。
第１図ａは本発明の実施例によるマスクパターン図であ
る。まず、フォトマスクの基板として用いる石英ガラス
等の基板表面に、正方形のパターンを形威し、その４つ
の角部を切り落として切り欠き部２を設けて中央パター
ン１を形成する。中央パターンｌは、角部を切り落とし
ているので八角形状になっている。
る。まず、フォトマスクの基板として用いる石英ガラス
等の基板表面に、正方形のパターンを形威し、その４つ
の角部を切り落として切り欠き部２を設けて中央パター
ン１を形成する。中央パターンｌは、角部を切り落とし
ているので八角形状になっている。
次に、中央パターン１のもとの正方形の各辺に近接して
、各辺の長さよりも短い長辺をもつ長方形の周辺パター
ン３を４つ設ける。このとき、長方形と中央パターン１
との間隔ｄは、フォトレジストを含めた露光装置の解像
度の限界以下であれば、中央パターンｌと周辺パターン
３とは１個のパターンとして認識される。
、各辺の長さよりも短い長辺をもつ長方形の周辺パター
ン３を４つ設ける。このとき、長方形と中央パターン１
との間隔ｄは、フォトレジストを含めた露光装置の解像
度の限界以下であれば、中央パターンｌと周辺パターン
３とは１個のパターンとして認識される。
次に、第１図すに示すように、半導体基板上の例えばコ
ンタクトホールのような微小な電極窓あけとして用いる
ために、フォトレジストを塗布して、前記マスクパター
ンを配列したフォトマスクを用いて露光および現像等を
行い、窓パターンを形成する。第１図すにおける周辺パ
ターン３を角部としたほぼ正方形の窓パターンを実現す
ることができる。
ンタクトホールのような微小な電極窓あけとして用いる
ために、フォトレジストを塗布して、前記マスクパター
ンを配列したフォトマスクを用いて露光および現像等を
行い、窓パターンを形成する。第１図すにおける周辺パ
ターン３を角部としたほぼ正方形の窓パターンを実現す
ることができる。
もし、窓パターンの寸法を精確に制限する必要があれば
、中央パターンｌと周辺パターン３の間隔ｄを調節すれ
ばよい。
、中央パターンｌと周辺パターン３の間隔ｄを調節すれ
ばよい。
実施例においては、中央パターンを八角形として説明し
たが、例えば子穴角形としてもよく、また、周辺パター
ンを長方形として説明したが、例えば中央パターンのも
との正方形の各辺に平行に近接して底辺をもつ三角形の
周辺パターンを設けても同様の窓パターンを実現するこ
とができる。
たが、例えば子穴角形としてもよく、また、周辺パター
ンを長方形として説明したが、例えば中央パターンのも
との正方形の各辺に平行に近接して底辺をもつ三角形の
周辺パターンを設けても同様の窓パターンを実現するこ
とができる。
以上の説明から明らかなように、本発明のマスクパター
ンを用いて窓あけを行えば、はぼ方形の窓パターンを実
現することができる０本発明の更なる効果は、マスクパ
ターンとして、中央パターンと周辺パターンとを別々に
配置して１つのマスクパターンとしているので、転写さ
れた窓パターンの寸法を変更するとき、マスクパターン
の中央パターンと周辺パターンの距離を変更するだけで
済むので設計上の自由度が向上する。
ンを用いて窓あけを行えば、はぼ方形の窓パターンを実
現することができる０本発明の更なる効果は、マスクパ
ターンとして、中央パターンと周辺パターンとを別々に
配置して１つのマスクパターンとしているので、転写さ
れた窓パターンの寸法を変更するとき、マスクパターン
の中央パターンと周辺パターンの距離を変更するだけで
済むので設計上の自由度が向上する。
第１図ａおよび第１図すは本発明の実施例によるパター
ン形状の平面図、第２図ａおよび第２図すは従来のパタ
ーン形状の平面図である。 １−・−・・−・〜・−中央パターン ２−・−−−−−・・・−・・−切り欠き部３−・・・
−・−・−・・周辺パターンマスクツ〈ターン図 す 転写されｒ二窓パクーン図 第１図 本発明の実施例によるノぐターン形状の平面図
ン形状の平面図、第２図ａおよび第２図すは従来のパタ
ーン形状の平面図である。 １−・−・・−・〜・−中央パターン ２−・−−−−−・・・−・・−切り欠き部３−・・・
−・−・−・・周辺パターンマスクツ〈ターン図 す 転写されｒ二窓パクーン図 第１図 本発明の実施例によるノぐターン形状の平面図
Claims (1)
- 正方形または長方形の４つの角部を切り落とした八角
形の中央パターンと、該中央パターンの対向する４辺に
近接して長方形または三角形の４つの周辺パターンを設
けたマスクパターンを用いて、半導体基板上に窓パター
ンを形成する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32381289A JP2789743B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32381289A JP2789743B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185444A true JPH03185444A (ja) | 1991-08-13 |
| JP2789743B2 JP2789743B2 (ja) | 1998-08-20 |
Family
ID=18158881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32381289A Expired - Fee Related JP2789743B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2789743B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7598005B2 (en) | 2003-02-28 | 2009-10-06 | Fujitsu Microelectronics Limited | Photomask and manufacturing method of the same, and pattern forming method |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP32381289A patent/JP2789743B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7598005B2 (en) | 2003-02-28 | 2009-10-06 | Fujitsu Microelectronics Limited | Photomask and manufacturing method of the same, and pattern forming method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2789743B2 (ja) | 1998-08-20 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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