JPS60115224A - レジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布方法Info
- Publication number
- JPS60115224A JPS60115224A JP58223526A JP22352683A JPS60115224A JP S60115224 A JPS60115224 A JP S60115224A JP 58223526 A JP58223526 A JP 58223526A JP 22352683 A JP22352683 A JP 22352683A JP S60115224 A JPS60115224 A JP S60115224A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resist
- speed
- film
- rotated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレジスト塗布方法に係り、特に、半導体集積回
路（ＩＣ）等の形成のためのフォトリソ工程に用いられ
る均一なフォトレジスト膜を得るためのフォトレジスト
塗布方法に関する。
路（ＩＣ）等の形成のためのフォトリソ工程に用いられ
る均一なフォトレジスト膜を得るためのフォトレジスト
塗布方法に関する。
半導体集積回路等の製造における微細／４’ターンの形
成には、通常、フォトリン工程が採用されることが多い
。このフォトリン工程では、例えば真空蒸着法等によっ
て基板表面全体に形成された金属薄膜上に、フォトレジ
スト膜を形成した後、このフォトレジスト膜に対し、所
定のパターン形状を有するフォトマスクを介して、露光
処理を行なうことにより、所定のレジスト膜（ターンを
得、このレジストノ臂ターンをマスクとしてエツチング
を行ない、表面に露呈する金属薄膜−すなわち、レジス
ト・母ターンで覆われていない部分−を除去することに
より、所望の形状の薄膜パターンが得られる・ 従って、露光処理においてフォトレジスト膜が、フォト
マスクのｉ４ターン全いかに忠実に精度良く転写され得
るかということが、得られる薄膜パターンの性能を大き
く左右することになるわけである。
成には、通常、フォトリン工程が採用されることが多い
。このフォトリン工程では、例えば真空蒸着法等によっ
て基板表面全体に形成された金属薄膜上に、フォトレジ
スト膜を形成した後、このフォトレジスト膜に対し、所
定のパターン形状を有するフォトマスクを介して、露光
処理を行なうことにより、所定のレジスト膜（ターンを
得、このレジストノ臂ターンをマスクとしてエツチング
を行ない、表面に露呈する金属薄膜−すなわち、レジス
ト・母ターンで覆われていない部分−を除去することに
より、所望の形状の薄膜パターンが得られる・ 従って、露光処理においてフォトレジスト膜が、フォト
マスクのｉ４ターン全いかに忠実に精度良く転写され得
るかということが、得られる薄膜パターンの性能を大き
く左右することになるわけである。
すなわち、フォトレジスト膜の膜厚は均一でかつできる
限シ薄く、膜質は、後続する金属薄膜のエツチング工程
で充分にマスクとしての耐性を維持し得るぺく、ち密で
あることが望まれる。
限シ薄く、膜質は、後続する金属薄膜のエツチング工程
で充分にマスクとしての耐性を維持し得るぺく、ち密で
あることが望まれる。
従来、薄いレジスト膜を形成するために例えば、粘度の
低いフォトレジストを用いる郷、いろいろな工夫がなさ
れてはいるが、この場合は不均一な膜となってしまう等
、薄くかつ均一なレジスト膜の形成は極めて困難であっ
た。
低いフォトレジストを用いる郷、いろいろな工夫がなさ
れてはいるが、この場合は不均一な膜となってしまう等
、薄くかつ均一なレジスト膜の形成は極めて困難であっ
た。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、均一でか
つ薄くち密なフォトレジスト膜を形成すること全目的と
する。
つ薄くち密なフォトレジスト膜を形成すること全目的と
する。
上記目的を達成するため、本発明のレジスト塗布方法に
よれば、回転塗布装置上に基板を配置し該基板上にフォ
トレジス）１−滴下した後、基板を回転するにあたシ、
この回転の回転速度を２段階に切換えて行なうようにし
ている。
よれば、回転塗布装置上に基板を配置し該基板上にフォ
トレジス）１−滴下した後、基板を回転するにあたシ、
この回転の回転速度を２段階に切換えて行なうようにし
ている。
例えば、基板は、最初に高速回転された後低速回転に切
換えられるか％あるいは最初に、低速回転された後、高
速回転に切換えられる。
換えられるか％あるいは最初に、低速回転された後、高
速回転に切換えられる。
以下、本発明の第１の実施例の７オトレジスト塗布方法
について、図面を参照しつつ説明する。
について、図面を参照しつつ説明する。
まず、第１図に示す如く、スピンコーターと指体されて
いる回転塗布装置の基板支持台１上に、表−面全体に金
薄膜２を着膜されてなるシリコン基板３を載置した後、
ディスペンサー（図示せず）より、ａｒｐｇの商品名で
市販されている東京応化製のポジ屋フォトレジスト４を
、該シリコン基板３上に滴下する。このときの７オトレ
ジスト４の粘度は１０ ｃ、ｐ、 （センチデイズ）で
あった。
いる回転塗布装置の基板支持台１上に、表−面全体に金
薄膜２を着膜されてなるシリコン基板３を載置した後、
ディスペンサー（図示せず）より、ａｒｐｇの商品名で
市販されている東京応化製のポジ屋フォトレジスト４を
、該シリコン基板３上に滴下する。このときの７オトレ
ジスト４の粘度は１０ ｃ、ｐ、 （センチデイズ）で
あった。
次いで、基板支持台１を第２図に示す如く回転数５００
Ｏｒ、ｐ、ｍ、 （回／分）で０．５秒間、高速回転
する。
Ｏｒ、ｐ、ｍ、 （回／分）で０．５秒間、高速回転
する。
続いて、基板支持台１を第３図に示す如く回転数３００
Ｏｒ、ｐ、ｍ、で２０秒間低速回転する。
Ｏｒ、ｐ、ｍ、で２０秒間低速回転する。
このようにしてレジストを塗面された基板は、乾燥後、
プリペイク（前加熱）処理を経て、レジスト膜の安定化
をはかった後に露光工程に移されるわけである。
プリペイク（前加熱）処理を経て、レジスト膜の安定化
をはかった後に露光工程に移されるわけである。
このように形成されたレジスト膜５は、膜厚的２０００
Ｘで均一かつち密で表面性も良好である。
Ｘで均一かつち密で表面性も良好である。
ちなみに、同じフォトレジストを従来の方法すなわち、
回転数−ポー回転数３００ Ｏｒ、ｐ、心で３０秒間回
転−で塗布した場合、得られるレジスト膜は膜厚５００
０１で、あまシ均一ではなかった。
回転数−ポー回転数３００ Ｏｒ、ｐ、心で３０秒間回
転−で塗布した場合、得られるレジスト膜は膜厚５００
０１で、あまシ均一ではなかった。
これらの比較からも明らかなように、従来の方法によっ
て塗布されたレジスト膜に比べて、本発明実施例の方法
によって塗布されたレジスト膜は薄くかつ均一で表面が
ち密であシ、後続する露光工程においてフォトマスクの
パターンを忠実に精度良く転写し得ると共に、エツチン
グ工程においても充分に、マスクとして下地の金薄膜を
保護し得、寸法精度の良好な金７９ターンの形成を可能
とするものである。
て塗布されたレジスト膜に比べて、本発明実施例の方法
によって塗布されたレジスト膜は薄くかつ均一で表面が
ち密であシ、後続する露光工程においてフォトマスクの
パターンを忠実に精度良く転写し得ると共に、エツチン
グ工程においても充分に、マスクとして下地の金薄膜を
保護し得、寸法精度の良好な金７９ターンの形成を可能
とするものである。
すなわち、この方法によれば、最初の高速回転で短時間
の間に、基板上でのレジストの拡散を行なうと共に、不
要なレジストを飛散させた後、低速回転で、レジスト膜
の安定化をはかるわけである６ 更に、本発明の第２の実施例について説明する。
の間に、基板上でのレジストの拡散を行なうと共に、不
要なレジストを飛散させた後、低速回転で、レジスト膜
の安定化をはかるわけである６ 更に、本発明の第２の実施例について説明する。
まず、第１の実施例と同様に、シリコン基板上にフォト
レジストを滴下する。
レジストを滴下する。
次いで、基板支持台を、回転数２００ （ｌ ｒ、ｐ、
ｍで０、５秒間低速回転する。
ｍで０、５秒間低速回転する。
続いて、回転数５００ Ｏｒ、＞ｍで２０秒間低速回転
する。
する。
この方法にＬっても、かなり均一なレジスト膜を得るこ
とができる。この方法は、特に粘度の高いレジストヲ用
いる場合に特に有効である。
とができる。この方法は、特に粘度の高いレジストヲ用
いる場合に特に有効である。
なお、実施例においては、フォトレジストとして東京応
化製の０ＦＰＲ′ｔｌ−用いたが、必ずしもこれに限定
されることなく、シュゾレ社製Ａ２１３５０等全はじめ
、他の７オトレジストでも同様の効果を得ることができ
る。
化製の０ＦＰＲ′ｔｌ−用いたが、必ずしもこれに限定
されることなく、シュゾレ社製Ａ２１３５０等全はじめ
、他の７オトレジストでも同様の効果を得ることができ
る。
また、この方法は、半導体集積回路の製造工程のみなら
ず、プリント配線基板の製造等、フォトレジストの塗布
工程を有するものすべてについて、優れた効果全奏効す
るものである。
ず、プリント配線基板の製造等、フォトレジストの塗布
工程を有するものすべてについて、優れた効果全奏効す
るものである。
以上、説明′してきたように、本発明によれば、基板上
にフォトレジストを塗布するにあたり、レジストを滴下
した後、基板を高速回転から低速回転、あるいは低速回
転から高速回転というふうに２段階の回転速度で切換え
て回転制御するようにしたので、薄くかつ均一でち密な
レジスト膜の形成が可能となる。
にフォトレジストを塗布するにあたり、レジストを滴下
した後、基板を高速回転から低速回転、あるいは低速回
転から高速回転というふうに２段階の回転速度で切換え
て回転制御するようにしたので、薄くかつ均一でち密な
レジスト膜の形成が可能となる。
第１図乃至第３図は本発明の第１の実施例のレジスト塗
布工程を示す工程説明図である。 １・・・基板支持台、２・・・シリコン基板、３・・−
金薄膜、４・・・フォトレジスト、５・・・レジスト膜
。
布工程を示す工程説明図である。 １・・・基板支持台、２・・・シリコン基板、３・・−
金薄膜、４・・・フォトレジスト、５・・・レジスト膜
。
Claims (2)
- （１） 回転塗布装置上に基板を配置し、該基板上に７
オトレジストを滴下した後、基板を回転することにより
均一なレジスト膜を形成する方法において、前記基板の
回転速度を２段階に切換えることを特徴とするレジスト
塗布方法。 - （２）前記基板は、最初に高速で回転され、その後、低
速で回転されることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載のレジスト塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58223526A JPS60115224A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58223526A JPS60115224A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | レジスト塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60115224A true JPS60115224A (ja) | 1985-06-21 |
Family
ID=16799524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58223526A Pending JPS60115224A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60115224A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02126970A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-15 | Fuji Electric Co Ltd | スピンコーティング方法 |
| US4971931A (en) * | 1990-02-12 | 1990-11-20 | Eastman Kodak Company | Diffuser features for spin-coated films |
| US5199988A (en) * | 1988-08-19 | 1993-04-06 | Hitachi Maxell, Ltd. | Manufacturing apparatus and method for recording medium |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50136333A (ja) * | 1974-04-17 | 1975-10-29 | ||
| JPS5530212A (en) * | 1978-08-25 | 1980-03-04 | Hitachi Ltd | Logical-operation type digital compander |
-
1983
- 1983-11-28 JP JP58223526A patent/JPS60115224A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50136333A (ja) * | 1974-04-17 | 1975-10-29 | ||
| JPS5530212A (en) * | 1978-08-25 | 1980-03-04 | Hitachi Ltd | Logical-operation type digital compander |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5199988A (en) * | 1988-08-19 | 1993-04-06 | Hitachi Maxell, Ltd. | Manufacturing apparatus and method for recording medium |
| JPH02126970A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-15 | Fuji Electric Co Ltd | スピンコーティング方法 |
| US4971931A (en) * | 1990-02-12 | 1990-11-20 | Eastman Kodak Company | Diffuser features for spin-coated films |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03502255A (ja) | ホトレジストを塗布した基体から望ましくない周辺部の材料（例えばエツジビーズ）を除去するための乳酸エチルとメチルエチルケトンとの特定混合物の使用 | |
| US8927058B2 (en) | Photoresist coating process | |
| JPS60115224A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| CN116130355A (zh) | 干法刻蚀制作正梯形胶形的工艺 | |
| US20100304311A1 (en) | Method of producing resist pattern | |
| JPH0330417A (ja) | 集積回路製造プロセスにおけるフォトレジストの形成方法 | |
| JPH0458167B2 (ja) | ||
| JP2001196291A (ja) | 回転塗布膜の形成方法 | |
| JPS61184824A (ja) | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 | |
| JPS60110118A (ja) | レジスト塗布方法および装置 | |
| JPS6191655A (ja) | ホトレジストの塗布方法 | |
| JP2586383B2 (ja) | 反射および干渉防止樹脂膜の形成方法 | |
| JPH02100313A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58207631A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| KR100272521B1 (ko) | 반도체 소자의 포토레지스트 도포 방법 | |
| JPS63151021A (ja) | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 | |
| JPH10129140A (ja) | メタルマスク | |
| JPS59175724A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03227009A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02170412A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60138925A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPS5823439A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2005084312A (ja) | レジストパターニング方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPS6153726A (ja) | パタ−ン形成法 | |
| JPH09115899A (ja) | 保護膜の形成方法 |