JPH03502255A - ホトレジストを塗布した基体から望ましくない周辺部の材料（例えばエツジビーズ）を除去するための乳酸エチルとメチルエチルケトンとの特定混合物の使用 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ホトレジストを塗布した基体から望ましくない周辺部の材料（例えばエツジビー ズ）を除去するための乳酸エチルとメチルエチルケトンとの特定混合物の使用 本発明はホトレジストを塗布した基体から周辺部の望ましくないホトレジスト材 料（例えば、エツジビーズ）を、この周辺材料を溶解する乳酸エチル（ＥＬ）と メチルエチルケトン（ＭＥＫ）との、特定の溶剤混合物により選択的に除去する 方法に関するものである。特に、本発明はノボラック樹脂とナフトキノンジアジ ド増感剤とからなるホトレジスト塗膜の、望ましくない周辺部材料をその下のシ リコン含有ウェハの周縁部から、この周辺材料を溶剤し、後でこれを除去する乳 酸エチルとメチルエチルケトンとの特定の混合物をこの周辺塗膜材料と接触させ ることにより、選択的に除去する方法に関するものである。

さらに、本発明は新規な商品として、この作用のために有用な乳酸エチルとメチ ルエチルケトンとの特定の混合物にも関する。

マイクロ集積回路部品または「チップ」の生産に際して、ウェハまたは基体に感 光性材料（一般にホトレジストと呼ばれる）を塗布し、ついでこの塗布済み基体 をマスクまＩ；はパターンを通して光源に対して像様露光するのが通例である。

光源に対し露光されたホトレジスト塗膜の部分は化学的に変化して、塗膜の露光 された部分かまたは未露光部分のいずれかが現像液により選択的に除去される。

このようにして得られる選択的に露光されそして現像された基体は、エツチング 、拡散、メッキ、その他のような各処理工程にさらに付されて、最終的には基体 上に多数の集積回路、すなわちチップを生成する、超小型回路の層を与える。

回路構成分と導線の間のスペースが小さいため、ごみなどの異物粒子の混入は注 意深く防止される。例えば、基体上のごみの粒子が１つであっても故障を生じ、 基体から製造されたチップ１ｍの損失となる。基体上の多数のこのような異物は 、それ故にウェハまたは基体からの収率を著しく減少させる。

これらの好ましくない粒子の供給源の１つは、塗布された基体周辺部に存在する 未利用の感光性塗膜であることが分った。

もっとも一般的操作においては、ホトレジスト塗布用材料は静止しているかまた は回転している基体（例えばシリコンウェハその他）の中心に液体状で通常付与 され、ついで基体を所定の速度で回転させて、塗布溶液が遠心力により表面上に 流れるかまたは平均に拡がるようにする。余分の材料は基体の周辺から回収カッ プ中に取り出す。これは基体またはウェハ表面の実質的に全面にわたって、均一 な厚さをもつ塗膜を得るためである。しかしながら、少量の塗布液が基体の外縁 上および裏面の周辺部に流れ込む。そこで、このようなスピン塗布法では、塗布 面と裏側面との両方のエツジ上に塗布用材料の余分な蓄積をしばしば生じ、同様 に基体の塗布面と裏面との間の基体周辺上に塗布用材料の小さなビーズを形成す る。

この望ましくない周辺材料はマイクロ集積回路部品を作るためのリトグラフ方法 においては利用されていない。

後の操作中での基体の取扱いにより塗布済み基体周辺部の塗膜のはげ落ちまたは 移動が生じ、この移動した粒子のいくつかは、塗布済み基体の残りの部分に散ら ばり、結局欠陥を生じさせるものと推測される。

米国特許第４．１１３．４９２号（Ｓａｔｏ他）；同第４．５１０．１７６号（ Ｃｕｔｈｂｅｒｔ他）；同第４，５１８．６７８号（Ａｌｉｅｎ）；および同第 ４．６８５．９７５号（Ｋｏｔｔｍａｎ他）などは、すヘテコノ望マシくすい周 辺塗膜材料を、この材料にこれを溶解することのできる溶剤と選択的に接触させ ることにより、選択的に除去する特定の方法と装置とを教示している。この操作 は当該分野で一般に「エツジビーズ除去」として知られており、この操作のため に各種の溶剤が用いられている。

米国特許第４．１１３．４９２号の第６欄、第１９〜４６行に各種の適当な溶剤 が列挙されている。本発明以前、商業的に好ｔｌ、ｌ’溶剤はエチレングリコー ルモノエチルエーテルアセテート（ＥＧＭＥＡ）であった。しかしながら、この 特定の溶剤は毒性上の問題が若干ある。アセトンとメチルエチルケトンのような 、脂肪族ケトン類もこの目的のため単独で使用されたが、その揮発性と臭気のた めに不都合と思われる。従って、当該分野では良好なエツジビーズ除去用溶剤の 必要性があった。本発明はこの要望を解決するものである。

従って、本発明は （ａ）基体表面上にホトレジスト溶液をスピン塗布し、これによりその表面の周 辺部の望ましくないホトレジスト材料の付着物（例えばエツジビーズ）を除く、 その表面の実質的に全面に均一な皮膜を構成するホトレジスト膜を付与し； （ｂ）前記の塗布済み基体の周辺部に乳酸エチルとメチルエチルケトンとが、そ れぞれ約６５：３５〜約２５ニア５の容積比で存在する混合物からなる、溶剤混 合物の充分量を接触させ前記の均一な皮膜に不都合に作用することなく、望まし くない付着物を選択的に溶解させ；そして （ｃ）塗布済み基体から前記の溶解した付着物を分離する、 各工程からなるホトレジストを塗布した基体の周辺部から望ましくないホトレジ スト材料を除去する方法に関する。

このように処理された塗布済み基体は、ついでソフトベーキング、露光および現 像のような標準的リングラフ方法の慣用の工程に付される。

さらに、本発明はこのエツジビーズ除去法に有用な上記の溶剤混合物自体にも関 するものである。

本発明に適当な基体にはシリコン、アルミニウムまたは重合体樹脂、シリコンダ イオキサイド、ドープしたシリコンダイオキサイド、シリコン樹脂、ガリウムア ルゼナイド、シリコンナイトライド、タンタル、銅、ポリシリコン、セラミクス およびアルミ巳つム／銅複合体などが含まれる。好ましい基体には、マイクロプ ロセッサおよびその他の微小集積回路部品の生産に用いられているような、熱成 長シリコンオキサイド／シリコンウエノ１がある。アルミニウム／アルミニウム オキサイドウニノーも同様に使用することができる。基体はまた各種のポリマー 樹脂で、特にポリエステルおよびポリオレフィンのよホトレジスト材料を用いる 塗布の前に、基体はこの技術分野で知られＩ；慣用の技術により、処理または清 浄化されるか、もしくはこの両方に付される。

基体上に塗膜として付与されるホトレジスト材料は任意のホトレジスト溶液であ ってもよく、これは通常のスピン塗布法により付与され、そして前述の乳酸エチ ル／メチルエチルケトン混合物中に可溶性のものである。好ましいホトレジスト 溶液はポジ型のホトレジストであり、これは適当な溶剤（例えば乳酸エチル）中 に溶解したノボラック樹脂、好ましくはクレゾール異性体混合物／ホルムアルデ ヒドノボラックおよびフェノール／ホルムアルデヒドノボラックと、ナフトキノ ンジアジド増感剤とからなるものである。この形式の好ましいホトレジストの１ つは、オリン・ハント・スペシャリティ・プロダクツ社製のｒウェイコート（Ｗ ＡＹＣＯＡＴ）■Ｊ　ＨＰＲ５０４で、これは乳酸エチル溶剤中のクレゾール異 性体混合物／ホルムアルデヒドノボラックとナフトキノンジアジド増感剤とで作 られている。

基体にホトレジスト溶液を付与するためには、任意の慣用の塗布方法を使用する ことができる。塗布方法上のパラメータ（例えばスピン速度、レジスト皮膜の厚 さ、その他など）は所望の最終用途に応じて変えることができる。シリコンオキ サイド／シリコンで作られた半導体ウェハを含めて、塗布操作に際してウェハは 真空チャック上に置き、ホトレジスト溶液がウェハの最上面の中央に拡げられる 間またはその後で高速で回転させる。

ホトレジスト皮膜が基体に付与された後、本発明の特徴的なプロセスが開始され る。これらの工程において、基体の表面、すなわち塗布されたもののエツジと基 体の裏面、すなわち裏側のエツジとに隣り合わせたホトレジスト塗膜の周辺部は 、基体のエツジ部に塗布されたホトレジスト材料とともに、この望ましくない材 料を溶解した後でこれをとり除くため溶剤混合物と接触させる。

除去する前のこの望ましくない材料は、米国特許第４．１１３．４９２号（Ｓａ ｔｏ他）の第１図に示されている。さらに特定的に、慣用のスピン塗布工程では また基体の塗布された部分、すなわち表面と基体の裏側、すなわち下端の面との 間の周辺部上に、時には望ましくないエツジビーズが形成される。これらのエツ ジビーズは米国特許第４．６８５，９７５号（Ｋｏｔｔｍａｎ他）の第５図と第 ６図に示されている。この溶剤の接触と材料の除去後の、望ましい一部塗布済み の基体が米国特許第４．５１８．６７８号（Ａｌｌｅｎ）の第３図によりもっと もよく示されている。

前述のように、乳酸エチルとメチルエチルケトンとが、それぞれ約６５７３５〜 約２５ニア５の容積比の混合物が使用される。好ましい容積比は約６０：４０〜 約４０：６０である。もっとも好ましい再溶剤の容積比は５０：５０である。

この周辺塗膜材料に溶剤混合物を接触させる好ましい方法は、米国特許第４．１ １３．４９２号（Ｓａｔｏ他）の第３．４および５図に示されているように、基 体裏側のエツジに向けてノズルにより圧力溶液から溶剤混合物を付与する方法で ある。溶剤混合物を約２〜約２０秒間、好ましくは約５〜１５秒間拡散して、こ の間ウェハは塗膜の厚さとウェハの直径とに応じて所定の速度で回転させる。エ ツジビーズを除去する溶剤混合物の所要量は個々の場合により決まってくる（例 えば、基体の種類および大きさ、ホトレジストの種類およびホトレジスト塗膜の 厚さなど）。

一般的に、約Ｉ　ＱｍＱ〜約２０１＋ＩＱの量を慣用のポジ型ホトレジストをも つ４インチ（１０，２ｃ＋ｎ）シリコンウェハに使用スる。

塗膜除去の溶剤混合物の拡散中に使用する回転速度は、溶剤混合物が基体のエツ ジ周辺とウェハの表面周辺部とに移動するように予め決められる。速度がおそく なればなるほど、表面上の薬品の移動がさらに内側に向って生じ、除去される塗 膜のバンドが大きくなる。周辺塗膜材料のバンドが大きくなって除去を行なうと 、さらに処理（例えば、リソグラフィーによる像形成と現像）するための基体上 に残る有効な区域を当然さらに小さくすることになる。従って、除去される周辺 バンドの所要のサイズは、基体上の有効な表面区域を最大にするために、周辺部 上に塗布された材料の不均一な区域を除去するために充分大きく、さらに最小限 とすべきである（こうして塗布された面を通して、実質的に均一な厚さの塗膜を 残留させる）。多くの場合、約０　、７５ｍｒｔｒ〜約２−０ｍｍの周辺バンド を除去するのが望ましく、できるだけ小さなバンドであるのがさらに好ましい。

この特定の溶剤混合物に用いる最適の拡散の速度は、４インチ（１０，２ｃｍ） のシリコンオキサイド／シリコンウェハについては約３５ＯＲＰＭ〜約７０ＯＲ ＰＭの範囲、さらに好ましくは約４５ＯＲＰＭ〜約６５ＯＲＰＭの範囲であると 考えられる。

この拡散の後、ウェハはさらに高速度、例えば２０００１？ＰＭ以上、さらに好 ましく約２５００〜約３５０ＯＲＰＭで回転させて遠心力によって所望の周辺区 域中の溶解した塗膜を除去する。この工程には２〜２０秒またはこれ以上の回転 時間が用いられる。

このエツジビーズの除去作業の後、塗布済み基体は、慣用のリングラフ処理に付 すことができる（例えば、基体にホトレジスト塗膜を良好に接着させそして残留 するキャスト用溶剤を除くためのソフトベーキング処理：放射線に対する塗布済 み基体の像露光；塗膜中にパターンを形成するための像露光された塗布済み基体 の現像など）。これらの引き続いて行なう各工程に対する特定のプロセスパラメ ータは多くの要因に関連し、そして最良のパラメータを選ぶのは当該分野の技術 の範囲内のことである。

実験　１〜８ 表面上にドープされていない熱的に成長させた、６０００オングストロームのシ リコンジオキサイド層をそれぞれ有する、多数の直径４インチ（１０，２ｃ＋＋ ＋）の酸化シリコンウェハを、これらの実験の基体として使用した。円形ウェハ の各々は、平らなエツジを形成させるために湾曲したエツジを除いた部分を若干 有している。この平らなエツジ（この分野では「フラット」と呼ばれている）は ウェハの円周でほぼ２０〜３０°の弧をなしている。これらのウェハを、それぞ れ過酸化水素／硫酸混合物を含む２つの浴中でまず清浄化しく各浴中で５分間） 、次いで２重カスケード脱イオン水洗浄装置で洗浄し、そして４インチウェハ用 に調整したセミツールＳＴ　−２７００型リンサー／ドライヤー中でスピン乾燥 した。次いで、これらの清浄化したウェハから残留水蒸気をとり除き、そしてこ れらをイールド・エツジニャリング・システム社製の、ＬＰＩ［Ｉ−Ｍ５８型真 空ベーク／ペーパー・プライム炉中１５０℃でヘキサメチルジシリザン（ＨＭＤ Ｓ）でプライマー処理した。この脱水化とプライマー処理操作に際して、ウェハ をこの炉の中で、交互に真空工程（２，５分間）と熱窒素ガス注入（２，５分間 ）とを３回行い、次いで５〜８トルの圧力で１分間ＨＭＤＳ蒸気を注入し、そし て真空２分間、窒素ガス２分間そして真空２分間からなる清浄化サイクルを用い て、炉から残留するＨＭＤＳ蒸気を除去した。この脱水化しプライマー処理した ウェハを、炉が窒素ガスで満たされた３分後に炉からとり出した。ウェハをつい で周囲温度にまで冷却した。

各ウェハの上面をついで「ウェイコート［Ｆ］Ｊ　ＨＰＲ５０４レジストで塗布 した（オリン・ハント・スペシャルティ・プロダクツ社製の乳酸エチル中に溶解 したクレゾール異性体混合物／ホルムアルデヒドノボラック樹脂とナフトキノン ジアジド増感剤とを含むポジ型ホトレジスト）。

レジストを付与するためにシリコン・バレイ・グループ（ＳＶＧ）社製の８６２ ６型塗布器を使用した。各ウェハの上面を、ウェハのエツジ、すなわち周辺部の まわりに生成した望ましくないビーズを除いて１２，０００オングストロームの レジストで均一に塗布した。

この塗布操作に際して、静止したウェハの中心上に約３ｒｎＱのレジストを注加 した。次いでスピン塗布器を始動させ、５００ＰＰＭで３秒間レジストを拡げた 。ついで、ウェハを８００ＯＲＰＭ／秒に加速して５０００ＰＰＭの所望のスピ ン速度とした。この速度で２０秒間スピンした。

つぎに、この塗布済みウェハを、裏側のリンスノズル（ＳＶＧ部品Ｎｏ、０６９ ５６−０１　；オリフィス径０．０６４インチ−１−６３＋＋ｎ）で適用する、 エツジビーズ除去液を用いて同じ塗布装置によるエツジビーズ除去操作に付した 。各ウェハを８種の異なるエツジビーズ除去液の１つにより処理した。いずれの 場合もこのエツジビーズ除去溶剤は、精密制御器を備えた加圧かん容器から供給 した。これらのエツジビーズ除去溶剤を、米国特許第４，１１３．４９２号（Ｓ ａｔ。

他）の第５図に示されたのとほぼ同じ方法で、ホトレジストを塗布したシリコン ウェハの裏側のエツジにそれぞれ付与した。以下の第１表に各溶剤液の特定とと もに、各液を付与する最適の付与スピン速度（ＲＰＭ）を示す。

各テストの目的は、レジスト塗膜のエツジとウエノ１全周のウェハエツジとの間 に完全な空白部を作るよう（すなわち、空白部中にかすやすしなどが全くない） にするために、溶剤液が拡散される最適またはもつとも早い供給スピン速度を決 定することである。もしこの拡散の速度がこの最適の速度以上に増大すると、こ の空白部は不完全なものになり始める。最適拡散速度が高くなればなる程この空 白部は益々せまくなりそして均一になることが知られているので、より高い最適 速度を示゛すこれらエツジビーズ除去溶剤が一般に一層好ましい。１００％ＭＥ Ｋは最高の最適拡散速度を有することが認められているが、ホトレジスト塗膜を 過度に昌すと思われる。

エツジビーズ除去操作には以下の時間的な各処理が含ｌ　　　スピン　　　　２ ．０　　　可変”’　　　１０．０００２　　供　給　　　１Ｏ１０可変”’　 　　１０．０００３　　　スピン　　　　２．０　　　可変（ｌゝ　　１０．０ ００４　　　乾燥スピン　１０．０　　　３．０００　　５０．０００５　　　 スピン　　　　２．０　　　　　０　　２０．００ＯＮ１　　個々の供給スピン 速度は第１表参照。

処理１，２および３のスピン速度は同じである。

処理２の間に、エツジビーズ除去用溶剤混合物を塗布済みウェハの裏面上に拡散 させる。この拡散された溶剤混合物はウェハの裏面上を外側に向けて流れ、次い で湾曲部の周辺を回ってウェハの塗布されている面の内側に流れこむ。処理３で は溶剤は供給されない。エツジビーズ除去用溶剤は供給工程の後もウェハのエツ ジ面になおもねばり付いているから、この工程は残留溶剤を実質的にすべて除去 し、そして得られたホトレジスト塗膜のエツジとウェハエツジとの間の空白部が 均一となるようにするためのものである。処理４は処理済みのウェハを乾燥し、 モしてウェハのエツジ部分上にな８残留しているホトレジスト材料のはがれた粒 子全てを除くためのものである。

各偶についてのこのビーズ除去法のこの他のプロセスパラメータは以下の通りで ある： 供給量　　　　１２．５ｍ１２ 供給圧力　　　５０オンス／インチ”（０，２２ｂｇ／　ｃｍ”）（３，１３ｐ ｓｉ） 規制弁目盛　　２．２５ ノズル位置　　　ウェハエツジから１０ｍｍに固定このエツジビーズ除去処理の 後、各塗布済みウェハを、シリコン・バレイ・グループ社製の８６３６型ホツト プレート炉を用いて、ソフトベーク処理をした。ソフトベーク温度は１１０℃、 時間は５０秒であった。

ソフトベークの後で、各ウェハをこのエツジビーズ除去処理の程度と良否とを測 定するために調べた。これらの観察の結果を第１表に示す。

第１表によると、実験ｌ（乳酸エチル１００容量％）は最適の拡散速度でレジス ト塗膜エツジとウェハのエツジとの間に、最小１．５ｍ＋Ｒの空白部を示した。

これは比較的大きな空白部であり、さらに望ましい比較的せまい空白部（例えば 、０．７５ｍｍ）を有する塗布済みウェハよりも利用しうるウェハ区域が少ない ことになる。さらに、これらの空白部中には著しい不均一性があった。従って、 このエツジビーズ除去用溶剤液を用いて作られた塗布済みウェハは大多数の産業 上の利用性を得ることはむずかしいと思われる。

同様に、実験２〜４からは比較的広くかつ不均一な空白部が作られるという観察 結果が得られた。これらのエツジビーズ除去用溶剤を用いて作られた塗布済みウ ェハは、多くの産業上の応用に対してはまた不適当なものである。

実験５．６および７は得られたウェハを大多数の産業上の成果にさらに適するよ うにする比較的せまくかつ均一な空白部を有した。実験５のエツジビーズ除去用 液を用いたウェハがもつとも好ましい。

実験８（１００％ＭＥＫ）はレジスト中に比較的せまくかつ均一なエツジ空白部 を生ずる。しかしながら、レジストのエツジの顕微鏡観察ではこれがでこぼこで あることを示した（すなわち、はさみで切った滑かな紙のエツジと比べて、手で 引き裂いた紙のエツジに相当する）。この粗いエツジは後の操作工程で、望まし くない粒子を生成させ易く、従ってウェハは多くの産業界の利用上、受容されな いものになる。

実験　９〜１２ 前記の実験を４種の異なるエツジビーズ除去液、すなわち（１）　５０容量％乳 酸エチル１５０容量％メチルエチルケトン；（２）　１００容量％乳酸エチル、 （３）　ＥＧＭＥＡおよび（４）アセトンについてくり返した。これらの実験の 目的は、各ビーズ除去用液により各ウェハのエツジから、レジストの空白部１． ５ｍｍを除去することである。この目的は第■表に示した各実験用のエツジビー ズ除去処理のパラメータにより達成された。

４枚のウェハを各エツジビーズ除去液を用いて処理し、ＳＶＧ　８６３６童ホツ トプレート炉で１１５℃、５０秒間ソフトベーク処理した。

走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を、各エツジビーズ除去溶剤により処理したウ ェハのレジストエツジの断面について撮影した。レジストが除去された空白部の エツジにおける、レジストの厚さの測定をダイアルキャリパゲージを用いてＳＥ Ｍ写真から行った。

これらのＳＥＭ写真から測定したレジスト膜厚さを以下に示す。

エツジビーズ除去後のレジスト膜の厚さＥＫ 乳酸エチル　　　　１．３５　　　　１．７５　　　　　０．４０ＥＧＭＥＡ　 　　　　　　　ｌ　、２５　　　　１．６７　　　　　０．４２アセトン　　　 　　　１．２７　　　　２．４５　　　　　１．１８ＳＢＦＴ−ンフトベーク処 理した膜の厚さＥＧＭＥＡ−エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート レジスト膜の厚さの増加はすべてのエツジビーズ除去用溶剤について認められた が、ＥＬ／ＭＥＫ混合物は著しく膨潤性が低いことを示した。この低度の膨潤性 がリングラフイー特性を、特に密着露光原板を用いるときに改善する（例えば精 密な寸法上のコントロールの改良）。

実験　１３及び１４ レジストの写真感度に及ぼす、５０容量％ＥＬ／　５０容量％ＭＥＫ溶剤混合物 の作用をテストした。各実験で用いたものと類似の６枚のシリコンウェハを、前 に述べたのと同じ方法で「ウェイコート＠　Ｊ　ＨＰＲ５０４ホトレジストでス ピン塗布した。３枚のこのウェハを密閉容器中に入れ、この中に１００ｍｆｆの 溶剤混合物を加えた。ウェハは容器中で６０秒間飽和雰囲気に当てた（溶剤混合 物に実際に接触はさせずに）。残る３枚のウェハはこのような処理をしなかった 。

つぎに、６枚のウェハはすべてＳＶＧ　８６３６型ホツトプレート炉で１１５° ０，５０秒間ソフトベーク処理した。このソフトベーク処理したウェハはＧＣＡ 　４８００Ｗステツパを用いて露光し、ウェイコートポジＬＳＩ現像液（オリン ・ハント・スペシャリティ・プロダクツ社製）を脱イオン水でｌ＝１にうすめた ものの中で、２１”Ｃで６０秒間浸漬現像をした。２．０μマスクの現像後の画 像の寸法を、ＩＴＰシステム８０ディメンジョン測定システムを使用して測定し た。

結果を第■表に示す。

Ｉ［［！！− 現像後の画像のディメンジョン（μ） 溶剤に当てる　　　　平　均　　　標準偏差あ　　　　リ　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　２．０３　　　　　　　　　　　　　　　０．０２な　　　 し　　　　　　　　　　　　　　　２．０１　　　　　　　　　　　　０．０２ これらの結果は、前記ＥＬ／ＭＥＫ溶剤混合物が使用したホトレジスト処方の写 真感度に対し認められるべき作用を有しないことを示している。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）（ａ）基体表面上にホトレジスト溶液をスピン塗布し、これによりその表面 周辺部の望ましくないホトレジスト材料の付着物を除く、前記基体表面の実質的 に全面に均一な皮膜を構成するホトレジスト膜を付与し； （ｂ）前記の塗布済み基体の周辺部に乳酸エチルとメチルエチルケトンとが、そ れぞれ約６５：３５〜約２５：７５の容積比で存在する混合物からなる、溶剤混 合物の充分量を接触させて、前記の均一な皮膜に不都合に作用することなく、望 ましくない付着物を選択的に溶解させ；そして （ｃ）前記の塗布済み基体から前記の溶解した付着物を分離する 各工程からなることを特徴とする、ホトレジスト基体の周辺部から望ましくない ホトレジスト材料を除去する方法。 ２）前記の基体がシリコンオキサイド／シリコンウエハである、請求項１記載の 方法。 ３）前記のホトレジスト溶液が、溶剤中のノポラック樹脂とナフトキノンジアジ ド増感剤との溶液からなる、請求項１記載の方法。 ４）乳酸エチルとメチルエチルケトンとの容積比がそれぞれ約６０：４０〜約４ ０：６０である、請求項１記載の方法。 ５）容積比が５０：５０である、請求項４記載の方法。 ６）前記の溶剤接触工程（ｂ）を、ノズルにより前記溶剤混合物を前記基体の裏 面の周辺部に対して導入し、前記溶剤混合物を前記基体の周辺部の方に移動させ るようにする、請求項１記載の方法。 ７）（ａ）前記ウエハの表面上に、溶剤中のノポラック樹脂とナフトキノンジア ジド増感剤とよりなるホトレジスト溶液をスピン塗布し、これにより前記ウエハ の表面周辺部の望ましくないホトレジスト材料付着物を除く前記ウエハ表面の実 質的に全面に均一な反膜を構成するホトレジスト膜を付与し；（ｂ）前記の塗布 済みウエハの周辺部に乳酸エチルとメチルエチルケトンとが、それぞれ約６５： ３５〜約２５：７５の容積比で存在する、溶剤混合物の充分量を接触させて前記 の均一な皮膜に不都合に作用することなく、望ましくない付着物を選択的に溶解 させ；そして （ｃ）前記塗布済みウエハから前記の溶解した付着物を分離する、 各工程からなることを特徴とする、シリコンオキサイド／シリコンウエハの周辺 部から望ましくないホトレジスト材料の除去方法。 ８）乳酸エチルとメチルエチルケトンとの容積比が、それぞれ約６０：４０〜約 ４０：６０である、請求項７記載の方法。 ９）容積比が５０：５０である、請求項８記載の方法。 １０）前記の溶剤接触工程（ｂ）を、ノズルにより前記溶剤混合物を前記ウエハ の裏側に対して導入し、前記溶剤混合物をウエハの周辺部の方に移動させるよう にする、請求項７記載の方法。 １１）ノポラック樹脂がクレゾール異性体の混合物／ホルムアルデヒドノボラッ ク樹脂である、請求項７記載の方法。 １２）乳酸エチルとメチルエチルケトンとの混合物として、それぞれ約６５：３ ５〜約２５：７５の容積比で存在する、溶剤混合物。 １３）前記容積比がそれぞれ約６０：４０〜約４０：６０である、請求項１２記 載の溶剤混合物。 １４）前記容積比が約５０：５０である、請求項１３記載の溶剤混合物。