JPS60116765A - 黄銅薄膜形成方法 - Google Patents
黄銅薄膜形成方法Info
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- JPS60116765A JPS60116765A JP22579183A JP22579183A JPS60116765A JP S60116765 A JPS60116765 A JP S60116765A JP 22579183 A JP22579183 A JP 22579183A JP 22579183 A JP22579183 A JP 22579183A JP S60116765 A JPS60116765 A JP S60116765A
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Links
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Classifications
-
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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-
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C26/00—Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は黄銅薄膜形成方法に関するものである。
従来、スパッタリング法により黄銅の薄膜を形成覆る場
合、基体が金屈等であれば問題はないが、高分子フィル
ム等のように融点が低く薄い物であると、イリ着した際
の黄銅の熱により基体がＩｌする欠点があり、また、形
成された黄銅１１１１１の成分比が不安定で、薄膜形成
速度が遅い欠点があった。
合、基体が金屈等であれば問題はないが、高分子フィル
ム等のように融点が低く薄い物であると、イリ着した際
の黄銅の熱により基体がＩｌする欠点があり、また、形
成された黄銅１１１１１の成分比が不安定で、薄膜形成
速度が遅い欠点があった。
本発明は、以上の欠点を改良し、高分子フィルムを基体
として用いた場合の熱による損傷を防止し、成分比の安
定した、かつ薄膜形成速度の速い黄銅薄膜形成方法の提
供を目的とするものである。
として用いた場合の熱による損傷を防止し、成分比の安
定した、かつ薄膜形成速度の速い黄銅薄膜形成方法の提
供を目的とするものである。
本発明は、上記の目的を達成Ｊ−るために、高分子フィ
ルムの基体に真空蒸着法又はイオンブレーティング法に
より、銅を薄く蒸着し、その後、該銅層の表面にグロー
放電中で亜鉛を蒸着して黄銅の薄膜を形成する黄銅薄膜
形成方法を提供り−るものである。
ルムの基体に真空蒸着法又はイオンブレーティング法に
より、銅を薄く蒸着し、その後、該銅層の表面にグロー
放電中で亜鉛を蒸着して黄銅の薄膜を形成する黄銅薄膜
形成方法を提供り−るものである。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
先ず、基体にポリエステルやポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等の高
分子フィルムを用いる。
レン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等の高
分子フィルムを用いる。
そして、この高分子フィルムに、先ず、銅を真空蒸着法
やイオンブレーティング法により付着して薄い銅層を形
成する。
やイオンブレーティング法により付着して薄い銅層を形
成する。
次に、銅層の表面に、亜鉛を、イオンプレーディング等
のグロー放電中で蒸着させる。この際、蒸着された亜鉛
は活性化状態にあり、下地の銅と反応して黄銅を生じ、
黄銅の薄膜が形成される。
のグロー放電中で蒸着させる。この際、蒸着された亜鉛
は活性化状態にあり、下地の銅と反応して黄銅を生じ、
黄銅の薄膜が形成される。
すなわち、本発明によれば、融点の高い銅を真空蒸着法
やイオンブレーティング法により蒸着するため、基体の
熱的損傷を防止できる。また、銅と亜鉛を別々に蒸着す
るため、成分比の安定した黄銅□の薄膜が形成される。
やイオンブレーティング法により蒸着するため、基体の
熱的損傷を防止できる。また、銅と亜鉛を別々に蒸着す
るため、成分比の安定した黄銅□の薄膜が形成される。
さらに、少なくとも銅を真空蒸着法等により蒸着してい
るため、薄膜を速く形成できる。
るため、薄膜を速く形成できる。
以上の通り、本発明により、高分子フィルムから−なる
基体を損傷することなく、安定した成分の黄銅の薄膜を
速（形成しうる黄＃＃薄膜形成方法が得られる。
基体を損傷することなく、安定した成分の黄銅の薄膜を
速（形成しうる黄＃＃薄膜形成方法が得られる。
特許出願人 日立コンデンサ株式会社
Claims (1)
- （１）高分子フィルムの基体に真空蒸着法又はイオンブ
レーティング法により銅を薄く蒸着し、その後、該銅層
の表面にグロー放電中で亜鉛を蒸着して黄銅の薄膜を形
成する黄銅薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22579183A JPS60116765A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 黄銅薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22579183A JPS60116765A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 黄銅薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60116765A true JPS60116765A (ja) | 1985-06-24 |
Family
ID=16834833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22579183A Pending JPS60116765A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 黄銅薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60116765A (ja) |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP22579183A patent/JPS60116765A/ja active Pending
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