JPS60228672A - 真空蒸着法 - Google Patents
真空蒸着法Info
- Publication number
- JPS60228672A JPS60228672A JP8468884A JP8468884A JPS60228672A JP S60228672 A JPS60228672 A JP S60228672A JP 8468884 A JP8468884 A JP 8468884A JP 8468884 A JP8468884 A JP 8468884A JP S60228672 A JPS60228672 A JP S60228672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surfactant
- substrate
- metallic layer
- metal layer
- ionized
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空蒸着法に関するものである。
高分子フィルム等の基体に金属を真空蒸着等して金属層
を形成した金属化フィルム等は、金属層の耐食性や耐摩
耗性等を向上するために、通常は、金属層の表面に保護
層が設けられている。
を形成した金属化フィルム等は、金属層の耐食性や耐摩
耗性等を向上するために、通常は、金属層の表面に保護
層が設けられている。
従来、金属層の表面に保護層を設けるのには、たとえば
界面活性剤等の物質をコーティングしたりあるいは真空
蒸着法等により付着する方法が用いられている。しかし
ながら従来のこのような方法では、金属層と界面活性剤
からなる保護層との接着力が弱く、容易に剥離するよう
な欠点があった。
界面活性剤等の物質をコーティングしたりあるいは真空
蒸着法等により付着する方法が用いられている。しかし
ながら従来のこのような方法では、金属層と界面活性剤
からなる保護層との接着力が弱く、容易に剥離するよう
な欠点があった。
本発明は、以上の欠点を改良し、金属層との密着性の良
好な界面活性剤からなる保護層を形成しつる真空蒸着法
の提供を目的とするものである。
好な界面活性剤からなる保護層を形成しつる真空蒸着法
の提供を目的とするものである。
本発明は、上記の目的を達成するために、金属層が形成
された基体の該金属層に界面活性剤を真空蒸着して蒸着
膜を形成する真空蒸着法において、基体近傍に水を導入
することを特徴とする真空蒸着法を提供するものである
。
された基体の該金属層に界面活性剤を真空蒸着して蒸着
膜を形成する真空蒸着法において、基体近傍に水を導入
することを特徴とする真空蒸着法を提供するものである
。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
先ず、ポリエチレンテレフタレートやポリエステル、ポ
リプロピレン等の高分子フィルムからなる厚さ数μｍ−
数１０μｍの基体に、アルミや亜鉛等の金属あるいは鉄
やコバルト、ニッケル等の強磁性金属を真空蒸着して金
属層を形成する。次に、第１図に示すような装置を用い
て、基体１の金属層の表面に界面活性剤からなる保護層
を形成する。第１図に示す装置は、ＣＶＤ型装置を示し
、真空槽２の一部に突出部３が設（プられており、突出
部３の先端には水が充填されたボンベ４が真空槽２内部
に水を注入しつるように配設され、また突出部３の中間
には高周波コイル５が配設され真空槽２内部に注入され
た水をイオン化するようになっている。すなわち、ボン
ベ４により注入された水は高周波コイル５によりイオン
化され、このイオン化された水が基体１の近傍に導かれ
る。そしてこの状態で蒸発源６に充填された高級脂肪酸
等の界面活性化剤７が蒸発し、基体１の金属層に付着す
る。この際、基体１の近傍にはイオン化された水が導入
され酸素イオンや水酸イオン等が存在しているため界面
活性剤７が容易に金属塩化され、そのために基体１に形
成された金属層に強固に付着する。すなわち、金属層表
面に接着力の強い保１ｆＥが形成される。
リプロピレン等の高分子フィルムからなる厚さ数μｍ−
数１０μｍの基体に、アルミや亜鉛等の金属あるいは鉄
やコバルト、ニッケル等の強磁性金属を真空蒸着して金
属層を形成する。次に、第１図に示すような装置を用い
て、基体１の金属層の表面に界面活性剤からなる保護層
を形成する。第１図に示す装置は、ＣＶＤ型装置を示し
、真空槽２の一部に突出部３が設（プられており、突出
部３の先端には水が充填されたボンベ４が真空槽２内部
に水を注入しつるように配設され、また突出部３の中間
には高周波コイル５が配設され真空槽２内部に注入され
た水をイオン化するようになっている。すなわち、ボン
ベ４により注入された水は高周波コイル５によりイオン
化され、このイオン化された水が基体１の近傍に導かれ
る。そしてこの状態で蒸発源６に充填された高級脂肪酸
等の界面活性化剤７が蒸発し、基体１の金属層に付着す
る。この際、基体１の近傍にはイオン化された水が導入
され酸素イオンや水酸イオン等が存在しているため界面
活性剤７が容易に金属塩化され、そのために基体１に形
成された金属層に強固に付着する。すなわち、金属層表
面に接着力の強い保１ｆＥが形成される。
なお、上記の実施例においては、界面活性剤の金属塩化
を促進するために、水をイオン化したが、必ずしもイオ
ン化する必要はなく、イオン化されていない水を基体近
傍に導入しても界面活性剤の金属塩化が可能であり、接
着力の強い保護層が得られる。ただし、イオン化された
水に比べて、界面活性剤の金属塩化の反応が遅くなる。
を促進するために、水をイオン化したが、必ずしもイオ
ン化する必要はなく、イオン化されていない水を基体近
傍に導入しても界面活性剤の金属塩化が可能であり、接
着力の強い保護層が得られる。ただし、イオン化された
水に比べて、界面活性剤の金属塩化の反応が遅くなる。
また、基体に界面活性剤を真空蒸着するのに、第１図に
示すような装置に限定されることなく、たとえば第２図
に示すように、ボンベ８からの水をイオンソース９を通
し、エミッタ１０を通過させて負イオンを引き出すよう
な装置を用いてもよく、第１図の装置ではラジカルが基
体に衝突し基体の温度が上昇して損傷したり、蒸発した
界面活性剤を破壊したりする欠点があるが、負イオンを
導入することによりこのような欠点を改良できる。
示すような装置に限定されることなく、たとえば第２図
に示すように、ボンベ８からの水をイオンソース９を通
し、エミッタ１０を通過させて負イオンを引き出すよう
な装置を用いてもよく、第１図の装置ではラジカルが基
体に衝突し基体の温度が上昇して損傷したり、蒸発した
界面活性剤を破壊したりする欠点があるが、負イオンを
導入することによりこのような欠点を改良できる。
さらに、第３図に示す通り、アナライジングマグネット
１１を用いることにより、イオンソース１２を介してエ
ミッタ１３を通過した負イオンのうち水酸イオンのみを
基板近傍に集中でき、界面活性剤の金属塩化をより促進
できる。
１１を用いることにより、イオンソース１２を介してエ
ミッタ１３を通過した負イオンのうち水酸イオンのみを
基板近傍に集中でき、界面活性剤の金属塩化をより促進
できる。
以上の通り、本発明によれば、金属層との接着力を向上
しつる保護層を真空蒸着により形成しうる真空蒸着法が
得られる。
しつる保護層を真空蒸着により形成しうる真空蒸着法が
得られる。
第１図は本発明の実施に用いられる装置の正面断面図、
第２図及び第３図は本発明の実施に用いられる他装置の
正面断面図の一部を示す。 １・・・基体、 ７・・・界面活性剤。 特許出願人 日立コンデンサ株式会社 第１図 第２図 第３図
第２図及び第３図は本発明の実施に用いられる他装置の
正面断面図の一部を示す。 １・・・基体、 ７・・・界面活性剤。 特許出願人 日立コンデンサ株式会社 第１図 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）金属層が形成された基体の該金属層に界面活性剤
を真空蒸着して保ｍＩ！を形成する真空蒸着法において
、基体近傍に水を導入することを特徴とする真空蒸着法
。 - （２）水がイオン化されている特許請求の範囲第１項記
載の真空蒸着法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8468884A JPS60228672A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 真空蒸着法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8468884A JPS60228672A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 真空蒸着法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60228672A true JPS60228672A (ja) | 1985-11-13 |
Family
ID=13837612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8468884A Pending JPS60228672A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 真空蒸着法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60228672A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5725674A (en) * | 1991-03-18 | 1998-03-10 | Trustees Of Boston University | Device and method for epitaxially growing gallium nitride layers |
| US7235819B2 (en) | 1991-03-18 | 2007-06-26 | The Trustees Of Boston University | Semiconductor device having group III nitride buffer layer and growth layers |
-
1984
- 1984-04-26 JP JP8468884A patent/JPS60228672A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5725674A (en) * | 1991-03-18 | 1998-03-10 | Trustees Of Boston University | Device and method for epitaxially growing gallium nitride layers |
| US7235819B2 (en) | 1991-03-18 | 2007-06-26 | The Trustees Of Boston University | Semiconductor device having group III nitride buffer layer and growth layers |
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