JPS60122719A - 銅イオンの回収方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は溶液中の金属イオンを回収除去する方法に係わ
９、特に溶液中の銅イオンを回収除去する方法に係わる
。

〔発明の技術的背景〕

従来よシ溶液中の銅イオンの処理法として、■沈澱法、
■析出法、■イオン交換法が知られている。■の方法は
銅イオン含有水にアルカリを加え、ＰＨを調整して水酸
化？１１１１を生成させ、これに高分子凝集剤を加えて
粗大フロックを形成させ、沈降分離する方法である。こ
の方法では水酸化銅の沈降性を改善するのが難しく、ま
た生じたスラッジの処理も困難である。■の方法は鉄く
ずを銅イオン含有水と作用させて、イオン化傾向の差に
より銅イオンを金属銅として析出させる方法であるが、
銅イオンが残存しやすく、特に低濃度では効率が悪い。

■の方法は通常のイオン交換樹脂を用いる方法で、スラ
ッジを全く生成せず除去率も非常によい反曲、イオン交
換樹脂の可成を必要とする等、操作や維持に手間と時間
がかかる。

〔発明の目的〕

本発明はこのような事情に基づきなされたもので、簡便
で効率のよい銅イオンの回収方法を提供するものである
。

〔発明の概要〕

本発明は、銅イオンを含む溶液にアンモニア又はアミン
を添加し、金属酸化物半導体を共存させこの金属酸化物
半導体に可視または紫外光を照射することにより、金属
酸化物半導体上に溶液中の銅イオンを回収除去すること
を特徴とする銅イオンの回収方法である。

以下本発明の詳細な説明する。

既に、Ａｌ　１４ｎ：ＩＪ、　Ｂａｒｄらによって報告
されているように（Ｊ−Ｐｈｙｓ　Ｃｈｅｗ　６１　８
３（１７）、　２２４８（１９７９）。

銅イオンを含む溶液にＴｉ０ｚあるいはＷＯｓ等の半導
体微粉末を懸濁させ、これに酢酸塩を添加するかあるい
は添加せずに紫外光を照射すると溶液中の銅イオンが半
導体粉末上に析出してくる現象が知られている。本発明
者らは、この現象に関連した実験を重ねているうちに、
銅イオンを含む溶液中に酢酸ではなくアンモニアまたは
アミンを添力１゜て紫外光を照射すると、溶液中の鋼イ
オンがより迅速かつ高効率で除去できることを見い出し
た。

さらに、第１図にアンモニアの場合について例示するよ
うに、添加するアンモニア又はアミンの量と溶液中の銅
イオンの除去率の間には、特異的な関係があり、銅イオ
ン鏡Ｋに対する試薬の濃度をアンモニアの場合には２〜
８倍、好ましくは３〜６倍、アミンとして例えばメチル
アミンの場合には５〜２０倍、好ましくは８〜１５倍加
えたときに銅イオンの除去効果が著しいことを見い出し
た。

なお第１図は金属酸化物半導体として５ｒＴｉＯｓ粉末
銅イオン濃度Ｏ１１ｍｏｌ／ｌ、照射光源５００Ｗ　Ｘ
ｅランプを用いた場合の例である。

本発明において用いられる金属酸化物半導体としてはＴ
ｉ０ｚ、　５ｒＴｉＯｓ　、ＷＯ３，Ｆ２ｉＯｚ　Ｆｅ
２０Ｂ、などがある。

またこれらのうち２種類以上を混合して用いてもよい。

これらの半導体は微粒子として溶液中に懸濁させて用い
てもよく、また支持体上に薄膜状に半導体層を形成して
用いてもよい。薄膜の形式方睦としては、通常の方法、
即ち、スパッタリング法、圧縮成形法、コロイド溶液処
理法、接着法等が用いられる。

また、本発明において使用する光源は、通常の可視から
紫外域の光を発するものなら何れでもよく、場合によっ
ては太陽光も利用可能である。

〔発明の実施例〕

次に実施例に基づいて、本発明をさらに説明する。

実施例１　金属酸化物半導体としてＴｉＯ２粉末（３ｏ
Ｏｍｅｓυを用い、これｋ　Ｏ，１ｍｏｌ／ｌのＣｕ　
ＳＯ４，と０３ｍｏｌ／ｌのＮＨ３を含む溶液１００ｍ
Ａ！中に入れて攪拌しながら、２ＫＷ超高圧水銀ランプ
を６時間照射した。

照射後、半導体粉末をろ別し、液を分析したところ８４
チの鋼イオンが除去されていた。

実施例２ ８αＸ８（！Ｉ１１の硬質ガラス製の基板の片面にＴ　
ｉＯｚを約１μｍ厚スパッタリングしたものを作製し、
これを内法が２５ｃｒｎ×３５ｃ！ｎの底面の水槽の底
に１２枚しきつめた。この水槽に深さ５ｃＩｎまで、銅
イオンを１．０ｐｐｍ、メチルアミンを１１００ｐｐ含
む溶液を満たし、水槽には赤外線を遮断するフィルター
からなるふたを取り付けた。この水、檜を太陽光により
５時間照射したところ、溶液中の銅イオンを約９３％除
去することができた。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明による銅イオンの回収除去法によ
れば電気的な装置は不用で、しかも用いる金属酸化物半
導体は、通常の半導体米子のような厳密な構造をもつ必
要はなく、製作がきわめて容易である。また銅イオンの
濃度溶液にも希薄溶液の処理にも用いることができ、回
収、除去効率も非常にすぐれている。また照射光源とし
て太陽光を利用することも可能で、経済的にも有利であ
る。このように本発明は銅イオンを含む各種排水、排液
の処理や、排液からの銅イオンの回収等さまざまな用途
に用いることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による銅イオンの回収法において、加え
るアンモニア濃度と溶液からの銅イオンの除去率との関
係を示す曲線図。 （ｔより１１　る　Ｊ 第１図 「〜ぺ／［ＱＸ＋］

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｆｌｌ銅イオンを含む溶液にアンモニアまたはアミンを
   添加し、金属酸化物半導体を共存応せ、該金属酸化物半
   導体に可視または紫外線を照射することによシ、該金属
   酸化物半導体上に溶液−中の銅イオンを回収除去するこ
   とを特徴とする銅イオンの回収方法。 （２）銅イオンの濃度に対し、モル比で２・〜８倍のア
   ンモニアを加えることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の溶液中の銅イオンの回収方法。 （３）アミンがメチルアミンであり、かつメチルアミン
   の銅イオン濃度に対する比を、モル比で５〜２０倍とす
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の溶液中
   の銅イオンの回収方法。