JPS6012285B2 - 硫化カドミウム析出膜の製造法 - Google Patents
硫化カドミウム析出膜の製造法Info
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- JPS6012285B2 JPS6012285B2 JP1189877A JP1189877A JPS6012285B2 JP S6012285 B2 JPS6012285 B2 JP S6012285B2 JP 1189877 A JP1189877 A JP 1189877A JP 1189877 A JP1189877 A JP 1189877A JP S6012285 B2 JPS6012285 B2 JP S6012285B2
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- Chemically Coating (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、チオ尿素とカドミウムイオンとを主反応物質
とする均一沈澱反応により硫化カドミウム析出膜を得る
方法の改良に関する。
とする均一沈澱反応により硫化カドミウム析出膜を得る
方法の改良に関する。
従来、この種の硫化カドミウム析出膜の製造法において
、１回の反応で得られる膜の厚さを増す目的で「反応液
の組成、反応温度、あるいは基板などについて数多くの
検討が行われている。
、１回の反応で得られる膜の厚さを増す目的で「反応液
の組成、反応温度、あるいは基板などについて数多くの
検討が行われている。
しかし、いずれにしても、反応は溶液中での均一沈澱反
応であるため、基板の単位面積当たりの硫化カドミウム
析出量を多くすることは困難であり、１回の反応で０．
５〜０．６レ程度の膜厚を得るのが限度であった。また
膜としての回収率も２０％程度が限度であった。本発明
は、反応液の全反応が終了する間に、溶液中での硫化カ
ドミウム生成量に対し、硫化カドミウム膜としての生成
量を多くし、かつ１回の反応で生成される濃厚を厚くす
る方法を提供するものである。
応であるため、基板の単位面積当たりの硫化カドミウム
析出量を多くすることは困難であり、１回の反応で０．
５〜０．６レ程度の膜厚を得るのが限度であった。また
膜としての回収率も２０％程度が限度であった。本発明
は、反応液の全反応が終了する間に、溶液中での硫化カ
ドミウム生成量に対し、硫化カドミウム膜としての生成
量を多くし、かつ１回の反応で生成される濃厚を厚くす
る方法を提供するものである。
まず、液組成や反応温度と、反応速度、膿成長速度、得
られる腰厚についての検討結果を第１表に示す。
られる腰厚についての検討結果を第１表に示す。
反応液は、カドミウムイオン濃度０．０６６７モル／そ
、チオ尿素濃度０．３３３モル／Ｚ、アンモニア濃度１
．０５モル／Ｚとして餌１０．１７に調整したものを標
準とし、反応温度の標準は８び０とした。
、チオ尿素濃度０．３３３モル／Ｚ、アンモニア濃度１
．０５モル／Ｚとして餌１０．１７に調整したものを標
準とし、反応温度の標準は８び０とした。
反応速度に相当するるものとしてカドミウムイオン濃度
が反応開始時のそれの１／４に減少するまでの時間で表
し、膜厚は前記の時間までに得なれた膜厚で表した。第
１表 これらの実験の結果、溶液中での反応速度が、し、場合
（舷．７，１０，１３）には一定量のカドミウムイオン
の反応に対する膜成長は減少する。
が反応開始時のそれの１／４に減少するまでの時間で表
し、膜厚は前記の時間までに得なれた膜厚で表した。第
１表 これらの実験の結果、溶液中での反応速度が、し、場合
（舷．７，１０，１３）には一定量のカドミウムイオン
の反応に対する膜成長は減少する。
また液中での硫化カドミウム生成量の多い場合（蛇１）
にも膜成長は減少する。しかし他の場合にはそれほど大
きな差が見られなかった。液相反応の温度依存性の検討
は第１表にあげた例の他、数種類の混合液を用いて行っ
たが、これらの結果は液組成の変化にほとんど関係なく
、１式でｋ工ｋｏｅｘｐ（−２６．１×ＩＱ／Ｔ）
……ｌｋ： 反応速度定数ｋｏ：定数（反応液により異
なる） Ｔ ：絶対温度 表されることが判かつた。
にも膜成長は減少する。しかし他の場合にはそれほど大
きな差が見られなかった。液相反応の温度依存性の検討
は第１表にあげた例の他、数種類の混合液を用いて行っ
たが、これらの結果は液組成の変化にほとんど関係なく
、１式でｋ工ｋｏｅｘｐ（−２６．１×ＩＱ／Ｔ）
……ｌｋ： 反応速度定数ｋｏ：定数（反応液により異
なる） Ｔ ：絶対温度 表されることが判かつた。
一方、反応初期の膜成長速度の温度依存性も「同様の式
により表され２式の様になった。
により表され２式の様になった。
Ｖ＝Ｖｏｅｘｐ（一１１．５×１ぴ／Ｔ） ……２Ｖ
：（膿成長速度Ｖｏ：定数（反応液により異なる） Ｔ：絶対温度 この結果から反応速度および膜成長速度は温度の上昇と
ともに指数函数的に増加することがわかる。
：（膿成長速度Ｖｏ：定数（反応液により異なる） Ｔ：絶対温度 この結果から反応速度および膜成長速度は温度の上昇と
ともに指数函数的に増加することがわかる。
また膜の成長は常に新しい反応液中に放置した場合、初
期の成長速度が保たれ、第１図に示す様に膜厚は時間と
ともに直線的に増加することが確かめられた。
期の成長速度が保たれ、第１図に示す様に膜厚は時間と
ともに直線的に増加することが確かめられた。
また反応液中に硫化カドミウムが多量に生成された場合
にはト膜の成長は止まることともに沈澱物が次着し、良
い膜が得られない現象も観察された。
にはト膜の成長は止まることともに沈澱物が次着し、良
い膜が得られない現象も観察された。
これらの実験の結果、厚い膜を作る方法として２つの方
法が考えられる。
法が考えられる。
１つは常に新しい反応液を流し、簾を成長させる方法で
ある。
ある。
しかしこの方法では全反応に対する膜としての回収率が
非常に少なくなり、工業的な使用目的のためには好まし
くない。本発明は、反応の液の大部分の液の温度を低く
おさえ、硫化カドミウムを析出させる基板部分の液の温
度を高くすることによって、回収率が大きく、かつ濃厚
の厚い硫化カドミウム析出膜を提供するものである。
非常に少なくなり、工業的な使用目的のためには好まし
くない。本発明は、反応の液の大部分の液の温度を低く
おさえ、硫化カドミウムを析出させる基板部分の液の温
度を高くすることによって、回収率が大きく、かつ濃厚
の厚い硫化カドミウム析出膜を提供するものである。
本発明を実施するには次のような方法がある。
１ 反応液を循環させ、基板のある部分で液温を上げ、
それ以外の部分は冷却する方法。
それ以外の部分は冷却する方法。
２ バッチ法で、反応液を冷却し、基板板の部分で加熱
する方法。
する方法。
３ １，２を絹合せた方法で、液を循環させて冷却し、
基板の部分だけ加熱する方法。
基板の部分だけ加熱する方法。
以下本発明の実施例を説明する。
第２図は上記１の方法を実施する装置の概要を示すもの
で、基板１を設置した高温反応管２に、ポンプ３を備え
た反応液循環路４を結合し、図矢印Ｘの方向に反応液を
循環させる。
で、基板１を設置した高温反応管２に、ポンプ３を備え
た反応液循環路４を結合し、図矢印Ｘの方向に反応液を
循環させる。
５は反応管２を加熱する加熱器、６は冷却管、７は冷却
水の入口、８はその出口である。
水の入口、８はその出口である。
この装置によれば、反応管２内の液が加熱され、次に冷
却管６で冷却されるので、循環路４中での反応は抑制さ
れる。第３図は、上記２の方法を実施する装置を示すも
ので、反応液を収容した反応槽９の側部に基板１を取り
付け、基板１をヒーター０等により外部から加熱するよ
うにする。この方法によれば、反応液は基板と接する部
分が加熱されるので、．その部分の反応速度が大きくな
る。第４図は上記３の方法を実施する装置を示す。
却管６で冷却されるので、循環路４中での反応は抑制さ
れる。第３図は、上記２の方法を実施する装置を示すも
ので、反応液を収容した反応槽９の側部に基板１を取り
付け、基板１をヒーター０等により外部から加熱するよ
うにする。この方法によれば、反応液は基板と接する部
分が加熱されるので、．その部分の反応速度が大きくな
る。第４図は上記３の方法を実施する装置を示す。
１１は反応管で、これに基板１を取り付けてヒ−夕１２
により加熱する。
により加熱する。
１３は反応管１１に結合した反応液の循環路で、ポンプ
１２を有する。
１２を有する。
１４は冷却管、１５は冷却水の入口、１６はその出口で
ある。
ある。
この装置では、反応液は基板と接する部分のみが加熱さ
れ、その他の部分は冷却される。次に上記２の方法の具
体例を述べる。
れ、その他の部分は冷却される。次に上記２の方法の具
体例を述べる。
反応液には、前記の標準液を用い、これをガラス容器に
入れて外部より冷却し、ガラス製基板はその裏面に１０
０午０に加熱したオイルを流して加熱するようにした。
入れて外部より冷却し、ガラス製基板はその裏面に１０
０午０に加熱したオイルを流して加熱するようにした。
この方法によると、基板には、温度約８０ｑｏにおける
膜成長速度に相当する速さで析出膜が成長したが、反応
液の反応速度は約４０ｑｏでの反応に対応してゆるやか
なものであった。また反応液全体の温度を８０ｑｏにし
た従釆法では液相中での反応によりカドミウムイオン濃
度が減少するため、一定の厚さで膜の成長が停止した。
上記本発明のａと従来法ｂについて反応時間と析出膜の
厚さとの関係は第５図の如くで、本発明によれば、膜厚
３仏以上の良質の析出膜が得られた。以上のように、本
発明によれば、基板部分が優先的に加熱されるので、析
出膜の厚さを大きくすることができ、かつその他の液相
部分における反応が抑制されるので、膜としての回収率
を良くすることができる。
膜成長速度に相当する速さで析出膜が成長したが、反応
液の反応速度は約４０ｑｏでの反応に対応してゆるやか
なものであった。また反応液全体の温度を８０ｑｏにし
た従釆法では液相中での反応によりカドミウムイオン濃
度が減少するため、一定の厚さで膜の成長が停止した。
上記本発明のａと従来法ｂについて反応時間と析出膜の
厚さとの関係は第５図の如くで、本発明によれば、膜厚
３仏以上の良質の析出膜が得られた。以上のように、本
発明によれば、基板部分が優先的に加熱されるので、析
出膜の厚さを大きくすることができ、かつその他の液相
部分における反応が抑制されるので、膜としての回収率
を良くすることができる。
第１図は反応温度を一定にし、かつ基板が常に新しい反
応液と接するようにしたときの反応時間と析出膜の厚さ
との関係を示す図、第２〜第４図は本発明を実施する装
置の構成例を示す図、第５図は本発明法と従来法の反応
時間と析出膜の厚さとの関係を示す。 第１図 第３図 第２図 第４図 第５図
応液と接するようにしたときの反応時間と析出膜の厚さ
との関係を示す図、第２〜第４図は本発明を実施する装
置の構成例を示す図、第５図は本発明法と従来法の反応
時間と析出膜の厚さとの関係を示す。 第１図 第３図 第２図 第４図 第５図
Claims (1)
- １ チオ尿素とカドミウムイオンンとを主反応物質とし
て含む溶液に基板を浸漬し前記両反応物質による沈澱反
応により基板上に硫化カドミウム膜を析出させる方法で
あって、前記溶液の基板と接触する部分の温度を他の部
分より高くすることを特徴とする硫化カドミウム析出膜
の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1189877A JPS6012285B2 (ja) | 1977-02-04 | 1977-02-04 | 硫化カドミウム析出膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1189877A JPS6012285B2 (ja) | 1977-02-04 | 1977-02-04 | 硫化カドミウム析出膜の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5396995A JPS5396995A (en) | 1978-08-24 |
| JPS6012285B2 true JPS6012285B2 (ja) | 1985-04-01 |
Family
ID=11790538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1189877A Expired JPS6012285B2 (ja) | 1977-02-04 | 1977-02-04 | 硫化カドミウム析出膜の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6012285B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3014908B1 (fr) * | 2013-12-12 | 2016-01-29 | Electricite De France | Bain a persulfate et procede pour le depot chimique d'une couche. |
-
1977
- 1977-02-04 JP JP1189877A patent/JPS6012285B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5396995A (en) | 1978-08-24 |
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