JPS60128449A - フオトマスクとその製造方法 - Google Patents
フオトマスクとその製造方法Info
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- JPS60128449A JPS60128449A JP58237089A JP23708983A JPS60128449A JP S60128449 A JPS60128449 A JP S60128449A JP 58237089 A JP58237089 A JP 58237089A JP 23708983 A JP23708983 A JP 23708983A JP S60128449 A JPS60128449 A JP S60128449A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
-
- G—PHYSICS
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体の集積回路や高密ｒ！１集積回路等の
製造工程において使用されるフォトマスクとその製造方
法、特に被転写基板に密着露光工程で使用されるフォト
マスクとその製造方法の改良に関する。
製造工程において使用されるフォトマスクとその製造方
法、特に被転写基板に密着露光工程で使用されるフォト
マスクとその製造方法の改良に関する。
このフォトマスクは、基本的に第１図に示ｔｌ’ 工程
で製造される。すなわち、表面を精密研磨し、洗浄した
ソーダライムガラス等の透明基板１上にスパッタリング
法等により金属クロム等の遮光性薄膜２を被着し、こｐ
遮光性薄膜２上に７オトレジスト３を塗布して、フォト
マスクブランク４を製作しく第１図（ａ））、次に、適
当な露光装置を用いて所定のパターンを得るように７オ
トレジスト３を露光した後、現像して、レジストパター
ン５を遮光性薄膜２上に形成しく同図（ｂ））、次に、
このレジストパターン５をマスクとして、遮光性薄膜２
の露出部分をエツチングにより除去して、レジストパタ
ーン５下に遮光性ＲＱ Ｒ’Ａのパターン６を形成しく
同図（Ｃ））、そして、レジメドパターン５を剥離液に
より除去して、透明基板１上に所定のパターン６を形成
したフォトマスク７が製作される。
で製造される。すなわち、表面を精密研磨し、洗浄した
ソーダライムガラス等の透明基板１上にスパッタリング
法等により金属クロム等の遮光性薄膜２を被着し、こｐ
遮光性薄膜２上に７オトレジスト３を塗布して、フォト
マスクブランク４を製作しく第１図（ａ））、次に、適
当な露光装置を用いて所定のパターンを得るように７オ
トレジスト３を露光した後、現像して、レジストパター
ン５を遮光性薄膜２上に形成しく同図（ｂ））、次に、
このレジストパターン５をマスクとして、遮光性薄膜２
の露出部分をエツチングにより除去して、レジストパタ
ーン５下に遮光性ＲＱ Ｒ’Ａのパターン６を形成しく
同図（Ｃ））、そして、レジメドパターン５を剥離液に
より除去して、透明基板１上に所定のパターン６を形成
したフォトマスク７が製作される。
このようなフ第１〜マスク７は、被転写基板としてフォ
トレジスト付き半導体基板に密着露光してパターン転写
用に使用される。また、このフォトマスク７は消耗品で
あることから、前述したフォトマスクブランク４に密着
露光してマスター用又はザブマスター用のフォトマスク
を被転写基板として製作づる場合にも使用され、この場
合、マス、ター用又はサブマスター用のフォトマスクが
前述したフォトレジスト付き半導体基板へのパターン転
写用フォトマスクとして使用される。更に、この転写用
又は被転写用のフォトマスクとしては、コストとの関係
で、遮光性薄膜として銀乳剤被膜を使用した、いわゆる
エマルジョンマスクが使用されることもある。
トレジスト付き半導体基板に密着露光してパターン転写
用に使用される。また、このフォトマスク７は消耗品で
あることから、前述したフォトマスクブランク４に密着
露光してマスター用又はザブマスター用のフォトマスク
を被転写基板として製作づる場合にも使用され、この場
合、マス、ター用又はサブマスター用のフォトマスクが
前述したフォトレジスト付き半導体基板へのパターン転
写用フォトマスクとして使用される。更に、この転写用
又は被転写用のフォトマスクとしては、コストとの関係
で、遮光性薄膜として銀乳剤被膜を使用した、いわゆる
エマルジョンマスクが使用されることもある。
しかして、このようなフォトマスク７をフォトレジスト
付き半導体基板等の被転写基板に密着露光してパターン
転写するとき、相互接触により静電気が発生し、フ第１
〜マスク７のパターン６問に放電現象が起こり、特に、
パターン６が島状に形成されている場合、そのパターン
６の周辺部に欠落を生じる。このようなパターン６の欠
落は転写用フォトマスクとしての機能を喪失し、致命的
欠点となる。
付き半導体基板等の被転写基板に密着露光してパターン
転写するとき、相互接触により静電気が発生し、フ第１
〜マスク７のパターン６問に放電現象が起こり、特に、
パターン６が島状に形成されている場合、そのパターン
６の周辺部に欠落を生じる。このようなパターン６の欠
落は転写用フォトマスクとしての機能を喪失し、致命的
欠点となる。
このような欠点を除去する手段として、第２図に示すよ
うに、透明基板１の露出表面上とパターン６上とに、膜
厚５０八程度の酸化スズ等の透明導電膜８を被着したフ
ォトマスク９が（；？案されている。
うに、透明基板１の露出表面上とパターン６上とに、膜
厚５０八程度の酸化スズ等の透明導電膜８を被着したフ
ォトマスク９が（；？案されている。
しかしながら、この提案によるフォトマスク９は、前述
した欠点に対して静電気の帯電を防止することができて
も、透明導電膜８の膜厚が透光性を確保するため、比較
的薄く、その表面形状が凹凸状になっていることから、
これをフォトレジスト付き半導体基板等の被転写基板に
密着露光づる際、その透明導電膜８の一部が剥離して被
転写基板のフォトレジストに付着Ｊる場合があり、それ
がため、被転写用基板のフォトレジストに所定のパター
ン転写を不能にする欠点があった。
した欠点に対して静電気の帯電を防止することができて
も、透明導電膜８の膜厚が透光性を確保するため、比較
的薄く、その表面形状が凹凸状になっていることから、
これをフォトレジスト付き半導体基板等の被転写基板に
密着露光づる際、その透明導電膜８の一部が剥離して被
転写基板のフォトレジストに付着Ｊる場合があり、それ
がため、被転写用基板のフォトレジストに所定のパター
ン転写を不能にする欠点があった。
また、この提案によるフォトマスク９は、透明導電膜８
の被着前において所定のパターン６を形成していたにも
かかわらず、その後、透明導電膜８の透過率を９０％以
上に高くするために、 通常４００〜５００℃程度の高
温処理を必要とし、前述したパターン６がμｌオーダー
で熱変形をもたら１゛欠点もあった。
の被着前において所定のパターン６を形成していたにも
かかわらず、その後、透明導電膜８の透過率を９０％以
上に高くするために、 通常４００〜５００℃程度の高
温処理を必要とし、前述したパターン６がμｌオーダー
で熱変形をもたら１゛欠点もあった。
本発明の目的は、上記欠点を除去することであり、すな
わち、被転写基板との密着露光工程において、（１）フ
ォトマスクのパターンに対して全く欠落を生じないこと
、（２）被転写基板のフォトレジストに所定のパターン
転写を確実、かつ精密に行うこと、及び（３）透明導電
膜の透過率の向上手段のような高温処理を不要にするこ
との３項目を同時に満足させたフォトマスクを提供する
ことである。
わち、被転写基板との密着露光工程において、（１）フ
ォトマスクのパターンに対して全く欠落を生じないこと
、（２）被転写基板のフォトレジストに所定のパターン
転写を確実、かつ精密に行うこと、及び（３）透明導電
膜の透過率の向上手段のような高温処理を不要にするこ
との３項目を同時に満足させたフォトマスクを提供する
ことである。
このような目的を達成させるため、本発明によるフォト
マスクは、被転写基板上のフォトレジストと実質的同一
の７オトレジストをフォトマスクのパターン側の表面上
に塗布している。
マスクは、被転写基板上のフォトレジストと実質的同一
の７オトレジストをフォトマスクのパターン側の表面上
に塗布している。
第３図は、本発明による一実施例のフォトマスクを示し
、ソーダライムガラス等の透明基板１上に金属クロム等
の遮光性薄膜のパターン６（本例：線幅２μｍ）を形成
した後、（ここまでは、第１図に示したフォトマスク７
と同一である。）、このパターン６側の表面上に、後述
する被転写ｕ板上のフォトレジスト３と同一物質からな
るフォトレジスト１０（本例：ポジ型）号卜１シスト（
米国５ｈｉｐｌｅｙ社製の＾Ｚ−１３５０等）をスピン
コード法又はスプレィ法等により塗布覆る。このフォト
レジスト１０の膜厚は、ピンホールを考慮して、通常数
千入（本例： ５ｏｏｏ人）としている。次に、塗布さ
れたフォトレジスト１０内に残る有機溶剤を除去するた
め、いわゆるプレベ−り工程にて、ドライＮ２ガス等の
乾燥雰囲気中で電気オーブン又は赤外線加熱等で高温処
理される。このブレベーク温度は、通常、例えば第１図
（ａ）に示したブランク４のフォトレジスト３に対して
はガラス化温度を考慮して８０〜９０℃前後に設定され
るが、本例のフォトレジスト１０に対しては通常の設定
温度よりも低い温度（本例ニア０℃）に設定される。
、ソーダライムガラス等の透明基板１上に金属クロム等
の遮光性薄膜のパターン６（本例：線幅２μｍ）を形成
した後、（ここまでは、第１図に示したフォトマスク７
と同一である。）、このパターン６側の表面上に、後述
する被転写ｕ板上のフォトレジスト３と同一物質からな
るフォトレジスト１０（本例：ポジ型）号卜１シスト（
米国５ｈｉｐｌｅｙ社製の＾Ｚ−１３５０等）をスピン
コード法又はスプレィ法等により塗布覆る。このフォト
レジスト１０の膜厚は、ピンホールを考慮して、通常数
千入（本例： ５ｏｏｏ人）としている。次に、塗布さ
れたフォトレジスト１０内に残る有機溶剤を除去するた
め、いわゆるプレベ−り工程にて、ドライＮ２ガス等の
乾燥雰囲気中で電気オーブン又は赤外線加熱等で高温処
理される。このブレベーク温度は、通常、例えば第１図
（ａ）に示したブランク４のフォトレジスト３に対して
はガラス化温度を考慮して８０〜９０℃前後に設定され
るが、本例のフォトレジスト１０に対しては通常の設定
温度よりも低い温度（本例ニア０℃）に設定される。
第４図は本発明によるフォトマスク１１を転写用マスク
として使用し、サブマスター用のフォトマスクブランク
４〈第１図（ａ））を被転写基板として使用した場合の
密着露光工程を示す。先ず、本例の密着装置は、転写用
チャンバ１２と被転写用ヂレンバ１９からなり、転写用
チャンバ１２は、フォトマスク１１を収納設置する台座
１３及び貫通孔１４゜１５を有する枠体１６（材質：鋼
材等）と、露光面に設置した透明密閉板１７（材質二石
英等）と、フォトマスク１１と台座１３の間に介在した
クッションシー１〜１８（Ｕ質：ゴム賀等）とを備え、
被転写用チャンバ１９は１．ブランク４を収納設置する
台座２０及び貫通孔２１を有する枠体２２（材質：鋼材
等）と、密閉板２３（材質：赤色樹脂等）と、ブランク
４と台座２０の間に介在したクッションシート２４（材
質：ゴム質等）とを備えている。
として使用し、サブマスター用のフォトマスクブランク
４〈第１図（ａ））を被転写基板として使用した場合の
密着露光工程を示す。先ず、本例の密着装置は、転写用
チャンバ１２と被転写用ヂレンバ１９からなり、転写用
チャンバ１２は、フォトマスク１１を収納設置する台座
１３及び貫通孔１４゜１５を有する枠体１６（材質：鋼
材等）と、露光面に設置した透明密閉板１７（材質二石
英等）と、フォトマスク１１と台座１３の間に介在した
クッションシー１〜１８（Ｕ質：ゴム賀等）とを備え、
被転写用チャンバ１９は１．ブランク４を収納設置する
台座２０及び貫通孔２１を有する枠体２２（材質：鋼材
等）と、密閉板２３（材質：赤色樹脂等）と、ブランク
４と台座２０の間に介在したクッションシート２４（材
質：ゴム質等）とを備えている。
フォｌ〜マスク１１及びブランク４は、クッションシー
１・１８及び２４を介して台座１３及び２０に設置して
、貫通孔１４及び２１を通して各チャンバ１２及び１９
の内部を真空にすることにより、前記設置状態から吸着
状態にされる（第４図（ａ））。次に、各ヂトンバ１２
及び１９の枠体１６及び２２の頭部面を互いに接触した
後、貫通孔１５を通して、ノーＡ１−マスク１１どブラ
ンク４の対面空間を真空にして、前）ボした各チャンバ
１２及び１９の内部をリークすると（第４図（ｂ）→（
Ｃ））、フォトマスク１１どブランク４はそれぞれの７
オトレジスト１０と３が接して、密着する。この密着状
態で、水銀ランプ光２５を透明密閉板１７側からフォト
マスク１１を通してブランク４のフォトレジスト３に露
光し、フＡ１〜マスク１１のパターン６をブランク４に
転写する。その後、前述した真空及びリークについて逆
の手順を経て、フォトマスク１１とブランク４を各チＶ
ンバ１２と１９から取り出す。
１・１８及び２４を介して台座１３及び２０に設置して
、貫通孔１４及び２１を通して各チャンバ１２及び１９
の内部を真空にすることにより、前記設置状態から吸着
状態にされる（第４図（ａ））。次に、各ヂトンバ１２
及び１９の枠体１６及び２２の頭部面を互いに接触した
後、貫通孔１５を通して、ノーＡ１−マスク１１どブラ
ンク４の対面空間を真空にして、前）ボした各チャンバ
１２及び１９の内部をリークすると（第４図（ｂ）→（
Ｃ））、フォトマスク１１どブランク４はそれぞれの７
オトレジスト１０と３が接して、密着する。この密着状
態で、水銀ランプ光２５を透明密閉板１７側からフォト
マスク１１を通してブランク４のフォトレジスト３に露
光し、フＡ１〜マスク１１のパターン６をブランク４に
転写する。その後、前述した真空及びリークについて逆
の手順を経て、フォトマスク１１とブランク４を各チＶ
ンバ１２と１９から取り出す。
そこで、本発明においては、フォトマスク１１のパター
ン側の表面上にブランク４のフォ１へレジスト３と同一
の７オトレジスト１０を塗布していることから、前述し
た密着露光工程において、フＪ ｈレジスト３．１０同
志が接触することになり、このフォトレジスト３．１０
には静電気が発生しにくいし、仮に発生したとしても僅
かな電荷母であるため、フォトマスク１１のパターン６
に対して放電破壊するようなことはない。また、ダスト
２６がフォトマスク１１とブランク４との間に介在した
どしても、このダスト２６は、ブランク４の露光後の工
程、すなわち現像、エツチング、レジスト剥離の工程を
経て除去される。また、フォトマスク１１は、そのフォ
トレジスト１０のプレベ−り工程にて高温処理されるが
、そのブレベーク温度が通常１００′Ｃｇ。
ン側の表面上にブランク４のフォ１へレジスト３と同一
の７オトレジスト１０を塗布していることから、前述し
た密着露光工程において、フＪ ｈレジスト３．１０同
志が接触することになり、このフォトレジスト３．１０
には静電気が発生しにくいし、仮に発生したとしても僅
かな電荷母であるため、フォトマスク１１のパターン６
に対して放電破壊するようなことはない。また、ダスト
２６がフォトマスク１１とブランク４との間に介在した
どしても、このダスト２６は、ブランク４の露光後の工
程、すなわち現像、エツチング、レジスト剥離の工程を
経て除去される。また、フォトマスク１１は、そのフォ
トレジスト１０のプレベ−り工程にて高温処理されるが
、そのブレベーク温度が通常１００′Ｃｇ。
下であることから、パターン６に対してμｍオーダーで
熱変形をもたらすようなことはない。更に本例のように
ブランク４のブレベーク温度よりも低い設定温度でプレ
ベークしている場合、フォトマスク１１のフォトレジス
ト１０の付着力は、ブランク４の７オトレジスト３のも
のと比較して弱く、それ故、前述した密着露光工程にお
いて、フォｌ〜マスク１１の７オトレジスト１Ｏの一部
又は全部が剥離してブランク４のフォトレジスト３に付
着することになるが、両フォトレジスト３．１０はもと
もと同一物質であることから、フＡ１〜レジｉへ１０か
らの付着物はフオトレジスト３と全く同様に処Ｊ！Ｉ！
され、何等支障はないし、ブランク４のフＡ１〜レジス
ト３の剥離を防止している。
熱変形をもたらすようなことはない。更に本例のように
ブランク４のブレベーク温度よりも低い設定温度でプレ
ベークしている場合、フォトマスク１１のフォトレジス
ト１０の付着力は、ブランク４の７オトレジスト３のも
のと比較して弱く、それ故、前述した密着露光工程にお
いて、フォｌ〜マスク１１の７オトレジスト１Ｏの一部
又は全部が剥離してブランク４のフォトレジスト３に付
着することになるが、両フォトレジスト３．１０はもと
もと同一物質であることから、フＡ１〜レジｉへ１０か
らの付着物はフオトレジスト３と全く同様に処Ｊ！Ｉ！
され、何等支障はないし、ブランク４のフＡ１〜レジス
ト３の剥離を防止している。
更にまた、本発明によるフＡ１〜マスク１１は、そのパ
ターン６側の全表面を７オトレジスト１０で被覆してい
ることから、その全表面を物理的・化学的にも保護して
いる。
ターン６側の全表面を７オトレジスト１０で被覆してい
ることから、その全表面を物理的・化学的にも保護して
いる。
なお、本発明は以上の実施例に限定されず、透明基板に
ついてはアルミノボロシリケートガラス等の他の硝種の
ガラスや合成石英等、遮光性薄膜についてはＴａ、Ｔｉ
、Ｗ、Ｍｏ、Ｆ−ｅヤＣｒを含めたこれらの酸化物、窒
化物等、フＡ１〜レジストについては伯のタイプのポジ
型フ第１〜レジスト（例：東京応化工業（株）製０ＦＰ
Ｒ−８００）、ネガ型７月トレジスト（例：間装０ＤＯ
Ｒ−１２０） 、又はＸ線露光法によるフォトレジスト
でもに＜、遮光性薄膜及びフォトレジストの膜厚はそれ
ぞれ適宜選定される。また、この遮光性薄膜は透明基板
上に直接被着する他に、透Ｉ１ｇ基板側に透明導電膜と
裏面反射防止膜のいずれか一方又は両方を、遮光性薄膜
とフォトレジストの間に表面反射防止膜をそれぞれ必要
に応じて被着してもよい。これらの成膜方法は輿空蒸着
法、気相成長法、イオンブレーティング法等を使用して
もよい。
ついてはアルミノボロシリケートガラス等の他の硝種の
ガラスや合成石英等、遮光性薄膜についてはＴａ、Ｔｉ
、Ｗ、Ｍｏ、Ｆ−ｅヤＣｒを含めたこれらの酸化物、窒
化物等、フＡ１〜レジストについては伯のタイプのポジ
型フ第１〜レジスト（例：東京応化工業（株）製０ＦＰ
Ｒ−８００）、ネガ型７月トレジスト（例：間装０ＤＯ
Ｒ−１２０） 、又はＸ線露光法によるフォトレジスト
でもに＜、遮光性薄膜及びフォトレジストの膜厚はそれ
ぞれ適宜選定される。また、この遮光性薄膜は透明基板
上に直接被着する他に、透Ｉ１ｇ基板側に透明導電膜と
裏面反射防止膜のいずれか一方又は両方を、遮光性薄膜
とフォトレジストの間に表面反射防止膜をそれぞれ必要
に応じて被着してもよい。これらの成膜方法は輿空蒸着
法、気相成長法、イオンブレーティング法等を使用して
もよい。
第１図は従来のフォトマスクの製造工程を示す断面図、
第２図は帯電を防止した従来のフォトマスクを示す断面
図、第３図は本発明によるフォトマスクを示す断面図、
及び第４図は本発明によるフォトマスクの使用例である
密着露光工程を示す断面図である。 １・・・透明基板、２・・・遮光性薄膜、３，１０・・
・フォトレジスト、４・・・フォトマスクブランク、６
・・・遮光性薄膜のパターン、１１・・・フォトマスク 第１図
第２図は帯電を防止した従来のフォトマスクを示す断面
図、第３図は本発明によるフォトマスクを示す断面図、
及び第４図は本発明によるフォトマスクの使用例である
密着露光工程を示す断面図である。 １・・・透明基板、２・・・遮光性薄膜、３，１０・・
・フォトレジスト、４・・・フォトマスクブランク、６
・・・遮光性薄膜のパターン、１１・・・フォトマスク 第１図
Claims (2)
- （１） 透明基板の上方に遮光性薄膜のパターンを形成
したフォトマスクにおいて、前記フォトマスクと密着露
光して前記パターンが転写されるフォトレジスト付ぎ被
転写基板の前記フォトレジストと実質的同一のフォトレ
ジストを前記フォトマスクのパターン側の表面に塗布し
ていることを特徴とするフォトマスク。 - （２） 透明基板の上方に遮光性薄膜のパターンを形成
したフォトマスクにおいて、前記フォトマスクと密着露
光して前記パターンが転写されるフォトレジスト付き被
転写基板の前記フォトレジストと実質的同一のフォトレ
ジストを前記フォトマスクのパターン側の表面に塗布し
、かつ前記フォトマスクのプレベーク温度を前記被転写
基板のプレベ−り温度よりも低くしていることを特徴と
するフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58237089A JPS60128449A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | フオトマスクとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58237089A JPS60128449A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | フオトマスクとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60128449A true JPS60128449A (ja) | 1985-07-09 |
Family
ID=17010241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58237089A Pending JPS60128449A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | フオトマスクとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60128449A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49131681A (ja) * | 1973-04-20 | 1974-12-17 | ||
| JPS5179575A (ja) * | 1975-01-06 | 1976-07-10 | Hitachi Ltd |
-
1983
- 1983-12-15 JP JP58237089A patent/JPS60128449A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49131681A (ja) * | 1973-04-20 | 1974-12-17 | ||
| JPS5179575A (ja) * | 1975-01-06 | 1976-07-10 | Hitachi Ltd |
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